模拟电子技术基础 童诗白 答案
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模拟电子技术基础童诗白答案第一章半导体基础知识
自测题
一、(1)? (2)× (3)? (4)× (5)? (6)×
2)C (3)C (4)B (5)A C 二、(1)A (
三、U?1.3V U,0 U?,1.3V U?2V U?2.3V U?,2V O1O2O3O4O5O6
四、U,6V U,5V O1O2
五、根据P,200mW可得:U,40V时I,5mA,U,30V时I?6.67mA,UCMCECCECCE
,20V时I,10mA,U,10V时I,20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图CCEC
略。
六、1、
V,UBBBEI,,26μABRb
I,, I,2.6mA CB
U,V,IR,2VCECCCC
U,U,2V。 OCE
2、临界饱和时U,U,0.7V,所以 CESBE
V,UCCCES,,2.86mAICRc
IC ,,28.6μAIB,
V,UBBBE,,45.4k,RbIB
七、T:恒流区;T:夹断区;T:可变电阻区。 123
u习题 /Vi
10
1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A tO1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而
uo/V烧坏。 10 1.3 u和u的波形如图所示。 iotO
1
1.4 u和u的波形如图所示。 io
u/Vi
53
tO-3
u/VO
3.7
tO
-3.7
1.5 u的波形如图所示。 o
/VuI1
3
0.3tO
/VuI2
3
0.3tO
u/VO
3.7
1tO
1.6 I,(V,U)/R,
2.6mA,r?U/I,10Ω,I,U/r?1mA。 DDDTDdiD
1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8 I,P/U,25mA,R,U/I,0.24,1.2kΩ。 ZMZMZZDZ
1.9 (1)当U,10V时,若U,U,6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定IOZ 电流,所以稳压管未击穿。故
RLU,,U,3.33V OIR,RL
当U,15V时,由于上述同样的原因,U,5V。 IO
当U,35V时,U,U,5V。 IOZ
I,(U,U)R, (2)29mA,I,25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。 ZMDIZZ
1.10 (1)S闭合。
(2) R,(V,U)I,233,,R,(V,U)I,700,。minDDmaxmaxDDmin
2
1.11 波形如图所示。
/VuI
6
3
t0/VuO13t0
/VuO23t0
1.12 60?时I?32μA。 CBO
1.13 选用β,100、I,10μA的管子,其温度稳定性好。 CBO
1.14
1.01mA
5mA
(a)(b)
1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表
TTTTTT管号 1 2 3 4 5 6
e c e b c b 上
b b b e e e 中
c e c c b c 下
PNP NPN NPN PNP PNP NPN 管型
Si Si Si Ge Ge Ge 材料
1.16 当V,0时,T截止,u,12V。 BBO
当V,1V时,T处于放大状态。因为 BB
V,UBBBEQ I,,60μA,I,, I,3mA,u,V,IR,9VBQCQBQOCCCQCRb
当V,3V时,T处于饱和状态。因为 BB
V,UBBBEQ I,,160μA,I,, I,8mA,u,V,IR,UBQCQBQOCCCQCBERb 1.17 取U,U,若管子饱和,则 CESBE
V,UV,URCCBECCBEb,,,,R,, R,所以,,,100管子饱和。 bCRRRbCC 1.18 当u,0时,晶体管截止,稳压管击穿,u,,U,,5V。 IOZ
当u,,5V时,晶体管饱和,u,0.1V。因为 IO
u,UIBEI,,480μABR b
I,,I,24mACB
3
U,V,IR,V ECCCCCCC
1.19(a)可能 (b)可能 (c)不能 (d)不能,T会损坏。 (e)可能
1.20 根据方程
u2GS i,I(1,)DDSSUGS(th)
逐点求出确定的u下的i,可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中,将各条曲线GSD
上u,U的点连接起来,便为予夹断线。 ()GDGSoff
1.21
1.22 过u为某一确定值(如15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的i 值;DSD建立i,f(u)坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。DGS
1.23 u,4V时T夹断,u,8V时T工作在恒流区,u,12V时T工作在可变电阻区。 III
1.24 (a)可能 (b)不能 (c)不能 (d)可能
4