模拟电子技术基本概念题--填空题及答案

填空题二极管： 1.在半导体中．漂移电流是在 作用下形成的，扩散电流是在 作用下形成的。

（电场，浓度差） 2.二极管最主要的特点是 ；确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。

（单向导电性，IF ，UR ） 3.在室温(27度)时，锗二极管的死区电压约 V ，导通后在较大电流下的正向压降约 V ；硅二极管的死区电压约 V ，导通后在较大电流下的正向压降约 V 。

（0.1, 0.3, 0.5, 0.7） 4.二极管的交流等效电阻rd 随静态工作点的增大而 。

(减小) 5. 硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在 状态。

（反向击穿区）晶体管及放大电路基础：6. 晶体管从结构上可分成 和 两种类型：根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。

它们工作时有 和 两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。

（NPN ，PNP ；硅，锗；电子，空穴）7. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是 （P 区和N 区的位置不同）8. 晶体管的穿透电流ICEO 是集—基反向饱和电流ICBO 的 倍。

—般希望尽量选用ICEO 的管子（1+β，小）9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。

（集电极）10. 已知晶体管β=99，IE=1mA ，ICBO=0，则IB= ，IC= 。

（0.01mA ，99mA ）11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。

（共射，共集，共基）12. 当温度上升时．晶体管的管压降UBE 、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO 分别将 、 和 。

（降低，增大，增大）13. 从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。

硅管的死区电压约为 ，锗管约为 ；晶体管在导通之后，管压降UBE 变化不大，硅管的UBE 约为 ．锗管的UBE 约为 。

（0.5 0.1 0.7 0.2） 14. 从晶体管的输出特性可知，当基极电流增大，集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。

（减小）15. 温度升高时，晶体管的共射极输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 。

而且输出特性曲线的间隔将 。

（左移，上移，增大）16.晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为UA=－5V 、U Ｂ=－８V 、U Ｃ=－５.2V ，则晶体管对应的电极是：A 为 、Ｂ为 、Ｃ为 。

该晶体管属于 型 晶体管。

（发射极，集电集，基极，PNP ，锗） 17. 晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为A U =7V 、B U =2.3V 、C U =3V ，则晶体管对应的电极是：A 为 、Ｂ为 、Ｃ为 。

该晶体管属于 型 晶体管。

（集电集，发射极，基极，NPN ，硅）18. 在晶体管共射放大电路中，当CE BE U U 时，管子工作于 状态，此时集电极电流C I 的大小只与 有关，而与 几乎无关。

当B I 恒定， 具有恒流的特性。

（线性放大，IB ，UCE ，IC ）19. 某晶体管的最大允许耗散功率CM P 是受 限制的。

（管子的结温允许值的大小）20. 在晶体管放大电路中，集电极负载电阻C R 的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为 放大作用。

（电压）21. 放大电路的非线性失真包括 失真和 失真。

引起非线性失真的主要原因是 。

（饱和，截止，静态工作点不合适，太高或太低，或输入信号幅度太大）22. 引起电路静态工作点不稳定的主要因素是 。

为了稳定静态工作点，通常在放大电路中引入 。

（温度变化引起元器件参数变化，直流负反馈）23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4v ，接入3k Ω的负载后输出电压降为3v ，则此电路的输出电阻为 。

（1k ） 24.在晶体管组成的三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 电路．输入电阻最小的是 电路，输出电压与输入电压相位相反的是 电路。

无电流放大能力的是 放大电路，无电压放大能力的是 路。

但三种放大电路都有 放大的能力。

（共集，共基，共射，共基，共集，功率） 25.多级放大电路常见的耦合方式有 、 和 。

（直接，阻容，变压器） 26.直接耦合多级放大电路存在的两个主要的问题是 和 。

（零点漂移，静态工作点互相影响。

27.所谓零点漂移是输入信号为零时， 信号会产生缓慢的无规则的变化。

（输出） 28.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。

这种晶体管工作在线性区而引起的失真称为 ，也称为 。

（线性失真，频率失真） 29.放大电路的频率失真包括 失真和 失真。

（幅度，相位） 30.在阻容耦合放大电路中加入不同频率的正弦信号时，低频区电压增益下降的主要原因是由于在电路中存在 ：高频区电压增益下降的主要原因是由于在电路中存在 。

（耦合电容或旁路电容，结电容，） 31. 在晶体管三种基本放大电路中， 放大电路的高频特性最好。

（共基）32. 单级阻容耦合放大电路加入频率为H f 和L f 的输入信号时，电压增益的幅值比中频区下降了 dB ，输出电压的相位与中频区相比，在量值上有 的附加值。

（3，45度）33. 多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益 ，通频带 。

（提高，变窄）34. 多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单级放大电路在相同频率下产生的附加相移 。

（大）35. 已知某放大电路电压放大倍数的频率特性如下式所示：6101000111010u fjA f f j j =⎛⎫⎛⎫++ ⎪⎪⎝⎭⎝⎭式中f 单位为Hz 。

那么，该电路的下限截止频率为 ，上限截止频率为 ，中频电压增益为 dB ，输出电压与输入电压在中频段的相位差为 。

（10Hz ，1000000Hz ，60，0度）36. 在单管阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应曲线的斜率在低频区和高频区分别为 和 ；相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别 和 。

（20db/十倍频，-20db/十倍频，-45度/十倍频，-45度/十倍频，）场效应管及其放大电路：1. 按照结构，场效应管可分为 。

（结型和绝缘栅型）2. 场效应管属于 型器件，它是利用一种载流子导电的。

（电压控制）3. 场效应管突出的优点是 。

（输入电阻高）4. 与双极性晶体管类似，场效应管也可接成三种基本放大电路，即 极， 极和 极放大电路。

（共源，共漏，共栅） 5. 当场效应管工作于线性区时，其漏极电流D i 只受电压 的控制。

而与电压 几乎无关。

D i 的数学表达式为：耗尽型 ，增强型 。

（22()(),,(1),()GS GS DS D DSS D GS GS th GS off u u u i I i K u U U =-=-6. 通常场效应管的噪声要比双极型晶体管的噪声 ，这是因为场效应管中不存在 的注入、扩散和复合过程，基本上不产生散粒噪声。

（小，少数载流子）7. 在使用场效应管时，由于结型场效应管的结构是对称的，所以 极和 极是可互换的。

MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起 极和 极也可互换。

（源，漏，源，源，漏8. 耗尽型场效应管可采用 偏压电路，增强型场效应管只能采用 偏置电路。

（自给，分压式）9. 绝缘栅型场效应管与晶体管比较，其主要特点有：① ② ③ 。

场效应管的热稳定性比晶体管好的原因是因为场效应管的少数载流子 。

（只有一种载流子；是电压控制型器件；输入电阻很大；不参与导电。

）10. 在构成放大器时，可以采用自给偏压电路的场效应管是 。

（耗尽型场效应管）集成运算放大电路：1. 集成运放是一种直接耦合的多级放大电路，因此其下限截止频率 。

（等于0）2. 集成运放的两个输入端分别是 和 ， 输入端的极性与输出端相反， 输入端的极性与输出端相同。

（同相输入端，反相输入端，反相，同相。

）3. 电流源电路的特点是输出电流 、直流等效电阻 和交流等效电阻 。

（恒定，小，大）4. 在多级直接耦合放大器中，对电路零点漂移影响最严重的一级是 ，零点漂移最大的一级是 。

（输入级，输出级）5. 理想集成运放的放大倍数u A ＝ ，输入电阻i R = 输出电阻o R = 。

（∞∞0）6. 通用型集成运放的输入级大多采用 电路，输出级大多采用 电路。

（差分放大，互补）7. 由于电流源的交流等效电阻 ，因而若把电流源作为放大电路的有源负载，将会 电路的电压增益。

（大，提高）8. 差分放大电路有 种输入输出连接方式，其差模电压增益与 方式有关．与 方式无关。

（四，输出，输入。

）9. 差分放大电路放大两输入端的 信号，而抑制 信号，两差放管的输出电流具有 关系。

（差模，共模，大小相等而方向相反。

）10. 如果差分放大电路完全对称，那么双端输出时，共模输出电压为 ，共横抑制比为 。

（0，∞）11. 当晶体管工作在线性区，且其基极电流不变时，集电极电流具有 特性。

（恒流）12. 当场效应管工作在放大区．且栅源电压不变时，漏极电流具有 特性。

（恒流）反馈：1. 根据反馈的极性，反馈可分为 和 。

（正反馈，负反馈）2. 反馈的四种组态为 、 、 和 （电压串联，电压并联，电流串联，电流并联）3. 电压负反馈可以稳定输出 ，降低 电阻。

（输出电压，输出电阻）4. 电流负反馈可以稳定输出 ，提高 电阻。

（输出电流，输出电阻）5. 当放大电路的环路增益 时，称为深度负反馈。

（远大于１）6. 当放大电路满足深度负反馈的条件时，电路的闭环增益f A ≈ ，净输入信号文id X ≈ 。

（１／Ｆ，０）7. 为了减小信号源的负载，提高电路的放大能力，对于内阻较小的信号源，通常应该引入 负反馈；对于内阻大的信号源，通常应该引入 负反馈。

（串联，并联）8. 对负反馈放大电路来说，反馈越深，对电路性能的改善越显著。

但是，反馈太深，将容易引起电路产生 。

（自激振荡）9. 自激振荡是一种没有 ，但有一定幅度输出信号的现象。

（输入信号）10.负反馈放大电路引起自激振荡的根本原因是电路在高频或低频区产生了足够大的 ，使负反馈变成了正反馈。

（附加相移） 11. 负反馈放大电路产生自激振荡的相位条件是 ，幅度条件是 。

（(21),1A F n AF ϕϕπ∆+∆=+=）12. 一般说来，只要电路产生自激振荡的相位条件不满足，电路一定不会产生自激振荡的。

即使是 条件满足了，电路也不一定会产生自激振荡。

（相位）13. 消除负反馈放大电路自激振荡一般采用 。

（相位补偿法）14. 负反馈可以从 、 、 、 和 方面改善放大电路的性能。

（提高稳定性，减小非线性失真，抑制噪声，扩展频带，改变输入输出阻抗。

）15. 电流串联负反馈放大电路是一种输出端取样量为 ．输入端比较量为 的负反馈放大电路，它使电路输入电阻 ，输出电阻也 。

（电流，电压，增大，增大）16. 要得到一个由电流控制的电压源，应选择 负反馈电路。