应变片测量组桥方式
![应变片测量组桥方式](https://img.360docs.net/img96/1hk8jup5t0nqes89nz646svstqkqvhgk-61.webp)
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
下图为1/4桥(类型I)轴向应变配置中的应变计电阻:下图为1/4桥(类型I)弯曲应变配置中的应变计电阻:
1/4桥(类型I)的应变计配置具有下列特性:
•单个有效应变计元素位于轴向或弯曲应变的主方向。
•具有补偿电阻(1/4桥完整电桥结构电阻)和半桥完整桥结构电阻。
•温度变化可降低测量精度。
•1000 µε时的灵敏度为~0.5 mV out/ V EX输入。
上级主题:应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
1/4桥(类型I)的电路图
电路图使用下列符号:
• R1是半桥的完整电桥结构电阻。
• R2是半桥的完整电桥结构电阻。
• R3是1/4桥的完整电桥结构电阻,称为补偿电阻。
• R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
• V EX是激励电压。
• R L是导线电阻。
• V CH是测量电压。
通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。
V r是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,R L是导线电阻,R g是额定应变计电阻。下图为1/4桥(类型II)轴向应变配置中的应变计电阻:
下图为1/4桥(类型II)弯曲应变配置中的应变计电阻:
1/4桥(类型II)的应变计配置具有下列特性:
•有效应变计元素和无效应变计元素(1/4桥的温度传感元素,称为补偿电阻)。有效元素位于轴向或弯曲应变的方向。补偿应变计位于连接至应变样本的温度电阻附近,但并未连接至应变样本,通常平行或垂直于主要的轴向应变方向。该配置常被误认为是半桥(类型I)配置,在半桥(类型I)配置中,R3为有效元素且连接至应变样本,用于测量泊松比的效应。
•完整桥结构电阻可使半桥保持完整。
•可补偿温度对测量产生的影响。
•1000 µε时的灵敏度为~0.5 mV out/ V EX输入。
1/4桥(类型II)的电路图
电路图使用下列符号:
• R1是半桥的完整电桥结构电阻。
• R2是半桥的完整电桥结构电阻。
• R3是1/4桥的温度传感元素,称为补偿电阻。
• R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
• V EX是激励电压。
• R L是导线电阻。
• V CH是测量电压。
通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。
V r是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,R L是导线电阻,R g是额定应变计电阻。下图为半桥(类型I)轴向应变配置中的应变计电阻:
下图为半桥(类型I)弯曲应变配置中的应变计电阻:
半桥(类型I)的应变计配置具有下列特性:
•两个有效应变计元素,一个位于轴向应变方向,另一个平行或垂直于主要的轴向应变方向,作为泊松应变计。
•完整桥结构电阻可使半桥保持完整。
•轴向和弯曲应变的灵敏度较高。
•可补偿温度对测量产生的影响。
•对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。
•1000 µε时的灵敏度为~0.65 mV out/ V EX输入。
上级主题:应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
半桥(类型I)的电路图
电路图使用下列符号:
• R1是半桥的完整电桥结构电阻。
• R2是半桥的完整电桥结构电阻。
• R3是有效应变计元素,用于测量泊松效应(-ε)导致的收缩。
• R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
• V EX是激励电压。
• R L是导线电阻。
• V CH是测量电压。
通过下列方程将半桥(类型I)配置的电压比率转换为应变单位。
V r是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,v是泊松比,R L是导线电阻,R g是额定应变计电阻。
半桥(类型II)配置仅适用于测量弯曲应变。
下图为半桥(类型II)弯曲应变配置中的应变计电阻:
半桥(类型II)的应变计配置具有下列特性:
•两个有效应变计元素分别位于应变样本顶部的轴向应变方向,以及应变样本底部的轴向应变方向。
•完整桥结构电阻可使半桥保持完整。
•弯曲应变的灵敏度较高。
•不能测量轴向应变。
•可补偿温度对测量产生的影响。
•1000 µε时的灵敏度为~1 mV out/ V EX输入。
上级主题:应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
半桥(类型II)的电路图
电路图使用下列符号:
• R1是半桥的完整电桥结构电阻。
• R2是半桥的完整电桥结构电阻。
• R3是用于测量收缩应变(+ε)的有效应变计元素。
• R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计电阻。
• V EX是激励电压。
• R L是导线电阻。
• V CH是测量电压。
通过下列方程将半桥(类型II)配置的电压比率转换为应变单位。
V r是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,R L是导线电阻,R g是额定应变计电阻。
全桥(类型I)配置仅适用于测量弯曲应变。
下图为全桥(类型I)弯曲应变配置中的应变计电阻:
全桥(类型I)的应变计配置具有下列特性:
•四个有效应变计元素;两个位于应变样本顶部的弯曲应变方向,两个位于应变样本底部的弯曲应变方向。•弯曲应变的灵敏度较高。
•不能测量轴向应变。
•可补偿温度对测量产生的影响。
•可补偿导线电阻对测量产生的影响。
•1000 µε时的灵敏度为~2.0 mV out/ V EX输入。