各向异性介质涂覆曲面导体目标的散射

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【国家自然科学基金】_rcs计算_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140801

科研热词雷达散射截面电磁散射矩量法雷达截面迭代物理光学法时域有限差分法马丢函数非均匀有理b样条雷达网雷达散射截面缩减雷达探测概率雷达截面积(rcs) 雷达情报数据隐身目标隐身阵列综合遗传算法逆傅里叶变换近场转速测量超宽带误差识别距离裁剪nurbs曲面虚警概率色散特性色散媒质腔体缝隙统计特性组氨酸红外光谱粒径箔条云等离子体等效电磁流方法移位算子磁化铁氧体磁化等离子体电离能电磁波散射电流步进法状态空间物理光学积分物理光学方法物理光学混合法泊松比水泥掺量水泥土橡胶粉掺量橡胶粉
橡胶水泥土椭圆柱体检测概率核外求解样条函数标签极化时域物理光学积分时域有限差分时域弹跳射线法数字高程图散射改进物理光学方法抛物线方程性能评估形变弹跳射线法弹性模量弹丸差分进化算法小平面单元射频识别密度泛涵理论宽频带rcs 完全匹配层天线多项式表示法多次散射多普勒雷达多层快速多极子基组均匀各向异性材料图形电磁计算图形电磁学图形处理器各向异性阻抗表面各向异性变形模量双站雷达散射截面双正交时域多分辨方法刻槽偶极子介质粗糙面上目标三维理想导体 z-buffer算法 von karman spm-gordon算法 sar导引头 rcs计算 rcs减缩 radon变换 padé逼近 nurbs曲面 mur吸收边界条件
推荐指数 11 6 3 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
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武装直升机雷达散射截面计算及雷达吸波材料影响分析

武装直升机雷达散射截面计算及雷达吸波材料影响分析陈炀;招启军;蒋相闻;蒋勇猛【摘要】为提高直升机雷达散射特性预估的准确性,建立了目标雷达散射特性分析的计算电磁学(Computational electromagnetics method,CEM)方法,并开展了吸波涂层对直升机雷达散射截面(Radar cross section,RCS)特性影响的研究.首先,对复杂目标(例如直升机)进行几何建模和网格划分,获得空间网格单元上的电磁场信息,作为整个电磁场仿真分析的计算基础.然后,通过介质球和涂覆电磁介质导体球的算例对比,分析结合共形技术的时域有限差分法(Finite difference time domain,FDTD)在处理介质物体及涂覆涂层介质物体的有效性,结果表明FDTD方法计算结果与级数解吻合.在此基础上,计算和对比了金属旋翼以及涂覆吸波涂层旋翼的RCS特性,分析了典型方位角入射下全机涂覆前后对RCS特性的影响.研究表明:旋翼表面全涂覆雷达吸波材料(Radar absorbing material,RAM)后对直升机旋翼的RCS抑制效果明显,在全机强散射部位涂覆RAM可以显著地降低RCS特性,涂层的使用在直升机的隐身设计中起到关键的作用.【期刊名称】《南京航空航天大学学报》【年(卷),期】2019(051)001【总页数】8页(P75-82)【关键词】直升机;旋翼;时域有限差分法;共形技术;涂层;雷达吸波材料;雷达散射截面【作者】陈炀;招启军;蒋相闻;蒋勇猛【作者单位】南京航空航天大学直升机旋翼动力学国家级重点实验室,南京,210016;南京航空航天大学直升机旋翼动力学国家级重点实验室,南京,210016;南京航空航天大学直升机旋翼动力学国家级重点实验室,南京,210016;南京航空航天大学直升机旋翼动力学国家级重点实验室,南京,210016【正文语种】中文【中图分类】V218武装直升机凭借火力强、机动性好的卓越性能在争夺低空制空权中发挥着越来越重要的作用，是现代立体合成作战中不可缺少的高技术装备[1]。

求解各向异性介质涂覆的薄壳元-边界积分法

求解各向异性介质涂覆的薄壳元-边界积分法雷霖;胡俊;胡皓全【摘要】为了克服传统有限元-边界积分方法在分析薄涂敷目标时采用四面体单元离散导致未知量非常多及需要大量的计算机存储量的缺点,采用薄壳单元(SHELL)与边界积分方法相结合分析各向异性涂敷目标的电磁特性.薄壳单元可以大大减少未知量数目,并可将体积分转化为面积分,使计算量大为减少.用薄壳元-边界积分方法考察了不同厚度及媒质涂敷时对电磁散射特性的影响,证明了该方法是精确的,在减少未知量、存储量和计算时间上具有极大的优势.【期刊名称】《电波科学学报》【年(卷),期】2013(028)002【总页数】7页(P249-254,277)【关键词】各向异性介质;涂敷;有限元-边界积分;薄壳单元【作者】雷霖;胡俊;胡皓全【作者单位】电子科技大学电子工程学院,四川成都611731;电子科技大学电子工程学院,四川成都611731;电子科技大学电子工程学院,四川成都611731【正文语种】中文【中图分类】TN011引言在武器系统的研制中，隐身设计是一项非常重要的军事需求[1-6].除外形设计技术之外，目标表面涂覆吸收材料也是隐身设计中经常使用的一项技术，针对涂覆吸收材料目标的电磁散射特性建模方法也就显得很重要.传统解析方法可以处理各向异性媒质涂敷导体球的电磁散射，但不能用于任意涂敷复杂导体情形，使得解析方法有很大的局限性[5].有限元方法是一种非常有效的方法，它在处理复杂非均匀介质目标的电磁散射与辐射问题中有着极大的优势[7].单纯的有限元方法需要应用吸收边界条件去截断计算区域的边界.有限元方法与边界元混合方法综合了两种方法的优势，只需将截断边界选取在目标的边界上，使得内存的需求和计算时间大为降低[8-11].但是，由于涂覆材料的厚度很薄，无论采用积分方程方法还是采用有限元方法与边界元混合，均会遇到待求未知量多、矩阵病态的困难.为实现薄层介质的高效数值求解，阻抗边界条件技术被广泛使用[12],薄介质片及多层薄介质片模型也被提出应用在积分方程法用以进一步降低未知量的数目[13-15].为提升有限元方法分析薄层介质的效率，D. Wulf，R. Bunger发展了三棱柱单元[16].Z.Ren进一步发展了薄壳单元[17]，该单元是三棱柱单元的退化，它类似于三角形面单元，对于薄层介质只需要进行面剖分，而不需要进行体剖分.采用薄壳单元可以极大地降低未知量和计算时间.该方法也被应用到时域有限元方法中[18].由于涂覆目标往往是金属的，在本文中主要处理涂覆各向异性介质的导体目标的电磁散射问题.首先,阐述有限元-边界元方法处理各向异性媒质的基本原理，介绍了薄壳单元的性质及与有限元-边界元方法的结合.通过对比验证了使用薄壳单元分析各向异性介质涂敷金属球和各向异性介质涂敷金属立方体电磁散射的精确性及优势，并给出了使用薄壳单元分析不同涂敷厚度对各向异性涂敷金属立方体电磁散射特性的影响和不同各向异性介质涂敷时对金属立方体电磁散射的影响，得出了有益的结论.1 有限元-边界积分方法基本原理研究导体目标涂覆各向异性介质材料的电磁散射问题.在各向异性媒质中的电场满足麦克斯韦方程为(1)式中：分别是媒质的相对磁导率和介电常数； k0是自由空间的波数.在各向异性媒质与自由空间的边界上，电场满足下列边界条件：(2)(3)式中：是自由空间的波阻抗.在导体边界上满足狄利克雷条件.对于各向异性媒质区域，用有限元方法建立方程为·(E×HS)dS .(4)对上述方程离散并应用权函数，可得到下面的矩阵方程为[K]{E}+[B]{H}={0}.(5)由于这个方程有两个未知量，要求解还需要建立另一个方程.对于边界上的场量，用积分方程方法建立另一个方程,联立两个方程即可求解.积分方程分为电场积分方程和磁场积分方程：(6)(7)式中：和K这两个算子定义为(8)G(r,r′)dS′，(9)式中：对光滑表面有Ω=2π.通常为了避免内部谐振，需要将两种方程混合在一起构成混合场积分方程.将混合场方程进行离散并应用权函数，可得到下面的矩阵方程为[PTE]{ES}+[QTE]{HS}={bTE}.(10)内外两个区域的场通过边界条件联系起来,即联立式(5)和式(10)，可将整个问题用下面的矩阵方程表示为(11)求解方程(11)就可以得到边界上及媒质内部的场量，从而可以进行进一步地分析其散射特性.2 薄壳单元及与有限元-边界积分方法的结合如图1所示，在薄壳单元中，将沿高度方向的矢量场表示为三个结点上的法向场，在薄壳单元中就由沿上下表面的棱边场和结点上的法向场构成所有的场量.高度d方向的场的变化可以用一个线性函数β(z)来表示，并且有上下表面的棱边场的基函数分别用β Nj(j=1,2,3)和来表示(Nj和是三角形单元的棱边基函数).结点处场的基函数用Lj,j=1,2,3来表示(Lj是体积坐标).图1 薄壳单元的结构及矢量方向在薄壳单元中的电场可以表示为[7]：(12)式中：为上表面各棱边电场的展开系数为下表面各棱边电场的展开系数为各结点法向分量的展开系数.采用薄壳单元，在薄层介质中的体积分就可以转换为面积分.有限元方程可写为(13)式(13)中，体积分的处理类似于下面几个式子：∭V(∬S(∬S((14)(15)∭V(∬S(∬S((16)对于导体涂敷各向异性介质的情况，矩阵方程可改写成(17)式中： En1是结点处法向电场展开系数； Eu1是上表面棱边电场展开系数.3 数值结果为了验证采用薄壳元的有限元-边界积分方程方法的精确性，进行了下列考察.3.1 介质涂敷导体球介质涂敷导体球参数的结构参数均为： k0a=1，厚度为a/30.不同的只是介电常数.1) 各向同性介质涂敷导体球为验证程序的有效性，先用采用薄壳单元的有限元-边界积分方法的针对各向异性介质涂敷导体雷达散射截面(Radar Cross-Section,RCS)的程序计算各向同性介质涂敷金属球的双站RCS，选择相对介电常数为其结果如图2所示，可见其计算结果与解析解结果完全吻合，证明该方法的精度是可靠的.图2 各向同性介质涂敷金属球双站RCS2) 各向异性介质涂敷导体球将各向同性介质换成各向异性介质，通过改变介电常数来对比传统有限元-边界积分方程方法与使用薄壳元的有限元-边界积分方程方法的计算结果，以证明其精确性和优越性.情况两种方法的剖分单元长度均为λ0/20，数值结果如图3所示，可见两种方法吻合得较好.两种方法的结点数、单元数、内存和未知量的对比如表1所示，从表1可知采用四面体单元计算所需计算机内存、单元数、未知量分别是采用薄壳元的1.7倍、2.44倍、1.3倍.表1 两种方法对比涂层金属球未知量单元数所需内存/MB有限元⁃边界积分方程方法159584820 4SHELL单元应用于有限元⁃边界积分方程方法122034811 9图3 各向异性介质涂敷金属球双站RCS3.2 介质涂敷金属立方体计算介质涂敷金属立方体的结构均为：边长 0.1 m；波长 0.1 m；入射波仅有分量，入射波方向θ inc=45°,φinc=0°. 不同的是介质厚度和介电常数.1) 各向同性介质涂敷金属立方体为验证方法的精确性，先用采用薄壳单元的有限元-边界积分方法计算各向异性介质散射特性的程序计算各向同性介质介质厚度为0.001 m时的双站RCS.从图4可以看出:采用薄壳元的有限元边界积分方程方法与FEKO软件的计算结果非常吻合，与传统有限元-边界积分方程方法也比较吻合.2) 各向异性介质涂敷金属立方体取相对介电常数介质厚度为0.001 m，对采用四面体单元的有限元-边界积分方法和采用薄壳元的边界积分方法进行对比，两种方法的剖分单元长度均为λ0/10，数值结果如图5所示，可见两者比较吻合.两种方法的结点数、单元数、内存和未知量的对比如表2所示，从表2可知采用四面体单元计算所需计算机内存、单元数、未知量分别是采用薄壳元的1.92倍、2.7倍、1.4倍.表2 两种方法对比涂层金属球未知量单元数所需内存/GB有限元⁃边界积分方程方法776044040 48SHELL单元应用于有限元⁃边界积分方程方法563016080 25 3.3 参数改变对RCS的影响通过改变各向异性介质涂层的厚度和参数来看对双站RCS有什么影响.1) 厚度对RCS的影响选择涂层的介电常数用采用薄壳元的有限元-边界积分方法考察当涂层厚度分别为d=0.01λ0和d=0.05λ0的双站RCS.从图6可以看出:厚度的改变对电磁散射有比较大的影响，在此种情况下，涂层厚度为d=0.05λ0比d=0.01λ0时前向RCS增大了约3 dB，后向RCS减小了约2 dB.2) 不同介质参数对RCS的影响采用薄壳元的有限元-边界积分方法分析改变介质参数对RCS的影响，选择下面几种不同的参数进行比较，结果如图7所示，其中0表示的是没有涂敷的金属立方体.图4 各向同性介质涂敷金属立方体RCS图5 各向异性介质涂敷金属立方体RCS图6 各向异性介质涂敷金属立方体RCS图7 各向异性介质涂敷金属立方体RCS从图7可以看出，没有涂敷各向异性介质的金属立方体比1号介质的前向RCS减少了约5 dB，后向RCS增大了约5 dB.从前三种介质的计算结果对比发现，1号介质与3号介质由于材料类似，对角线元素的值变化不大所以结果相差不大，2号介质与1，3号介质由于材料不同，所以对结果有一定影响，在本文所选介质的情况下，前向RCS变化不大，但2号介质的后向RCS比1、3号介质减小了约2 dB.4 结论通过使用四面体单元的有限元-边界积分方程方法与使用薄壳单元的有限元-边界积分方程方法的对比可以看出：采用薄壳元的有限元-边界积分方法与采用四面体的有限元-边界积分方法相比具有比较高的精度，无论是所需剖分单元数量、未知量还是所需计算机内存上，前者都明显优于后者，采用薄壳元的有限元-边界积分方法在计算各向异性介质涂敷导体时能节省大量的计算机内存和计算时间，剖分越密，效果越明显.由于实际工程中使用吸波材料的厚度都在0.1λ0以下，前面的数据也证明该方法计算厚度为0.1λ0各向异性介质涂敷导体目标双站RCS的精度还是符合要求的，从而证明了该方法分析各向异性介质涂敷导体电磁散射的可行性.从采用薄壳单元来分析当涂敷各向异性介质的厚度改变对目标双站RCS的影响中可以看出：介质厚度的改变对目标RCS有很大的影响.从采用薄壳单元来分析当涂敷各向异性介质的介电常数改变对目标双站RCS的影响中可以看出：涂敷各向异性介质材料与不涂敷介质材料对导体目标的电磁特性有很大影响，并且由于介电常数的不同，其散射特性也有所不同.参考文献[1] 余定峰, 何思远, 朱国强, 等. 各向异性材料涂敷目标电磁散射特性仿真[J]. 电子与信息学报, 2011, 33(7): 1718-1721.YU Dingfeng, HE Siyuan, ZHU Guoqiang, et al. 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军用涂料和涂层研究与应用进展

军用涂料和涂层研究与应用进展军用涂料和涂层研究与应用进展2007-08-28 10:57综述了涂料和涂层在军品中的研究与应用现状。

从飞机用涂料和涂层、舰船用涂料和其他装备用涂料三方面进行了概述。

展望了军用涂料的发展趋势。

关键词军品涂料涂层军用涂料和涂层1 前言世界上最先进的材料和技术往往首先应用在军事领域之后才转为民用或是军民共用涂料和涂层也不例外。

作为一种有效、方便、经济的金属防护手段涂料和涂层在军品中得到了广泛的应用一些特殊功能的涂料和涂层更是起着不可替代的作用。

本文对军用涂料和涂层的研究和应用作一归纳以期抛砖引玉供本领域同行参考。

2 飞机用涂料和涂层2.1 飞机蒙皮涂料和防护涂料现用的飞机蒙皮涂料主要为聚氨酯涂料使用寿命约为10 年耐温限度为150 ℃。

英国Desoto 公司90 年代初研制出了氟树脂涂料作为飞机蒙皮涂料使用寿命达到20 年。

日本特殊涂料公司和日本富士重工业公司共同开发了一种有机硅改性聚氨酯涂料以解决可能的热老化问题。

美国在未来的航空战斗机中亦将采用一种含羟基氟树脂与异氰酸酯结合的氟涂料以提高航空涂料的保护性能和使用寿命1 。

国内北京航空材料研究院和天津灯塔涂料研究所等也都研制出了含氟聚氨酯涂料性能完全符合国家标准和美军标飞机蒙皮漆的要求2 。

为解决飞机在环境作用下的腐蚀失效问题夏成宝等3 研制了一种可剥性防腐蚀封存涂料该涂料由氯代聚氯乙烯、增韧剂、抗氧化剂、光稳定剂、抗菌剂、有机溶剂等组成用该涂料对某型军用飞机进行了中长期整体防腐蚀封存处理每台装备仅维护费用就节约10 余万元。

紧急启封时只用 1.5h 即可将涂层全部剥离启封后表面光洁如新各种部件无腐蚀现象。

2.2 隔热涂层4-11 隔热涂层可分为两大类一类是低导热率的固定涂层另一类是受热后燃烧、挥发的有机烧蚀涂层。

固定涂层一般氧化物、氮化物或金属合金制成在500 ℃以下的场合也可采用有机树脂如氟橡胶、氟树脂、有机硅、聚亚酰胺等。

一种旋转对称涂覆导体电磁散射高效分析方法

一种旋转对称涂覆导体电磁散射高效分析方法樊振宏;谭延君;陈如山【摘要】为改善传统方法分析旋转对称涂覆导体电磁散射问题的效率,提出了一种高效分析方法.该方法在介质表面建立电磁流混合场积分方程(Electric and Magnetic Current Combined Field Integral Equation,JMCFIE),在导体表面建立混合场积分方程(Combined Field Integral Equation,CFIE),利用了旋转对称体在空间上的旋转周期性,只需要对表面的母线进行剖分,具有未知量少且阻抗矩阵条件数好的特点.根据等效原理与边界条件推导了JMCFIE-CFIE方程,并与传统的PMCHW-CFIE方法对比了求解效率.数值算例表明该方法能明显改善方程的收敛性.【期刊名称】《电波科学学报》【年(卷),期】2015(030)006【总页数】7页(P1116-1122)【关键词】电磁散射;旋转对称体;涂覆导体;电磁流混合场积分方程【作者】樊振宏;谭延君;陈如山【作者单位】南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094;南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094;南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094【正文语种】中文【中图分类】O441资助项目: 国家自然科学基金(61371037)；南京理工大学自主科研专项计划(30920140121004)；江苏省气象探测与信息处理重点实验室(南京信息工程大学)开放基金(KDXS1201)联系人：樊振宏E-mail:***************.cn目标电磁特性关注的很多对象含有旋转对称结构,比如抛物面天线、透镜天线、天线罩、以及弹身、弹头等, 它们是由母线绕固定轴旋转一周得到的结构. 与一般结构相比,可利用结构的旋转对称特性构造出快速方法分析其电磁特性[1-7]. 近年来,由于隐身技术以及电磁防护的需要,非导体材料在工程中得到大量应用,介质涂敷导体结构的电磁散射特性分析受到广泛关注. 对于旋转对称涂覆导体的电磁散射分析,目前采用的办法主要是在介质表面建立PMCHW(Poggio-Miller-Chang-Harrington-Wu)方程,在导体表面建立电场积分方程(Electric Field Integral Equation, EFIE)或混合场积分方程(Combined Field Integral Equation, CFIE)[6-7],然后利用矩量法分析. 然而PMCHW方程形成的阻抗矩阵条件数差,导致在采用迭代方法求解时迭代步数多,收敛速度慢甚至不收敛,难以用于大规模问题的分析. 现阶段解决迭代步数多的办法通常包括构造性态良好的积分方程形式、采用预条件技术、快速直接求解技术等. 本文研究的方案属于第一种,在介质表面采用条件数较好的电磁流混合场积分方程(Electric and Magnetic Current Combined Field Integral Equation, JMCFIE)[ 8-9],在导体表面采用CFIE. 数值算例表明本方案可加快分析速度.分析如图1所示的绕z轴旋转的单层涂覆闭合导体结构,通常将旋转对称体(Body of Revolution, BOR)目标上的矢量场分解为三个正交分量[2]:沿母线切向分量t,沿圆周切向分量φ和外法向分量n.图2是典型涂覆导体目标的横截面的示意图,由外而内分为三个区域:真空自由空间区域、涂覆介质区域和理想导体区域,分别用1区、2区、3区表示.εh,μh表示h区(h=1,2)中的介质的介电常数和磁导率,Sd是介质与真空的分界表面,Sc是导体表面,它们的单位外法向矢量分别用nd和nc表示. 研究电磁散射特性时,用Eh,Hh分别代表h区中的总电场强度和磁场强度,Ei, Hi表示均匀平面入射波的电场强度与磁场强度.根据面等效原理,1区散射场由介质外表面(用表示)的等效面电流密度=nd×H1与等效面磁流密度产生,由总场等于入射场与散射场之和,可在表面建立如下EFIE与磁场积分方程(Magnetic Field Integral Equation, MFIE)[7]:式中：下标tan表示取切向分量；算子Lh, Kh为:同样根据面等效原理,2区的散射场由介质内表面)的等效电磁流与导体表面的等效电流Jc共同产生,在介质内表面建立EFIE与MFIE[7]:在导体表面r∈Sc建立EFIE与MFIE[7]:式中,是Sd的单位内法向矢量.利用介质分界面电场强度与磁场强度切向分量将介质表面(1)、(2)、(4)、(5)四个方程进行不同的线性组合可以得到性态不同的积分方程,吸引了大量研究[8-12]. 该方案是目前文献中采用最多的方案,它是在介质表面建立PMCHW方程[6-7],在导体表面建立CFIE方程. 介质表面的PMCHW方程是将式(1)和式(2)分别减去式(4)和式(5)而得:式中,实数αc是CFIE的混合因子,取值范围[0,1]. 联立式(8)、(9)、(10)得到PMCHW-CFIE方程.在介质表面构造JMCFIE时,首先在介质的内、外表面建立电流混合场积分方程(Electric Current Combined Field Integral Equation, JCFIE)和磁流混合场积分方程(Magnetic Current Combined Field Integral Equation, MCFIE)[8-9],形式如下:在导体表面上仍然采用式(10)所表示的CFIE方程,联立方程式(10)、(13)和(14),得到JMCFIE-CFIE积分方程组.采用矩量法进行分析,首先将电磁流密度用BOR基函数[6]展开为:对PMCHW-CFIE方程(8)、(9)、(10)采用Galerkin测试,利用各模式之间的正交性可得矩阵方程上标第一项的E、M和C分别表示对应的是介质表面的EFIE、MFIE和导体表面的CFIE. 上标第二项的J和M分别表示基函数对应的是等效电流密度和等效磁流密度. 下标D和C分别表示测试函数或基函数处于的表面是介质表面和导体表面. 观察PMCHW方程的阻抗矩阵可知,其对角矩阵是第一类Feldholm积分方程的离散形式,矩阵条件数差,其非对角矩阵中的内外表面的独立电流项和磁流项贡献相互抵消,为非对角占优矩阵,因而无法通过交换行列得到性态良好的矩阵.类似地可得JMCFIE-CFIE矩阵方程为方程的阻抗矩阵的正负模式具有如下对称关系,以为例算例1是一个半径为0.4 m的导体球,涂覆了一层厚度为0.1 m、相对介电常数为2的介质,导体球沿母线均匀剖分21段,介质表面沿母线均匀剖分26段. 阻抗矩阵元素填充时,关于基函数与测试函数的积分在t方向分别取3点和4点高斯积分法则,在φ方向取32个均匀积分点. 均匀平面波的入射角度为θi=150°,φi=0°,频率为300 MHz,对应的傅里叶模式截断数Nm=3. 观察φ=0°平面随θ变化的双站RCS(V-V极化). 在介质面上建立JMCFIE方程,在导体面上建立CFIE方程,混合因子αd=0.2,αc=0.2,采用GMRES(80)方法[14]求解,80表示GMRES迭代重启动(Restart)的数目.图3给出了JMCFIE-CFIE方法与PMCHW-CFIE方法和Mie级数解析解[15]的RCS计算结果对比,可以看出,三个方法的结果是吻合的.表1给出了各个模式方程的矩阵条件数和GMRES迭代求解步数,可以看出,JMCFIE-CFIE方法的矩阵条件数κ2(A)=‖A‖2·‖A-1‖2比传统的PMCHW-CFIE方法至少小10倍. 迭代方法的收敛性能通常与矩阵的条件数相关,通常矩阵条件数小则收敛速度快,当然收敛速度还与右边向量的特性、重启动数的值有关系. 图4给出了傅里叶模式α=1时,JMCFIE-CFIE与PMCHW-CFIE方法的GMRES迭代收敛曲线,其中,PMCHW-CFIE方法需要迭代119步,而本文方法只需要56步即可达到收敛精度.算例2是介质涂覆的导体圆台,内层圆台的上下底面半径分别为0.3 m和0.6 m,高1 m,外层圆台的上下底面半径分别为0.35 m和0.65 m,高1.1 m,涂覆介质的相对介电常数为2.33,导体面沿上下底面和侧面的母线分别剖分为5、10、18段,介质表面的上下底面和侧面分别沿母线剖分为6、12、20段. 阻抗矩阵填充时基函数与测试函数在t方向分别取3个和4个高斯积分点,在φ方向取32个均匀积分点,均匀平面波的入射角度为θi=30°,φi=0°,频率为300 MHz,对应的傅里叶模式截断数Nm=4,观察φ=0°平面随着θ角变化的双站RCS(V-V极化). 在介质面上建立JMCFIE方程,在导体介质交面上建立CFIE方程,混合因子αd=0.2,αc=0.2,将计算结果与PMCHW-CFIE方法和FEKO矩量法的计算结果对比如图5所示,可以看出,三者结果是吻合的. 表2给出了各个模式方程的矩阵条件数和GMRES迭代求解步数,可以看出,JMCFIE-CFIE方法的矩阵条件数比传统的PMCHW-CFIE方法改善了至少9倍,在某些模式下改善幅度甚至达到了74倍. 图6给出了傅里叶模式α=1时,JMCFIE-CFIE与PMCHW-CFIE方法的GMRES(130)方法的迭代收敛曲线,其中,PMCHW-CFIE方法需要迭代251步,而本文方法只需要110步即可达到收敛精度. 从表2还可以看到,PMCHW-CFIE方法在一些模式中的GMRES迭代求解步数明显偏高,结合图6中的迭代收敛曲线可知,这主要是由于GMRES求解时通常需要重启动影响收敛性能,提高GMRES的重启动数可降低迭代步数,但是重启动数值越大,会消耗越多的内存,无法用于大尺寸问题的分析.本文针对介质涂覆旋转对称体的散射问题,提出了一种适用于分析旋转对称体的JMCFIE方程. 该方法利用了旋转对称体在角度上的周期性及各周期模式之间的正交性,只需要对母线进行剖分,求解的未知量少. 数值算例表明,通过在介质表面建立JMCFIE方程,在导体表面建立CFIE方程,与传统的PMCHW-CFIE方程分析技术相比,有更好的矩阵条件数和更快的迭代收敛速度.樊振宏(1978-),男,江苏人,南京理工大学电子工程与光电技术学院副教授，博士生导师，主要研究方向为计算电磁学、天线分析与设计.谭延君(1990-),男,江苏人,南京理工大学电子工程与光电技术学院硕士研究生,研究方向为计算电磁学、电磁散射与目标特性等.陈如山(1965-),男,江苏人,南京理工大学电子工程与光电技术学院教授，博士生导师，研究领域包括微波毫米波集成电路与系统、电磁脉冲与瞬态电磁场、雷达与电磁兼容技术、计算电磁学.杜利平,何琴,李飞,等. 基于随机集的多主用户多维信息感知算法研究[J]. 电波科学学报,2015,30(6):1123-1130+1136. doi:, 10.13443/j.cjors.2015011201DU Liping, HE Qin, LI Fei, et al. Random sets theory based multi-dimensional spectrum sensing with multiple primary users [J]. Chinese Jour nal of Radio Science,2015,30(6):1123-1130+1136. (in Chinese). doi: 10.13443/j.cjors.2015011201【相关文献】[1] ANDREASEN M G. Scattering from bodies of revolution [J]. IEEE Trans on AP, 1965, 1 3: 303-310.[2] MAUTZ J R, HARRINGTON R F. Radiation and scattering from bodies of revolution[J]. Applied Scientific Research, 1969, 20(1): 405-435[3] HARRINGTON R F. Boundary integral formulations for homogeneous material bodie s[J]. J Electromagn Waves Applicat, 1989, 3: 1-15.[4] WU T K, TSAI L L. Scattering from arbitrarily-shaped lossy dielectric bodies of revolution[J]. Radio Sci, 1977, 12: 709-718.[5] 朱剑, 梁洪灿, 陈如山. 半空间均匀手征旋转对称体的电磁散射分析[J]. 系统工程与电子技术, 2012, 32(12): 2547-2551.ZHU Jian, LIANG Hongcan, CHEN Rushan. Electro-magnetic scattering from homogeneous chiral body of revolution in the lossy half space[J ]. Systems Engineering and Electronics, 2012, 32(12): 2547-2551. 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【国家自然科学基金】_散射回波_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140731

科研热词极化散射矩阵瞬态极化雷达高速数据采集风场测量距离像空域极化特性石英光纤目标识别极化测量极化散射微多普勒大气光学外场实验一维距离像 mimo雷达龙卷风浪要素风浪图像数值处理非监督分类非合作雷达方程钠多普勒激光雷达鉴别遮挡效应逆运算函数逆radon变换进动辐照损伤软包装转速测量转动拉曼激光雷达超声检测超声散射自适应脉冲压缩脉冲多普勒雷达统计特性箔条干扰箔条云空间采样空域散射特征瞬时极化测量真实地形目标散射特性现场可编程门阵列状态空间物理光学方法热封缺陷激光雷达激光散射激光后向散射漫反射激光测距
穿墙成像稀疏信号表示离轴雷达瞬时极化测量相关性相关函数目标特性目标散射矩阵测量目标与粗糙面电离层探测电磁逆散射环境条件特征提取物理光学法热封激光消光系数海面doppler谱水质参数正负斜率线性调频信号正交频率分集正交子载波模糊支持向量桥高反演极大似然比极化测量极化比极化sar 极化杂波噪声机载雷达最小二乘法最小euclid距离分类器时差时分极化测量无源雷达成像无源sar成像无损检测旋转不变技术旁瓣斜向返回散射电离层回波数据校准散射波干扰散射回波支持向量机(svm) 插值排序统计滤波抛面反射天线微波热疗强冰雹弹性动力学射频干扰定标体子孔径分析
推荐指数 3 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2009年序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

用FDTD方法计算电磁波在各向异性介质中的散射

论证本文方法的可用性 ,首先计算了各项异性等离子体球壳的雷
达散射截面 ,具体参数如下各项异性等离子体的复介电系数为 :
5 - i 0
ε= i 5 0 ε0 , 等离子体球壳的内半径 r1 = 0. 05m , 外半径
0 0 7
图 1 双站雷达散射截面随散射角的变化
r2 = 0. 1m ,计算结果如图 1 所示。图 1 给出了用球矢量波函数[4]
Vol. 26 ,No. 1 Feb. 2006
用 FDTD 方法计算电磁波在各向异性介质中的散射
吴跃丽1 ,耿友林2
(1. 杭州电子科技大学理学院 ,浙江杭州 310018 ;2. 杭州电子科技大学电子信息学院 ,浙江杭州 310018)
摘要 :由于各向异性等离子体介质中的介质参数是张量形式 ,而在各向同性介质中为标量形式 ,故在研究各向异性等离子体与电磁波的相互作用与分析各向同性媒质的方法就不同。采用线性插值的方法给出各向异性等离子体介质中的 FDTD 离散式 ,编写了程序并进行了数值计算 ,给出与解析方法比较结果 ,两者符合的很好 ,并给出等离子体球的电磁散射的若干算例。结果可应用于等离子体的电波传播、天线等领域。关键词 :时域有限差分方法 ;各向异性介质 ;等离子体中图分类号 :TN011 文献标识码 :A 文章编号 :1001 - 9146 (2006) 01 - 0074 - 03
n + 1/ 2 i + 1/ 2 ,j
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半导体微电子专业词汇中英文对照

半导体微电子专业词汇中英文对照Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Acoustic Surface Wave 声表面波Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区A/D conversion 模拟—数字转换Adhesives 粘接剂Admittance 导纳Aging 老化Airborne 空载Allowed band 允带allowance 容限，公差Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminum) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum Nitride 氮化铝Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度A M light 振幅调制光，调幅光amplitude limiter 限幅器Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放放大器Analogue（Analog）comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Antenna 天线Aperture 孔径Arsenide （As) 砷Array 阵列Atomic 原子的Atom Clock 原子钟Attenuation 衰减Audio 声频Auger 俄歇Automatic 自动的Automotive 汽车的Availability 实用性Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Bandwidth 带宽Bar 巴条发光条Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base—width modulation基区宽度调制Batch 批次Battery 电池Beam 束光束电子束Bench 工作台Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管Bit 位比特Blocking band 阻带Body — centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Bottom-up 由下而上的Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Bragg effect 布拉格效应Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊FBrillouin zone 布里渊区Buffer 缓冲器Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn—in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Bus 总线Calibration 校准,检定，定标、刻度，分度Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carbon dioxide (CO2）二氧化碳Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Cavity 腔体Center 中心Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemical etching 化学腐蚀法Chemically—Polish 化学抛光Chemically—Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chemical vapor deposition (cvd）化学汽相淀积Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Circuit 电路Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clean 清洗Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close—loop gain 闭环增益Coating 涂覆涂层Coefficient of thermal expansion 热膨胀系数Coherency 相干性Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common—gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common—mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Communication 通信Compact 致密的Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect—Transistor(CMOS) 互补金属氧化物半导体场效应晶体管Computer-aided design (CAD）/test(CAT）/manufacture（CAM) 计算机辅助设计/ 测试/制造Component 元件Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band （edge）导带（底)Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 结构Conlomb 库仑Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant—source diffusion恒定源扩散Contact 接触Continuous wave 连续波Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Cooling 冷却Copper interconnection system 铜互连系统Corrosion 腐蚀Coupling 耦合Covalent 共阶的Crossover 交叉Critical 临界的Cross—section 横断面Crucible坩埚Cryogenic cooling system 冷却系统Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Cubic crystal system 立方晶系Current density 电流密度Curvature 曲率Current drift/drive/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curve 曲线Custom integrated circuit 定制集成电路Cut off 截止Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）) Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Decade 十进制Decibel （dB) 分贝Decode 解码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep energy level 深能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius（centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Detector 探测器Developer 显影剂Diamond 金刚石Die 芯片（复数dice）Diode 二极管Dielectric Constant 介电常数Dielectric isolation 介质隔离Difference—mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dimension （1)尺寸（2）量钢（3)维,度Diode 二极管Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct—coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Directional antenna 定向天线Discharge 放电Discrete component 分立元件Disorder 无序的Display 显示器Dissipation 耗散Dissolution 溶解Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Dose 剂量Double-diffusive MOS(DMOS）双扩散MOS Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Dual—polarization 双偏振,双极化Duty cycle 工作周期Dual-in—line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effect 效应Effective mass 有效质量Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM）电可擦除只读存储器Electrode 电极Electromigration 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electron—beam 电子束Electroluminescence 电致发光Electron gas 电子气Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt （eV）电子伏Electro—optical 光电的Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Emitter 发射极Emitter—coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤)效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量（E—K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOSEnteric （低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Epoxy 环氧的Equivalent circuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Equipment 设备Erasable Programmable ROM （EPROM)可搽取（编程）存储器Erbium laser 掺铒激光器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Exponential 指数的Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Fabry—Perot amplifier 法布里-珀罗放大器Face - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快表面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Femi potential 费米势Fiber optic 光纤Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Figure of merit 品质因数Filter 滤波器Filled band 满带Film 薄膜Fine pitch 细节距Flash memory 闪存存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flatness 平整度Flexible 柔性的Flicker noise 闪烁(变）噪声Flip-chip 倒装芯片Flip— flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Focal plane 焦平面Forbidden band 禁带Formulation 列式,表达Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting 正向阻断/导通Free electron 自由电子Frequency deviation noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium-Arsenide(GaAs）砷化镓Gallium Nitride 氮化镓Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gate width 栅宽Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation—recombination 产生—复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge）锗Gold 金Graded 缓变的Graded （gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Graphene 石墨烯Grating 光栅Green laser 绿光激光器Ground 接地Grown junction 生长结Guard ring 保护环Guide wave 导波波导Gunn - effect 狄氏效应Gyroscope 陀螺仪Hardened device 辐射加固器件Harmonics 谐波Heat diffusion 热扩散Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Hell - effect 霍尔效应Hertz 赫兹Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS(H—MOS）高性能MOS器件High power 大功率Hole 空穴Homojunction 同质结Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrier 热载流子Hybrid integration 混合集成Illumination （1)照明(2）照明学Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Inch 英寸Incremental resistance 电阻增量(微分电阻）In—contact mask 接触式掩模Index of refraction 折射率Indium 铟Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物Inductance 电感Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input power 输入功率Insertion loss 插入损耗Insulator 绝缘体Insulated Gate FET（IGFET）绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑Integration 集成、积分Integrated Circuit 集成电路Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions 国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side—wall 结侧壁Laser 激光器Laser diode 激光二极管Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Lead 铅Leakage current （泄）漏电流Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode（LED) 发光二极管Linearity 线性化Liquid 液体Lock in 锁定Longitudinal 纵向的Long life 长寿命Lumped model 集总模型Magnetic 磁的Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law 质量守恒定律Master—slave D flip—flop 主从D 触发器Matching 匹配Material 材料Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间Mechanical 机械的Membrane （1）薄腊，膜片（2）隔膜Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET—Metal Semiconductor 金属半导体FET Metalorganic Chemical Vapor Deposition MOCVD 金属氧化物化学汽相淀积Metallization 金属化Metal oxide semiconductor (MOS）金属氧化物半导体MeV 兆电子伏Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Microelectromechanical System (MEMS) 微电子机械系统Microwave 微波Millimeterwave 毫米波Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管Mount 安装Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module(MCM）多芯片模块Multilayer 多层Multiplication coefficient 倍增因子Multiplexer 复用器Multiplier 倍增器Naked chip 未封装的芯片(裸片）Nanometer 纳米Nanotechnology 纳米技术Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Negative—temperature—coefficient负温度系数Nesting 套刻Noise figure 噪声系数Nonequilibrium 非平衡Nonvolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Nuclear 核Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP）运算放大器Optical photon 光子Optical quenching 光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator 光耦合隔离器Organic semiconductor 有机半导体Orientation 晶向、定向Oscillator 振荡器Outline 外形Out—of-contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output power 输出功率Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over—current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Pass band 通带Passivation 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Pattern 图形Payload 有效载荷Peak—point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent—storage circuit 永久存储电路Period 周期Permeable — base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photonic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺Photoluminescence 光致发光Photo resist (光敏)抗腐蚀剂Photo mask 光掩模Piezoelectric effect 压电效应Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plane 平面的Plasma 等离子体Plate 板电路板P—N junction pn结Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor 聚合物半导体Poly—silicon 多晶硅Positive 正的Potential (电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power electronic devices电力电子器件Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Print-circuit board（PCB) 印制电路板Probability 几率Probe 探针Procedure 工艺Process 工艺Projector 投影仪Propagation delay 传输延时Proton 质子Proximity effect 邻近效应Pseudopotential method 赝势法Pump 泵浦Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator(PWM）脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级Q Q值Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level 准费米能级Quartz 石英Radar 雷达Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination 辐照复合Radio 无线电射电射频Radio—frequency RF 射频Raman 拉曼Random 随机Range 测距Radio 比率系数Ray 射线Reactive sputtering source 反应溅射源Real time 实时Receiver 接收机Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Record 记录Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Red light 红光Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Regulate 控制调整Relative 相对的Relaxation 驰豫Relaxation lifetime 驰豫时间Relay 中继Reliability 可靠性Remote 远程Repeatability 可重复性Reproduction 重复制造Residual current 剩余电流Resonance 谐振Resin 树脂Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管(器）Resolution 分辨率Response time 响应时间Return signal 回波信号Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Ribbon 光纤带Ridge waveguide 脊形波导Ring laser 环形激光器Rotary wave 旋转波Run 运行Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Scan 扫描Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schematic layout 示意图,简图Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Screen 筛选Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor laser半导体激光器Semiconductor—controlled rectifier 半导体可控硅Sensitivity 灵敏度Sensor 传感器Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shaping 成型Shield 屏蔽Shifter 移相器Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide （SiO2）二氧化硅Silicon Nitride（Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘体上硅Silver whiskers 银须Simple cubic 简立方Simulation 模拟Single crystal 单晶Sink 热沉Sinter 烧结Skin effect 趋肤效应Slot 槽隙Slow wave 慢波Smooth 光滑的Subthreshold 亚阈值的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Solution 溶液Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Space Craft 宇宙飞行器Spacing 间距Specific heat（PT）比热Spectral 光谱Spectrum 光谱（复数）Speed—power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spot 斑点Spray 喷涂Spreading resistance 扩展电阻Sputter 溅射Square root 平方根Stability 稳定性Stacking fault 层错Standard 标准的Standing wave 驻波State-of-the—art 最新技术Static characteristic 静态特性Statistical analysis 统计分析Steady state 稳态Step motor 步进式电动机Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Stopband 阻带Storage time 存储时间Stress 应力Stripline 带状线Subband 次能带Sublimation 升华Submillimeter 亚毫米波Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superconductor 超导（电）体Superlattice 超晶格Supply 电源Surface mound表面安装Surge capacity 浪涌能力Switching time 开关时间Switch 开关Synchronizer 同步器，同步装置Synthetic-aperture 合成孔径System 系统Technical 技术的，工艺的Telecommunication 远距通信，电信Telescope 望远镜Terahertz 太赫兹Terminal 终端Template 模板Temperature 温度Tensor 张量Test 测试试验Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thick- film technique 厚膜技术Thin- film hybrid IC 薄膜混合集成电路Thin—Film Transistor(TFT）薄膜晶体Three dimension 三维Threshold 阈值Through Silicon Via 硅通孔Thyistor 晶闸管Time resolution 时间分辨率Tolerance 公差T/R module 发射/接收模块Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging(stress）晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transmissivity 透射率Transmitter 发射机Transceiver 收发机Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Travelling wave 行波Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Tolerance 容差Tube 管子电子管Tuner 调节器Tunnel（ing）隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Ultrabright 超亮的Ultrasonic 超声的Underfilling 下填充Undoped 无掺杂Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity- gain frequency 单位增益频率Unilateral—switch 单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence(value）band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Variable 可变的Vector 矢量Vertical 垂直的Vibration 振动Visible light 可见光Voltage 电压Volt 伏特Wafer 晶片Watt 瓦Wave guide 波导Wavelength 波长Wave—particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wetting 浸润Wideband 宽禁带Wire 引线Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件X—ray X射线Yield 成品率Zinc 锌。

介质涂覆目标电磁散射特性计算与仿真

第３０卷第１０期
文章编号：１００６—９３４８（２０１３）１０—０１２０— ０４
计
算
机
仿
真
２０１３年１０月
介质涂覆目标 ຫໍສະໝຸດ 磁散射特性计算与仿真
周超，张小宽，赵辉
（空军工程大学防空反导学院，陕西西安７１００５１）
ｅｄ，ＲＷＧｂａｓｉｓｆｕｎｃｔｉｏｎｓｗａｓｄｉｓｃｕｓｓｅｄ，ａｎｄｃｏｍｐｌｅｘｔａｒｇｅｔｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｍｏｄｅｌｗａｓｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅｄｅｍａｎｄｏｆａｎａｌｙｓｉｓｆｏｒｔｈｅＲＣＳｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｏｆｃｏｍｐｌｅｘｄｉｅｌｅｃｔｉｒｃｃｏａｔｅｄｔａｒｇｅｔ，ｔｈｅｂｉｓｔａｔｉｃｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｃｈａｒａｃｔｅｒｆｓ — ｔｉｃｓｏｆａｃｒｕｉｓｅｍｉｓｓｉｌｅａｎｄａｈｉｇｈ—ｓｐｅｅｄａｉｒｃｒａｆｔｍｏｄｅｌｗｅｒｅｃａｌｃｕｌａｔｅｄ．Ｔｈｉｓａｌｇｏｒｉｔｈｍｈａｓｓｏｍｅｖａｌｕｅｉｎｅｆｉｆｃｉｅｎｔｌｙｓｏｌｖｉｎｇｓｃａｔｔｅｉｎｒｇｐｒｏｂｌｅｍｓｏｆｅｌｅｃｔｒｉｃｌｌａｙ—ｌａｒｇｅｃｏｍｐｌｅｘｃｏａｔｅｄｔａｒｇｅｔｓ．ＡｎｄｔｈｅｈｉｇｈｏｒｄｅｒＭｏＭｍｅｔｈｏｄｇｒｅａｔｌｙｄｅ — ｃｒｅａｓｅｓｃｏｍｐｕｔａｔｉｏｎａｌｌｏａｄａｎｄｓａｖｅｓｃｏｍｐｕｔｅｒｓｔｏｒａｇｅ，ｐｒｏｖｉｄｉｎｇａｓｕｐｐｏｔｒｏｒｆｍａｔｅｉｒａｌ ’ Ｓｄｅｓｉｇｎａｎｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ．ＫＥＹＷＯＲＤＳ：Ｄｉｅｌｅｃｔｉｒｃｃｏａｔｅｄ；ＨｉｇｈｏｒｄｅｒＭｏＭ；Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ；Ｅｌｅｃｔｉｒｃａｌｌｙ—ｌａｒｇｅｔａｒｇｅｔｓ

各向异性介质电磁散射及参数反演研究

各向异性介质电磁散射及参数反演研究各项异性介质电磁散射及参数反演研究引言电磁散射是指当电磁波遇到介质界面时，波的传播方向改变并在不同角度扩散的现象。

在大自然和工程中，各项异性介质经常出现，并且对电磁波的传播和散射过程产生显著影响。

因此，研究各项异性介质电磁散射及参数反演具有重要的理论意义和实际应用价值。

各项异性介质电磁散射的基本理论各向异性介质是指在不同方向上具有不同物理性质的介质。

在这样的介质中，电磁波的传播和散射过程往往会受到介质各向异性性质的影响，因此研究各项异性介质电磁散射需要建立合适的理论模型。

电磁散射的理论模型常常采用麦克斯韦方程组和边界条件来描述电场和磁场在介质边界上的行为。

在各向异性介质中，麦克斯韦方程组会出现与各向同性介质不同的形式。

例如，在各向异性介质中，电场和磁场通常都具有不同的传播速度和振动方向。

对于各向异性介质电磁散射的分析，常采用坐标变换的方法将问题转化为各向同性介质中的散射问题。

这种方法可以通过合适的变换使得介质各向异性特性在变换后消失，然后再应用各向同性介质的电磁散射理论进行分析。

各向异性介质电磁参数反演的研究在实际应用中，了解介质的物理参数对电磁波传播和散射的影响，对于地质勘探、无损检测等领域具有重要意义。

各向异性介质电磁参数反演是指通过测量电磁波在介质中的传播和散射特性，来反演介质的各项异性参数。

电磁参数反演的基本原理是根据电磁波的散射特性获得的信息来推断介质的物理参数。

这一过程通常需要先构建合适的反向散射模型，然后通过不同的反演方法来寻找使模型与实际测量数据吻合的参数组合。

各向异性介质电磁参数反演存在一些困难和挑战。

首先，各向异性介质的参数通常较多，其中包括介质加密度、速度、方位等。

这些参数的确定需要较多的测量和计算。

其次，各向异性介质的散射过程通常比各向同性介质更为复杂，需要建立更精确的理论模型来描述。

尽管各向异性介质电磁散射及参数反演存在一些困难，但随着计算机技术和数值模拟的发展，研究者们已经取得了一些重要的突破。

导体圆柱的散射原理

导体圆柱的散射原理本文将详细介绍导体圆柱的散射原理，涵盖雷达散射截面（RCS）、电磁波与导体圆柱的相互作用、散射特性分析、后向散射系数、前向散射系数、极化状态以及散射系数随频率的变化。

1.雷达散射截面（RCS）雷达散射截面（RCS）是衡量目标物体对雷达波散射能力的物理量。

它受到物体形状、尺寸、电磁参数以及入射波频率和极化状态等因素的影响。

在导体圆柱的散射问题中，RCS具有重要的作用。

2.电磁波与导体圆柱的相互作用当高频率的电磁波照射到导体圆柱上时，会产生散射现象。

电磁波与导体圆柱相互作用，导致电磁波的振幅和相位发生变化。

散射系数是描述这种相互作用的物理量，它与电磁参数、入射波的频率和极化状态等因素有关。

3.散射特性分析散射特性分析包括散射系数、极化状态和散射系数随频率的变化等方面。

散射系数描述了电磁波在导体圆柱表面的散射能力，极化状态则反映了电磁波的振动方向。

在不同的频率和极化状态下，电磁波的传播和散射特性会有所不同。

4.后向散射系数后向散射系数是指电磁波从正面照射到目标物体后，从物体的后方发射回前方的散射强度与入射强度的比值。

后向散射系数对于雷达探测和识别目标物体具有重要的意义。

通过计算和分析后向散射系数，可以了解目标物体的形状、尺寸以及电磁参数等信息。

5.前向散射系数前向散射系数是指电磁波从正面照射到目标物体后，从物体的前方发射到后方的散射强度与入射强度的比值。

前向散射系数在雷达探测和识别目标物体方面同样具有重要的作用。

通过计算和分析前向散射系数，可以了解目标物体的形状、尺寸以及电磁参数等信息。

6.极化状态电磁波的极化状态是指电场矢量的振动方向随时间变化的方式。

在导体圆柱的散射问题中，极化状态对散射系数有重要的影响。

不同的极化状态下，电磁波的传播和散射特性会有所不同。

因此，在研究导体圆柱的散射问题时，需要考虑极化状态的影响。

7.散射系数随频率的变化在电磁波与导体圆柱相互作用的过程中，散射系数会随入射波频率的变化而变化。

平板显示技术基础—习题答案

平板显⽰技术基础—习题答案第⼀章习题答案⼀、填空题1. 投影型空间成像型直视型阴极射线管显⽰器平板显⽰器2. 主动发光型⾮主动发光型3. CRT投影技术LCD投影技术数字光处理器表⾯数字微晶装置4. 阴极射线管电⼦束电⼦枪阴罩荧光粉层5. 等离⼦体⽓体放电发光6. 半导体硅上的液晶玻璃半导体硅材料7. 头盔显⽰器全息显⽰器8. 真空荧光真空荧光管9. ⽆数个⼩发光⼆极管拼接10. 300mm×400mm 2⼆、名词解释1. 主动发光型显⽰器是指利⽤电能使器件发光，显⽰⽂字和图像的显⽰技术。

2. 被动发光型显⽰器是指器件本⾝不发光，需要借助于太阳光或背光源的光，⽤电路控制外来光的反射率和透射率，才能实现显⽰。

3. 投影型显⽰器是⽤显⽰器显⽰图像后，再经光学系统放⼤后投影到屏幕上的⼀种显⽰。

4. 空间成像型显⽰器是空间虚拟图像，也是投影显⽰的⼀种，代表技术是头盔显⽰器5. 电致发光显⽰器是利⽤某些材料在外界电场作⽤下发光实现显⽰的⼀种主动发光显⽰器。

6. 场致发射显⽰器是⼀种⽤冷阴极在⾼电场作⽤下发射电⼦，轰击涂覆在屏幕上的荧光粉发光实现显⽰的。

7. 发光⼆极管显⽰器是采⽤⽆数个⼩发光⼆极管拼接组成的显⽰器。

8. 响应时间是指显⽰器对输⼊信号的反应时间，如像素由暗转到亮，再由亮转到暗的图像完全显⽰所⽤的时间。

9. 亮度是指在单位⾯积上显⽰器画⾯明亮程度。

10. 开⼝率是像素的有效透光区⾯积与像素总⾯积的⽐值。

11. 对⽐度是指显⽰器的最⼤亮度与最⼩亮度的⽐值。

12. 灰度是指在⽩和⿊之间的亮度层次分成⼏个等级，表⽰显⽰亮度不同的反差。

13. 拖尾是显⽰器在显⽰动态图像时出现的边缘模糊、看不清细节的现象。

14. 像素是平板显⽰图像的很多纵横排列的点中最⼩单位的点。

15. PPI，Pixels per inch，是每英⼨所拥有的像素数⽬。

16. 画⾯尺⼨是指显⽰区域对⾓线的长度。

17. 长宽⽐是显⽰画⾯横⽅向尺⼨和纵⽅向尺⼨的⽐。

各向异性阻抗面电磁散射快速数值算法研究

各向异性阻抗面电磁散射快速数值算法研究余定峰;何思远;张凡;朱国强;殷红成;邓方顺【摘要】A MoM-UV fast numerical algorithm based on multilevel UV matrix de- composition is presented to analyze the electromagnetic scattering from three-di- mensional anisotropic impedance surface. The surface equivalence principle is a- dopted with electromagnetic current expanded by three-dimensional Rao-Wilton- Glisson（RWG） vector basis functions. The electromagnetic simulation of aniso- tropic impedance surface is performed using impedance boundary condition （IBC）, with the electromagnetic parameters characterized by surface impedance dyadic. As the current is solved by BICGSTAB iterative method, so compressions to the low~ rank sub matrices are performed using multilevel UV technology to reduce the oper- ation of matrix-vector product and memory requirement. Several typical examples are presented with numerical results compared to the Mie series or pure MoM solu- tion to verify the accuracy and efficiency of the proposed algorithm.%基于多层uV矩阵分解技术，提出用矩量法（MoM）求解三维各向异性阻抗面电磁散射的MoM—UV快速数值算法。

半导体微电子专业词汇中英文对照

半导体微电子专业词汇中英文对照Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Acoustic Surface Wave 声表面波Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大)区A/D conversion 模拟—数字转换Adhesives 粘接剂Admittance 导纳Aging 老化Airborne 空载Allowed band 允带allowance 容限,公差Alloy-junction device合金结器件Aluminum（Aluminum）铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum Nitride 氮化铝Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度A M light 振幅调制光,调幅光amplitude limiter 限幅器Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放放大器Analogue（Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Antenna 天线Aperture 孔径Arsenide （As）砷Array 阵列Atomic 原子的Atom Clock 原子钟Attenuation 衰减Audio 声频Auger 俄歇Automatic 自动的Automotive 汽车的Availability 实用性Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Bandwidth 带宽Bar 巴条发光条Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制Batch 批次Battery 电池Beam 束光束电子束Bench 工作台Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT）双极晶体管Bit 位比特Blocking band 阻带Body - centered 体心立方Body—centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Bottom—up 由下而上的Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Bragg effect 布拉格效应Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊FBrillouin zone 布里渊区Buffer 缓冲器Built—in 内建的Build—in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn-in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Bus 总线Calibration 校准，检定，定标、刻度,分度Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carbon dioxide （CO2) 二氧化碳Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Cavity 腔体Center 中心Ceramic 陶瓷（的)Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemical etching 化学腐蚀法Chemically—Polish 化学抛光Chemically-Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chemical vapor deposition （cvd）化学汽相淀积Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Circuit 电路Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clean 清洗Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip—flop 时钟触发器Close—loop gain 闭环增益Coating 涂覆涂层Coefficient of thermal expansion 热膨胀系数Coherency 相干性Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP—AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common—mode gain 共模增益Common—mode input 共模输入Common-mode rejection ratio （CMRR）共模抑制比Communication 通信Compact 致密的Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal—Oxide—Semiconductor Field—Effect—Transistor（CMOS）互补金属氧化物半导体场效应晶体管Computer—aided design （CAD）/test(CAT）/manufacture （CAM) 计算机辅助设计/ 测试/制造Component 元件Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band (edge）导带(底)Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 结构Conlomb 库仑Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Continuous wave 连续波Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Cooling 冷却Copper interconnection system 铜互连系统Corrosion 腐蚀Coupling 耦合Covalent 共阶的Crossover 交叉Critical 临界的Cross—section 横断面Crucible坩埚Cryogenic cooling system 冷却系统Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Cubic crystal system 立方晶系Current density 电流密度Curvature 曲率Current drift/drive/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curve 曲线Custom integrated circuit 定制集成电路Cut off 截止Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J)）Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Decade 十进制Decibel (dB）分贝Decode 解码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep energy level 深能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius（centigrade）/Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Detector 探测器Developer 显影剂Diamond 金刚石Die 芯片（复数dice)Diode 二极管Dielectric Constant 介电常数Dielectric isolation 介质隔离Difference—mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dimension （1）尺寸(2）量钢(3)维,度Diode 二极管Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Directional antenna 定向天线Discharge 放电Discrete component 分立元件Disorder 无序的Display 显示器Dissipation 耗散Dissolution 溶解Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Dose 剂量Double—diffusive MOS（DMOS）双扩散MOS Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Dual-polarization 双偏振，双极化Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effect 效应Effective mass 有效质量Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM）电可擦除只读存储器Electrode 电极Electromigration 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electron—beam 电子束Electroluminescence 电致发光Electron gas 电子气Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt （eV）电子伏Electro—optical 光电的Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边(拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量(E—K）图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOSEnteric （低）共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Epoxy 环氧的Equivalent circuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Equipment 设备Erasable Programmable ROM （EPROM）可搽取（编程）存储器Erbium laser 掺铒激光器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Exponential 指数的Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Fabry—Perot amplifier 法布里—珀罗放大器Face - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan—in 扇入Fan—out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快表面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Femi potential 费米势Fiber optic 光纤Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Figure of merit 品质因数Filter 滤波器Filled band 满带Film 薄膜Fine pitch 细节距Flash memory 闪存存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flatness 平整度Flexible 柔性的Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-chip 倒装芯片Flip— flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Focal plane 焦平面Forbidden band 禁带Formulation 列式，表达Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting 正向阻断/导通Free electron 自由电子Frequency deviation noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium—Arsenide（GaAs）砷化镓Gallium Nitride 氮化镓Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gate width 栅宽Gauss（ian) 高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生—复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge）锗Gold 金Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Graphene 石墨烯Grating 光栅Green laser 绿光激光器Ground 接地Grown junction 生长结Guard ring 保护环Guide wave 导波波导Gunn — effect 狄氏效应Gyroscope 陀螺仪Hardened device 辐射加固器件Harmonics 谐波Heat diffusion 热扩散Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Hell — effect 霍尔效应Hertz 赫兹Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS(H-MOS)高性能MOS器件High power 大功率Hole 空穴Homojunction 同质结Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrier 热载流子Hybrid integration 混合集成Illumination (1）照明(2）照明学Image — force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Inch 英寸Incremental resistance 电阻增量(微分电阻）In-contact mask 接触式掩模Index of refraction 折射率Indium 铟Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物Inductance 电感Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input power 输入功率Insertion loss 插入损耗Insulator 绝缘体Insulated Gate FET（IGFET）绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑Integration 集成、积分Integrated Circuit 集成电路Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions 国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁Laser 激光器Laser diode 激光二极管Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Lead 铅Leakage current （泄）漏电流Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode（LED) 发光二极管Linearity 线性化Liquid 液体Lock in 锁定Longitudinal 纵向的Long life 长寿命Lumped model 集总模型Magnetic 磁的Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass — action law 质量守恒定律Master—slave D flip-flop 主从D 触发器Matching 匹配Material 材料Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间Mechanical 机械的Membrane （1)薄腊，膜片(2）隔膜Megeto — resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体FET Metalorganic Chemical Vapor Deposition MOCVD 金属氧化物化学汽相淀积Metallization 金属化Metal oxide semiconductor (MOS)金属氧化物半导体MeV 兆电子伏Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Microelectromechanical System (MEMS）微电子机械系统Microwave 微波Millimeterwave 毫米波Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管Mount 安装Multiplication 倍增Modulator 调制Multi—chip IC 多芯片ICMulti-chip module（MCM）多芯片模块Multilayer 多层Multiplication coefficient 倍增因子Multiplexer 复用器Multiplier 倍增器Naked chip 未封装的芯片（裸片）Nanometer 纳米Nanotechnology 纳米技术Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Negative—temperature-coefficient负温度系数Nesting 套刻Noise figure 噪声系数Nonequilibrium 非平衡Nonvolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Nuclear 核Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP)运算放大器Optical photon 光子Optical quenching 光猝灭Optical transition 光跃迁Optical—coupled isolator 光耦合隔离器Organic semiconductor 有机半导体Orientation 晶向、定向Oscillator 振荡器Outline 外形Out—of-contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output power 输出功率Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over—current protection 过流保护Over shoot 过冲Over—voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Pass band 通带Passivation 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Pattern 图形Payload 有效载荷Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent—storage circuit 永久存储电路Period 周期Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photonic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺Photoluminescence 光致发光Photo resist （光敏）抗腐蚀剂Photo mask 光掩模Piezoelectric effect 压电效应Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应) Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plane 平面的Plasma 等离子体Plate 板电路板P—N junction pn结Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor 聚合物半导体Poly—silicon 多晶硅Positive 正的Potential (电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power electronic devices电力电子器件Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Print—circuit board(PCB）印制电路板Probability 几率Probe 探针Procedure 工艺Process 工艺Projector 投影仪Propagation delay 传输延时Proton 质子Proximity effect 邻近效应Pseudopotential method 赝势法Pump 泵浦Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级Q Q值Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level 准费米能级Quartz 石英Radar 雷达Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative — recombination 辐照复合Radio 无线电射电射频Radio-frequency RF 射频Raman 拉曼Random 随机Range 测距Radio 比率系数Ray 射线Reactive sputtering source 反应溅射源Real time 实时Receiver 接收机Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Record 记录Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器(管）Rectifying contact 整流接触Red light 红光Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Regulate 控制调整Relative 相对的Relaxation 驰豫Relaxation lifetime 驰豫时间Relay 中继Reliability 可靠性Remote 远程Repeatability 可重复性Reproduction 重复制造Residual current 剩余电流Resonance 谐振Resin 树脂Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Resolution 分辨率Response time 响应时间Return signal 回波信号Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Ribbon 光纤带Ridge waveguide 脊形波导Ring laser 环形激光器Rotary wave 旋转波Run 运行Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3) Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Scan 扫描Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schematic layout 示意图，简图Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Screen 筛选Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor laser半导体激光器Semiconductor-controlled rectifier 半导体可控硅Sensitivity 灵敏度Sensor 传感器Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shaping 成型Shield 屏蔽Shifter 移相器Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride（Si3N4）氮化硅Silicon On Insulator 绝缘体上硅Silver whiskers 银须Simple cubic 简立方Simulation 模拟Single crystal 单晶Sink 热沉Sinter 烧结Skin effect 趋肤效应Slot 槽隙Slow wave 慢波Smooth 光滑的Subthreshold 亚阈值的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Solution 溶液Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Space Craft 宇宙飞行器Spacing 间距Specific heat（PT) 比热Spectral 光谱Spectrum 光谱(复数) Speed—power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spot 斑点Spray 喷涂Spreading resistance 扩展电阻Sputter 溅射Square root 平方根Stability 稳定性Stacking fault 层错Standard 标准的Standing wave 驻波State—of-the-art 最新技术Static characteristic 静态特性Statistical analysis 统计分析Steady state 稳态Step motor 步进式电动机Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Stopband 阻带Storage time 存储时间Stress 应力Stripline 带状线Subband 次能带Sublimation 升华Submillimeter 亚毫米波Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superconductor 超导（电）体Superlattice 超晶格Supply 电源Surface mound表面安装Surge capacity 浪涌能力Switching time 开关时间Switch 开关Synchronizer 同步器，同步装置Synthetic—aperture 合成孔径System 系统Technical 技术的，工艺的Telecommunication 远距通信，电信Telescope 望远镜Terahertz 太赫兹Terminal 终端Template 模板Temperature 温度Tensor 张量Test 测试试验Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thick- film technique 厚膜技术Thin— film hybrid IC 薄膜混合集成电路Thin—Film Transistor(TFT）薄膜晶体Three dimension 三维Threshold 阈值Through Silicon Via 硅通孔Thyistor 晶闸管Time resolution 时间分辨率Tolerance 公差T/R module 发射/接收模块Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging（stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition—metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transmissivity 透射率Transmitter 发射机Transceiver 收发机Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Travelling wave 行波Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Tolerance 容差Tube 管子电子管Tuner 调节器Tunnel(ing）隧道（穿)Tunnel current 隧道电流Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Ultrabright 超亮的Ultrasonic 超声的Underfilling 下填充Undoped 无掺杂Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity- gain frequency 单位增益频率Unilateral—switch 单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence（value）band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Variable 可变的Vector 矢量Vertical 垂直的Vibration 振动Visible light 可见光Voltage 电压Volt 伏特Wafer 晶片Watt 瓦Wave guide 波导Wavelength 波长Wave—particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wetting 浸润Wideband 宽禁带Wire 引线Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件X-ray X射线Yield 成品率Zinc 锌。

各向异性介质球电磁散射解析解研究(耿友林)

18/21
2
见附件代表性论文目录主要完成人姓名排名技术职称工作单位耿友林排名1教授杭州电子科技大学官伯然排名2教授杭州电子科技大学主要完成单位杭州电子科技大学提名单位浙江省教育厅提名意见各向异性介质球电磁散射解析解研究属于基础性理论研究给出了一种新的研究各向异性介质电磁散射的解析方法该成果在国内外共发表文章33篇其中一级及以上期刊上论文19篇高水平文章12篇代表作8篇文章其中7篇所发表的国际期刊2019年的影响因子共2164共被sci论文他引了251次
Wu Xinbao, Li
spherical shell/IEEE Antennas and 100-103
Lewei
Wireless Propagation Letters
2004/6
20/23
6 Geng Youlin, Analysis of electromagnetic scattering by
2003,38(6):
Wu Xinbao, Li a plasma anisotropic sphere/Radio
2003/12
Lewei
Science
1104
44/52
7
Scattering of a Plane Wave by an
Anisotropic Plasma-Coated Conducting 2011,2011:
2011/11
Qiu Chengwei, An Analytical Approach/IEEE Trans. :4364-4368
16/16
Antennas and Propagation
5
Characterization of electromagnetic

各向异性介质与导体组合目标电磁散射的快速算法研究的开题报告

各向异性介质与导体组合目标电磁散射的快速算法研究的开题报告一、研究目的本研究旨在开发一种基于快速算法的各向异性介质与导体组合目标电磁散射计算方法，通过优化计算复杂度，提高计算效率，为电磁散射计算领域的进一步研究提供支持。

二、研究内容1. 各向异性介质与导体组合目标电磁散射的基本理论；2. 快速算法的概念及原理；3. 基于快速算法的各向异性介质与导体组合目标电磁散射计算方法研究；4. 算法实现及性能分析。

三、研究方法本研究主要采用数值计算方法，结合快速算法对各向异性介质与导体组合目标电磁散射进行计算与分析。

具体研究方法包括理论分析、数值模拟、算法实现与性能优化等。

四、研究意义1. 为各向异性介质与导体组合目标电磁散射计算提供快速、高效的数值方法，提高计算精度和效率；2. 优化电磁散射计算算法，拓展电磁散射计算的研究领域及深度；3. 推动电磁散射计算技术的发展，为电磁场探测、照明和成像等应用领域的实现提供支持。

五、研究步骤1. 阅读相关文献，了解各向异性介质与导体组合目标电磁散射计算的基本理论和方法；2. 研究快速算法的基本原理和实现方式；3. 设计基于快速算法的各向异性介质与导体组合目标电磁散射计算方法；4. 实现算法并进行性能分析与改进；5. 对算法进行实验验证，比较其计算效率和精度与传统算法的差异。

六、预期成果1. 完成各向异性介质与导体组合目标电磁散射的快速算法研究；2. 实现基于快速算法的各向异性介质与导体组合目标电磁散射计算方法；3. 改进算法性能，提升计算效率和精度；4. 在实验中验证算法的准确性和实用性，为电磁散射计算领域的进一步研究提供支持。

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方向 , 丫指向方向 , ’ 与此点的表面法向方向一致 ,如图所示。图中为用犷为常数的平面切割旋转体得到曲线的弧长。为用 ’ 为常数的平面切割旋转体得到曲线的弧长。切割得到的曲面单元尸与切平面在尸点相切 ,这样曲面单元的边。界条件可由二维平面作替换
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式中心和鱿
表面切向电磁场关系的零阶近似 ,高阶张量阻抗边切向电磁场关系。通常在无限大平面上导
号嗡从中 , 二管二子、币
,
出 ,对于曲面目 ,这一边界条件不能直接应用 ,需标计及目标表面曲率的影响。本文将采用曲面目标局部平面近似的方法 ,研究皿在曲面目上应标用的途径和影响精度的因素。
作者简介赵惠玲
一 , ,西北工业大学副教授 ,博士 ,主要从事电磁散射、女复杂介质及天线理论与应用的研究。
第期
赵惠玲等各向异性介质涂覆曲面导体目标的散射
雷达散射截面的定义 ,各向异性介质涂覆柱面导体目的归一化的雷达散射截面标
,百 ,衬内
表示为
帅了, 、
竺— ‘ 人。
三
,可以更为精确地描述目表面标
的平面波 ,垂直人射到柱体表面。
的导出
采用局部平面近似在柱面目标外表面研究点处作其切平面 ,该点处局部平面坐标下的即为柱面目标的二阶柱面皿面坐标之间的关系 ,将一维二阶竹。根据局部平面坐标与柱
, 变换为
二会二爹
,卜管二子 , 。
“
晋二爹。 ,卜卜会二子。币传拍从。 ‘,
二合子、。 ‘
当时 , 式确定了式退化为。
散射场计算
“
,
各向异性介质涂覆柱面导体目标
半径为厚度为
收稿日期
的无限长理想导体圆柱外 ,均匀涂覆的各向异性介质 ,人射波为任意极化
刀一
二处的切向电磁场分量的关
一
系 ,为此可以用阻抗柱来等效原问题。由柱面目标
。面建立混合积分方表
,只需求解涂覆目标外表面
涂覆圆柱的双站雷达散射截面如图所示。由图可以看出 , 解与精确解非常吻合 ,最大误差小于差超过
甲
「 ,
叮 ’雪 ‘ 。巴
式中【」为反射系数 ,可由
式导出
。
洲一卜队洲一
少凡、一、几幼
各向异性介质涂覆旋转体目标
旋转体外均匀涂覆一层各向异性介质 ,用上定义局部坐标的方向矢量六价和的导出二维曲面上的皿可以通过平面竹的转换获得。转换过程分为上建立局部直角坐标系步首先 ,在曲面目标功表
竺方
二一念 “‘’ ,‘
、分别为等效电流和磁流的展中一羡Fra bibliotek “‘, 羡凡 ,
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一
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,
计算举例
为验证以上阻抗边界条件的精度和适用性 ,编程计算各向异性介质涂覆柱面和旋转体目标的电磁散射。电各向异性介质参数形式为二刀一 ,其中为单位张量 ,。为各向异性介质光轴取向 , 二。拼涂覆柱面导体目标的电磁散射算例选取 , 刀。金属柱半径覆柱半径。涂 ,
中图分类号二
将各向异性介质用作涂覆材料 ,不仅能有效提高飞行器的强度、耐热等物理性能 ,同时也为目的标低可探测性优化设计提供了更多的材料参数设计自由度。然而 ,由于各向异性介质的张量电磁参数形式 ,而使得精确分析各向异性介质涂覆导体目标的电磁散射极其复杂和困难 , 特别是对于曲面目标〔〕 ‘ 。引人阻抗边界条件可以避开介质中并矢格林函数的推导和计算等难点问题 ,大大简化积分方程法的分析过程和数值解的计算量边界条件皿界条件皿。张量阻抗是对各向异性介质涂覆导体目标
图
扮协石酬
,
狂
旋转体曲面面元平面等效示意图
示涂覆介质外围边界 , , 表示导体边界。在边界面
展开。币坐标下的、
的切向电磁场可作代
换
。升一 , 叶 , ,凡丈 ,从一 , 与混凡再合积分方程联立即可求解出等效电磁流。由互易定
理及的定义 ,各向异性介质涂覆旋转体的表示为月、小
拍年
第卷第
月
期
西北工业大学学报
俪
各向异性介质涂覆曲面导体目标的散射
赵惠玲 , 万国宾 , 万伟 , 许家栋
西北工业大学电子信息学院 , 陕西西安
摘
要由于各向异性介质电磁参数为张量形式 ,使得各向异性介质涂覆导体目标的电磁散射建模和
精确计算相当复杂和困难。引入高阶张量队杭边界条件 ,可以大大简化建模过程 ,提高计算效率。论文针对各向异性介质涂覆曲面导体目标 ,采用基于平面近似的高阶张量阻杭边界条件 ,将一维二阶张量队杭边界条件应用于柱面涂覆目标 ,二维二阶张量阻抗边界条件应用于三维曲面涂覆目标上 ,建立二者的高阶张量队抗边界条件解。设计算例仿真 ,并与精确粉矩量法解比较。通过仿真 ,研究了各向异性介质涂覆目标电尺寸、涂覆厚度以及目标形状对高阶张量阻杭边界条件解的精度的影响。关键词电磁散射 ,阻抗边界条件 ,各向异性介质 , 曲面目标文献标识码文章编号一刃
二一釜 ‘ “‘, 一釜 ,
其次 ,应用微分几何的有关知识 ,将关于弧长、的偏微分再转换为对、中的导数形式 ,各导数均对应切点处的值此处二。式就变为一对、币坐标下的散射场计算根据等效原理 , 在程川 ,由于采用皿。
淤 “‘’ , ,
人 , 极化人射。向异性介质。各