半导体基本测试原理
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对于SBD/FRD测试，以下测试项为VR参数： 1) VZ 适用于单管芯及双管芯产品第一个管芯的反向电压测试； 2) BVCBO 适用于双管芯产品第二个管芯的反向电压测试。
VZ IKA
VZ
BVCBO
IKA
IC
IR 3. IR Reverse Current(I)（反向电流）
二极管在规定的反向电压（VR / VCE / VCB)下的电流值。
对于SBD/FRD测试，以下测试项为IR参数：
1) IR
适用于单管芯及双管芯产品第一个管芯的反向电流测试；
2) ICBO 适用于双管芯产品第二个管芯的反向电流测试。
IR VCE
IR
ICBO
VCE
VCB
测试数据文件介绍(JUNO)
Juno机台测试数据文件：Juno测试机测试数据文件主要 有：
1. ＊.jdf ：原始测试数据，必须由Juno自带软件 “DfOpener”打开查看，且测试数据不能编辑或更改
2. 承片台吸附wafer进行自动对准定位，以使探针卡/探针与wafer测试区域接 触良好。
3. 测试机（tester)将电信号通过探针卡加载在待测die上，对产品进行测试， 按照测试结果分类。
4. 对不合格芯片进行打墨点标记，以使不良管芯可以在封装之前被识别并废 弃。
测试的评判标准－－良率（yield） • 电学测试数据根据每个硅片上失效的芯片数目把硅片分为通过 （Pass）和失效（Fail）两类，其中合格芯片所占的百分比称为良率。 产品良率（Yield）＝合格芯片数（good die） / 总芯片数（ gross die）
产品电性测试，验证每个芯片是否符 合产品规格
使用产品规格进行的产品功能测试
CP测试主要设备 1. 探针卡（probe card） 探针卡是自动测试机与待测器件（DUT）之间的接口，在电学测试中 通过探针传递进出wafer的电流。 2. 探针台（prober) 主要提供wafer的自动上下片、找中心、对准、定位以及按照设置的步 距移动Wafer的功能，以使探针卡上的探针总是能对准硅片相应位置 进行测试。
对于SBD/FRD测试，以下测试项为VF参数：
1) VF
Fra Baidu bibliotek
适用于单管芯及双管芯产品第一个管芯的正向电压测试；
2) VFBC 适用于双管芯产品第二个管芯的正向电压测试。
VF
IAK
VF
VFBC
IAK
IB
VR(VZ) 2. VR(VZ) Reverse Voltage(反向电压) 二极管在规定的反向电流（IR / IKA）下的电压值。
2. ＊.sum ：每片的计数文件，用于查看各片wafer的良率 情况及各bin统计。
3. ＊.wfs ：整批的计数文件，用于查看该批wafer整体良 率情况及各bin的统计。
End
-Reverse Voltage
IR
-Reverse Current(I)
SBD特性曲线
SBD特性曲线：
Reverse
Voltage
Vr
Vr@Ir Ir@Vr
Forward Current
If
Vf @ If
Ir
Reverse Current
Forward Voltage
VF 1. VF Forward Voltage（正向电压） 二极管在规定的正向电流（IF / IAK）下的正向压降。
2. ＊.jdf.xls ：＊.jdf自动转化的excel文档，用于查看各参 数测试具体数据。
3. ＊_Counter.xls ：计数文件，用于查看wafer整体良率情 况及各bin的统计。
测试数据文件介绍(STATEC) STATEC机台测试数据文件：STATEC测试机测试数据文件 主要有：
1. ＊.log2 ：原始测试数据，必须由STATEC 自带软件 “Atos”打开查看并转换为excel文档，原始测试数据不 能编辑或更改。
3. 测试机（tester / ATE） 控制测试过程，可作为电压或电流源并能对输出的电压和电流进行测 量，并通过测试软件实现测试结果的分类（bin）、数据的保存和控制、 系统校准以及故障诊断。
CP测试主要过程
1. 将待测Wafer放在cassette中置于探针台（Prober)的上下片部分，探针台自 动上片到承片台（chuck）并被真空吸附在承片台上。
- Gate to Source Threshold Voltage
RDON - Drain to Source On-Resistance
V二FSD极管-（DSraBinDt/oFRSoDu等rce）Fo基rw本ard测Vo试lta参ge数
VF
-Forward Voltage
VR(VZ)
基本测试原理
基本测试原理
半导体产品的不同阶段电学测试
测试种类 IC设计验证
生产阶段 生产前
在线参数测试（ PCM)
Wafer制造过 程中
硅片拣选测试（CP Wafer制造后 测试）
终测（FT）
封装后
测试描述
描述、调试和检验新的芯片设计，保证 符合规格要求
为了监控工艺，在制作过程的早期进行 产品工艺检验测试
测试的基本参数及其测试原理
VDMOS基本测试参数
BVDSS - Drain to Source Breakdown Voltage
IDSS - Drain to Source Leakage Current
ISGS - Gate to Source Leakage Current
Vth
VZ IKA
VZ
BVCBO
IKA
IC
IR 3. IR Reverse Current(I)（反向电流）
二极管在规定的反向电压（VR / VCE / VCB)下的电流值。
对于SBD/FRD测试，以下测试项为IR参数：
1) IR
适用于单管芯及双管芯产品第一个管芯的反向电流测试；
2) ICBO 适用于双管芯产品第二个管芯的反向电流测试。
IR VCE
IR
ICBO
VCE
VCB
测试数据文件介绍(JUNO)
Juno机台测试数据文件：Juno测试机测试数据文件主要 有：
1. ＊.jdf ：原始测试数据，必须由Juno自带软件 “DfOpener”打开查看，且测试数据不能编辑或更改
2. 承片台吸附wafer进行自动对准定位，以使探针卡/探针与wafer测试区域接 触良好。
3. 测试机（tester)将电信号通过探针卡加载在待测die上，对产品进行测试， 按照测试结果分类。
4. 对不合格芯片进行打墨点标记，以使不良管芯可以在封装之前被识别并废 弃。
测试的评判标准－－良率（yield） • 电学测试数据根据每个硅片上失效的芯片数目把硅片分为通过 （Pass）和失效（Fail）两类，其中合格芯片所占的百分比称为良率。 产品良率（Yield）＝合格芯片数（good die） / 总芯片数（ gross die）
产品电性测试，验证每个芯片是否符 合产品规格
使用产品规格进行的产品功能测试
CP测试主要设备 1. 探针卡（probe card） 探针卡是自动测试机与待测器件（DUT）之间的接口，在电学测试中 通过探针传递进出wafer的电流。 2. 探针台（prober) 主要提供wafer的自动上下片、找中心、对准、定位以及按照设置的步 距移动Wafer的功能，以使探针卡上的探针总是能对准硅片相应位置 进行测试。
对于SBD/FRD测试，以下测试项为VF参数：
1) VF
Fra Baidu bibliotek
适用于单管芯及双管芯产品第一个管芯的正向电压测试；
2) VFBC 适用于双管芯产品第二个管芯的正向电压测试。
VF
IAK
VF
VFBC
IAK
IB
VR(VZ) 2. VR(VZ) Reverse Voltage(反向电压) 二极管在规定的反向电流（IR / IKA）下的电压值。
2. ＊.sum ：每片的计数文件，用于查看各片wafer的良率 情况及各bin统计。
3. ＊.wfs ：整批的计数文件，用于查看该批wafer整体良 率情况及各bin的统计。
End
-Reverse Voltage
IR
-Reverse Current(I)
SBD特性曲线
SBD特性曲线：
Reverse
Voltage
Vr
Vr@Ir Ir@Vr
Forward Current
If
Vf @ If
Ir
Reverse Current
Forward Voltage
VF 1. VF Forward Voltage（正向电压） 二极管在规定的正向电流（IF / IAK）下的正向压降。
2. ＊.jdf.xls ：＊.jdf自动转化的excel文档，用于查看各参 数测试具体数据。
3. ＊_Counter.xls ：计数文件，用于查看wafer整体良率情 况及各bin的统计。
测试数据文件介绍(STATEC) STATEC机台测试数据文件：STATEC测试机测试数据文件 主要有：
1. ＊.log2 ：原始测试数据，必须由STATEC 自带软件 “Atos”打开查看并转换为excel文档，原始测试数据不 能编辑或更改。
3. 测试机（tester / ATE） 控制测试过程，可作为电压或电流源并能对输出的电压和电流进行测 量，并通过测试软件实现测试结果的分类（bin）、数据的保存和控制、 系统校准以及故障诊断。
CP测试主要过程
1. 将待测Wafer放在cassette中置于探针台（Prober)的上下片部分，探针台自 动上片到承片台（chuck）并被真空吸附在承片台上。
- Gate to Source Threshold Voltage
RDON - Drain to Source On-Resistance
V二FSD极管-（DSraBinDt/oFRSoDu等rce）Fo基rw本ard测Vo试lta参ge数
VF
-Forward Voltage
VR(VZ)
基本测试原理
基本测试原理
半导体产品的不同阶段电学测试
测试种类 IC设计验证
生产阶段 生产前
在线参数测试（ PCM)
Wafer制造过 程中
硅片拣选测试（CP Wafer制造后 测试）
终测（FT）
封装后
测试描述
描述、调试和检验新的芯片设计，保证 符合规格要求
为了监控工艺，在制作过程的早期进行 产品工艺检验测试
测试的基本参数及其测试原理
VDMOS基本测试参数
BVDSS - Drain to Source Breakdown Voltage
IDSS - Drain to Source Leakage Current
ISGS - Gate to Source Leakage Current
Vth