【CN110021682A】一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910119522.6

(22)申请日 2019.02.18

(71)申请人 浙江贝盛光伏股份有限公司

地址 313000 浙江省湖州市吴兴区织里镇

珍贝路800号

(72)发明人 何一峰　邱小永　赵庆国　陆波　

吕文辉　金德琳　陈伟林　

(74)专利代理机构 杭州千克知识产权代理有限

公司 33246

代理人 裴金华

(51)Int.Cl.

H01L 31/18(2006.01)

H01L 31/0216(2014.01)

(54)发明名称

一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺

(57)摘要

本发明涉及化工设备领域，具体涉及一种适

用于太阳能电池片的钝化处理工艺。本发明的上

述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一

种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，包含制

绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结步骤，所述镀膜

步骤具体包含以下步骤：预热步骤、预处理步骤、

底层膜制作步骤、中间层膜制作步骤、顶层膜制

作步骤。本发明的目的是提供一种适用于太阳能

电池片的钝化处理工艺，对镀膜部分采用了新的

三层设计，增加钝化效果，减少了电子空穴对复

合，

提高了少子寿命。权利要求书2页 说明书4页CN 110021682 A 2019.07.16

C N 110021682

A

权　利　要　求　书1/2页CN 110021682 A

1.一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，包含制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结步骤，其特征在于：所述镀膜步骤具体包含以下步骤：

S01、预热步骤；

将硅片整体升温；

S02、预处理步骤；

通入氮气，经高频电离后对硅片表面进行清洗；

S03、底层膜制作步骤；

通入硅烷和氨气，经高频电离后在电场的作用下沉积在硅片表面，形成底层氮化硅薄膜；

S04、中间层膜制作步骤；

通入硅烷和氨气，经高频电离后在电场的作用下沉积在所述底层膜之上，形成第二层氮化硅薄膜；

S05、顶层膜制作步骤；

通入硅烷和氨气，经高频电离后在电场的作用下沉积在所述中间层膜之上，形成顶层氮化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述预热步骤中，预热温度450-500 ℃，预热时间25-30分钟。

3.根据权利要求1所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：再所述预处理步骤中，沉积温度为450-500 ℃，功率3400-4400 W，氮气流量5 slm，不抽真空，沉积时间5-15 秒。

4.根据权利要求1所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述底层膜制作步骤中，镀膜薄膜参数为：沉积温度450-500℃，功率6000-7000 W，氨气流量3.5-3.9 slm，硅烷流量800-900 sccm，压力1650 mTor，占空比5:50 ms，沉积时间80-100 s；要求第一层膜折射率控制在2.20-2.30，膜厚控制在15-20 nm。

5.根据权利要求4所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述中间层膜制作步骤中，镀膜薄膜参数为：沉积温度450-500 ℃，功率6000-7000 W，氨气流量3.5-4.5 slm，硅烷流量600-700 sccm，压力1650 mTor，占空比5:50 ms，沉积时间140-150 s；要求第二层膜折射率控制在2.1-2.20，膜厚控制在15-20 nm。

6.根据权利要求5所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述顶层膜制作步骤中，镀膜薄膜参数为：沉积温度450-500 ℃，功率6000-7000 W，氨气流量6-7 slm，硅烷流量600-700 sccm，压力1650 mTor，占空比5:50 ms，沉积时间450-550 s；要求第三层膜折射率控制在2.00-2.02，膜厚控制在45-55 nm。

7.根据权利要求6所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：三层膜沉积完成后，整体折射率控制在2.07-2.09，膜厚控制在78-82nm。

8.根据权利要求1或2或3或4或5或6或7所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：在所述烧结工序后还包含电增强步骤。

9.根据权利要求8所述的一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺，其特征在于：所述电增强步骤具体包含以下步骤，

S11、摆放和预热步骤，将烧结后电池片整齐摆放，上下增加电极板，开启控制电流对电

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