焰熔法Verneuil

焰熔法Verneuil

1885 年由弗雷米( Fremy) 、弗尔( Feil) 和乌泽( Wyse) 发明。1902 年法国化学家维尔纳叶( Verneuil) 改进并发展这一技术，并进入产业化生产。因此，这种方法又被称为维尔纳叶法。焰熔法是从熔体中生长单晶体的方法。粉末状原料在通过高温氢氧火焰后被熔化，熔滴下落到籽晶上凝固逐渐生长形成晶体，也就是说焰熔法是利用氢气及氧气在燃烧过程中产生高温，使粉末原料通过氢氧焰加热熔化，然后滴落在一个冷却的结晶杆上形成单晶。

提拉法

晶体提拉法(crystal pulling method)由J.Czochralski于1918年发明，故又称“丘克拉斯基法”，简称Cz提拉法，是利用籽晶从熔体中提拉生长出晶体的万法.能在矩期内生长出高质量的单晶，此法是由熔体生长单晶的一项最主要的方法.主要原理是被加的增竭中盛着熔融的料，籽晶杆带着籽晶由上而下插入熔体，由于固液界面仔近的熔体维持一定的过冷度、熔体沿籽晶结晶，并随籽晶的逐渐上升而生长成棒状里晶。柑祸可以由高频感应或电阻加热。半导体锗、硅、氧化物单晶如忆铝石榴石、车嫁石榴石、妮酸铿等均用此方法生长而得。应用此方法时，控制晶体品质的主要因z是固液界面的温度梯度、生长速率、晶转速率以及熔体的流体效应等。

泡生法( Kyropoulos Method)

泡生法是Kyropoulos 于1926 年发明的一种晶体生长方法，简称KY 法。

晶体生长的原理和技术特点是：将晶体原料放入耐高温的坩埚加热融化，调整炉内温度场，食熔体上处于稍高于熔点的状态；使籽晶接触熔融液面，待其表面稍熔后，降低表面温度至熔点，提高并转动籽晶杆，使熔体顶部处于过冷状态而结晶于籽晶上，在不断提拉的过程中，生长出圆柱状晶体。