单晶硅生长炉

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单晶硅片单晶炉设备工艺流程

单晶硅片单晶炉设备工艺流程

单晶硅片单晶炉设备工艺流程单晶硅片的生产是利用单晶炉设备进行的。

单晶炉设备工艺流程包括硅矿炼制、单晶硅制备和晶体生长。

首先,硅矿炼制是单晶硅片制备的第一步。

硅矿是由二氧化硅(SiO2)和杂质组成的,主要包括石英、长石、云母等。

硅矿需要经过多道工序进行炼制,去除杂质,得到高纯度的硅料。

炼制的工艺流程通常包括物料的破碎、磨矿、脱硫、氧化等步骤。

接下来是单晶硅片的制备。

在硅矿炼制过程中得到的高纯度硅料通常以气态或液态的形式存在。

硅片制备的常见方法有气相沉积(CVD)和液相冷凝法。

其中,气相沉积是通过将硅源气体(如三氯化硅)在高温下分解,将生成的纯矽沉积在衬底上生长单晶硅片。

液相冷凝法则是通过在液态硅中加入掺杂剂,控制冷却速度使硅片结晶,得到单晶硅片。

最后是晶体生长。

在晶体生长过程中,需要控制温度、压力、气氛等,来确保单晶硅的纯度和晶体质量。

常用的晶体生长技术有悬浮法、引上法和拉平法等。

其中,悬浮法是将硅料溶解在溶剂中形成熔液,然后通过引入衬底,并控制温度慢慢降低来生长晶体。

引上法则是将熔融的硅料和衬底在一定角度上汇合,通过引上机构逐渐拉伸,使硅料在衬底上生长为单晶。

拉平法则是将硅料加热熔化,在两个旋转的辊子之间拉扁成薄片,再通过快速冷却来生长晶体。

整个单晶硅片制备的工艺流程是相对复杂的,需要经过多道工序才能完成。

在每一个工序中,都需要精确地控制各个参数,以保证最终产品的质量和纯度。

同时,随着技术的发展,人们不断改良和创新工艺流程,以提高单晶硅片制备的效率和质量。

单晶炉资料

单晶炉资料

CL系列单晶炉,属软轴提拉型,用直拉法生长无位错电路级、太阳能级单晶的设备。

此设备结构设计稳定,运行平稳,且有多项安全防护设施,质量流量及温度控制精确,整个晶体生长过程由高可靠的可编程计算机控制器(PCC)控制,并可实现全自动(CCD)控制,包括抽真空、熔化、引晶缩颈、放肩、等经生长和尾锥生长。

CL-90型设备提供一对电极,满足用户采用两温区加热的工艺要求。

设备使用18寸或20寸的热系统,投料量60-90Kg,生长6″或8″的单晶体。

设备特点:1、稳定的机架结构设计,增强了设备在晶体生长过程中的抗振动能力。

2、优化的液压提升机构确保副炉室提升和复位时的运动平稳性。

3、与主机分离的分水器设计,在减少冷却水振动对晶体生长的影响的同时优化了水路布局。

4、晶体和坩埚的提升采用双电机结构,保证稳定的低生长速度以及坩埚和籽晶的快速定位。

5、采用无振动的高性能马达和低噪声的减速器驱动晶体和坩埚上升,可提供稳定的低生长速度。

6、设备的真空条件和在真空下的可控惰性气体气流使得热区清洗最佳化。

氧化硅可以在不污染晶体和晶体驱动装置的条件下排除。

7、带隔离阀的副室可以在热区保持工作温度的情况下,取出长成的晶体或者更换籽晶。

8、对惰性气体流量和炉室压力高精度的控制能力,为生长高品质单晶创造了条件。

9、炉盖和炉腔通过两个提升装置提升,很方便的转向一边快捷地清洗。

10、熔化温度通过对加热器温度的电控来维持和调节,加热电源采用直流供电提高了控制精度。

高品质的加热器温度测量传感器实现了精确的温度控制。

12、整个晶体生长过程由一个高可靠的可编程计算机控制器(PCC)控制,包括抽真空、熔化、引晶缩颈、放肩、等经生长和尾锥生长,晶体生长全过程可实现全自动(CCD)控制:。

13、带有数据和报警过程控制的可视化软件,存储在计算机的硬盘中。

可以显示过程变量随时间变化的趋势图。

直流电源5柱变压器,空载电流小,效率比3柱高10%--15%。

双反芯6脉波比桥式整流功耗小。

直拉硅单晶生长工艺流程与原理

直拉硅单晶生长工艺流程与原理

氩气及真空系统部分
系统构成 1、氩气分流控制:三阀系统(氩气分流环(京运通 单晶炉只是转子流量计)); 2、炉压控制:节流阀; 3、真空测量:不同量程真空计检测真空; 4、真空泵组:副泵用于隔离操作,主泵用于正常拉 晶。
单晶炉加热系统示意图
单晶炉热系统
单晶炉热系统实物图
内(石英护套)/外(石墨护套)
单晶体/坩埚升降及旋转机构
1、快慢双电机构造: 提升拉速控制精度;实现易挥发杂质旳掺杂;
2、配重块合理配重: 确保了晶体旋转时旳动态平衡;
3、上/下轴旋转旳作用: 固液界面热对称旳取得;晶体断面良率旳提升;
4、行程传感器: 长度旳测量可把握剩料,做到及时收尾。
单晶炉晶体提拉部分
单晶炉晶体提拉部分(功能构造示意)
流体密封; 3、每炉生长之前经过用真空泵对炉子抽极限真空,(抽真
空)关闭抽闲阀门,测量炉内压力升高速度来鉴定炉子 是否到达密闭要求;(检漏)
单晶炉旳真空度及真空旳泄漏率对单晶硅生长 至关主要!
直拉单晶炉内部旳气氛环境特征
1、用高纯氩气保护(99.999%); 2、带走氧气等泄露进炉内旳杂质,并带走熔液表面蒸发
单晶炉热系统旳材料构成及要求
1、加热器是热系统旳主体,用高纯石墨制成,它是系统旳热源。保温 系统用石墨制成,也有碳素纤维、碳毡、和高纯石墨混合构成;
2、热场内要提供通畅旳气流通道,并使气流流过生长区域液面; 3、氧化物会在温度较低旳热场零件上沉积,应防止氧化物沉积在液面 以上旳位置。
单晶炉热场
1、静态热场 熔硅后引晶时旳温度分布,由加热器、保温系统、坩埚位置等原因决定 。
2、炉子泄漏率合格之后开启真空阀和氩气阀,设定氩 气流量和炉压,使炉内到达单晶生长所需旳气氛和 压力条件(一般1000帕左右)。

单晶炉图解

单晶炉图解

Z单晶的生产流程如图:
CZ单晶的生产流程
本项目单晶硅棒主要的生产技术包括以下几个部分:
1)加料:将多晶硅原料及掺杂放入石英坩埚内,并根据导电类型而进行掺杂。

2)熔化:加完多晶硅原料于石英坩埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度(1420℃)以上,将多晶硅原料熔化。

3)缩颈生长:当硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入硅熔
体中。

由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力,会使籽晶产生位错,这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。

缩颈生长是将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小到一定大小(4-6mm)由于位错线与生长轴成一个交角,只要缩颈够长,位错便能长出晶体表面,产生零位错的晶体。

4)放肩生长:长完细颈之后,须降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。

5)等径生长:长完细颈和肩部之后,借着拉速与温度的不断调整,可使晶棒直径维持在正负2mm之间,这段直径固定的部分即称为等径部分。

单晶硅片取自于等径部分。

6)尾部生长:在长完等径部分之后,如果立刻将晶棒与液面分开,那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。

于是为了避免此问题的发生,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与液面分开。

这一过程称之为尾部生长。

7)开炉取料:长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。

8)晶体测试。

9)检验包装出厂。

单晶炉原理

单晶炉原理

单晶炉原理介绍单晶炉是一种用于生产单晶材料的设备,广泛应用于半导体材料的制备过程中。

单晶材料具有与多晶材料相比更优异的电学、热学和力学性能,因此在电子领域、光学领域和磁学领域等多个领域都有广泛的应用。

本文将对单晶炉的原理进行全面、详细、完整和深入的探讨。

单晶炉的结构单晶炉主要由炉体、炉盖、炉底、炉管、加热装置、温度控制装置、真空系统和气体控制系统等组成。

炉体炉体是单晶炉的主体部分,通常由高温合金材料制成。

炉体内部需要提供良好的真空密封性能,以保证单晶材料的生长过程在无氧、无杂质的环境中进行。

炉盖和炉底炉盖和炉底是单晶炉的上下封闭部分,通常也由高温合金材料制成。

炉盖上设置有透明的窗口,用于观察单晶生长的情况。

炉管炉管用于固定和保护单晶材料的生长过程。

炉管通常由石英材料制成,具有良好的耐高温性能和透明性,使得操作人员可以清楚地观察单晶的生长过程。

加热装置加热装置用于提供高温环境,促使单晶材料的生长。

常见的加热方式有电阻加热、感应加热和激光加热等。

温度控制装置温度控制装置用于监测和控制单晶炉的温度。

通常采用热电偶或红外线传感器等温度传感器来监测炉内温度,并通过控制加热装置的功率实现温度的精确控制。

真空系统真空系统用于在单晶炉内部提供高真空环境,以防止杂质的污染和氧化反应的发生。

真空系统由真空泵和真空阀等组成。

气体控制系统气体控制系统用于控制单晶炉内部的气氛组成。

在生长不同材料的单晶过程中,可能需要控制不同气氛的供应,以实现所需的单晶生长条件。

单晶生长原理单晶炉主要利用熔融法、气相输送法或溶液法等方法,在良好的温度控制和高真空环境下,将单晶材料由液态或气态状态逐渐生长为单晶体。

熔融法熔融法是最常用的单晶生长方法之一,适用于高熔点材料的生长。

熔融法主要包括悬臂法、引上法和向下法等。

悬臂法悬臂法是一种将熔融材料悬挂在加热区域,使其逐渐凝固生长为单晶的方法。

在悬臂法中,熔融材料通过静电或力学方式,悬挂在炉管上方的加热区域,随着炉体温度的降低,熔融材料逐渐凝固并生长为单晶体。

京运通JRDL

京运通JRDL

前景无限的京运通JRDL-900软轴单晶硅炉京运通公司——真空设备晶体生长炉专业生产企业北京京运通科技有限公司是我国真空设备晶体生长炉特别是软轴硅单晶炉、区熔炉、单晶硅科研生产一体化的专业生产厂家。

位于北京市通州工业开发区张家湾镇,占地面积35000平方米。

企业员工总数150人,注册资金1000万元。

北京京运通真空设备厂是中国电子设备工业学会会员单位。

我厂技术力量雄厚,设备先进,检测手段完善。

拥有独立的办公科研大楼,科研人员采用计算机辅助设计。

公司厂区内建有万余平方米的大型金属加工车间、产品总装调试车间、硅单晶炉试机及生长车间、用于科研和生产的检验检测设备百余台。

主要的检验、检测设备从日本引进。

加工设备有数控加工中心、龙门刨床、龙门铣床、立车、镗床、油压机、抛光机及各类通用机床加工设备;焊接设备有自动氩弧焊机、埋弧焊机。

经过几年来的人才引进,已拥有一批高、中级专业技术型的设计,管理和经营人才,具有独立自主的产品设计开发能力和相当规模的生产能力。

现有职工150余人,其中高级工程师10名,工程师15名,助理工程师30名,生产岗位既有多年生产实践经验的高级技师,也有近几年中专、技校毕业的技术工人,人员结构已形成梯队。

我厂具有独立的产品设计开发能力和稳定的市场营销网络体系,产品市场前景广阔。

我厂研制的JRDL-800型软轴硅单晶炉获研制一等奖。

我们利用经营管理和技术上的优势,积极拓展产品延伸业务。

并从国民经济的社会效益出发,根据国家产业指导中对可再生能源的扶植倾向,积极研制生产太阳能硅单晶材料和设备。

JRDL-700型硅单晶炉,于2002年3月26日试制成功第一根6英寸硅单晶;JRDL-800型硅单晶炉,于2004年4月18日试制成功第一根8英寸硅单晶。

本厂生产的6英寸、6.5英寸、8英寸硅单晶产品性能优良,得到用户好评,为国民经济建设发挥了积极的作用。

我厂在开拓市场的同时,积极有效地推动质量管理体系地建设;通过了华厦质量认证中心的ISO9001:2000质量管理体系认证审核。

晶盛160单晶炉结构

晶盛160单晶炉结构

晶盛160单晶炉结构晶盛160单晶炉是一种应用于半导体材料生长过程中的设备。

本文将对晶盛160单晶炉的结构进行详细介绍。

晶盛160单晶炉的结构主要包括炉体、加热装置、控制系统和气体供应系统。

炉体是晶盛160单晶炉的主要组成部分,它通常由高温材料制成,如石墨。

炉体的内部有一个容纳材料生长的腔室,通常为圆柱形。

腔室的上部有一个开口,用于放置生长介质和种子晶体。

炉体的底部有一个出料口,用于取出生长的单晶材料。

加热装置是晶盛160单晶炉的关键组件之一。

它通常由电热丝或电磁线圈组成,用于提供必要的热能以使生长介质熔化并促进单晶生长过程。

加热装置可以通过外部的电源进行控制,以调节温度和热能输入量,从而实现对单晶生长过程的精确控制。

控制系统是晶盛160单晶炉的另一个重要部分。

它通常由温度控制器、时间控制器和其他相关仪器组成。

温度控制器用于监测和调节炉体内的温度,以确保生长过程中的温度稳定性。

时间控制器用于设置和控制生长时间,以确保生长过程的持续性和一致性。

其他相关仪器如压力传感器和流量计等,用于监测和调节生长过程中的气体供应和压力。

气体供应系统是晶盛160单晶炉中的重要组成部分。

它通常包括气体源、气体流量控制器和气体分配装置。

气体源提供所需的生长气体,如氩气、氧气和氮气等。

气体流量控制器用于调节和控制气体的供应量,以确保生长过程中的气氛稳定。

气体分配装置用于将气体分配到炉体内的适当位置,以实现均匀的气氛分布。

晶盛160单晶炉的结构主要包括炉体、加热装置、控制系统和气体供应系统。

这些组成部分共同作用,实现对半导体材料生长过程的精确控制,从而获得高质量的单晶材料。

关于编制单晶硅晶体生长炉生产建设项目可行性研究报告编制说明

关于编制单晶硅晶体生长炉生产建设项目可行性研究报告编制说明

单晶硅晶体生长炉项目可行性研究报告编制单位:北京中投信德国际信息咨询有限公司编制时间:高级工程师:高建关于编制单晶硅晶体生长炉生产建设项目可行性研究报告编制说明(模版型)【立项 批地 融资 招商】核心提示:1、本报告为模板形式,客户下载后,可根据报告内容说明,自行修改,补充上自己项目的数据内容,即可完成属于自己,高水准的一份可研报告,从此写报告不在求人。

2、客户可联系我公司,协助编写完成可研报告,可行性研究报告大纲(具体可跟据客户要求进行调整)编制单位:北京中投信德国际信息咨询有限公司专业撰写节能评估报告资金申请报告项目建议书商业计划书可行性研究报告目录第一章总论 (1)1.1项目概要 (1)1.1.1项目名称 (1)1.1.2项目建设单位 (1)1.1.3项目建设性质 (1)1.1.4项目建设地点 (1)1.1.5项目主管部门 (1)1.1.6项目投资规模 (2)1.1.7项目建设规模 (2)1.1.8项目资金来源 (3)1.1.9项目建设期限 (3)1.2项目建设单位介绍 (3)1.3编制依据 (3)1.4编制原则 (4)1.5研究范围 (5)1.6主要经济技术指标 (5)1.7综合评价 (6)第二章项目背景及必要性可行性分析 (7)2.1项目提出背景 (7)2.2本次建设项目发起缘由 (7)2.3项目建设必要性分析 (7)2.3.1促进我国单晶硅晶体生长炉产业快速发展的需要 (8)2.3.2加快当地高新技术产业发展的重要举措 (8)2.3.3满足我国的工业发展需求的需要 (8)2.3.4符合现行产业政策及清洁生产要求 (8)2.3.5提升企业竞争力水平,有助于企业长远战略发展的需要 (9)2.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要 (9)2.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要 (10)2.4项目可行性分析 (10)2.4.1政策可行性 (10)2.4.2市场可行性 (10)2.4.3技术可行性 (11)2.4.4管理可行性 (11)2.4.5财务可行性 (12)2.5单晶硅晶体生长炉项目发展概况 (12)2.5.1已进行的调查研究项目及其成果 (12)2.5.2试验试制工作情况 (13)2.5.3厂址初勘和初步测量工作情况 (13)2.5.4单晶硅晶体生长炉项目建议书的编制、提出及审批过程 (13)2.6分析结论 (13)第三章行业市场分析 (15)3.1市场调查 (15)3.1.1拟建项目产出物用途调查 (15)3.1.2产品现有生产能力调查 (15)3.1.3产品产量及销售量调查 (16)3.1.4替代产品调查 (16)3.1.5产品价格调查 (16)3.1.6国外市场调查 (17)3.2市场预测 (17)3.2.1国内市场需求预测 (17)3.2.2产品出口或进口替代分析 (18)3.2.3价格预测 (18)3.3市场推销战略 (18)3.3.1推销方式 (19)3.3.2推销措施 (19)3.3.3促销价格制度 (19)3.3.4产品销售费用预测 (20)3.4产品方案和建设规模 (20)3.4.1产品方案 (20)3.4.2建设规模 (20)3.5产品销售收入预测 (21)3.6市场分析结论 (21)第四章项目建设条件 (22)4.1地理位置选择 (22)4.2区域投资环境 (23)4.2.1区域地理位置 (23)4.2.2区域概况 (23)4.2.3区域地理气候条件 (24)4.2.4区域交通运输条件 (24)4.2.5区域资源概况 (24)4.2.6区域经济建设 (25)4.3项目所在工业园区概况 (25)4.3.1基础设施建设 (25)4.3.2产业发展概况 (26)4.3.3园区发展方向 (27)4.4区域投资环境小结 (28)第五章总体建设方案 (29)5.1总图布置原则 (29)5.2土建方案 (29)5.2.1总体规划方案 (29)5.2.2土建工程方案 (30)5.3主要建设内容 (31)5.4工程管线布置方案 (32)5.4.1给排水 (32)5.4.2供电 (33)5.5道路设计 (35)5.6总图运输方案 (36)5.7土地利用情况 (36)5.7.1项目用地规划选址 (36)5.7.2用地规模及用地类型 (36)第六章产品方案 (38)6.1产品方案 (38)6.2产品性能优势 (38)6.3产品执行标准 (38)6.4产品生产规模确定 (38)6.5产品工艺流程 (39)6.5.1产品工艺方案选择 (39)6.5.2产品工艺流程 (39)6.6主要生产车间布置方案 (39)6.7总平面布置和运输 (40)6.7.1总平面布置原则 (40)6.7.2厂内外运输方案 (40)6.8仓储方案 (40)第七章原料供应及设备选型 (41)7.1主要原材料供应 (41)7.2主要设备选型 (41)7.2.1设备选型原则 (42)7.2.2主要设备明细 (43)第八章节约能源方案 (44)8.1本项目遵循的合理用能标准及节能设计规范 (44)8.2建设项目能源消耗种类和数量分析 (44)8.2.1能源消耗种类 (44)8.2.2能源消耗数量分析 (44)8.3项目所在地能源供应状况分析 (45)8.4主要能耗指标及分析 (45)8.4.1项目能耗分析 (45)8.4.2国家能耗指标 (46)8.5节能措施和节能效果分析 (46)8.5.1工业节能 (46)8.5.2电能计量及节能措施 (47)8.5.3节水措施 (47)8.5.4建筑节能 (48)8.5.5企业节能管理 (49)8.6结论 (49)第九章环境保护与消防措施 (50)9.1设计依据及原则 (50)9.1.1环境保护设计依据 (50)9.1.2设计原则 (50)9.2建设地环境条件 (51)9.3 项目建设和生产对环境的影响 (51)9.3.1 项目建设对环境的影响 (51)9.3.2 项目生产过程产生的污染物 (52)9.4 环境保护措施方案 (53)9.4.1 项目建设期环保措施 (53)9.4.2 项目运营期环保措施 (54)9.4.3环境管理与监测机构 (56)9.5绿化方案 (56)9.6消防措施 (56)9.6.1设计依据 (56)9.6.2防范措施 (57)9.6.3消防管理 (58)9.6.4消防设施及措施 (59)9.6.5消防措施的预期效果 (59)第十章劳动安全卫生 (60)10.1 编制依据 (60)10.2概况 (60)10.3 劳动安全 (60)10.3.1工程消防 (60)10.3.2防火防爆设计 (61)10.3.3电气安全与接地 (61)10.3.4设备防雷及接零保护 (61)10.3.5抗震设防措施 (62)10.4劳动卫生 (62)10.4.1工业卫生设施 (62)10.4.2防暑降温及冬季采暖 (63)10.4.3个人卫生 (63)10.4.4照明 (63)10.4.5噪声 (63)10.4.6防烫伤 (63)10.4.7个人防护 (64)10.4.8安全教育 (64)第十一章企业组织机构与劳动定员 (65)11.1组织机构 (65)11.2激励和约束机制 (65)11.3人力资源管理 (66)11.4劳动定员 (66)11.5福利待遇 (67)第十二章项目实施规划 (68)12.1建设工期的规划 (68)12.2 建设工期 (68)12.3实施进度安排 (68)第十三章投资估算与资金筹措 (69)13.1投资估算依据 (69)13.2建设投资估算 (69)13.3流动资金估算 (70)13.4资金筹措 (70)13.5项目投资总额 (70)13.6资金使用和管理 (73)第十四章财务及经济评价 (74)14.1总成本费用估算 (74)14.1.1基本数据的确立 (74)14.1.2产品成本 (75)14.1.3平均产品利润与销售税金 (76)14.2财务评价 (76)14.2.1项目投资回收期 (76)14.2.2项目投资利润率 (77)14.2.3不确定性分析 (77)14.3综合效益评价结论 (80)第十五章风险分析及规避 (82)15.1项目风险因素 (82)15.1.1不可抗力因素风险 (82)15.1.2技术风险 (82)15.1.3市场风险 (82)15.1.4资金管理风险 (83)15.2风险规避对策 (83)15.2.1不可抗力因素风险规避对策 (83)15.2.2技术风险规避对策 (83)15.2.3市场风险规避对策 (83)15.2.4资金管理风险规避对策 (84)第十六章招标方案 (85)16.1招标管理 (85)16.2招标依据 (85)16.3招标范围 (85)16.4招标方式 (86)16.5招标程序 (86)16.6评标程序 (87)16.7发放中标通知书 (87)16.8招投标书面情况报告备案 (87)16.9合同备案 (87)第十七章结论与建议 (89)17.1结论 (89)17.2建议 (89)附表 (90)附表1 销售收入预测表 (90)附表2 总成本表 (91)附表3 外购原材料表 (93)附表4 外购燃料及动力费表 (94)附表5 工资及福利表 (96)附表6 利润与利润分配表 (97)附表7 固定资产折旧费用表 (98)附表8 无形资产及递延资产摊销表 (99)附表9 流动资金估算表 (100)附表10 资产负债表 (102)附表11 资本金现金流量表 (103)附表12 财务计划现金流量表 (105)附表13 项目投资现金量表 (107)附表14 借款偿还计划表 (109) (113)第一章总论总论作为可行性研究报告的首章,要综合叙述研究报告中各章节的主要问题和研究结论,并对项目的可行与否提出最终建议,为可行性研究的审批提供方便。

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单晶硅生长炉
单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。

主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。

1、主机部分:●机架,双立柱●双层水冷式结构炉体●水冷式阀座●晶体提升及旋转机构●坩埚提升及旋转机构●氩气系统●真空系统及自动炉压检测控制●水冷系统及多种安全保障装置●留有二次加料口2、加热器电源:全水冷电源装置采用专利电源或原装进口IGBT及超快恢复二极管等功率器件。

配以特效高频变压器,构成新一代高频开关电源。

采用移相全桥软开关(ZVS)及CPU独立控制技术,提高了电能转换效率,不需要功率因数补偿装置。

3、计算机控制系统:采用PLC和上位工业平板电脑PC机,配备大屏幕触摸式HMI 人机界面、高像素CCD测径ADC系统和具有独立知识产权的“全自动CZ法晶体生长SCADA监控系统”,可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。

编辑本段原理简介
首先,把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚,通过石墨加热器产生的高温将其熔化;然后,对熔化的硅液稍做降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长;接着,控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3~5mm的细颈,用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错,这个过程就是引晶;随后,放大晶体直径到工艺要求的大小,一般为75~300mm,这个过程称为放肩;接着,突然提高拉速进行转肩操作,使肩部近似直角;然后,进入等径工艺,通过控制热场温度和晶体提升速度,生长出一定直径规格大小的单晶柱体;最后,待大部分硅溶液都已经完成结晶时,再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体,称为收尾工艺。

这样一个单晶拉制过程就基本完成,进行一定的保温冷却后就可以取出。

直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。

此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。

据统计,世界上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。

编辑本段目前国内外晶体生长设备的现状
江南电力光伏科技有限公司
江南电力光伏科技有限公司,公司引进消化吸收国外先进技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。

其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种,具有自主知识产权。

生产的单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)
单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)
TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权,是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。

装料量从95Kg~150Kg,可拉制6"~12"电路级和太阳能级单晶硅棒。

上虞晶盛机电工程有限公司
上虞晶盛机电工程有限公司是一家专业从事半导体材料生产设备的设计、制造和调试的股份制企业。

通过人才引进,公司拥有一批高、中级专业技术型的研发设计人员和经营管理人才,具有独立自主的产品设计开发能力和相当规模的生产能力。

公司依托浙江大学机械电子控制工程研究所的高科技优势,通过与浙江大学国家大学科技园杭州慧翔电液技术开发有限公司合作,共同开发出拥有自主知识产权的ZJS系列TDR80A,TDR80B,TDR85A,TDR95A型全自动晶体生长炉,并形成批量生产。

中国西安理工大学研究所
国内以西安理工大学的晶体生长设备研究所为代表,自61年起开始生产晶体生长设备。

主要产品有TDR-62B、TDR-70B、TDR-80。

上虞晶盛机电工程有限公司是国内单晶硅生长炉行业的后起之秀,自主研发了真正的全自动控制系统,产品迅速占领了IC级硅材料行业和高端太阳能行业,主要产品有TDR80A-ZJS、TDR80B-ZJS、TDR80C-ZJS、TDR85A-ZJS、TDR95A-ZJS、TDR112A-ZJS。

美国KAYEX公司
国外以美国KAYEX公司为代表,生产全自动硅单晶体生长炉。

KAYEX公司是目前世界上最大,最先进的硅单晶体生长炉制造商之一。

KAYEX的产品早在80年代初就进入中国市场,已成为中国半导体行业使用最多的品牌。

该公司生长的硅晶体生长炉从抽真空-检漏-熔料-引晶-放肩-等径-收尾到关机的全过程由计算机实行全自动控制。

晶体产品的完整性与均匀性好,直径偏差在单晶全长内仅±1mm。

主要产品有CG3000、CG6000、KAYEX100PV、KAYEX120PV、KEYEX150,Vision300型,投料量分别为30kg、60kg、100kg、120kg、150kg、300kg。

德国CGS GmbH公司
德国Crystal Growing Systems (CGS) GmbH公司成立于1999年8月,其前身为德国莱宝公司晶体生长部。

目前其产品已经覆盖生产6”到16”单晶硅棒的设备,设备主要有EKZ2700、EKZ 3500/200、EKZ 3000/300,EKZ 3000/400型,投料量分别为60kg、150kg、300kg,400kg。

EKZ-2700 EKZ3500/200 EKZ3000/300 EKZ3000/400 图6 德国CGS 公司单晶炉图(来自公司产品样本)
编辑本段单晶硅生长炉的特点
HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。

上筒和上盖可以上升并向两边转动,便于装料和维护等。

炉筒升降支撑采用双立柱设计,提高稳定性。

支撑柱安装在炉体支撑平台的上面,
便于平台下面设备的维护。

炉筒升降采用丝杠提升技术,简便干净。

全自动控制系统采用模块化设计,维护方便,可靠性高,抗干扰性好。

双摄像头实时采集晶体直径信息。

液面测温确保下籽晶温度和可重复性。

炉内温度或加热功率控制方式可选,保证控温精度。

质量流量计精确控制氩气流量。

高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。

上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。

伺服电机和步进电机的混合使用,即可满足转动所需的扭矩,又可实现转速的精确控制。

质量流量计精确控制氩气流量。

自主产权的控制软件采用视窗平台,操作方便简洁直观。

多种曲线和数据交叉分析工具提供了工艺实时监控的平台。

完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。

加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。

比传统直流电源节能近15%。

特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。

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