蒸镀室学习小结

蒸镀室学习小结

蒸镀室主要进行ITO的蒸镀、MESA刻蚀、SIO2沉积、PN—PAD蒸镀、高温退火、各种刻蚀深度的测量、ITO片电阻的测量、光透率的测量以及打线拉力的测试。

ITO是一种透明的导电材料，对提升晶粒的发光效率起到了很重要的作用。在实际制作中，影响ITO膜层的主要工艺参数有以下几点：

1、O2流量；

2、退火所使用的气体及其流量，退火的温度与时间控制；

3、蒸镀腔的温度；

4、膜层的厚度；

蒸镀过程中改变O2的流量可以调节ITO膜的透光率，其中方块电阻会随O2的增大而改变；蒸镀过程中的温度会对ITO膜的致密性造成影响，从而对ITO 的腐蚀时间的把握度造成一定的影响。由于ITO蒸镀属于平行蒸镀，表面若有灰尘或是杂物的话会影响其完成之后的外观，对后续的工序和最终的外观也会造成影响，所以在ITO蒸镀制程中，一定要保持晶圆表面的清洁，上片入锅的工作要在超净工作台内进行，上好之后要马上放入蒸镀腔中。

MESA刻蚀即前段的ICP刻蚀，MESA刻蚀的深度一般在13000-18000A之间，不同的产品所对应的刻蚀程序有可能不同，所以在刻蚀的时候要看清楚工单上面对应的程序号。MESA刻蚀异常会对N极的外观造成影响，也即后段外观检验的电极异常。ICP刻蚀异常形成的原因有：

1、外延片本身的缺陷；

2、刻蚀之前胶未去干净；

3、刻蚀之前沾有其他杂物；

4、人员操作失误；

沉积SIO2主要对晶粒起保护作用。SIO2薄膜的技术参数及其与芯片参数的关系：

1、厚度：影响芯片的出光和后段工序中的保护程度。

2、折射率：影响芯片的光穿透率；

3、黏附性，致密性：影响BOE腐蚀后的效果和速度；

4、膜的应力；

其中10*23mil，11*24mil需在MESA后直接沉积一层10000A的SIO2保护层层，然后送到后段正切一刀，之后送到送到化学室进行热酸腐蚀的工序。由于大尺寸的P极结构如下图所示，所以在蒸镀室要进行3次SIO2的沉积，分别为：SIO2-HA、SIO2-1、SIO2-2。

SIO2-2SIO2-1

PN —PAD 蒸镀电极，其主要的工艺参数有，厚度、质密性、黏附性，均匀性。公司现在三种类型的制程中，都有蒸镀电极的过程，其中镜面和粗化的电极是完全蒸镀上去的，而化镀的是先蒸镀上去一层1000A 厚的金然后在去化镀室进行化镀。

高温退火：分为ITO 的退火和PN-PAD 的退火。现在退火的温度有270℃、370℃、470℃、520℃四种。所有中小尺寸化镀、粗化的产品和所有镜面产品PAD

的退火温度都为270℃，所有大尺寸化镀、粗化的产品PAD 的退火温度都为370℃。ITO 的退火温度为470℃和520℃两种，其中有些镜面的产品在经去铟球清洗烘干后，要多一次高温退火，进行外延片内部结构的活话。在进行退火的制程前后要进行光穿透率、片电阻大小的对比测试。主要用到光谱仪和4点探针面电阻测试仪，用光谱仪测穿透率时其所对应的波长为蓝光460nm，绿光520nm。

各种厚度的测量主要用到台阶仪，主要用于测量光刻胶的厚度，MESA 刻蚀深度、PAD 的厚度。P —GaN SIO2

ITO

P 极SIO2