最新2-三极管及放大电路课件PPT

PCPCM
安全工作区
ICUCE=PCM
U(BR)CEO
UCE
五、温度对ＢＪＴ参数及特性的影响
T iC
、 ICEO 、 ICBO
IC
温度上升时， 输出特性曲 线上移
uCE
六、常见三极管实物外形
§ 2.2 放大电路的基本组成和 主要性能指标
一、放大电路的分类
三极管放 大电路有 三种形式
共发射极放大电路
P
ICEO受温度影响 很大，当温度上
升时，ICEO增加 很快，所以IC也 相应增加。三极
管的温度特性较
差。
IBE
N
根据放大关系，
ICBO进入N E
区，形成
由于IBE的存 在，必有电流
IBE。
IBE。
4.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降， 当值下降到正常值的三分之二时的集电极电 流即为ICM 。
交流电流放大系数：
IC
， 大 约 为 10-100
I B
电流分配关系
IC IB IE IB IC (1)IB
思考：处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管的各
电极电位如何？
C
B
PN N
C
B
NP P
E E
UB、UC、UE大于零 且UC > UB>UE
UB、UC、UE小于零 且-UC >- UB>-UE
iB : 小写字母、大写下标，表示交直
流量(全量)。
ib : 小写字母、小写下标，表示交流分量。
iB
全量
ib交流分量
IB直流分量
t
四、 放大的概念、放大器的组成框图
１、放大就是将微弱的变化信号放大成较大的 信号，包括对电压、电流的放大。
２、放大器的一般组成框图：
输
入
电压放大
功率放大
负载
信
号
放大器
五、 放大电路的性能指标
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
iB>iC，uCE0.3V C、E间相当于短路
(3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏， iB=0 ，
iC=iCEO 0
C、E间相当于开路
2、电流的放大作用及分配 iC(mA)
4
直流电流放大系数： 3
80A 60A
IC
IB
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 uCE(V)
总的来说:处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管，
满足 UC > UB>UE
四、主要参数
___
1. 电流放大倍数
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的
公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共
集接法。共射直流电流放大倍数：
___
IC
IB
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在
直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，
放大电路的性能指标主要包括静态性能指标和
动态性能指标
+ＥC
１、静态性能指标：
RB RC C2 C1
T
静态值：IＢＱ、ICＱ、UCEＱ
Rs
RL u0
~ uS
静态值决定了三极管的直流偏置，从而决定了放大 电路能否正常工作，也决定了放大电路能否不失真 地放大信号。
共基极放大电路 共集电极放大电路
以共发射 极放大电 路为例讲 解工作原 理
二、 共发射极放大电路的基本组成
iC
RB
RC C2
+EC iC
t
C1
iB
T
Biblioteka BaiduRs
RB
uBE
EC
uS ~ EB
ui
u0
uS
ui
t
t
u0 t
uo t
未加电容Ｃ２ 加电容Ｃ２
三、 符号规定
IB : 大写字母、大写下标，表示直流量。
相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放
大倍数为：
IC IB
2.集-基极反向饱和电流ICBO
ICBO A
ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
3. 集-射极反向饱和电流ICEO
集电结反 偏有ICBO
B
ICEO= IBE+ICBO
C
ICBO IBE N
管约0.5V，锗 20
管约0.1V。
发射结压降： 硅管UBE0.6~0.8V,锗 管UBE0.2~0.3V。
0.4 0.8 uBE(V)
i f(u )u (二)、输出特性:
C
CE
uB>uE和uC>uB ， iC
BE常 数只称与为i放B有大关区且iC=iB，
uCE0.3V,
uB>uE和
4
uB>uC ，称
三、 V-I特性曲线及结 论
iB
A
RB
V uBE
iC mA
EC V uCE
EB
实验线路
三、 V-I特性曲线及结 论
iB
A
RB
V uBE
iC mA
EC V uCE
EB
实验线路
(一)、输入特性: iBf(uBE)uCE常 数
uCE=0V
80
uCE =0.5V
iB(A)
uCE 1V
60
40
死区电压: 硅
相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放
大倍数为：
IC IB
四、主要参数
___
1. 电流放大倍数
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的
公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共
集接法。共射直流电流放大倍数：
___
IC
IB
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在
直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，
B
N
P
IB
N
RB
EB
E IE
发射结正偏， 发射区电子 不断向基区 扩散，形成 发射极电流 IE。
EC
集电结反偏，有
少子形成的反向
电流ICBO。
B
IB RB
EB
IC=ICE+ICBOICE C
I ICBO CE N P N
E IE
从基区扩 散到集电
E区 被C的收电集子，，
形成ICE。
内部载流子的传输过程：（1）E区向B区注入电子,形成 （2）电子在B区复合，形成IEIB （3） C区收集电子，形成IC
2-三极管及放大电路
§2.1 晶体三极管
一、 基本结构
NPN型
集电极
C
集电区：
面积较大
N
B
P
基极
N
基区：较薄，
掺杂浓度低 B
基极
发射区：
E
掺杂浓度较高
发射极
PNP型
集电极
C
P N P
E
发射极
二、IE， IB， IC 电流形成
进入P区的电子
少部分与基区的
空穴复合，形成
C
电流IB ，多数扩
散到集电结。
5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值 时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是 25C、基极开路时的击穿电压。
6. 集电极最大允许功耗PCM
• 集电极电流IC 流过三极管，
所发出的焦耳
IC ICM
热为：
PC =ICUCE
• 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。
为饱和区。 3
iC(mA )
100A 80A
2
iB=0,iC=iCEO,
uB< uE和 1
uB<uC，称为 截止区。
60A
40A
20A IB=0 3 6 9 12 uCE(V)
(三)、结论
1、三极管工作在三个区域的条件及特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
(2)
即： iC=iB , 且 iC = iB