高纯气体管路五项测试规程

精心整理五项测试流程
气体管路的QC
气体管路的QC指的是要确保管路的外观及管内的各项测试都合乎客户要求的标准并确保我们的产品的品质达到一定的水准。

（1）?通常大多数半导体厂的设备对我们的工作内容都不了解，他们所关心的是管路是否歪斜？焊道是否标准？气体标签是否有贴等有关管路外观的问题。

所以QC人员对于管路外观的检查就显得格外重要，纵是管路内部的分析再怎么确实，在客户眼里我们的品质一样是有瑕疵的，此也是我们应努力的方向之一，然大多数刚接触QC故在
附件一概略列出检查的要项，盼对刚接触QC
（2）?气体管路的五项测试：
气体管路的五项测试为QC
做好而造成危险气体泄漏，
胁，而后者则是影响到wafer
（一）?保压测试（Pressure）
（沙孔会因过高的压力而造成泄漏）以确保所有人员的安全。

1。

1倍或是7至9公斤之间，在
若无则表示该管路已通过保压测试，反之，步骤：
A，取得该机台之管路施工图，并一一核对下包商是否有按图施工？
B，?将Panel入口端的接头松开，并利用管路本身的气体将预30秒，并检查Takeoff
及管路是否正确？
C，?将Panel出入口两端用新的Gasket衔接上，并将进机台端的接头Cap起来。

D，将Panel上的Valve及Gegulator开止Open位置。

E，将所有待测管路Takeoff端的接头用测试的管子串联起来，并于一端连接记录器（Recorder）。

F，?使用PN2将管路内充满压力达7~9公斤，并检查所有压力表头是否有压力。

G，?使用测漏液（snoop，其漏率可达1。

0*10-4）对所有的接头作初步的测漏，尤其是swagelok 接头。

H，?开始测漏。

Notice：
1，?步骤b
可能会被吹入Valve里，而造成Valve
测试的时间。

但是He
2，?Recorder一定要放在Takeoff点，因为Panel
生而影响测漏的准确度。

3，?尽量避免使用Swageick
4，?所有的管路尽可能不要衔接Source
5，?保压，Purge
6，不可使用氦气Purge
7，?
8（记录范围如0~10kg/cm2，或
9，?
10，?当所有动作都已完成，要将待测管路充满压力时，开气源阀时应放漫速度，以免瞬间压力上升而损坏记录器及压力表。

11，当待测管路系统中有checkvalve时，应注意其流向，并将记录器放置正确位置。

（二）氦测漏（HeLeakTest）
目的；因氦气的分子非常小（4），可侦测出非常小之漏点，如果说保压测试是测大漏，氦测漏则是测小漏，在壮达人所着的VLSI制造技术一书中提到（气体管路的漏率在每秒10E—9CC才可以送气）如此才不会造成危险。

原理；将待测管路用氦测漏机将管内抽至超近真空状态，当达到客户要求之漏率时，用还氦气喷在焊道及接头上，若氦测漏机无反应表示测漏完成，若有反应则表示有漏，针对漏点问题排除。

步骤；
A．确认欲使用插座之电源是否为110V/60HZ。

B．?暖机10分钟，完成后做测漏本身试抽。

C．?衔接上待测管路，并开始测漏。

D．?
Notice；
1
2，Phe
3
4
56，LR=Leck?Rate?单位是mbar/s，例如；LR=1。

5E-9表示漏率为每秒1.5*10-9mbar。

7，单位是mbar?，m=10-3?1bar大约等于1kg例如；PE=3.4E-3?
的说就是人口端的压力为0.0034mbar。

真空状态的压力为0。

人
0越准确，故PE通常都抽到-3。

8pump?down的功能，所以我们的衔接点都由作pump?down来测试我们的衔接点是否有确实，而机台的测漏方式是将chamber先抽至真空状态，待达到业主指定的真空度时，打开manual?valve，此时chamber加我们管路的真空度不可高出0.5Torr。

通常pump?down 需要一天一夜的时间，有时可能会因pump?down的时间不够长，而误判我们的管路有漏，故如有碰到词种情形时，请机台的代理商再抽久一点既可解决此问题。

1mbar=0。

75Torr。

9，测试完毕后，无须将氦测漏机vent，让氦测漏机内部保持负压，下次使用可缩短自抽的时间。

10，氦测漏机代理商建议在每次测试前可以做一次校正的动作，如此可确定测漏机会有反应。

（三）Particle?Analyzer（灰尘含量分析）
目的；particle在半导体厂中是不良率祸首之一，尤其在现在的制程越来越小的情况下，如管路中含有过多的particle，对wafcr的良率影响很大
原理；利用samplc?gas流经雷射头，若particle则会造成crystal的震荡而测的出particle的大小及数量。

步骤；
a，先将待测管路预吹4小时以上。

找一待测管路衔接至particle??count的inlet端。

b，?在未开始测试前，先打开bypass?valve
c，?打开电源，并确认outlet是否有气流出来。

d，?开始测试。

Notice；
1，?测试的压力不可小于40psi。

大于150psi。

2，?um。

例如；在记录纸上的0.1
而在这么多的气体中测得大小为有2颗
3，Ball??Valve，因为BallValve会产生particle，最
好使用
做cyclepurge，可以缩短测试时间。

4，?2，3颗的情形，可以试着将测试管路敲一敲。

5,如LREF的值低于4。

5时，请通知专业人员做雷射头清洁。

（四）氧含量分析（OxygenAnalyzer）：
目的：晶片在生产过程中，原本大气中O2会和Si产生化学反应得O2+Si=SiO2（二氧化矽）为原始的氧化层，如果管路的氧含量过高，原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度，如此会严重影响接下来各阶段的制程。

原理；我们利用纯度较高的PN2对待测管路以长时间purge的方式，将微氧带离管路，并在一端接上分析仪器，直到仪器显示的含氧量达到客户要求的标准为止。

步骤：
a，将待测管路预吹至少4小时。

b，?取一待测管路衔接至测试仪器的inlet端。

c，?打开电源，开始测试。

Notice：
1，?选用来Purge的source尽量不使用主管路的最后一颗Valve可能会造成值会降不下来。

2，?
3，?
4，?
5，?如屏幕上显示的值忽高忽低时，请检查CAP
6，?仪器不使用时，仍需利用PN2
7，?
（五）水含量分析（
Si产生化学反应得：2H2O+Si=SiO2+2H2，其中
原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度，如
对待测管路以长时间purge的方法，将水气带离管路，并在一端步骤：
A：将待测管路预吹至少4小时。

B：取一待测管路衔接到测试仪器的inlet端。

C：打开电源，开始测试。

Notice：
1，?选用来purge的source尽量不所有主管路的最后一颗valve，有可能会造成值降不下来。

2，待侧管路不宜串接太多，以棉压力不足，无法让仪器正常运作。

3，?在测试的模式中有Inert及Service，在测试时应使用Inert模式测试，Inert是真正管路内的水气含量值，Service则是含有仪器本身的水含量。

4，?仪器在未使用时，也必须插上电源，以保持仪器内部的ceii正常运作。

5，?仪器内部的设定值都已做好设定，如非必要，勿自行任意调整。