讲稿六 晶体管的特性曲线

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

集载流子的能力:所以 UBC>0,放大曲线族中平行等距的区域为放大
区。
③当 UCE 较小时,IB 虽然增加,但 IC 却不以 βIB 的关系增加,即
IB 对 IC 没有控制作用,这是因为虽然 UBE>0,但 UBC>0,C 结不是反偏
收集电子,而是正偏状态,无力收集电子,UCE 增大到于 UBE 时,UCE= UBE,
U BE p 0. U BC p 0 故I B ≤ 0 的区域称为截止区。
②IB>0,在某一定值时,IC 的值基本不随 UCE 而变化,IB 有变化时,
ΔIC = β β
ΔIB 会引起 IC 较大的变化,即 ΔI B
值反映了电流的放大,体现
了三极管的电流放大作用,IB>0,说明 UBE>0,放大作用体现了 C 结收
UBC=0 时,三极管的状态为临界饱和状态,一到了该状态,三极管即α
具有 IC=βIB 的放大作用了。UCE<UBE 的状态为过饱和状态或深度饱度状 态。
二、 BJT 的特性曲线(又称晶体管的伏安特性曲线)
三极管外部各极电压和电流的关系曲线称为三极管的伏安特性
曲线。同二极管的伏安特性曲线一样,三极管的伏安特性曲线能够说
说明:根据极限参数,在输出特性曲线上可得到管子的安全工作
区域。
PNP 型三极管
适用 NPN 型三极管的放大原则同样适用 PNP 型管, 内因和外因条件均不变,载流子相反。
⎧Ge : 0.3 ~ 0.2V
发射结较小的正偏 ⎩⎨Si : 0.7V 以上
集电结较大的反偏,UEC>1V
双端口网络规定:端口电压上正下负为“正”,电流流入为“正”, 流出为“负)。故:NPN 型管运用时电量 IB. IC 为正,输入信号电压 瞬时极性为正时,输出瞬时极性为负。PNP 型管运用时电量:IB. IC 为负,输入信号电压瞬时极性为负时,输出瞬时极性为正。
明许多问题。如:特性如何、质量好坏、某些参数以及定量估算等等。
百度文库
同样,三极管的特性曲线可用实验的方法得出,可用图示仪直接显示,
还可用计算机辅助设计工具显示出来。 共发射极输入特性曲线
晶体管的输入特性曲线
共发射极输出特性曲线
晶体管的输出特性曲线
8.1.4 三极管的主要参数 (一)电流放大系数(管子的作用参数)
Q pC = ICU CE 管子要常期工作时,IC •U CE p Pcm 才是安全,过损耗
区不安全,但瞬时超越是允许的。
3.极间反向击穿电压 U(BR)CEO. U(BR)CBO
⎧U ⎨
BCEO
⎩U BCBO
− −
−基极开路时 −射极开路时
集电极与发射极之间的反向击穿电压 集电极与基极之间的反向击穿电压
四、BJT 的放大作用
BJT 的最基本应用是放大微弱的电信号。
在图示共发射极放大原理电路中,若把微小的交流信号叠加在 IB
上,通过基极电流对集电极电流的控制作用,在集电极上就可得
到一个放大了β倍的交流信号。这种输入较小的信号,利用三极
管的电流分配原理获得较大信号的过程,就是三极管的电流放大
作用。
α= β
②α 与 β 之间的联系, 1+ β
或β = α 1−α
(二)反向饱和电流(管子的质量参数)
1.反向饱和电流 ICBO:射极开路,集电极和基检之间的反向 电流。
Ge:ICBO 约为几微安~几十微安,Si:ICBO 在 1 微安以下,至纳 安级。
流,
2.穿透电流 ICEO:基极开路,集电极和发射极之间的反向电
ICEO=(1+ β )ICBO
所以 ICEO 的大小还取决于 β 值。
说明:这两个电流值愈小,管子质量愈高,选管时要加以注意。
(三)极限参数(安全使用或高效使用管子的参数)
1.集电极最大允许电流 Icm IC 过大时, β 要减小,表现在输出特性上部分曲线簇变密,故将 Icm 设在 β 值下降到额定值的 2/3,如 β =60,则 Icm 设在 β 下降到 40 时 所对就 的 IC 值。 2.集电极最大允许耗散功率 PCM
1.共射电流放大系数β:定义为
β = ΔIC ΔI B
β = IC
2.共射直流电流放大系数 β :定义为 I B (忽略穿透电流 ICEO 时)
α = ΔIC
3.共基电流放大系数α :定义为 ΔI E
α = IC
4.共基直流放大系数α :定义为 I B (忽略反向饱和电流 ICBO 时)
说明:①α 与α , β 与 β 在使用和计算时,不再进行严格区分。
3.输出特性, IC = f (U CE ) |IB =常数 在 IB 不同取值情况下,得到一簇特性曲线, 特点:① I B ≤ 0 时 IC ≠ 0 IC = ICEO 即: 基极开路,集电极与发射极间的反向饱和电流为穿透电流,少子 漂移形成很小,对于硅管而言,ICEO 一般在 1uA 以下,几乎在特性曲 线 上 显 示 不 出 来 ,( 实 际 表 进 夸 张 了 ) 此 时 的 电 压 偏 置 状 态 为 :
8.1.3 晶体管的特新曲线
一、 三极管的特性曲线(以 NPN 型三极管的共射特性曲线为 例) 1.测试电路
2.输入特性, I B = f (VBE ) |VCE =常数 ①UCE=0V 时,IB 与 UBE 的关系曲线雷同于二极管的还向伏安特性, (此时,相当于两个二极管正向并联接在 b、e 间) ②UCE>1V 后,IB 与 UBE 的关系曲线几乎重叠在一起,故教材中提到 UCE>1V 时的输入特性更有实用意义,UCE>1V 后的输入特性曲线就是以 后分析的依据输入特性。
相关文档
最新文档