正银浆料简介
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传统丝印技术
热熔技术
THANK YOU
50Ω/sq, 细栅线宽95~105um，高20~22um，68根细栅
正银浆料对电池效率的影响
•
正银浆料:
• • • •
接触电阻 线电阻 印刷形貌 烧结曲线
• • • •
接触电阻: Ag-Si界面接触电阻功率损失 线电阻: 栅线电阻功率损失 印刷形貌:
• • • •
栅线电阻功率损失 遮光功率损失 接触电阻 开路电压
烧结曲线:
02
正银的主要成分和作用
2.1 丝刷正电极形貌与结构
导电输运方式
1.Ag晶粒和栅线直接接触； 2.通过极薄的玻璃层隧道效应导通； 3.通过金属颗粒沉积的玻璃层的多重 隧道效应。
文献: M.M. Hilali and A. Rohatg: <A Review and Understanding of Screen-Printed Contacts and Selective–Emitter Formation>
正银浆料简介
Shirley
2010年5月25日
内容概要
01 02 03 正银对电池效率的影响 正银的主要成分及作用 丝印正银的主要发展方向
01
正银对电池效率的影响
功率损失比较
16% 1% 11% 2% 13%
细 栅 功 率 损 失
22%
35%
Base Power loss (ηbase) Emitter Power loss (ηEmitter) Grid contact Power loss (ηcontact) Finger Power loss (ηfinger) Finger shadow Power loss (ηsf) Barbus Power loss (ηbarbus) Barbus shodow Power loss (ηsb)
PV159
9235
NS 33-510
• 适用>60ohm/sq
的浅结
产品特性
• <=70ohm/sq
• 固含量89.5%±1 • 栅线相比网版开口
扩散20~30um
• 55-70ohm/sq浅
结
• 固含量86.5%89%
• 固含量86.5%89.5%
• 栅线相比网版开
口扩散10~15um
• 可用于Hot melt与
影响印刷质量（栅线形貌）
03
丝印正银的主要发展方向
传统电池 1.常规方阻正银浆料 2.高方阻、浅结正银浆料 3.常规方阻、高固含量正银浆料 4.高方阻、高固含量正银浆料 5.无铅正银浆料
新电池设计浆料 1.两次印刷浆料 2.N型电池浆料 3.填孔印刷浆料（MWT-电池）
目前的主流产品
Dupont Heraeus Ferro
2.2 电极的形成
欧姆接触形成有如下几个步骤： 1 有机物挥发 2 玻璃料在减反射膜表面聚集 3 玻璃料腐蚀穿过减反射膜 4 玻璃料通过与Si发生氧化还原反应产生 腐蚀坑
PbO+Si Pb+SiO2
5 Ag晶粒在冷却过程中于腐蚀坑处结晶
由于玻璃料对Si表面腐蚀具有各向异性，导致在Si表面形成了倒三角形的腐蚀坑。 因此Ag晶粒在腐蚀坑处结晶时与Si表面接触的一侧呈倒金字塔状，而与玻璃料接触 的一侧则成圆形
8
Ag晶粒的析出机理
（1）与PbO和Si发生的氧化还原反应类似，玻璃料中的 Ag2O与Si发生如下反应： Ag2O+Si —— Ag+SiO2 （2）Ag和被腐蚀的Si 同时融入玻璃料中。冷却时，玻璃料 中多余的Si外延生长在基体上，Ag晶粒则在Si表面随机生 长。 （3）在烧结过程中通过氧化还原反应被还原出的金属Pb呈 液态， 当液态铅与银相遇时，根据Pb-Ag相图银粒子融入 铅中形成 Pb-Ag相。Pb-Ag熔体腐蚀Si的<100>晶面。冷 却过程中, Pb和Ag发生分离，Ag在<111>晶面上结晶 ，形 成倒金字塔形 。
2.3 正银主要成分及其作用
玻璃粉 Ag颗粒 有机溶剂
蚀穿减反膜；降低银的熔点；促进栅线 与硅附着。
Baidu Nhomakorabea栅线导电性。
浆料的流动性。
2.4 浆料电性能与组分的关系
玻璃粉 Ag颗粒 有机溶剂
形成良好的接触电阻；防止过量Ag颗粒 扩散至P-N结造成的结漏电；控制Ag-Si 岛形成。 Ag粉含量影响着栅线电阻率，同时Ag颗 粒的大小影响接触电阻和开路电压。
热熔技术
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50Ω/sq, 细栅线宽95~105um，高20~22um，68根细栅
正银浆料对电池效率的影响
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正银浆料:
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接触电阻 线电阻 印刷形貌 烧结曲线
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接触电阻: Ag-Si界面接触电阻功率损失 线电阻: 栅线电阻功率损失 印刷形貌:
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栅线电阻功率损失 遮光功率损失 接触电阻 开路电压
烧结曲线:
02
正银的主要成分和作用
2.1 丝刷正电极形貌与结构
导电输运方式
1.Ag晶粒和栅线直接接触； 2.通过极薄的玻璃层隧道效应导通； 3.通过金属颗粒沉积的玻璃层的多重 隧道效应。
文献: M.M. Hilali and A. Rohatg: <A Review and Understanding of Screen-Printed Contacts and Selective–Emitter Formation>
正银浆料简介
Shirley
2010年5月25日
内容概要
01 02 03 正银对电池效率的影响 正银的主要成分及作用 丝印正银的主要发展方向
01
正银对电池效率的影响
功率损失比较
16% 1% 11% 2% 13%
细 栅 功 率 损 失
22%
35%
Base Power loss (ηbase) Emitter Power loss (ηEmitter) Grid contact Power loss (ηcontact) Finger Power loss (ηfinger) Finger shadow Power loss (ηsf) Barbus Power loss (ηbarbus) Barbus shodow Power loss (ηsb)
PV159
9235
NS 33-510
• 适用>60ohm/sq
的浅结
产品特性
• <=70ohm/sq
• 固含量89.5%±1 • 栅线相比网版开口
扩散20~30um
• 55-70ohm/sq浅
结
• 固含量86.5%89%
• 固含量86.5%89.5%
• 栅线相比网版开
口扩散10~15um
• 可用于Hot melt与
影响印刷质量（栅线形貌）
03
丝印正银的主要发展方向
传统电池 1.常规方阻正银浆料 2.高方阻、浅结正银浆料 3.常规方阻、高固含量正银浆料 4.高方阻、高固含量正银浆料 5.无铅正银浆料
新电池设计浆料 1.两次印刷浆料 2.N型电池浆料 3.填孔印刷浆料（MWT-电池）
目前的主流产品
Dupont Heraeus Ferro
2.2 电极的形成
欧姆接触形成有如下几个步骤： 1 有机物挥发 2 玻璃料在减反射膜表面聚集 3 玻璃料腐蚀穿过减反射膜 4 玻璃料通过与Si发生氧化还原反应产生 腐蚀坑
PbO+Si Pb+SiO2
5 Ag晶粒在冷却过程中于腐蚀坑处结晶
由于玻璃料对Si表面腐蚀具有各向异性，导致在Si表面形成了倒三角形的腐蚀坑。 因此Ag晶粒在腐蚀坑处结晶时与Si表面接触的一侧呈倒金字塔状，而与玻璃料接触 的一侧则成圆形
8
Ag晶粒的析出机理
（1）与PbO和Si发生的氧化还原反应类似，玻璃料中的 Ag2O与Si发生如下反应： Ag2O+Si —— Ag+SiO2 （2）Ag和被腐蚀的Si 同时融入玻璃料中。冷却时，玻璃料 中多余的Si外延生长在基体上，Ag晶粒则在Si表面随机生 长。 （3）在烧结过程中通过氧化还原反应被还原出的金属Pb呈 液态， 当液态铅与银相遇时，根据Pb-Ag相图银粒子融入 铅中形成 Pb-Ag相。Pb-Ag熔体腐蚀Si的<100>晶面。冷 却过程中, Pb和Ag发生分离，Ag在<111>晶面上结晶 ，形 成倒金字塔形 。
2.3 正银主要成分及其作用
玻璃粉 Ag颗粒 有机溶剂
蚀穿减反膜；降低银的熔点；促进栅线 与硅附着。
Baidu Nhomakorabea栅线导电性。
浆料的流动性。
2.4 浆料电性能与组分的关系
玻璃粉 Ag颗粒 有机溶剂
形成良好的接触电阻；防止过量Ag颗粒 扩散至P-N结造成的结漏电；控制Ag-Si 岛形成。 Ag粉含量影响着栅线电阻率，同时Ag颗 粒的大小影响接触电阻和开路电压。