半导体器件寿命测试

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

半导体器件寿命测试

0 前言

大功率半导体激光器的应用领域越来越广泛,其可靠性非常重要,且寿命是

衡量可靠性的重要指标之一。然而,大功率激光器的工作寿命还没有一个国际

标准定义,也没有标准的加速检测方法。大量长寿命的无Al 激光器的高温加

速老化寿命试验也是在假定了激活能的基础上进行的,这样进行试验由于不知

道不确定失效的机理,得到的寿命数据也是不能令人信服的。本文基于加速寿

命试验的基本概念,参考普通半导体器件寿命测试方法,通过两次高温加速老化,绘制激光器的老化曲线,计算出激活能,然后利用所求的激活能通过统计

学的方法,反推出室温下器件的寿命值。 1 试验与计算分析本试验分别在40、80℃下对20 只随机抽取的波长808 nm 的无Al 连续输出功率为1 W 的单管激光器进行1.2 A 恒流老化。老化前抽出10 只在室温下进行P-I-Y 测试,如图1 所示。

加速老化试验过程分两个方面同时进行,一半器件用半导体激光器功率老化

设备进行40℃(不控温)下的老化,由探测器定时自动采集光功率相对值并由电

脑记录;另外一半放置于温度设定为80℃的高低温试验箱中通过探测器手工定时采集激光器的功率。两次试验电流恒定控制为1.2 A。图2 和图3 为老化过程中的功率退化曲线。

试验中规定相对功率下降30%为激光器失效时间。40℃下的中位寿命为3 000 h;80℃下的中位寿命为330 h。器件失效从根本上讲都是基本的物理化学过程,而温度对于许多物理化学过程来讲都是一个重要因素,温度升高以后,

这些变化过程大大加快,器件失效过程被加速,试验总结出来阿列尼乌斯(Arrhenius)经验公式

相关文档
最新文档