【CN110021682A】一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺【专利】
一种太阳能电池钝化结构与制备方法
一种太阳能电池钝化结构与制备方法太阳能电池是一种将太阳辐射能转化为电能的设备，具有环保、可再生、无噪音等优点，因此在可再生能源领域具有重要的应用价值。
然而，太阳能电池的效率和稳定性仍然是制约其广泛应用的关键问题之一。
为了提高太阳能电池的性能和稳定性，钝化层成为重要的研究方向之一。
钝化层是太阳能电池中的一个重要组成部分，其作用是防止光生电荷对电池材料的损伤，提高电池的稳定性和寿命。
一种常用的钝化层材料是氧化铝（Al2O3），它具有优异的电学特性和化学稳定性。
制备氧化铝钝化层的方法有很多种，常见的有热氧化法、原子层沉积法等。
热氧化法是一种较为简单的制备氧化铝钝化层的方法。
首先，将太阳能电池基底材料放置在高温炉中，通入氧气，使其与基底材料表面发生氧化反应，生成氧化铝薄膜。
热氧化法制备的氧化铝钝化层具有良好的致密性和平整度，能够有效阻止光生电荷的扩散和损伤。
原子层沉积法是一种高精度的制备氧化铝钝化层的方法。
该方法通过控制气相中的气体分子数目，使其在基底材料表面形成单层沉积，然后通过热处理使其形成致密的氧化铝薄膜。
原子层沉积法制备的氧化铝钝化层具有较高的均匀性和致密性，能够有效地防止电荷的损伤和扩散。
除了氧化铝，还有其他材料可以用作太阳能电池的钝化层材料，如二氧化钛（TiO2）、硅氧化物（SiO2）等。
这些材料具有不同的光学和电学性质，可以根据具体需求选择合适的材料。
太阳能电池的钝化层结构和制备方法对于提高电池的性能和稳定性起着至关重要的作用。
通过选择合适的材料和制备方法，可以制备出具有优异性能的钝化层，从而提高太阳能电池的效率和寿命。
未来的研究工作应重点关注钝化层材料的优化和制备工艺的改进，以进一步推动太阳能电池的发展和应用。
一种太阳能电池钝化结构与制备方法
一种太阳能电池钝化结构与制备方法太阳能电池是一种将太阳能直接转化为电能的装置，具有清洁、可再生等优点，因此在可持续能源领域具有广阔的应用前景。
而钝化结构是太阳能电池中一种重要的组成部分，可以提高电池的效率和稳定性。
本文将介绍一种太阳能电池钝化结构的制备方法。
我们需要了解太阳能电池的工作原理。
太阳能电池的基本结构是由n型半导体和p型半导体构成的p-n结。
当太阳光照射到太阳能电池上时，光子的能量会激发半导体材料中的电子，使其跃迁到导带中形成电子-空穴对。
电子和空穴在电场作用下分别向两个电极移动，形成电流。
而钝化结构的作用就是在p-n结表面形成一层薄膜，阻止电子和空穴的复合，提高电池的效率。
钝化结构的制备方法通常包括两个步骤：表面清洁和钝化层沉积。
表面清洁是非常关键的一步。
因为太阳能电池的表面通常存在着杂质、氧化物等，会影响钝化层的质量和性能。
为了保证表面的清洁，可以使用一些常见的清洗方法，如超声波清洗、酸洗等。
超声波清洗可以通过高频振动使污垢从表面脱落，而酸洗则可以去除表面的氧化物和有机物。
接下来是钝化层的沉积。
常用的钝化层材料有氧化铝、氧化锌等。
其中，氧化铝是一种常用且效果良好的材料。
可以通过物理气相沉积、化学气相沉积等方法将氧化铝薄膜沉积在太阳能电池表面。
物理气相沉积是将金属铝加热到高温，使其蒸发并沉积在表面。
化学气相沉积则是通过将气体中的铝源和氧源在表面反应生成氧化铝。
在沉积之前，还需要对钝化层进行预处理，以提高其附着力和致密性。
常见的预处理方法有阳极氧化、溶胶-凝胶法等。
阳极氧化是将太阳能电池表面浸泡在含有电解质的酸性溶液中，通过施加电压使铝阳极氧化生成氧化铝层。
溶胶-凝胶法则是通过将金属盐和有机物混合制备溶胶，再通过热处理使其凝胶形成氧化铝层。
制备好的太阳能电池钝化结构需要进行表征和性能测试。
常用的表征方法有扫描电子显微镜、X射线衍射等。
性能测试则可以通过电流-电压曲线、光电转换效率等指标来评价钝化层的质量和效果。
一种钝化接触太阳能电池的制备方法及其产品[发明专利]
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专利名称：一种钝化接触太阳能电池的制备方法及其产品专利类型：发明专利
发明人：叶继春,曾俞衡,童慧,全成,刘昭浪,廖明墩,王丹
申请号：CN201710373280.4
申请日：20170524
公开号：CN106992228A
公开日：
20170728
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明本提供了一种钝化接触太阳能电池的制备方法及其产品，通过在钝化隧穿层远离所述基底层的一侧依次沉积缓冲层和功能层，所述缓冲层和功能层均为金属，缓冲层金属的活泼性小于功能层金属的活泼性，然后在惰性气体下进行退火处理形成载流子收集层，退火温度控制在
[Tc‑150℃，Tc+50℃]，所述Tc为缓冲层金属和功能层金属的共熔点，能够解决现有钝化接触太阳能电池的功能金属层不均匀、粘附力弱的问题。
申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
地址：315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
国籍：CN
代理机构：宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)
代理人：张鸿飞
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太阳能电池表面钝化方法[发明专利]
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专利名称：太阳能电池表面钝化方法
专利类型：发明专利
发明人：陈庆敏,初仁龙,何乃文,黄昭凯,汪松柏申请号：CN202011574915.5
申请日：20201228
公开号：CN112687762A
公开日：
20210420
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种太阳能电池表面钝化方法，包括以下步骤：步骤S1，提供太阳能电池原始硅片，对原始硅片进行镀膜前的预处理；步骤S2，对硅片正面镀双层氮化硅膜；步骤S3，对硅片背面镀氧化镓膜；步骤S4，对步骤S３中的硅片退火处理，然后在硅片背面镀第二介质膜；步骤S5，对硅片背面激光开窗；步骤S6，对硅片进行丝网印刷金属化处理，获得电池片。
本发明采用对硅片表面镀氧化镓膜的方法，氧化镓膜能够钝化硅片表面的悬挂不饱和键，具有良好的场钝化和化学钝化效果，解决氧化铝膜、氮化硅膜等存在吸水问题、无场钝化问题、高耗能等问题。
申请人：无锡松煜科技有限公司
地址：214028 江苏省无锡市新吴区硕放街道工业园区五期振发二路16号
国籍：CN
代理机构：江苏漫修律师事务所
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一种钝化接触太阳能电池及其制作方法[发明专利]
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专利名称：一种钝化接触太阳能电池及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：徐冠群,金井升,张昕宇,金浩,杨楠楠,赵迎财申请号：CN201911134532.3
申请日：20191119
公开号：CN110828585A
公开日：
20200221
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请公开了一种钝化接触太阳能电池，包括硅基底，扩散层，第一钝化层，第一电极，氧化层，本征多晶硅层，掺杂型多晶硅层，第二钝化层，第二电极；其中，在远离硅基底的方向上，在硅基底的上表面分布有依次层叠的扩散层、第一钝化层、第一电极，在硅基底的下表面分布有依次层叠的氧化层、本征多晶硅层、掺杂型多晶硅层、第二钝化层、第二电极。
相较于现有电池，本申请的电池设置有本征多晶层，本征多晶层的存在增加了本征多晶层与氧化层的接触界面、与掺杂型多晶硅的接触界面，两个接触界面的存在使得钝化接触太阳能电池的背电场的强度得到明显提升，钝化性能增强，开路电压提升。
此外，本申请还提供一种具有上述优点的钝化太阳能电池制作方法。
申请人：浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
地址：314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：田媛媛
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用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备[实用新型专利]
![用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/c08f483350e2524de4187e7e.png)
专利名称：用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备专利类型：实用新型专利
发明人：陈培良,任常瑞,符黎明
申请号：CN201320346653.6
申请日：20130618
公开号：CN203325957U
公开日：
20131204
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开了一种用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，包括氧化腔，该氧化腔设有进气装置和光照装置，该光照装置可以发出100-5000nm波长范围内的光。
本实用新型提供的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，能在低温条件下在晶体硅表面生成氧化硅层，增强晶体硅太阳能电池表面钝化。
本设备成本低廉，结构简单，稳定性好，且与现行的半导体工艺和太阳能电池工艺兼容。
申请人：常州时创能源科技有限公司
地址：213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇芜申路168号C栋
国籍：CN
代理机构：南京汇盛专利商标事务所(普通合伙)
代理人：陈扬
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910119522.6
(22)申请日 2019.02.18
(71)申请人 浙江贝盛光伏股份有限公司
地址 313000 浙江省湖州市吴兴区织里镇
珍贝路800号
(72)发明人 何一峰 邱小永 赵庆国 陆波
吕文辉 金德琳 陈伟林
(74)专利代理机构 杭州千克知识产权代理有限
公司 33246
代理人 裴金华
(51)Int.Cl.
H01L 31/18(2006.01)
H01L 31/0216(2014.01)
(54)发明名称
一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺
(57)摘要
本发明涉及化工设备领域，具体涉及一种适
用于太阳能电池片的钝化处理工艺。
本发明的上
述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一
种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，包含制
绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结步骤，所述镀膜
步骤具体包含以下步骤：预热步骤、预处理步骤、
底层膜制作步骤、中间层膜制作步骤、顶层膜制
作步骤。
本发明的目的是提供一种适用于太阳能
电池片的钝化处理工艺，对镀膜部分采用了新的
三层设计，增加钝化效果，减少了电子空穴对复
合，
提高了少子寿命。
权利要求书2页 说明书4页CN 110021682 A 2019.07.16
C N 110021682
A
权 利 要 求 书1/2页CN 110021682 A
1.一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，包含制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结步骤，其特征在于：所述镀膜步骤具体包含以下步骤：
S01、预热步骤；
将硅片整体升温；
S02、预处理步骤；
通入氮气，经高频电离后对硅片表面进行清洗；
S03、底层膜制作步骤；
通入硅烷和氨气，经高频电离后在电场的作用下沉积在硅片表面，形成底层氮化硅薄膜；
S04、中间层膜制作步骤；
通入硅烷和氨气，经高频电离后在电场的作用下沉积在所述底层膜之上，形成第二层氮化硅薄膜；
S05、顶层膜制作步骤；
通入硅烷和氨气，经高频电离后在电场的作用下沉积在所述中间层膜之上，形成顶层氮化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述预热步骤中，预热温度450-500 ℃，预热时间25-30分钟。
3.根据权利要求1所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：再所述预处理步骤中，沉积温度为450-500 ℃，功率3400-4400 W，氮气流量5 slm，不抽真空，沉积时间5-15 秒。
4.根据权利要求1所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述底层膜制作步骤中，镀膜薄膜参数为：沉积温度450-500℃，功率6000-7000 W，氨气流量3.5-3.9 slm，硅烷流量800-900 sccm，压力1650 mTor，占空比5:50 ms，沉积时间80-100 s；要求第一层膜折射率控制在2.20-2.30，膜厚控制在15-20 nm。
5.根据权利要求4所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述中间层膜制作步骤中，镀膜薄膜参数为：沉积温度450-500 ℃，功率6000-7000 W，氨气流量3.5-4.5 slm，硅烷流量600-700 sccm，压力1650 mTor，占空比5:50 ms，沉积时间140-150 s；要求第二层膜折射率控制在2.1-2.20，膜厚控制在15-20 nm。
6.根据权利要求5所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述顶层膜制作步骤中，镀膜薄膜参数为：沉积温度450-500 ℃，功率6000-7000 W，氨气流量6-7 slm，硅烷流量600-700 sccm，压力1650 mTor，占空比5:50 ms，沉积时间450-550 s；要求第三层膜折射率控制在2.00-2.02，膜厚控制在45-55 nm。
7.根据权利要求6所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：三层膜沉积完成后，整体折射率控制在2.07-2.09，膜厚控制在78-82nm。
8.根据权利要求1或2或3或4或5或6或7所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述烧结工序后还包含电增强步骤。
9.根据权利要求8所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：所述电增强步骤具体包含以下步骤，
S11、摆放和预热步骤，将烧结后电池片整齐摆放，上下增加电极板，开启控制电流对电
2。