半导体专业实验补充silvaco器件仿真(精)

实验2 PN结二极管特性仿真

1、实验内容

(1PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。

(2结构和参数:PN结穿通二极管的结构如图1所示,两端高掺杂,n-为耐压层,低掺杂,具体参数:器件宽度4μm,器件长度20μm,耐压层厚度16μm,p+区厚度2μm,n+区厚度2μm。掺杂浓度:p+区浓度为1×1019cm-3,n+区浓度为1×1019cm-3,耐压层参考浓度为5×1015 cm-3。

图1 普通耐压层功率二极管结构

2、实验要求

(1掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计

(2掌握普通耐压层击穿电压与耐压层厚度、浓度的关系。

3、实验过程

#启动Athena

go athena

#器件结构网格划分;

line x loc=0.0 spac= 0.4

line x loc=4.0 spac= 0.4

line y loc=0.0 spac=0.5

line y loc=2.0 spac=0.1

line y loc=10 spac=0.5

line y loc=18 spac=0.1

line y loc=20 spac=0.5

#初始化Si衬底;

init silicon c.phos=5e15 orientation=100 two.d #沉积铝;

deposit alum thick=1.1 div=10

#电极设置

electrode name=anode x=1

electrode name=cathode backside

#输出结构图

structure outf=cb0.str

tonyplot cb0.str

#启动Atlas

go atlas

#结构描述

doping p.type conc=1e20 x.min=0.0 x.max=4.0 y.min=0 y.max=2.0 uniform

doping n.type conc=1e20 x.min=0.0 x.max=4.0 y.min=18 y.max=20.0 uniform

#选择模型和参数

models cvt srh print

method carriers=2

impact selb

#选择求解数值方法

method newton

#求解

solve init

log outf=cb02.log

solve vanode=0.03

solve vanode=0.1 vstep=0.1 vfinal=5 name=anode

#画出IV特性曲线

tonyplot cb02.log

#退出

quit

图2为普通耐压层功率二极管的仿真结构。正向I-V特性曲线如图3所示,导通电压接近0.8V。

图2 普通耐压层功率二极管的仿真结构

图3 普通耐压层功率二极管的正向I-V特性曲线

运用雪崩击穿的碰撞电离模型,加反向偏压,刚开始步长小一点,然后逐渐加大步长。solve vanode=-0.1 vstep=-0.1 vfinal=-5 name=anode

solve vanode=-5.5 vstep=-0.5 vfinal=-20 name=anode

solve vanode=-22 vstep=-2 vfinal=-40 name=anode

solve vanode=-45 vstep=-5 vfinal=-240 name=anode

求解二极管反向IV特性,图4为该二极管的反向I-V特性曲线。击穿时的纵向电场分布如图5

所示,最大电场在结界面处,约为2.5×105V•cm-1,在耐压层中线性减小到80000 V•cm-1。

图4 普通耐压层功率二极管的反向I-V特性曲线

图5 普通耐压层功率二极管击穿时的电场分布

导通的二极管突加反向电压, 需要经过一段时间才能恢复反向阻断能力。电路图如图6所示。设t= 0 前电路已处于稳态,I d= I f0。t= 0 时,开关K 闭合,二极管从导通向截止过渡。在一段时间内,电流I d以d i0/ d t = - Ur/ L 的速率下降。在一段时间内电流I d会变成负值再逐渐恢复到零。仿真时先对器件施加一个1V的正向偏压,然后迅速改变电压给它施加一个反向电压增大到2V。

solve vanode=1

log outf=cj2_1.log

solve vcathode=2.0 ramptime=2.0e-8 tstop=5.0e-7 tstep=1.0e-10

反向恢复特性仿真时,也可以采用如图7的基本电路,其基本原理为:在初始时刻,电阻R1的值很小,电阻R2的值很大,例如可设R1为1×10-3Ω,R2为1×106Ω;电感

L1可设为3nH;电压源及电流源也分别给定一个初始定值v1,i1;那么由于R2远大于R1,则根据KCL可知,电流i1主要经过R1支路,即i1的绝大部分电流稳定的流过二极管,二极管正向导通,而R2支路几乎断路,没有电路流过。然后,在短暂的时间内,使电阻R2的阻值骤降。此时,电阻器R2作为一个阻源,其阻值在极短的时间间隔内以指数形式从1×106Ω下降到1×10-3Ω。这一过程本质上是使与其并联的连在二极管阳极的电流源i1短路,这样电流i1几乎全部从R2支路流过,而二极管支路就没有i1的分流,此刻电压源v1开始起作用,二极管两端就被施加了反偏电压,由于这些过程都在很短的时间内完成,因而能够很好的实现二极管反向恢复特性的

模拟。反向恢复特性仿真图如图8所示,PN结功率二极管的反向恢复时间约为50ns。

图6 反向恢复特性测试原理电路图