浙大电子技术基础离线作业(答案)
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（1）VCC1= 6 V，VCC2= 6 V，R1= 2 kΩ，R2= 3 kΩ；
（2）VCC1= 6 V，VCC2= 6 V，R1=R2= 3 kΩ；
（3）VCC1= 6 V，VCC2= 6 V，R1= 3 kΩ，R2= 2 kΩ。
图2
题3图3（a）所示电路中，D1、D2为硅管，导通压降VD均为0.7V，图3（b）为输入 、 的波形，试画出 的波形。
图12
解：对图(a)电路：
(1)求静态工作点
(2)CE组态，微变等效电路为：
(3)动态指标计算
Ri=rbe=0.56 kΩ
Ro=Rc=2 kΩ
(4)当截止失真时，Vom1=ICQ×Rc=7.3 V
当饱和失真时，Vom2=｜VCEQ｜－｜VCES｜=5.65-0.7≈5.0 V
所以，首先出现饱和失真。Vom=5.0V
（2）当开关S置于B时，若用内阻为10kΩ的直流电压表分别测量 和 ，能否测得实际的数值？试画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？
（3）在开关置于A时，为使管子工作在饱和状态（设临界饱和时的 ）， 的值不应小于多少？
题10
题11图11（a）~（c）所示均为基本放大电路，设各三极管的 ， 。
图(b)电路：
(1)求静态工作点
ICQ=βIBQ=0.9mA
VCEQ=15-(Rc+Re)ICQ=9.5V
(2)CB组态，微变等效电路为：
(3)动态指标计算
Ro≈Rc=5.1kΩ
图(c)电路：
(1)求静态工作点
ICQ=β×IBQ=2mA
VCEQ=1.5-ICQ×Re=15-2×3=9V
(2)CC组态，微变等效电路
浙江大学远程教育学院
《电子技术基础》课程作业
姓名：
学号：
年级：
学习中心：
—————————————————————————————
模拟电子技术基础部分
题1在图1电路中，设 ，试分析二极管的导电情况（假定D均为理想二极管）。
题2电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管D的导通压降VD=0.7 V，并求出D导通时电流ID的大小。
图13
解：(1)T1管组成共射（CE）组态，T2管组成共集（CC）组态。
(2)整个放大电路的微变等效电路如图所示。
(3)第一级的电压放大倍数为：
Ri2是第二级放大电路的输入电阻，Ri2 =rbe2+(1+2)(R4//RL)。
第二级放大电路为射极跟随器，所以
所以，
Ri=Ri1 =R1∥rbe1
题14在图14所示的差动放大电路中，设T1、T2管特性对称，1=2=100，VBE=0.7V，且rbb′=200，其余参数如图中所示。
解：甲管为NPN型硅管，其中X为C极，Y为E极，Z为B极；
乙管为PNP型锗管，其中X为C极，Y为E极，Z为B极。
题8从图8所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。注：图中的型号3AX31C等表示的意义为：第1个数字3表示三极管，第2个字母A、D、C等分别表示管子的材料为锗、硅、硅材料，第3个字母G、K、X、D分别表示高频管、开关管、低频管、大功率管等，后面的数字和字母通常表示序号。
(3)动态指标计算
题13在图13所示的两级放大电路中，若已知T1管的 、 和T2管的 、 ，且电容C1、C2、Ce在交流通路中均可忽略。
（1）分别指出T1、Tቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ组成的放大电路的组态；
（2）画出整个放大电路简化的微变等效电路（注意标出电压、电流的参考方向）；
（3）求出该电路在中频区的电压放大倍数 、输入电阻 和输出电阻 的表达式。
题12双极型晶体管组成的基本放大电路如图题12（a）、（b）、（c）所示。设各BJT的 ， ， 。
（1）计算各电路的静态工作点；
（2）画出各电路的微变等效电路，指出它们的电路组态；
（3）求电压放大倍数 、输入电阻 和输出电阻 ；
（4）当逐步加大输入信号时，求放大电路（a）将首先出现哪一种失真（截止失真或饱和失真），其最大不失真输出电压幅度为多少？
（1）计算各电路的静态工作点；
（2）画出交流通路，说明各种放大电路的组态。
解：
图(a)：IBQ≈18.5μA，ICQ≈0.93mA，VCEQ≈8.2V；
图(b)电路：
图(C)电路：
ICQ=βIBQ=0.9mA
VCEQ=15-(Rc+Re)ICQ=9.5V
(2)交流通路如下图所示。图(a)、图(b)为CE组态，图(c)为CB组态。
题4图3电路中，输入端 、 如按下述各种方法连接时确定相应的输出 =？。
（1） 接+2V， 接+5V；
（2） 接+2V， 接-2V；
（3） 悬空， 接+5V；
（4） 经3K电阻接地， 悬空。
题5图5所示电路中，设 ，稳压管 和 的稳定电压分别为 、 ，正向降压为0.7V。试画出 和 的波形（要求时间坐标对齐）。
（1）是锗管还是硅管？
（2）是NPN型还是PNP型？
（3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管 ，锗管 ，且 ；而处于饱和区时， 。]
题8
题10图10所示电路中，设晶体管的 ， 。
（1）试估算开关S分别接通A、B、C时的 、 、 ，并说明管子处于什么工作状态。
(1)计算T1、T2管的静态电流ICQ和静态电压VCEQ，若将Rc1短路，其它参数不变，则T1、T2管的静态电流和电压如何变化？
(2)计算差模输入电阻Rid。当从单端（c2）输出时的差模电压放大倍数 =?；
(3)当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数 和共模抑制比KCMR；
(4)当vI1=105 mV，vI2=95 mV时，问vC2相对于静态值变化了多少？e点电位vE变化了多少？
题6图6所示电路中，稳压管2CW16具有下列特性：稳定电压9V，耗散功率允许值250mW，稳压管电流小于1mA时不能稳压，且动态电阻不大于20Ω。试按电路中的参数计算：
（1）当 时，电流 、 、 的大小；
（2）当电源电压 变化 %时，计算 的变化量。
题7有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X、Y、Z对地电压分别为：甲管 ， ， ；乙管 ， ， 。试分析三个电极中，哪个是发射极、基极和集电极？它们分别是NPN型还是PNP型，是锗管还是硅管？
（2）VCC1= 6 V，VCC2= 6 V，R1=R2= 3 kΩ；
（3）VCC1= 6 V，VCC2= 6 V，R1= 3 kΩ，R2= 2 kΩ。
图2
题3图3（a）所示电路中，D1、D2为硅管，导通压降VD均为0.7V，图3（b）为输入 、 的波形，试画出 的波形。
图12
解：对图(a)电路：
(1)求静态工作点
(2)CE组态，微变等效电路为：
(3)动态指标计算
Ri=rbe=0.56 kΩ
Ro=Rc=2 kΩ
(4)当截止失真时，Vom1=ICQ×Rc=7.3 V
当饱和失真时，Vom2=｜VCEQ｜－｜VCES｜=5.65-0.7≈5.0 V
所以，首先出现饱和失真。Vom=5.0V
（2）当开关S置于B时，若用内阻为10kΩ的直流电压表分别测量 和 ，能否测得实际的数值？试画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？
（3）在开关置于A时，为使管子工作在饱和状态（设临界饱和时的 ）， 的值不应小于多少？
题10
题11图11（a）~（c）所示均为基本放大电路，设各三极管的 ， 。
图(b)电路：
(1)求静态工作点
ICQ=βIBQ=0.9mA
VCEQ=15-(Rc+Re)ICQ=9.5V
(2)CB组态，微变等效电路为：
(3)动态指标计算
Ro≈Rc=5.1kΩ
图(c)电路：
(1)求静态工作点
ICQ=β×IBQ=2mA
VCEQ=1.5-ICQ×Re=15-2×3=9V
(2)CC组态，微变等效电路
浙江大学远程教育学院
《电子技术基础》课程作业
姓名：
学号：
年级：
学习中心：
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模拟电子技术基础部分
题1在图1电路中，设 ，试分析二极管的导电情况（假定D均为理想二极管）。
题2电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管D的导通压降VD=0.7 V，并求出D导通时电流ID的大小。
图13
解：(1)T1管组成共射（CE）组态，T2管组成共集（CC）组态。
(2)整个放大电路的微变等效电路如图所示。
(3)第一级的电压放大倍数为：
Ri2是第二级放大电路的输入电阻，Ri2 =rbe2+(1+2)(R4//RL)。
第二级放大电路为射极跟随器，所以
所以，
Ri=Ri1 =R1∥rbe1
题14在图14所示的差动放大电路中，设T1、T2管特性对称，1=2=100，VBE=0.7V，且rbb′=200，其余参数如图中所示。
解：甲管为NPN型硅管，其中X为C极，Y为E极，Z为B极；
乙管为PNP型锗管，其中X为C极，Y为E极，Z为B极。
题8从图8所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。注：图中的型号3AX31C等表示的意义为：第1个数字3表示三极管，第2个字母A、D、C等分别表示管子的材料为锗、硅、硅材料，第3个字母G、K、X、D分别表示高频管、开关管、低频管、大功率管等，后面的数字和字母通常表示序号。
(3)动态指标计算
题13在图13所示的两级放大电路中，若已知T1管的 、 和T2管的 、 ，且电容C1、C2、Ce在交流通路中均可忽略。
（1）分别指出T1、Tቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ组成的放大电路的组态；
（2）画出整个放大电路简化的微变等效电路（注意标出电压、电流的参考方向）；
（3）求出该电路在中频区的电压放大倍数 、输入电阻 和输出电阻 的表达式。
题12双极型晶体管组成的基本放大电路如图题12（a）、（b）、（c）所示。设各BJT的 ， ， 。
（1）计算各电路的静态工作点；
（2）画出各电路的微变等效电路，指出它们的电路组态；
（3）求电压放大倍数 、输入电阻 和输出电阻 ；
（4）当逐步加大输入信号时，求放大电路（a）将首先出现哪一种失真（截止失真或饱和失真），其最大不失真输出电压幅度为多少？
（1）计算各电路的静态工作点；
（2）画出交流通路，说明各种放大电路的组态。
解：
图(a)：IBQ≈18.5μA，ICQ≈0.93mA，VCEQ≈8.2V；
图(b)电路：
图(C)电路：
ICQ=βIBQ=0.9mA
VCEQ=15-(Rc+Re)ICQ=9.5V
(2)交流通路如下图所示。图(a)、图(b)为CE组态，图(c)为CB组态。
题4图3电路中，输入端 、 如按下述各种方法连接时确定相应的输出 =？。
（1） 接+2V， 接+5V；
（2） 接+2V， 接-2V；
（3） 悬空， 接+5V；
（4） 经3K电阻接地， 悬空。
题5图5所示电路中，设 ，稳压管 和 的稳定电压分别为 、 ，正向降压为0.7V。试画出 和 的波形（要求时间坐标对齐）。
（1）是锗管还是硅管？
（2）是NPN型还是PNP型？
（3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管 ，锗管 ，且 ；而处于饱和区时， 。]
题8
题10图10所示电路中，设晶体管的 ， 。
（1）试估算开关S分别接通A、B、C时的 、 、 ，并说明管子处于什么工作状态。
(1)计算T1、T2管的静态电流ICQ和静态电压VCEQ，若将Rc1短路，其它参数不变，则T1、T2管的静态电流和电压如何变化？
(2)计算差模输入电阻Rid。当从单端（c2）输出时的差模电压放大倍数 =?；
(3)当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数 和共模抑制比KCMR；
(4)当vI1=105 mV，vI2=95 mV时，问vC2相对于静态值变化了多少？e点电位vE变化了多少？
题6图6所示电路中，稳压管2CW16具有下列特性：稳定电压9V，耗散功率允许值250mW，稳压管电流小于1mA时不能稳压，且动态电阻不大于20Ω。试按电路中的参数计算：
（1）当 时，电流 、 、 的大小；
（2）当电源电压 变化 %时，计算 的变化量。
题7有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X、Y、Z对地电压分别为：甲管 ， ， ；乙管 ， ， 。试分析三个电极中，哪个是发射极、基极和集电极？它们分别是NPN型还是PNP型，是锗管还是硅管？