p型半导体和n型半导体演示幻灯片

模拟电子技术基础
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半导体中产生了大量的自由电子和正离子 + ++ +++ + ++ +++ + ++ +++ + ++ +++ + ++ +++ + ++ +++
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模拟电子技术基础
可见：
a. N型半导体是在本征半导体中掺入少量五价杂质 元素形成的。
b. N型半导体中产生了大量的(自由）电子和正离子。
c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流 子，简称少子。
d. np× nn=K(T) e. 因电子带负电，称这种半导体为N(negative)型或
负电荷
= 受主负杂质离子（majority）+ 本征激发产生的（minority）；
正电荷总数（多子空穴）=负电荷总数（少子电子+受主负离子）
h.半导体整体是电中性的
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杂质半导体
在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元 素后所形成的半导体
根据掺杂的不同，杂质半导体分为
N型导体 P型导体
1. N型半导体
掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体
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掺入少量五价杂质元素磷
P
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2. P型半导体
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在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼等。
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B
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b. P型半导体产生大量的空穴和负离子。 c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 d. np× nn=K(T)
e. 因空穴带正电，称这种半导体为P(positive)型或 空穴型半导体。
f. 因掺入的杂质接受电子，故称之为受主杂质。
g. 正电荷(空穴) = 受主杂质产生的（majority）+ 本征激发产生的（minority）；
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空穴
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半导体中产生了大量的空穴和负离子 - -- --- -- --- -- --- -- --- -- --- -- ---
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可见：
a. P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价 杂质元素形成的。
电子型半导体。 f. 因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。 g.负 电 荷 = 受主杂质产生的（majority）+ 本征激发产生的（minority）；
正电荷(空穴) = 受主负杂质离子（majority）+ 本征激发产生的（minority）； 负电荷总数（多子电子）= 正电荷总数（少子空穴 + 受主负离子） h.半导体整体是电中性的