半导体芯片制造中级复习题 A

半导体芯片制造中级工复习题

一 判断题：

1. 单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的

排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。(

√ )

2. 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导

体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率

的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导

率就越高。(√)

3. 点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们

构成的复合体。(√)

4. 位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子

脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界

处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。(√)

5. 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、

厚度、主参考面等。(×)

6. 液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。(

√ )

7. 离子源是产生离子的装置。（√ ）

8. 半导体芯片制造工艺对水质的要求一般. （×）

9. 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可

溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性 光致抗蚀剂，由此组成的

光刻胶称为负性胶。 （√）

10. 设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进

入净化区。 （×）

11. 干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。

（√）

12. 光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。

（×）

13. 在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此

要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性

能上相互绝缘。 （√）

14. 金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶

蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把

胶膜上的金属一起去除干净。（√）

15. 表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的

表面与周围气氛隔离。（√）

二 选择题

1. 下列材料属于N型半导体是 AC 。

A 硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As) B．硅中掺有元素杂质硼

(B)、铝(Al)

C 砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(Te) D．砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

2. 属于绝缘体的正确答案是 B 。

A 金属、石墨、人体、大地

B 橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C 硅、锗、砷化镓、磷化铟

D 各种酸、碱、盐的水溶液（ A ）10、说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫：

A、逻辑设计

B、物理设计

C、电路设计

D、系统设计

（ D ）11、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用

A、盐酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氢氟酸

（ D ）12、下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：

A、单基极条图形

B、双基极条图形

C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构

D、梳状结构

3. 位错的形成原因是 C 。

A 位错就是由弹性形变造成的

B 位错就是由重力造成的

C 位错就是由范性形变造成的

D 以上答案都不对

4. 硅外延生长工艺包括 ABCD 。

A 衬底制备

B 原位HCl腐蚀

C 生长温度，生长压力，生长速度

D 尾气的处理

5. 硅外延片的应用包括 ABCD 。

A 二极管和三极管

B 电力电子器件；

C 大规模集成电路

D 超大规模集成电路

6. 离子注入层的深度主要取决于离子注入的 A 。

A 能量

B 剂量

7. 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的 B 。

A 能量

B 剂量

（ D ）16、从离子源引出的是：

A、原子束

B、分子束

C、中子

束 D、离子束

（ B ）17、恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？

A、高斯函数

B、余误差函数

C、指数函

数 D、线性函数

A ）18、在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干

氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？

A、干氧

B、湿氧

C、水汽氧化

D、不能确定哪个使用的时间长

（ D ）19、下列说法错误的是：

A、扩散是微观离子的一种热运动方式，运动结果使浓度分布趋于均匀

B、间隙式杂质从一个间隙到相邻位置的运动为间隙式扩散

C、以间隙形式存在于硅中的杂质，主要是那些半径较小的杂质原子

8. Ⅰ号液是 A 过氧化氢清洗液.

A 碱性

B 酸性

C 中性

9. 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行 C 扩散。

A 预

B 再

C .选择

10. 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电

路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是

C 层。

A 多晶硅

B 氮化硅

C 二氧化硅

11. 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面

的掩膜层上 的工艺 A