TFT制程简介
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Gate-Bus-Line
ITO 透明导电极
CS 储存电容
S Data Line
G-TAB
P C B A -Y
Panel外观说明:
DOT显示区域
G Scan Line
PCBA-X
BM遮进来的区域
能够控制液晶分子排列的区域
Cst
显微镜下的DOT 等 效 电 路 图
金属不透光区
A.R. = 65 %
:
ITO电极区
能够控制液晶分子排列的区域
说明Cs on common
BM遮进来的区域
Cst
显微镜下的DOT 等 效 电 路 图
金属不透光区
A.R. = 61 %
:
TFT Device 原件动作原理
TFT制程区域划分:
薄膜区--各层之薄膜成长 黄光区--曝光.显影 蚀刻区--图案成形及去光阻 测试区--array及外部电路之检查
Equipment:
Plasma CVD ,Sputter-----薄膜 Nikon stepper , Canon scaner----黄光 Dry , Wet Etching----蚀刻
G: Gate SiNx (氮硅化合物,绝缘层)
I: a-Si (非结晶硅,通道层)
N: N+ (高浓度磷(PH3)的硅)降低界面电位差,使成为奥姆接触(Omic contact)
3) S/D Metal (Mo \Al\Mo)
镀上镀上MoN(氮化钼),pure Al(source,drain)
4) Passivation (SiNx)
G-I-N Deposition G-I-N 薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
IN photo IN黄光制程
ADI CD 显影后CD量测
IN etch IN 蚀刻
TFT制作流程图: Layer-2
Layer-3
Layer-4
PR strip 去除光阻
Marco Inspection 强光检查
Source
Glass Substrate
a-Si
Gate
Gate metal Layer-1
Drain
Insulator (G-SiNx)
Layer-2
Initial clean 初始清洗
TFT制作流程图:
Layer-1
Layer-2
Pre-Dep clean 沈积前清洗
Metal 1 Deposition Gate薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
Pre-Photo clean 光阻被覆/曝光/显影
Metal 1 photo Layer 程1黄光制
PR strip 去除光阻
CD Loss 蚀刻后CD Loss量测
ADI CD 显影后CD量测
Pre-dep clean 沈积前预洗
Wet etch Layer 1蚀刻
Pass.CVD 护层沈积
Marco Inspection 强光检查
Pass.photo 护层黄光
ADI CD 显影后CD量测
TFT制作流程图: Layer-4
Pass.etch 护层蚀刻
PR strip 去除光阻
ITO Sputter ITO薄膜沈积
Layer-5
Test
Marco Inspection 强光检查
镀上保护层(把金属部份盖住)
5) ITO
(Indium-Tin-Oxide)
镀上ITO (铟锑氧化物,画素电极)
TFT Layers 五层结构图
Passivation Layer-4
S/D metal Layer-3
n+ a-Si
S/D metal Layer-3
ITO Layer-5
Passivation Layer-4
TFT制作流程图:
Thin Film Process PreClean
Etching Process Dry or Wet Etching
Thin Film Deposition
Resist stripping
1.Macro-Inspection 2.Monitor
Photo Process
PreClean
:视为一个开关组件
Vgs
Vth
S
Dபைடு நூலகம்
G
i) 在闸极给予适当之电压 :Vgs> Vth 使信道感应出电子,由源极(S)导通至汲极(D)
ii) 当闸极之电压Vgs< Vth 则感应不出电子,使得信道形成断路
S
G S
G
D
ON
D OFF
TFT-LCD剖面图
整块Panel的动作说明:
Data-Bus-Line
ITO.photo ITO黄光
ADI CD 显影后CD量测
ITO.etch ITO蚀刻
PR strip 去除光阻
ITO space CD Loss ITO CD Loss量测
Final Anneal 回火
TEG 电性量测
Laser Repair 雷射修护
Array test Array测试
说明 Cs on gate ITO电极区
PR coating Exposure
Developing
1.ADI 2.CD measurement 3.AOI
1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
Final testing 1.Test key 2.Function test 3.Laser repair
Pre-Dep clean 沈积前预洗
S/D sputter S/D薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
S/D photo S/D黄光
ADI CD 显影后CD量测
S/D etch S/D蚀刻
BAKE 蚀刻前烘烤
N+etch channel蚀刻
PR strip 去除光阻
Surface condition S/D CD Loss量测
TFT制程简介说明
For : NBLCM F.A. Team Author: Jessica _ Lin Date:2009/1/8
目录:
• TFT制作流程图 • TFT制作过程说明 • TFT五层制程说明 • TFT的制作类型 • TFT的工作原理 • 补充说明:
• 1.实际显微镜下的比对 • 2.TFT-LCD的工作说明 • 其它…
TFT制作流程说明:
只有单一层次说明:
薄膜沉积 检查
黄光前洗净
循环制程
PR Coating 曝光
去除光阻
蚀刻
显影
TFT Substrate
1) Gate Metal (AlNd \MoN)
镀上MoN(氮化钼),Al+3%Nd (GATE)
2) G I N
(SiNx \a-Si \n+ a-Si)
ITO 透明导电极
CS 储存电容
S Data Line
G-TAB
P C B A -Y
Panel外观说明:
DOT显示区域
G Scan Line
PCBA-X
BM遮进来的区域
能够控制液晶分子排列的区域
Cst
显微镜下的DOT 等 效 电 路 图
金属不透光区
A.R. = 65 %
:
ITO电极区
能够控制液晶分子排列的区域
说明Cs on common
BM遮进来的区域
Cst
显微镜下的DOT 等 效 电 路 图
金属不透光区
A.R. = 61 %
:
TFT Device 原件动作原理
TFT制程区域划分:
薄膜区--各层之薄膜成长 黄光区--曝光.显影 蚀刻区--图案成形及去光阻 测试区--array及外部电路之检查
Equipment:
Plasma CVD ,Sputter-----薄膜 Nikon stepper , Canon scaner----黄光 Dry , Wet Etching----蚀刻
G: Gate SiNx (氮硅化合物,绝缘层)
I: a-Si (非结晶硅,通道层)
N: N+ (高浓度磷(PH3)的硅)降低界面电位差,使成为奥姆接触(Omic contact)
3) S/D Metal (Mo \Al\Mo)
镀上镀上MoN(氮化钼),pure Al(source,drain)
4) Passivation (SiNx)
G-I-N Deposition G-I-N 薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
IN photo IN黄光制程
ADI CD 显影后CD量测
IN etch IN 蚀刻
TFT制作流程图: Layer-2
Layer-3
Layer-4
PR strip 去除光阻
Marco Inspection 强光检查
Source
Glass Substrate
a-Si
Gate
Gate metal Layer-1
Drain
Insulator (G-SiNx)
Layer-2
Initial clean 初始清洗
TFT制作流程图:
Layer-1
Layer-2
Pre-Dep clean 沈积前清洗
Metal 1 Deposition Gate薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
Pre-Photo clean 光阻被覆/曝光/显影
Metal 1 photo Layer 程1黄光制
PR strip 去除光阻
CD Loss 蚀刻后CD Loss量测
ADI CD 显影后CD量测
Pre-dep clean 沈积前预洗
Wet etch Layer 1蚀刻
Pass.CVD 护层沈积
Marco Inspection 强光检查
Pass.photo 护层黄光
ADI CD 显影后CD量测
TFT制作流程图: Layer-4
Pass.etch 护层蚀刻
PR strip 去除光阻
ITO Sputter ITO薄膜沈积
Layer-5
Test
Marco Inspection 强光检查
镀上保护层(把金属部份盖住)
5) ITO
(Indium-Tin-Oxide)
镀上ITO (铟锑氧化物,画素电极)
TFT Layers 五层结构图
Passivation Layer-4
S/D metal Layer-3
n+ a-Si
S/D metal Layer-3
ITO Layer-5
Passivation Layer-4
TFT制作流程图:
Thin Film Process PreClean
Etching Process Dry or Wet Etching
Thin Film Deposition
Resist stripping
1.Macro-Inspection 2.Monitor
Photo Process
PreClean
:视为一个开关组件
Vgs
Vth
S
Dபைடு நூலகம்
G
i) 在闸极给予适当之电压 :Vgs> Vth 使信道感应出电子,由源极(S)导通至汲极(D)
ii) 当闸极之电压Vgs< Vth 则感应不出电子,使得信道形成断路
S
G S
G
D
ON
D OFF
TFT-LCD剖面图
整块Panel的动作说明:
Data-Bus-Line
ITO.photo ITO黄光
ADI CD 显影后CD量测
ITO.etch ITO蚀刻
PR strip 去除光阻
ITO space CD Loss ITO CD Loss量测
Final Anneal 回火
TEG 电性量测
Laser Repair 雷射修护
Array test Array测试
说明 Cs on gate ITO电极区
PR coating Exposure
Developing
1.ADI 2.CD measurement 3.AOI
1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
Final testing 1.Test key 2.Function test 3.Laser repair
Pre-Dep clean 沈积前预洗
S/D sputter S/D薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
S/D photo S/D黄光
ADI CD 显影后CD量测
S/D etch S/D蚀刻
BAKE 蚀刻前烘烤
N+etch channel蚀刻
PR strip 去除光阻
Surface condition S/D CD Loss量测
TFT制程简介说明
For : NBLCM F.A. Team Author: Jessica _ Lin Date:2009/1/8
目录:
• TFT制作流程图 • TFT制作过程说明 • TFT五层制程说明 • TFT的制作类型 • TFT的工作原理 • 补充说明:
• 1.实际显微镜下的比对 • 2.TFT-LCD的工作说明 • 其它…
TFT制作流程说明:
只有单一层次说明:
薄膜沉积 检查
黄光前洗净
循环制程
PR Coating 曝光
去除光阻
蚀刻
显影
TFT Substrate
1) Gate Metal (AlNd \MoN)
镀上MoN(氮化钼),Al+3%Nd (GATE)
2) G I N
(SiNx \a-Si \n+ a-Si)