mos管基础知识

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

MOS管的基础知识

什么是场效应管呢?场效应管式是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它是靠半导体中的多数载流子导电,又称单极性晶体管。它区别晶体管,晶体管是利用基极的小电流可以控制大的集电极电流。又称双极性晶体管。

一,MOS管的种类,符号。

1JFET结型场效应管----利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变导电沟

道的宽度,从而控制漏极电流的大小。结型场效应管一般是耗尽型的。

耗尽型的特点:

a,PN结反向电压,这个怎么理解,就是栅极G,到漏极D和源极s有个PN结,b,未加栅压的时候,器件已经导通。要施加一定的负压才能使器件关闭。

C,从原理上讲,漏极D和源极S不区分,即漏极也可作源极,源极也可以做漏极。漏源之间有导通电阻。

2IGFET绝缘栅极场效应管----利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。

增强型效应管特点:

A,栅极和源极电压为0时,漏极电流为0的管子是增强型的。

B,栅源电压,这个之间是个绝缘层,绝缘栅型一般用的是SIO

绝缘层。

2耗尽型绝缘栅场效应晶体管的性能特点是:当栅极电压U。=0时有一定的漏极电流。对于N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管,漏极加正电压,栅极电压从0

逐渐上升时漏极电流逐渐增大,栅极电压从0逐渐下降时漏极电流逐渐减小直至截止。对于P沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管,漏极加负电压,栅极电压从0逐渐下降时漏极电流逐渐增大,栅极电压从0逐渐上升时漏极电流逐渐减小直至截止。

1,按功率分类:

A,小信号管,一般指的是耗尽型场效应管。主要用于信号电路的控制。

B,功率管,一般指的是增强型的场效应管,只要在电力开关电路,驱动电路等。

2,按结构分类:增强型,耗尽型

结型场效应管:N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管(一般是耗尽型)

绝缘栅型场效应管:N沟道增强型,P沟道增强型,N沟道耗尽型,P沟道耗尽型。

二,用数字万用表测量MOS管的方法

用数字万用表判断MOS的管脚定义。

1,判断结型场效应管的

栅极的判断,

我们以N沟道为例,大家知道,结型场效应管在VGS之间不施加反向电压的话,DS之间是导通的,(沟道是以N型半导体为导电沟道),有一定的阻值,所以我们用万用表欧姆档任意测量结型场效应管的两个端子,其中有一组两者之间的阻值基本上是一定的。这样大概就能基本上判断出结型场效应管的DS端。则另外的一个端就是G栅极。

如果DS之间的阻值误差大,不是很肯定的话,另外的一种方法是确定结型场效应管的栅极G,我们利用结型场效应管PN结。大家知道,结型场

效应管在PN结反向电压的条件下,控制沟道的电流大小。以N沟道为例,导电沟道是N型半导体,即导电沟道的两端是DS端,P型半导体是栅极G,故我们用数字万用表的二极管档,任意两个端子测量,就能发现其中有一个端子到另外两个端子之间有PN结效应,故这个端子就是G栅极。

2,判断增强型场效应管。

这个给大家说一个基础知识,就是大部分的分立结构的绝缘栅增强型管都有一个体二极管。集成电路内部的MOS管是没有体二极管,这个是由于生产工艺决定。这个体二极管可以当做快速恢复整流二极管,个别的增强型的管子这个体二极管是个稳压二极管,如IRF540,起保护作用。我们利用这个体二极管,和栅极与导电沟道之间是相互绝缘的,用数字万用表的二极管档,任意两个端子测量,有PN结效应的就是DS端,另外一个端子就是栅极G..

三,一些常见封装的MOS管管脚定义。

部门:姓名:

一,写出MOS管的类型

二,标出下列管子的管脚定义GDS

相关文档
最新文档