集成电路复习资料

集成电路复习资料（大国际二班出品）

一、名词解释：

摩尔定律：摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）

工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。

N

BJT（Bipolar Junction Transistor—BJT）：双极结型晶体管的缩写，又常称为双载

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）：金属

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）：互补金属氧化物半导体，

More than Moore：超越摩尔定律也称超摩尔，在无线通信等应用的拉动下，

微电子技术不仅按摩尔定律指引的按比例缩小方向发展，逐渐形成了“超摩尔定律”的发展趋势。特点一：采用非CMOS的等比例缩小方法，将集成电感、电容等占据大量PCB空间的无源元件集成在封装内，甚至芯片上，使电子系统进一步小型化，以达到提高性能的目的。特点二：按需要向电子系统集成“多样化”的非数字功能，形成具有感知、通信、处理、制动等功能的微系统。

More Moore：更摩尔，摩尔定律的进一步发展。

SRAM

MPU：MPU有两种意思，微处理器和内存保护单元。（1）微处理器

(Microprocessor Unit)微机中的中央处理器（CPU）称为微处理器（MPU），是构成微机的核心部件，也可以说是微机的心脏。它起到控制整个微型计算机工作的作用，产生控制信号对相应的部件进行控制，并执行相应的操作。（2）内存保护单元(ARM体系方面）(MPU,Memory Protection Unit)，MPU中一个域就是一些属性值及其对应的一片内存。这些属性包括：起始地址、长度、读写权限以及缓存等。ARM940具有不同的域来控制指令内存和数据内存。内核可以定义8对区域，分别控制8个指令和数据内存区域。

SOC

ESD（Electro-Static discharge）：静电释放，ESD是20世纪中期以来形成的以研

STI

EPROM

E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)：带电可擦可编

ULSI

ASIC

CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。

1.世界上第一块晶体管是谁发明的？在哪一年发明的？

1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。

2.世界上第一块集成电路是谁发明的？在哪一年发明的？

杰克·基尔比（Jack Kilby）在1958年发明了锗集成电路。

3.世界上第一块硅基集成电路是谁发明的？在哪一年发明的？

罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）在1959年发明了硅集成电路。

二、作图简答

1、N沟道MOSFET器件结构（会画、认识部件即可）

2、MOSFET的工作原理—导通过程(理解复述)

V

GS

> 0时, 在栅极下面的二氧化硅中将产生一个指向P型衬底、且垂直衬底表面

的电场。电场排斥空穴，吸引电子到半导体表面。

VGS越大吸引到半导体表面的电子就越多，当VGS >VT时，吸引到栅极附近P型硅表面的电子积累形成N型反型薄层。器件表面的导电类型从原来的P型反型到现在的N型，导电沟道形成。

继续增大V

GS

可使形成的反型层增宽(N型导电沟道)，将源区和漏区连接起来。

V

GS

越大,反型层越宽, 源漏间的导电能力越强。

将开始形成反型层所需的VGS 值称为开启电压VT ,也称为阈值电压。

开启电压VT是增强型MOSFET的重要参数，其大小主要取决于SiO2层的厚度以及衬底掺杂浓度。

饱和：V

GS >V

T

且V

DS

>V

GS

>V

T

开启：V

GS >V

T

3、输入输出特性曲线图(画图、标注)

饱和：V

GS >V

T

且V

DS

>V

GS

>V

T

开启：V

GS >V

T

4、CMOS反相器剖面图（会画、认识部件即可）

5、三种反相器电路图（能识别，能画）

CMOS反相器

电阻负载反相器饱和负载反相器

6、直流电压传输特性曲线（会画图，划线公式记忆）

直流电压传输特性曲线

最大输入低电平噪声容限：

it NLM V V = 最大输入高电平噪声容限：it

DD NHM V V V -= reff TN

TP DD TN it K V V V V V +-++=1

饱和负载

电阻负载

7、CMOS与非门/或非门的构造方法（电路图、划线公式）

与非门（当A、B通输入时的电路图）

等效反相器 最大直流噪声容限要求： 22121N

N N N N Neff K K K K K K =+⋅=

P

P P Peff K K K K 221=+= Peff Neff K K =

4

/==P N reff K K K

或非门