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第一章 小结 一、二极管 1、 特性 (1)单向导电特性 (2)电容特性 (3)击穿特性 (4)温度特性
2、伏安特性
i I s (e u / UT
UT 26mV
1)
3、分析方法 （1）图解法 （2）折线近似法
理想二极管模型 恒压降模型
4、关于门限电压Ur UD>0,二极管正向导通，但只是大于门限电压，电 流才明显增长。 硅管Ur≈0.6V，锗管Ur≈0.2V，
1、工作状态 （1）恒流状态 （2）截止状态 （2）可变电阻状态
2、场效应管类型 （1）N沟道、P沟道
(2) 结型、增强型、耗尽型
3、恒流区的伏安关系
（1）增强型 ID K P (uGS uGS(th) )2
（2）耗尽型
ID K P (uGS uGS(off) )2 或
(3) 结型
2
ID
I DSS
ID/mA IDSS
ID/mA IDSS
VGS((oNwenku.baidu.comf) 沟道 JFOETV)GS /V
ID
ID
O
(P
沟道
JVFGES(Toff))VGS
/V
ID
ID
O VGS(th) VGS
VGS(th) O VGS
VGS(th) O VGS
管号 结型
VT1
UGS(th)/V或 UGS(off)/V
3
Us/V 1
管号
结 VT1 型 VT2
MOS VT3 VT4 VT5
UGS(th)/V或 UGS(off)/V
Us/V
UG/V
UD/V
管型
3
1 3 -10
-3
3 -1 10
-4
5 0 -5
4
-2 3 -1.2
-3
0 0 10
工作状态
解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截止， 根据UDS判断导电沟道， UDS >0,N沟道， UDS <0,P沟 道。
发射机电压0.7V ,硅材料
例1-1填空题
在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的————— ———到基区，成为基区的——————，它们在基区由 于_________引起它们在基区—————，直到集电结边界， 由于集电结——————的作用，而被集电区————— —。这一传输过程产生了三极管的正向受控电流。
二、晶体三极管
1、工作状态 （1）放大状态 （2）截止状态 （2）饱和状态
2、放大状态时电流分配关系
IC IE ICBO IB (1 )IE ICBO
IE IC IB
IC I B ICEO
I E (1 ) I B ICEO
同一个电流传输过程，不同的描述方式。 三、场效应管
结型场效应管得D、S极之间存在导电沟道，导电沟道的 宽窄受________极电压控制，从而控制了_______极的电 流。当D极一端导电沟道消失，称为_____夹断，这时 _____极电流只受_________电压控制，场效应管实现正 向受控。
例1-2 测得某电路中场效应管三个电极的电位如表所示，开 启电压或夹断电压也如表中所示，试判断管子的类型和工作 状态。
1
U GS U GS(off)
2
ID
I
DSS
1
U GS U GS(off)
1-5 判断管脚、管型及材料
电极 晶体管
VT1 VT2 VT3
①
7V -2.9V 7V
②
1.8V -3.1V 1.8V
③
2.5V -8.2V 6.3V
解：已知工作在放大状态： 根据发射结正偏，集电结反偏。由发射结确定集电 极。∴ （1）VT1 ① 是集电极，电位最高，NPN型。
VT2 -3
3
MOS VT3 -4
5
VT4 4
-2
VT5 -3
0
UG/V
3 -1 0 3 0
UD/V
-10 10 -5 -1.2 10
管型
OVGS(th) VGS
工作状态
例1-3判断结型场效应管的工作状态
1-23
ID -3V O UGS
① 没有夹断，不在截止 区。
②UGD=3V，已经预夹断， 工作在放大区。
② 发射极 ，电位最低，
③ 基极。
发射结电压0.7V，硅材料。
电极 晶体管
VT1 VT2 VT3
①
7V -2.9V 7V
②
1.8V -3.1V 1.8V
③
2.5V -8.2V 6.3V
（2）VT2
③集电极，电位最低，PNP型 ①发射极， 电位最高，②基极 发射结电压0.2V，锗材料
（3）VT3 ②集电极 电位最低，PNP型 ①发射极，电位最高，③基极
ID O 2V
① UBS<0，正常工作。 ②没有夹断，不在截止区。
UGS
③UGD=6V，没有预夹断， 工作在可变电阻区。
2、伏安特性
i I s (e u / UT
UT 26mV
1)
3、分析方法 （1）图解法 （2）折线近似法
理想二极管模型 恒压降模型
4、关于门限电压Ur UD>0,二极管正向导通，但只是大于门限电压，电 流才明显增长。 硅管Ur≈0.6V，锗管Ur≈0.2V，
1、工作状态 （1）恒流状态 （2）截止状态 （2）可变电阻状态
2、场效应管类型 （1）N沟道、P沟道
(2) 结型、增强型、耗尽型
3、恒流区的伏安关系
（1）增强型 ID K P (uGS uGS(th) )2
（2）耗尽型
ID K P (uGS uGS(off) )2 或
(3) 结型
2
ID
I DSS
ID/mA IDSS
ID/mA IDSS
VGS((oNwenku.baidu.comf) 沟道 JFOETV)GS /V
ID
ID
O
(P
沟道
JVFGES(Toff))VGS
/V
ID
ID
O VGS(th) VGS
VGS(th) O VGS
VGS(th) O VGS
管号 结型
VT1
UGS(th)/V或 UGS(off)/V
3
Us/V 1
管号
结 VT1 型 VT2
MOS VT3 VT4 VT5
UGS(th)/V或 UGS(off)/V
Us/V
UG/V
UD/V
管型
3
1 3 -10
-3
3 -1 10
-4
5 0 -5
4
-2 3 -1.2
-3
0 0 10
工作状态
解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截止， 根据UDS判断导电沟道， UDS >0,N沟道， UDS <0,P沟 道。
发射机电压0.7V ,硅材料
例1-1填空题
在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的————— ———到基区，成为基区的——————，它们在基区由 于_________引起它们在基区—————，直到集电结边界， 由于集电结——————的作用，而被集电区————— —。这一传输过程产生了三极管的正向受控电流。
二、晶体三极管
1、工作状态 （1）放大状态 （2）截止状态 （2）饱和状态
2、放大状态时电流分配关系
IC IE ICBO IB (1 )IE ICBO
IE IC IB
IC I B ICEO
I E (1 ) I B ICEO
同一个电流传输过程，不同的描述方式。 三、场效应管
结型场效应管得D、S极之间存在导电沟道，导电沟道的 宽窄受________极电压控制，从而控制了_______极的电 流。当D极一端导电沟道消失，称为_____夹断，这时 _____极电流只受_________电压控制，场效应管实现正 向受控。
例1-2 测得某电路中场效应管三个电极的电位如表所示，开 启电压或夹断电压也如表中所示，试判断管子的类型和工作 状态。
1
U GS U GS(off)
2
ID
I
DSS
1
U GS U GS(off)
1-5 判断管脚、管型及材料
电极 晶体管
VT1 VT2 VT3
①
7V -2.9V 7V
②
1.8V -3.1V 1.8V
③
2.5V -8.2V 6.3V
解：已知工作在放大状态： 根据发射结正偏，集电结反偏。由发射结确定集电 极。∴ （1）VT1 ① 是集电极，电位最高，NPN型。
VT2 -3
3
MOS VT3 -4
5
VT4 4
-2
VT5 -3
0
UG/V
3 -1 0 3 0
UD/V
-10 10 -5 -1.2 10
管型
OVGS(th) VGS
工作状态
例1-3判断结型场效应管的工作状态
1-23
ID -3V O UGS
① 没有夹断，不在截止 区。
②UGD=3V，已经预夹断， 工作在放大区。
② 发射极 ，电位最低，
③ 基极。
发射结电压0.7V，硅材料。
电极 晶体管
VT1 VT2 VT3
①
7V -2.9V 7V
②
1.8V -3.1V 1.8V
③
2.5V -8.2V 6.3V
（2）VT2
③集电极，电位最低，PNP型 ①发射极， 电位最高，②基极 发射结电压0.2V，锗材料
（3）VT3 ②集电极 电位最低，PNP型 ①发射极，电位最高，③基极
ID O 2V
① UBS<0，正常工作。 ②没有夹断，不在截止区。
UGS
③UGD=6V，没有预夹断， 工作在可变电阻区。