光子晶体传输矩阵教程文件
传递矩阵法和平面波展开法
动态规划问题,且问题能被分解成多个子问题。
光子晶体能带研究,特别是当光子晶体结构相对简单时。
1. 计算周期短,易操作。2. 结果直观明了,计算精度和准确度较高。
缺点
1. 需要分析的问题必须能被分解成小问题。2. 时间复杂度较大,处理复杂问题时可能受限。
1. 对复杂或含有缺陷结构的光子晶体,计算量可能过大。2. 介电常数随频率变化时,本征方程无法确定,可能发散无法求解。3. 假设光子晶体周期性结构无限大,对特定光子晶体的光学特性计算不准确。
传递矩阵法和平面波展开法
方法名称
传递矩法(状态转移矩阵法)
平面波展开法
基本思想
将原问题分成多段子问题,用状态转移矩阵表示,最后组合求解得到最优解。
把电磁波在倒格矢空间进行平面波展开,并将周期性变化的介电常数展开成傅里叶级数,简化麦克斯韦方程组求解。
应用领域
动态规划问题,如路径优化、资源分配等。
光子晶体能带研究,预测光子带隙的存在等。
核心步骤
1. 分析问题,找出目标函数、状态转移方程式和约束条件。2. 构建状态转移矩阵。3. 求解状态转移矩阵。4. 根据求解结果解决问题。
1. 将电磁波和介电常数进行平面波和傅里叶级数展开。2. 简化麦克斯韦方程组为本征方程组。3.求解本征值得到本征频率和光子晶体的色散曲线。
优点
1. 可以将复杂问题分解成小问题,逐步求解。2. 简单易行,适用于多种动态规划问题。
光子晶体原理及应用
一、绪论1.1光子晶体的基本概念光子晶体是由不同介电常数的介质材料在空间呈周期排布的结构,当电磁波受到调制而形成类似于电子的能带结构,这种能带结构称为光子能带。
在合适的晶格常数和介电常数比的条件下,类似于电子能带隙,在光子晶体的光子能带间可出现使某些频率的电磁波完全不能透过的频率区域,将此频率区域称为光子带隙或光子禁带。
人们又将光子晶体称为光子带隙材料。
与一般的电子晶体类似,光子晶体也有一维、二维、三维之分。
一维光子晶体是介电常数不同的两种介质块交替堆积形成的结构。
实际上,一维光子晶体已经被广泛应用,如法布里-珀罗腔光学多层的增反/透膜等。
二维光子晶体是介电常数在二维空间呈周期性排列的结构。
光子晶体中存在光子禁带的物理机理是基于固体物理的布洛赫理论。
1.2光子带隙光子在光子晶体中的行为类似于电子在半导体晶体中的行为,通过独特的光子禁带可改变光的行为。
研究表明,光子带隙有完全光子带隙与不完全光子带隙的区分。
所谓完全光子带隙,是指在一定频率范围内,无论其偏振方向及传播方向如何,光都禁止传播,或者说光在整个空间的所有传播方向上都有能隙,且每个方向上的能隙能互相重叠。
所谓不完全光子带隙,则是相应于空间各方向上的能隙并不能完全重叠,或只在特定的方向上有能低折射率的介质在晶格中所占比率以及它们在空间的排列结构。
总的来说,折射率差别越大带隙越大,能够达到的效率也就越高。
二、光子晶体的晶体结构和能带结构特性研究2.1一维光子晶体的传输矩阵法设一维光子晶体由两种材料周期性交替排列构成,通常称一维二元光子晶体,类似固体能带理论中的Kroning-penney模型,在空气中由A、B薄层交替构成一维人工周期性结构材料,其中A材料的折射率是na,厚度为ha,B材料的折射率是nb,厚度为hb,那么周期d=a+b,A、B总层数为N。
以AB材料进行仿真计算。
仿真程序clear allna=2.35;nb=1.38;ha=63.8e-9;hb=108.7e-9;yeta1=na;yeta2=nb;yeta0=1;bo=400:1:900;derta1=(2*pi*na*ha)./(bo*1e-9);derta2=(2*pi*nb*hb)./(bo*1e-9);num=length(bo);for j=1:num;Ma=[cos(derta1(j)),-i*sin(derta1(j))./yeta1;-i*yeta1*sin(derta1(j)),cos(derta1(j))]; Mb=[cos(derta2(j)),-i*sin(derta2(j))./yeta2;-i*yeta2*sin(derta2(j)),cos(derta2(j))]; Mab=Ma*Mb;N=10;M=Mab^N;Rfan(j)=abs((M(1,1)*(yeta0)+M(1,2)*(yeta0)*(yeta0)-M(2,1)-M(2,2)*(yeta0))./(M(1, 1) *(yeta0)+M(1,2)*(yeta0)*sqrt(yeta0)+M(2,1)+M(2,2)*(yeta0)))^2;endfigure(1);plot(bo,Rfan,'k');box on;首先,我们A材料的折射率为2.35,B材料的折射率为1.38,AB材料组成的光子晶体的介质层数为10层,进行了matlab仿真,得到如下的图形然后我们更改介质层数为20层:最后我们更改介质层数为30层:对比以上三个图我们可以看出,一维二元光子晶体的投射特性与组成光子晶体的介质层数有关,介质层周期越大,越有利于形成禁带。
一维光子晶体的传输矩阵编程
一维光子晶体的传输矩阵的编程准备
一维光子晶体的结构参数:
1. 每一层的厚度,(或者是周期长度及层厚度比例) 2. 介电常数(或折射率),对于非色散模型,采用常数;对于 色散介质,采用合适的色散模型或色散曲线。 3. 确定扫描波长范围或扫描频率范围 一维光子晶体的场分布传输矩阵 1. 结构模型
一维光子晶体的传输矩阵编程
2009.5.12 xilioo wjun.xjtu@
主要内容:
传输矩阵简述 Leabharlann 输矩阵编程准备 传输矩阵编程流程图
编程建议
一维光子晶体的传输矩阵的简述
方法简单,计算量小,尤其适用于有限周期的一维光子晶体
利用传输矩阵可以用来研究: 1. 结构的透射系数和反射系数 2. 态密度 3. 场分布 4. 色散曲线 传输矩阵基础理论的相关文献: 王辉,李永平,用特征矩阵法计算光子晶体的带隙结构,物理学 报,2001,50(1):2172
传输矩阵的编程建议
可以采用matlab编程,原因有二: 1. matlab计算矩阵很方便,且循环语句很简单 2.matlab画图很简单 很多同学问如何去研究场分布,这个其实很简单的,首先求得入射参
1 , 而后利用传输矩阵,求得每一层的电场强度系数,再把它共轭相 数 r
乘,就得出光场分布了。 传输矩阵不仅能求透射系数和反射系数以及场分布,还能求得态密度,以 及色散曲线,而后两者能就较容易地进行物理深度上理论分析,提升你的 研究高度。
2. 每一层的特征矩阵
3. 总的传输矩阵
一维光子晶体的传输矩阵的编程流程图
对某一频率依照 色散模型或色散 曲线得出介电常 数或折射率 得出某一位置的 正负两个方向场 强系数,得出透 射反射系数
(完整word版)(整理)光子晶体讲稿
光子晶体一、发展背景及历史1.1 微电子的危机今天,人类进入了信息时代,电子信息产业已成为当今全球规模最大、发展最迅猛的产业,从日常生活的电视,电话等家庭用品到工作中的电子计算机,传感器以及各种电子测试设备,无处不渗透着半导体技术的影响,可以说半导体技术正日益成为我们工作和生活中不可缺少的组成部分。
微电子技术是电子信息产业的核心技术之一(另一个是软件技术),是在半导体材料上采用微米级线度加工处理的技术。
现在电子信息技术,尤其是计算机和通讯技术发展的驱动力。
来自于半导体元器件的技术突破,每一代更高性能的集成电路的问世,都会驱动各个信息技术向前跃进。
我们今天处在一个真正的技术革命时代,而微电子技术的突飞猛进是这个革命最基础的组成部分。
微电子技术所遵循的摩尔定律指出:芯片集成度每18-24个月增长一倍,价格不变。
目前主流加工技术是8英寸硅片,0.25微米线宽。
12英寸硅片0.13微米应经批量生产。
当前,半导体技术正向着高速度,高集成化方向发展。
据国际权威机构预测,到2014年,半导体芯片加工技术将达到18英寸硅片0.035微米线宽。
当集成电路线宽达到0.1微米以下时,标志着半导体制造技术及器件、工艺理论随之全面进入纳米领域。
硅基芯片的微细加工技术将可能达到极限。
届时,微电子的基础理论、材料技术和加工技术都将遇到极大的挑战:(1)首先是芯片的发热量随着工作频率的提高而迅速增加从而使芯片无法正常工作;(2)其次是现有的加工设备已经很难再继续减小芯片内部的线宽,因而通过减小线宽的方法来提高心片的工作效率和性能遇到了很大的困难;(3)最后也是最难克服的一点,随着芯片内部结构的减小,其量子效应会非常明显,电子在芯片内部的波动效应就不可以忽略,而电子的波动所造成的量子隧穿效应直接威胁着用“1”和“0”表示“开”和“关”状态的芯片最基本的结构。
导致这一结果的原因在于半导体器件的工作载体是电子,由于电子是一种费米子,具有静止质量,同时,电子之间具有库仑相互作用,当集成度很高时,产生热效应,相互干扰,这即是“电子瓶颈”效应产生的原因。
【精品】用传输矩阵法计算一维光子晶体的带隙特性研究(可编辑
用传输矩阵法计算一维光子晶体的带隙特性研究------------------------------------------作者------------------------------------------日期一维光子晶体带隙特性研究1103011013 黄蓓粉体一班摘要:光子晶体是20世纪80年代末提出的新概念和新型人工微结构光学材料。
光子晶体以光子禁带的存在为主要特征,其典型结构为一个折射率周期变化的物体。
一维光子晶体是光子晶体最基本的构型,其折射率在一维空间方向上呈周期性分布。
一维光子晶体结构简单、易于制备,同时具备二维、三维光子晶体的性质,极有可能成为全光通信领域中的关键材料,因此具有较高的理论价值和广泛的应用前景。
关键词:光子带隙特征矩阵规律1 引言光子晶体是一种折射率周期变化的人工微结构材料 ,其典型结构为一个折射率周期变化的三维物体 ,周期为光波长量级. 光子在光子晶体中传播存在光子带隙.,频率落在光子带隙内的电磁波不能在光子晶体中传播,光子晶体的这种特性具有极大的理论价值和潜在的应用前景。
在光子晶体中掺杂后 ,会在光子能隙中引入局域模式 ,这将给激光技术和非线性光学等带来全新的应用 ,如制作零阈值激光器、光滤波器、慢光缓存器、慢光传感器等。
理论研究发现,对于含有缺陷的一维光子晶体,在光子禁带(PBG:Photonic Band Gap)的带边和缺陷模对应的频率位置,光的传输具有极低的群速度,Scalorta 等人发现在带边处,光脉冲传输速度可以降低到c/17(c 为真空中光速),大约为1.76×107m/s 。
光子晶体的理论计算已相对成熟 ,本文旨在应用现有的计算方法,建立一维光子晶体模型并讨论一维光子晶体在不同结构参数和参数下的光学传输特性。
2方法与原理2.1模型的建立一维光子晶体由两种不同相对介电常量 (εa ,εb ) 、厚度( a , b)的薄介质层交替排列构成的一维周期性结构 材料. 如图 1 所示 ,空间周期为 d = a + b ,一束频率 为 ω的光从左向右正入射到图中所示的一维周期 性结构材料中.将光波在介质层中的行 进看作是正向行进电磁波 (下行波) 和反向行进电磁 波 (上行波) 的叠加. 介质交界面处的电磁场满足边 界条件. 每一介质层与光波的相互作用可由其矩阵完全决定. 介质层两边的场矢量 E Ⅰ , H Ⅰ , E H Ⅱ的模可用特征矩阵联系起来 :E E M H H I II I II ⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦ 2.2数学理论推导为行进一步的计算,下面给出光子晶体的特殊矩阵表达式。
一维光子晶体传输矩阵法的分析改进
其中 R12 为广义反射系数 , 它是在介质 Ⅰ 的交界 面处上行波幅值和下行波幅值之比 。
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The Improve of the Analyzing of 12D photonic Crystal by Transfer Matrix Method
W A N G Z huo2y uan
13
, S H A O T i n g2ti n g , W A N G Yi2g an g , YA N W en2z he
( 6)
把 ( 6) 式用矩阵形式表示为
E1 H1 =
ε /μ θ r1 + k z ) ] θ ε - j g sin [ h( k x t g / μ cos [ - h( k x t g r1 + k z ) ]
θ cos [ - h( k x t g r1 + k z ) ]
-
θ j g sin [ h( k x t g r1 + k z ) ]
2 ik n+1 , z ( - dn+1 , z + dn, z ) - 2 ik n+1 , x ( dn+1 , x + dn, x )
n+1 , z
( - dn+1 , z + dn, z ) - 2 ik n+1 , x ( dn+1 , x + dn, x )
( 5)
在交界面上考虑边界条件 ,并且利用 Maxwell 方 程 ,我们可以得到相邻两个介质层电磁场的关系 ,
传输矩阵法分析一维光子晶体传输特性及其应用
middle defect layer,was simulated through the computer.The design methodology of the one-dimensional photonic crystal filter was thus achieved.The design and optimization of a photonic crystal total internal
(AB)杈。A为高折射率材料聚砜醚(PES),n。=2.8,B
为低折射率材料硒化砷(As2Se。),,12=1.4,取两层的光 学厚度,l。d。=nzdz=Xo/4。Xo取为空间光通信系统中常采 用的l 550 nm。中间缺陷层材料为氧化镁(MgO),折 射率为nt=1.7,其光学厚度选择为W2,在实际的制作 中,可以采用镀膜技术来实现所设计的光子晶体滤波 器。为了简化计算,只考虑正入射情况。
光子晶体的禁带特征及传输特性研究
上海大学硕士学位论文图3.2一维三层介质光予晶体禁带结构幽stmctllreofaone—dimensionalthree-componentphotoniccrystalFig32BajldgapⅣ=400,玎H=3.23,"M=2.58,"L=1.35-dⅣ=d吖=d^=1.52p卯对于由四层及更多层数介质组成基本周期的一维光子晶体结构,介质层的不同排列顺序对光子禁带则会产生影响,以一维四层介质光子晶体为例,仍然选取上述三种介质,再加上一层高折射率介质碲化铅(n=4.1)形成一维四层介质光子晶体,与上面计算相同,对于一维四层介质光子晶体(2.22)式表示为:÷(卅ll+聊22)=cos(2册?ldl/丑)cos(2册T2d2/旯)cos(2万M3d3/丑)cos(2翮4d4/五)Z一妻(!L+竺王)sin(2册1dI,^)sin(2翮2d2/^)cos(2翮3d3/丑)cos(2肋4d4/A)£丌2一一昙(竺王+!王)sin(2翮3d3/^)sin(2翮2d2/五)cos(2MldI/^)cos(2砌4d4/五)£“2“3一妻(兰王+!L)sin(2翮.“,/兄)sin(2册3d3/五)cos(2翮2d2/且)cos(2翮。
d。
/五)£门ln3一妻(兰王+旦L)sin(2砌】d1/五)sin(2删4d4/五)cos(2刀w2d2/^)cos(2翮3d3/丑)Z肛1”d一妻(竺生+竺呈)sin(27聊4d4/五)sin(2翮2d2/五)cos(2翮3d)/旯)cos(2翮1d1/兄)Z盯2“4一妻(兰王+旦生)sin(2册3d3/丑)sin(2M4d4/旯)cos(2彻1dl/五)cos(2翮2d2/^)£r14n3+妻(盟+堕)sin(2删ldl/^)sin(2翮2d2/五)sin(2翮3d3/五)sin(2翮4d4/五)2胛2聆4盯3胛1f3.2、上海大学硕士学位论文幽3.3一维四层介质光子晶体禁带结构图Fig3.3Bandg印stnlctureofaone—dimensionalfour_componentphotoniccrystal_v210000,nⅣ=4.1,H…=3.23,”"2=258,H£=1.35,dH=d"I=dM2=d£=1.52脚从(3.2)式可以分析出由于各介质层的排列顺序不同,会产生三种不同的光子禁带范围,如数值模拟图3.3所示。
(整理)传输矩阵法.
传输矩阵法一、 传输矩阵法概述 1. 传输矩阵在介绍传输矩阵的模型之前,首先引入一个简单的电路模型。
如图1(a)所示, 在(a)中若已知A 点电压及电路电流,则我们只需要知道电阻R ,便可求出B 点电压。
传输矩阵具有和电阻相同的模型特性。
(a)(b)图1 传输矩阵模型及电路模拟模型如图1(b)所示,有这样的关系式存在:E 0=M(z)E 1。
M(z)即为传输矩阵,它将介质前后空间的电磁场联系起来,这和电阻将A 、B 两点的电势联系起来的实质是相似的。
图2 多层周期性交替排列介质传输矩阵法多应用于多层周期性交替排列介质(如图2所示), M(z)反映的介质前后空间电磁场之间的关系,而其实质是每层薄膜特征矩阵的乘积,若用j M 表示第j 层的特征矩阵,则有:1 2 3 4 …… j …… N(1)其中, (2)j δ为相位厚度,有 (3)如公式(2)所示,j M 的表示为一个2×2的矩阵形式,其中每个矩阵元都没有任何实际物理意义,它只是一个计算结果,其推导过程将在第二部分给出。
2. 传输矩阵法在了解了传输矩阵的基础上,下面将介绍传输矩阵法的定义:传输矩阵法是将磁场在实空间的格点位置展开,将麦克斯韦方程组化成传输矩阵形式,变成本征值求解问题。
从其定义可以看出,传输矩阵法的实质就是将麦克斯韦方程转化为传输矩阵,也就是传输矩阵法的建模过程,具体如下:利用麦克斯韦方程组求解两个紧邻层面上的电场和磁场,从而可以得到传输矩阵,然后将单层结论推广到整个介质空间,由此即可计算出整个多层介质的透射系数和反射系数。
传输矩阵法的特点:矩阵元少(4个),运算量小,速度快;关键:求解矩阵元;适用介质:多层周期性交替排列介质。
二、 传输矩阵的基础理论——薄膜光学理论 1.麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组由四个场量:D 、E 、B 、H ,两个源量:J 、ρ以及反映它们之间关系的方程组成。
而且由媒质方程中的参数ε、μ、σ反映介质对电磁场的影响。
分析一维光子晶体的传输矩阵法与光学薄膜的菲涅耳系数矩阵法的等效性
·激光物理·分析一维光子晶体的传输矩阵法与光学薄膜的菲涅耳系数矩阵法的等效性范希智,易迎彦,陈清明,刘子龙,郜洪云,祝霁洺,浦实,黎敏(武汉理工大学物理系,武汉430070)摘要:一维光子晶体与光学薄膜的结构都具有分层性,为了得它们分析方法的异同,本文比较分析了一维光子晶体能带结构的传输矩阵法与计算光学薄膜分光特性的菲涅耳系数矩阵法,结果发现两种方法在计算一维光子晶体与光学薄膜的反射率与透射率上是等效的,用菲涅耳系数矩阵法计算一维光子晶体的反射率R 与入射光波长的变化规律的实例也表明这一点,这两种方法在公式表述中的差别在于位相改变量δ的符号的正负,但不影响计算结果。
关键词:光子晶体;传输矩阵法;光学薄膜;菲涅耳系数矩阵法DOI编码:doi:10.3969/j.issn.0253-2743.2014.07.026中图分类号:O431 文献标识码:A 文章编号:0253-2743(2014)07-026-04On the Equivalence of the Transfer Matrix Method for Investigating one dimensional Photonic Crystal with the Fresnel Coefficient Matrix Method for Analyzing OpticalThin filmFAN Xi-zhi, YI Ying-yan, CHEN Qing-ming, LIU Zi-long, GAO Hong-yun, ZHU Ji-ming, PU Shi, LI Min(Department of Physics, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China) Abstract: To distinguish the similarities and differences of the methods using to analyze one dimensional pho- tonic crystal(PC) and optical thin films(TF) which are provided with the similar stratified structure, the transfer ma- trix method(TMM) for analyzing the band gap of PC and the Fresnel coefficient matrix method(FCMM) for discuss- ing transmission and refection of TF were compared, and the equivalence of these two method for investigating the reflectivity and transmissivity of light of PC and TF was declared through the theory and a example of calculation of P C’s reflectance using FCMM, although existence of plus-minus of sign of variation for phase in the design formula for these two methods.Key words: Photonic Crystals; Transfer Matrix Method; Optical Thin films; Fresnel Coefficient Matrix Method光子晶体于1987年由E.Ya bolonovitc h[1]和S. John[2]分别提出。
含单负或双负介质光子晶体的传输矩阵和色散关系
光 子 晶体是 由介 电常数 ( 或折射 率) 周期性 变 化排 布的材 料 ,具 有光子 禁带 和光子 局域 特征 ,因
在 某些 频段 可 以体 现 出 E 0 < 0的 特性 。这 < 、 ] 种 人造 物质 称为 双负 介质 ( NG) D ,或 称 为负 折 射 率 材料 、左 手 材 料 。D NG 的 出现 ,拓 宽 了光 子 晶 体 的应 用 领 域 ,引 发 了新 一 轮 的 研 究 热 潮 。对 于
中 图分 类 号 :0 4 1 2 3. 文 献 标 识 码 :A
Tr n f r M a r x a s e s o l to f 1 p t n c Cr s a a se t i nd Di p r i n Re a i n o ho o i y t l D Co p s d o i g e n g tv r Do b e ne a i e M a e i l m o e f S n l e a i e o u l g tv t ra s
to g ei wa ei d d c d i du wi ) 0a d < O o G Oa d > O ( NG , c le ig en g t e r ma n tc v s e u e nme i m t e n h r e n S ald sn l e a i v me im ) o nm e im t i l n o sy n g t eE du , ri d u wih smu t e u l e a i , a v ( DNG , c l dd u l e a ieme i m) Th a l o ben g tv du . e e
此在许 多方 面都有 重要应 用 。一般 的介质 材料 ,其 介 电常数 e 、磁导 率 均 为 正值 ,因 此折 射 率 n >
光子晶体课程--张腊宝
School of physics and telecommunication South China Normal University
3.1 机械法
1991年,Yablonovitch 及其合作者首先在介质顶上加盖一层具有三角形排列的 小孔,然后在这些空的位置上打孔,最后从三个相互成120度的方向上用活性 离子束穿孔而成.
可以实现多芯传输schooltelecommunicationsouthchinanormaluniversity华南师范大学物理与电信工程学院编辑ppt晶体光纤多模大数值孔径晶体光纤高非线性晶体光纤保偏非线性晶体光纤schooltelecommunicationsouthchinanormaluniversity华南师范大学物理与电信工程学院编辑ppt1313研究现状研究现状光通讯微波技术schooltelecommunicationsouthchinanormaluniversity华南师范大学物理与电信工程学院编辑pptsomeapplications3dnanocompositesfabricatedonthebasisopalmatricestypefillercompositionfillernanocompositephysicalmodelpossibleapplicationssemiconductcdsgaasinngangasbcdtehgseteinpseebeck3dnanostructuresquantumpoints3dsuperlatticesfromschottkydiodetypeelementsthermoionicenergyconverterssemiconductingnanoelectronicapparatussuperconductpbhightemperaturesuperconductors3dsuperlatticesjosephsoncontactstransitionselectromagneticwavegeneratorsamplifiers1020ghzopticallyactivemediasemiconductingphotodiodematerialsmaterialshighrefractiveindicesznssigetiophotodiodes3dnanoopticalsystemselementaryparticlecountersactiveelementsgeneratingsystemscontrolsystemsfiberopticslaserotherdevicesschooltelecommunicationsouthchinanormaluniversity华南师范大学物理与电信工程学院编辑ppt10理论分析31简化模
学习与练习-传输矩阵法研究光子晶体的反射、折射特性
传输矩阵法研究光子晶体的反射、折射特性———以MATLAB程序实现简单介绍主要内容:1、光子晶体及计算参数简介;2、具体光子晶体模型及程序实现方法;3、其他图形的实现方法;4、图形的编辑和输出5、作业(编程练习)一、光子晶体及计算参数简介1、光子晶体一般模型光子晶体是一种折射率周期变化的人工微结构材料,其典型结构为一个折射率周期变化的三维物体,周期为光波长量级。
光子在这类材料中的行为类似于电子在凝聚态物质中的行为,可能存在着类似于半导体能带结构的禁带,称为“光子带隙”。
频率落在光子带隙内的电磁波不能在光子晶体中传播,光子晶体的这种特性具有极大的理论价值和潜在的应用前景。
一维光子晶体模型如图1:(ABABABABABABABABABABA)或(AB)5A其中a、b是两种不同介质的的厚度,εa与εb是介质的介电常数,d=a+b为光子晶体空间周期。
2、数学计算模型如图2E,H表示界Ⅰ面的an一侧的场矢量,EI,HI表示界Ⅱ面的bn一侧的场矢量,EII,HII表示界Ⅱ面的cn一侧的场矢量。
同一界面两侧,有E EI=,H HI=。
介质两层边的场矢量EI,HI,EII,HII的模可用特征矩阵联系起来:cos sinsin cosb bbb b biE E EMH H HiδδηηδδI II III II II⎡⎤-⎡⎤⎡⎤⎡⎤⎢⎥==⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎣⎦-⎢⎥⎣⎦(1)其中cos sin sin cos jj j j j jj iM i δδηηδδ⎡⎤-⎢⎥=⎢⎥⎢⎥-⎣⎦,正入射时j j j h c ωδε=-,0j j εηεμ= (2) 即正入射时:a a a a h n a ccωωδε=-=-,b b n b cωδ=-,00a a n εημ=,0b b n εημ= 对图1所示的一维周期性结构情况有: 111211()N N N N N N E E E M M M M H H H ++I ++I ⎡⎤⎡⎤⎡⎤==⋅⋅⋅⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎣⎦111111N N Na b a b a N N N E E E A B M M M M M M H H H C D ++++++⎡⎤⎡⎤⎡⎤⎡⎤=⋅⋅⋅==⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎣⎦⎣⎦ (3) 式中a b a b a M M M M M M =⋅⋅⋅就是一维周期性结构的特征矩阵。
光子晶体材料中光传输现象仿真模拟
光子晶体材料中光传输现象仿真模拟光子晶体材料是一种具有周期性结构的材料,可以对光传输进行有效控制和调控。
仿真模拟是一种研究光子晶体材料光传输现象的有效手段,可以通过数值计算和模拟来获得关于光子晶体材料中光传输的有用信息。
本文将重点介绍光子晶体材料中光传输现象的仿真模拟方法和应用。
在光传输现象的研究中,仿真模拟的主要目标是获得光子晶体材料中的光传输特性,如光线的传播路径、光的衍射和折射等。
由于光子晶体材料表现出与传统材料不同的光学特性,仿真模拟可以帮助我们理解和预测这些特性,并为光子晶体材料的设计和应用提供指导。
光子晶体材料中光传输现象的仿真模拟方法有多种,其中常用的方法包括有限差分时间域(FDTD)法、有限元方法(FEM)和传输矩阵方法(TMM)等。
这些方法在模拟光子晶体材料中光的传输过程中具有不同的优势和适用范围。
首先,有限差分时间域(FDTD)法是一种广泛应用于光学仿真的数值计算方法。
它通过将空间和时间离散化,利用Maxwell方程组的数值解来模拟光的传输过程。
FDTD法在光子晶体材料中的应用主要集中在研究光的传播特性,如衍射、反射、透射等。
通过调整光子晶体材料的结构参数,可以获得不同光学效应的仿真结果,从而帮助设计和优化光子晶体材料的光学性能。
其次,有限元方法(FEM)是一种适用于求解偏微分方程的数值计算方法,也可以用于光学仿真。
FEM方法通过将光学问题离散化为有限个小区域,用基函数表示光场强度分布,然后利用有限元法的数值解求解光传输方程。
FEM方法在模拟光子晶体材料中的光传输现象时,可以考虑更复杂的物理过程,如非线性光学效应和材料的吸收特性等。
因此,FEM方法在研究光子晶体材料的非线性光学和光吸收等方面具有一定的优势。
最后,传输矩阵方法(TMM)是一种基于电磁波的传输理论,适用于模拟光子晶体材料中的光传输现象。
TMM方法通过将光传输系统分解为多个透明的区域,并利用各区域之间的传输矩阵描述光的传输过程。
传输矩阵法分析有限周期光子晶体的反射谱特征[1]
(1) N 较小时光子晶体形成的带隙结构的趋势比没 掺杂时的大 。(2) N 增大时在以前的带隙基础上分 成两个能级且 N 越大越明显 。(3) 在主带隙之间形 成缺陷能隙 ,随着 N 的增大缺陷带隙反射率越接近 1 ,且带隙之间的振荡更加尖锐 。(4) 当缺陷介质放 入两介质折射率差别较大的有限周期光子晶体中 , 缺陷能隙形成的数目增多 。
利用光子晶体可以控制原子的自发辐射可以制作宽带低损耗的光反射镜可以制作零阈值的激光器高效率的发光二极管可以制作光滤波器光开关光混频器和光存储器等光子晶体的理论计算已趋于成熟常用的方法有平面波展开法时域有限差分法多重散射法传输矩阵法等
量子光学学报 10 (1) : 38~41 ,2004 Acta S inica Q uant um Optica
2 结果与分析
2. 1 光子晶体周期性结构情况 在计算中假定组成光子晶体的媒质层 a 和 b 分
(a) N = 1 , na = 1. 378 , nb = 2. 356 (b) N = 2 , na = 1. 378 , nb = 2. 356
(c) N = 4 , na = 1. 378 , nb = 2. 356 (d) N = 6 , na = 1. 378 , nb = 2. 356 图 2 naa = nbb = λ0/ 4 的 N 个周期性光子晶体的反射率 - 频率关系
(6) : 728 - 734. [ 7 ] J OHN S , WAN G J . Quantum electrodynamics near a p hotonic band gap : Photon bound states and dressed atoms [J ] . Phys
Rev L ett , 1990 , 64 (20) : 2418 - 2420. [ 8 ] J OHN S , WAN G J . Quantum optics of localized light in a p hotonic band gap [J ] . Phys Rev ( B) , 1991 , 43 (16) : 12772.
传输矩阵的Matlab简易编程o讲解学习
传输矩阵的Matlab简易编程o讲解学习n0=1;%n0为空气折射率a0=0;%初始入射角为0,即正入射n1=1.444;n2=1.7514;d1=3.4886;d2=4.6373;d=1.55;p1=2*pi*n1*d1/d;p2=2*pi*n2*d2/d;u0=4*pi*1e-7;%真空磁导率e0=1e-9/(36*pi);%真空介电常数b=sqrt(e0/u0);c1=b*n1;%波阻抗c2=b*n2;c0=b*n0;c00=b*n0;A1=cos(p1);B1=-i*sin(p1)/c1;C1=-i*c1*sin(p1);D1=cos(p1);M1=[A1 B1;C1 D1];%介质1的传输矩阵A2=cos(p2);B2=-i*sin(p2)/c2;C2=-i*c2*sin(p2);D2=cos(p2);M2=[A2 B2;C2 D2];%介质2的传输矩阵M=M1*M2;%两个介质层的总传输矩阵A=M(1,1);B=M(1,2);C=M(2,1);D=M(2,2);r=(A*c0+B*c0*c00-C-D*c00)/(A*c0+B*c0*c00+C+D*c00)%反射系数t=(2*c0)/(A*c0+B*c0*c00+C+D*c00)%透射系数R=r*conj(r)T=t*conj(t)以上可作为TE波和TM波的一特列,即垂直入射n0=1;%n0为空气折射率a0=input('请输入入射角a0:');%初始入射角n1=input('请输入介质1的折射率n1:');n2=input('请输入介质2的折射率n2:');d1=input('请输入介质1的厚度d1:');d2=input('请输入介质2的厚度d2:');d=input('请输入入射光波长d:');a1=asin(n0*sin(a0)/n1);%光在介质1中的传播角度a2=asin(n1*sin(a1)/n2);%光在介质2中的传播角度a3=asin(n2*sin(a2)/n0);%射出介质时的出射角p1=2*pi*n1*d1*cos(a1)/d;%相位厚度p2=2*pi*n2*d2*cos(a2)/d;u0=4*pi*1e-7;%真空磁导率e0=1e-9/(36*pi);%真空介电常数b=sqrt(e0/u0);c1=b*n1*cos(a1);%波阻抗c2=b*n2*cos(a2);c0=b*n0*cos(a0);c00=b*n0*cos(a3);A1=cos(p1);B1=-i*sin(p1)/c1;C1=-i*c1*sin(p1);D1=cos(p1);M1=[A1 B1;C1 D1];%介质1的传输矩阵A2=cos(p2);B2=-i*sin(p2)/c2;C2=-i*c2*sin(p2);D2=cos(p2);M2=[A2 B2;C2 D2];%介质2的传输矩阵M=M1*M2;%两个介质层的总传输矩阵A=M(1,1);B=M(1,2);C=M(2,1);D=M(2,2);r=(A*c0+B*c0*c00-C-D*c00)/(A*c0+B*c0*c00+C+D*c00)%反射系数t=(2*c0)/(A*c0+B*c0*c00+C+D*c00)%透射系数R=r*conj(r)T=t*conj(t)以上为TE波的例子。
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%a介质特征矩0.9阵
Mb=[cos(derta2(0j.)8),-i*sin(derta2(j))./yeta2;-i.*yeta2.*sin(derta2(j)),cos(derta2(j))];
%b介质特征矩0.7阵 Mab=Ma*Mb; 0.6 %ab单元特征第矩一阵禁带
0.5
N=10; %周0
M=(M0)N
光子晶体周围材料的折射率设为n0 ,在这里我们只考虑 TE 波η0 = ncosθ
光在光子晶体中传播时的反射系数 反射率
光在光子晶体中传播时的透射系数 投射率
因此: 从以上方程可以看出,只要知道了一维光子晶体的特征矩阵中的每个元 素,就可以求出反射率和透射率。
Matlab程序执行 正入射情况,二元周期结构
clear all %清除变量
na=2.35 %a介质层折射率
nb=1.38 %b介质层折射率
ha=63.8e-9 %a介质层厚度 hb=108.7e-9 %b介质层厚度
M=(M0)N
yeta1=2.35
yeta2=1.38
bo=400:1:900 %b入射波长范围
M=Mab^N; %0.一3 维光子晶体特征矩阵特征矩阵
0.2
Rfan(j)=abs((M(1,1)*(yeta0)+M(1,2)*(yeta0)*(yeta0) … -M(2,1)-M(2,2)*(yeta0))./0(.M1 (1,1) …
*(yeta0)+M(1,2)*(yeta0)*s0qrt(yeta0) … %反射率
+M(2,1)+M(2,2)*(yeta0)))^420;0 450 500 550 600 650 700 750 800 850 900
end
figure(1) hold on plot(bo,Rfan,'k') box on
M=(M0)N
Matlab仿真一维光子晶体禁带和缺陷模
理论模型: 传输矩阵 每一层的特征矩阵:
空气中 =n1cos(θ)
ni, di分别第i层介质的折射率和厚度,θ是光线在第i层介质中的传播方向 与界面法线的夹角,λ是入射光的波长.
由单层模推广到多层模:
…
(ab)N二元结构 a b
…
任意一层的 特征矩阵
一个ab单元的特征矩阵:
derta1=2*pi*na*ha./(bo*1e-9) %a介质中相位变化
derta2=2*pi*nb*hb./(bo*1e-9) %b介质中相位变化
num=length(bo);
for j=1:num
Ma=[cos(derta1(j)), -i*sin(derta1(j))./yeta1;-i.*yeta1.*sin(derta1(j)),cos(derta1(j))];