固体与半导体物理(第二章)

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半导体物理学第二章

半导体物理学第二章

电离能的大小:
• 硅中掺磷为0.044,掺硼为0.045(eV)。 • 锗中掺磷为0.0126,掺硼为0.01(eV)。 • 这种电离能很小,杂质可以在很低的温度下电离。故称之 为“浅能级杂质”,在室温几乎全部电离。 • 杂质能级用短线表示,因杂质浓度与硅相比很低,杂质原 子相互之间几乎无作用,杂质能级相同,量子的排斥原理 对低浓度的杂质掺杂不起作用。

h 0 0 . 53 氢原子玻尔轨道半径为 r0 Å, 2 q m0 * 根据杂质类氢模型将 r 0 代替 0 ,以 mn 代
2
替m0 ,可得杂质等效玻尔半径

h r 0 r 2 * q mn
2
0 r h m0 r 2 * r * r0 q mn mn
• 中性Au0为与周围四个Ge原子形成共价键,还可以依次由价带
再接受三个电子,分别形成EA1,EA2,EA3三个受主能级。价 带激发一个电子给Au0,使之成为单重电受主离化态Au-,电离 能为EA1-Ev ;从价带再激发一个电子给Au-使之成为二重电受 主离化态 Au= ,所需能量为EA2-Ev;从价带激发第三个电子给
杂质在GaAs中的位置
间隙式 替 族原子 替位式替V族原子
替代Ⅲ族时,周围是四个Ⅴ 族原子 替代Ⅴ族时,周围是四个Ⅲ 族原子
• IV族元素碳、硅、锗等掺入III-V族化合物中,若取代III族 元素起施主作用;若取代V族元素起受主作用。总效果是 施主还是受主与掺杂条件有关。
半导体的掺杂
受主:掺入在半导体中的杂质原子,能够向半导体中提供导电的空穴, 并成为带负电的离子。如Si中的B
EC
B
EA
EA EV
P型半导体
受主能级

半导体物理知识归纳及习题讲解 2

半导体物理知识归纳及习题讲解 2

半导体物理绪 论 一、什么是半导体导体半导体 绝缘体 电导率ρ <310- 9310~10- 910> cm ∙Ω此外,半导体还有以下重要特性1、 温度可以显著改变半导体导电能力例如:纯硅(Si ) 若温度从 30C 变为C 20时,ρ增大一倍2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如:若有100万硅掺入1个杂质(P . Be )此时纯度99.9999% ,室温(C27 300K )时,电阻率由214000Ω降至0.2Ω3、 光照可以明显改变半导体的导电能力例如:淀积在绝缘体基片上(衬底)上的硫化镉(CdS )薄膜,无光照时电阻(暗电阻)约为几十欧姆,光照时电阻约为几十千欧姆。

另外,磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。

综上:● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电,微量杂质等作用而改变其性质的材料。

二、课程内容本课程主要解决外界光、热、磁、电,微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。

预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构晶体:常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体固体非晶体:非晶硅(太阳能电池主要材料)晶体的基本性质:固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子(离子)在较大范围里(610-m )按一定方式规则排列——称为长程有序。

单晶:主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。

多晶:由子晶粒杂乱无章的排列而成。

非晶体:没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序,仅在较小范围(几个原子距)存在结构有序——短程有序。

§1 化学键和晶体结构1、 原子的负电性化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。

电离能:失去一个价电子所需的能量。

亲和能:最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。

(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=(亲和能+电离能)18.0⨯ (Li 定义为1)● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。

● 价电子向负电性大的原子转移ⅠA 到ⅦA ,负电性增大,非金属性增强同族元素从上到下,负电性减弱,金属性增强2、 化学键的类型和晶体结构的规律性ⅰ)离子晶体:(NaCl)由正负离子静电引力形成的结合力叫离子键,由离子键结合成的晶体叫离子晶体(极性警惕)● 离子晶体的结构特点:任何一个离子的最近邻必是带相反电荷的离子。

第二章 半导体及其本征特征解读

第二章 半导体及其本征特征解读

3、本征半导体中的两种载流子
运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时,带负电的自由电 子和带正电的空穴均参与导电, 且运动方向相反。由于载流子数 目很少,故导电性很差。 温度升高,热运动加剧,载 流子浓度增大,导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 两种载流子
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?
导带底与价带顶之间的能量差半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子但与真空中的自由粒子不同考虑了晶格作用后的等效粒子有效质量可正可负取决于与晶格的作用受主掺杂施主掺杂二杂质半导体杂质半导体主要靠多数载流子导电
第二章 半导体物理和器件物理基础
Recap:
主要知识点和阅读章节
• • • • • • 1、半导体材料基本特性 2、pn结 3、双极晶体管 4、场效应管 阅读教材第二章 阅读康华光《电子技术基础-模拟部分(第 五版)》第1、2、3、4、5章.
• 参考教材: • [1] 童诗白,华成英(著).模拟电子技术基础 (第四版)[M].北京:高等教育出版社,2006. • [2] 康华光(著).电子技术基础:模拟部分(第 五版))[M].北京:高等教育出版社,2010.
第一讲 半导体物理基础
• 2.1 半导体及其基本性质
• 2.2 半导体中的载流子
在非本征情形:
np n
2 i
n p
N型半导体:n大于p
P型半导体:p大于n
多子:多数载流子
n型半导体:电子 p型半导体:空穴
少子:少数载流子
n型半导体:空穴 p型半导体:电子
7. 电中性条件: 正负电荷之和为0
p + N d – n – Na = 0
施主和受主可以相互补偿
p = n + Na – Nd n = p + N d – Na

半导体物理第二章概述

半导体物理第二章概述

半导体的导带和价带中,有很多能级存在,间隔 很小,约10-22eV,可以认为是准连续的。
• 状态密度:能带中能量E--E+dE之间有dZ个量子态。
dZ g (E) = dE
即状态密度是能带中能量E附近单位 能量间隔内的量子态数目
怎样理解状态密度?
1、理想晶体的k空间的状态密度
(1):一维晶体(一维单原子链) 设它由N个原子组成,晶格常数为a,晶体的长为L=aN, 起点在x处
一定到达某点,只给出到达各点的统计分布。粒子在
某点出现的几率与波函数的强度
*成正比
2
5、 自由电子波函数 解自由电子薛定谔方程可得自由电子波函数与能量:
( x) Ae 式中k
i ( kx t ) 2

E
k
2
2m0
2

,m0 为电子惯性质量,ห้องสมุดไป่ตู้角频率
自由电子速度
·
· 2
L
·
0
· 2
L
·
k
(2).三维立方晶体
设晶体的边长为L,L=N× a,体积为V=L3
K空间中的状态分布
kz
kx
• • • • • • 2 • • L • • • • •• •• • • • • • • • • • • • • • • •
3
• • • • • • • • • • • • • •
* 0 。 2、对于能带底,E(k)>E(0),顾 mn
半导体中的电子
k2 E (k ) E (0) * 2mn
1 d 2E 1 * 2 2 dk k 0 mn
2
自由电子能量:
k2 E 2m

半导体物理学第二章答案

半导体物理学第二章答案

半导体物理学第2章习题及答案1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?答:(1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。

(2)理想半导体是纯净不含杂质的,实际半导体含有若干杂质。

(3)理想半导体的晶格结构是完整的,实际半导体中存在点缺陷,线缺陷和面缺陷等。

2. 以As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

As有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键,还剩余一个电子,同时As原子所在处也多余一个正电荷,称为正离子中心,所以,一个As 原子取代一个Ge原子,其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电子束缚在正电中心,但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚,成为在晶格中导电的自由电子,而As原子形成一个不能移动的正电中心。

这个过程叫做施主杂质的电离过程。

能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心,称为施主杂质或N型杂质,掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。

3. 以Ga掺入Ge中为例,说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。

Ga有3个价电子,它与周围的四个Ge原子形成共价键,还缺少一个电子,于是在Ge 晶体的共价键中产生了一个空穴,而Ga原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心,所以,一个Ga原子取代一个Ge原子,其效果是形成一个负电中心和一个空穴,空穴束缚在Ga原子附近,但这种束缚很弱,很小的能量就可使空穴摆脱束缚,成为在晶格中自由运动的导电空穴,而Ga原子形成一个不能移动的负电中心。

这个过程叫做受主杂质的电离过程,能够接受电子而在价带中产生空穴,并形成负电中心的杂质,称为受主杂质,掺有受主型杂质的半导体叫P型半导体。

4. 以Si在GaAs中的行为为例,说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。

Si 取代GaAs 中的Ga 原子则起施主作用; Si 取代GaAs 中的As 原子则起受主作用。

半导体第二章习题解析

半导体第二章习题解析

等m效0玻尔半径
(Ge: ,Si:
)试,计基r 算质16G相e对r,S价i浅h电施q2常2r主rm数n*0的12束缚
2-2
硅中掺入某种施主杂质,设其电子有效质
量 mn* ,0计.2算6m电0 离能为多少?若
,其电
离能又m为n* 多 0少.4?m0这两种值中哪一种更接近实验值?
解答:利用类氢原子模型:
E Di
mn* m0
E0
2 r
E0 13.6eV , 对Si : r 12
mn*
0.26m0 , Eni
第二章
PowerPoint2003
《半导体物理》第二章
2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2-5(2)
2-6 2-6(2) 2-7 2-8 2-8(2)
2-1
掺入锗,硅晶体中的杂质通常有磷,铟,锑,硼, 砷,铝,镓,铋,
其中哪些是施主杂质? 哪些是受主杂质?
解答:
磷,砷,铋,锑为Ⅴ族元素,为施主杂质 硼,铝,镓,铟为Ⅲ族元素,为受主杂质。
解答: 施主能级和受主能级分别以D和A表示: 如下图:
硅晶体中(eV)
锗晶体中(eV)
类型
Au D A
Ag D A
Cu A Fe D Zn A Cd A Ni A
位置
类型
EV 0.35
D
EC 0.54
A
EV 0.32
A
EC 0.29
A EV 0.24, EV 0.37, EV 0.52
E1
a
Z
2 e ff
25 128
5 4
Z eff
E2
aZ
2 eff
将 E2 0.055 2.475 2 0.3365 eV EAi2

半导体物理基础

半导体物理基础

第二章半导体物理基础2.1 半导体材料固态材料可分为三类,即绝缘体、半导体及导体。

图1列出了这三类中一些重要材料的电导率(electrical conductive)σ(及对应电阻率ρ=1/σ)的范围。

图1 典型绝缘体、半导体及导体的电导率范围绝缘体如熔融石英及玻璃有很低的电导率,大约介于20-18S/cm到10-8S/cm之间;而导体如铝及银有较高的电导率,一般介于104S/cm到106/cm之间。

半导体到电导率则介于绝缘体及导体之间。

它易受温度、照光、磁场及微量杂质原子(一般而言,大约1kg的半导体材料中,约有1μg~1g的杂质原子)的影响。

正是半导体的这种对电导率的高灵敏度特性使半导体成为各种电子应用中最重要的材料之一。

2.1.1 元素(element)半导体有关半导体材料的研究开始于19世纪初,表1 列出周期表中有关半导体元素的部分。

在周期表第IV族中的元素如硅(Si)、锗(Ge)都是由单一原子所组成的元素半导体。

在20世纪50年代初期,锗曾是最主要的半导体材料,但自60年代初期以来,硅已取代之成为半导体制造的主要材料。

现今我们使用硅的主要原因,乃是因为硅器件在室温下有较佳的特性,且高品质的硅氧化层可由热生长的方式产生,经济上的考虑也是原因之一,可用于制造器件等级的硅材料,远比其他半导体材料价格低廉。

在二氧化硅及硅酸盐中的硅含量占地表的25%,仅次于氧。

到目前为止,硅可说是周期表中被研究最多且技术最成熟的半导体元素。

表1 周期表中与半导体相关的部分2.1.2 化合物(compound)半导体近年来一些化合物半导体已被应用于各种器件中。

表2列出与两种元素半导体同样重要的化合物半导体。

二元化合物半导体是周期表中的两种元素组成。

例如,III-V族元素化合物半导体砷化镓(GaAs)是由III族元素镓(Ga)及V族元素砷(As)所组成。

除了二元化合物(binary compounds)半导体外,三元(ternary compounds)及四元化合物(quaternary compounds)半导体也各有其特殊用途。

半导体物理学简明教程答案陈志明编第二章-半导体中的载流子及其输运性质-课后习题答案

半导体物理学简明教程答案陈志明编第二章-半导体中的载流子及其输运性质-课后习题答案

半导体物理学简明教程答案陈志明编第二章-半导体中的载流子及其输运性质-课后习题答案半导体物理学简明教程 0第二章 半导体中的载流子及其输运性质1、对于导带底不在布里渊区中心,且电子等能面为旋转椭球面的各向异性问题,证明每个旋转椭球内所包含的动能小于(E -E C )的状态数Z 由式(2-20)给出。

证明:设导带底能量为CE ,具有类似结构的半导体在导带底附近的电子等能面为旋转椭球面,即⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=-l t C m k m k k E k E 23222122)(与椭球标准方程2221122221k k k a b c++=相比较,可知其电子等能面的三个半轴a 、b 、c 分别为212])(2[ c t E E m b a -==212])(2[c l E E m c -=于是,K 空间能量为E 的等能面所包围的体积即可表示为232122)()8(3434C t l E E m m abc V -==ππ因为k 空间的量子态密度是V/(4π3),所以动能半导体物理学简明教程0半导体物理学简明教程 02/132/3*2)()2(2)(E E m V E g Vp V -= π2、完成本章从式(2-42)到(2-43)的推演,证明非简并半导体的空穴密度由式(2-43)决定。

解:非简并半导体的价带中空穴浓度p 0为 dE E g E f p VB E E VV)())(1('0-=⎰带入玻尔兹曼分布函数和状态密度函数可得dE E E TK E E m p V E E Fp VV21'0323*20)()exp()2(21--=⎰π令,)()(0T K E Ex V-=则121021)()(x T K E E V =-Tdxk E E d V 0)(=-将积分下限的E'V (价带底)改为-∞,计算可得)exp()2(202320*0TK E E T k m p FV p -=π令3230*2320*)2(2)2(2h T k m T k m N p p V ππ==则得)ex p(00Tk E E N P VF V --=半导体物理学简明教程 13、当E -E F =1.5kT 、4kT 、10kT 时,分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据这些能级的几率,并分析计算结果说明了什么问题。

半导体物理第二章

半导体物理第二章

反键态
3p
导带
sp3
3s 成键态 价带
半导体物理第二章
晶体中的电子与孤立原子中的电子不同,也和自由运动 的电子不同。孤立原子中的电子是在该原子的核和其他 电子的势场中运动,自由电子是在一恒定为零的势场中 运动,而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子 间运动。
研究发现,电子在周期性势场中运动的基本特点和自由 电子的运动十分相似。下面先简单介绍一个自由电子的 运动。
➢ 组成晶体的原子的外层电子共有化运动较强,其行为与自由电子 相似,常称为准自由电子。而内层电子的共有化运动较弱,其行 为与孤立原子中的电子相似。
半导体物理第二章
E-k关系
对于无限晶体,波失 k 可以连续取值;对于某一确定的 k值,
薛定谔方程存在一系列分立的能量本征值Enk和相应的本征函数
nk (r) ,能量本征值En随ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ矢 k 是连续变化的。可以用 k
• 随着原子与原子愈来愈近,电子轨道交叠愈多,电子不 再完全局限于一定的原子,而可以在整个晶体中运动 (电子共有化)。电子兼有原子运动和共有化运动。只 有在最外层电子的共有化特征才是显著的。
半导体物理第二章
原子能级与能带的对应
❖ 对于原子的内层电子,其电子
E
轨道很小,因而形成的能带较
窄。这时,原子能级与能带之
半导体物理第二章
多电子问题 单电子问题
为了计算具体晶体中的本征态和相应的能量本征值,必须得 到包括和原子核以及和其它电子的相互作用在内的周期势场 U(x), 并对单个电子求解薛定谔方程。
2 [
2U(x) ](x)E(x)
2m
这是一个自洽问题,因为势场U(x)依赖于晶体中电子所处的 具体状态,称为自洽势。

半导体物理学答案 第二章

半导体物理学答案  第二章

第五章 金属-半导体接触1、 用不同波长的光照射置于真空中的金、银、铜三种金属和施主浓度皆为1×1016cm -3的锗、硅、砷化镓三种半导体的清洁表面,欲使其向真空发射电子,求各自的激发光临界波长。

计算时需要的相关参数见表5-1和5-2(下同)。

解:根据能量与波长关系:λγchh E ==可得Ehc =λ 金、银、铜三种金属的功函数分别为5.20eV 4.42eV 4.59eV 施主浓度皆为1×1016cm -3的锗、硅、砷化镓三种半导体的功函数分别为 4.31eV 4.25eV 4.17eV对于金:nm E hc 239106.120.51031062.619834=⨯⨯⨯⨯⨯==--λ 对于银:nm E hc 281106.142.41031062.619834=⨯⨯⨯⨯⨯==--λ对于铜:nm E hc 270106.159.41031062.619834=⨯⨯⨯⨯⨯==--λ 对于锗:nm E hc 288106.131.41031062.619834=⨯⨯⨯⨯⨯==--λ 对于硅:nm E hc 292106.125.41031062.619834=⨯⨯⨯⨯⨯==--λ对于砷化镓:nm E hc 298106.117.41031062.619834=⨯⨯⨯⨯⨯==--λ 2、 计算N D = 5×1016cm -3 的n-Si 室温下的功函数。

将其分别与铝、钨、铂三种金属的清洁表面相接触,若不考虑表面态的影响,形成的是阻挡层还是反阻挡层?分别画出能带图说明之。

解:设室温下杂质全部电离,则其费米能级由n 0=N D =5⨯1015cm -3求得:17C C C 19C 10ln 0.026ln 0.15 eV 2.810D F NE E kT E E N =+=+=-⨯ 其功函数即为:C () 4.050.15 4.20V SF W E E e χ=+-=+=若将其与功函数较小的Al (W Al =4.18eV )接触,则形成反阻挡层,若将其与功函数较大的Au (W Au =5.2eV )和Mo (W Mo =4.21eV )则形成阻挡层。

刘诺-半导体物理学- 第二章

刘诺-半导体物理学-   第二章

UESTC Nuo Liu
受 主 电 离 能:△EA=EA-EV
EC
受主电离能(束缚能) 受主电离能(束缚能) 是使被俘获的空摆脱 束缚, 束缚,从而可以参与 传导电流所需的能量。 传导电流所需的能量。 空穴浓度 0>电子浓度 0 空穴浓度p 电子浓度 电子浓度n
EA EV
UESTC Nuo Liu
半导体物理
SEMICONDUCTOR PHISICS
教案:刘诺 教案:刘诺 副教授 独立制作: 独立制作 刘 诺 副教授
电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系 Nuo Liu
UESTC
第二章 半导体中的杂质和缺陷能级
KEY 1、本征激发与本征半导体的特征 、
n0= p0
2、杂质半导体与杂质电离 、
(1)施主与 型半导体 : )施主与n型半导体 电子浓度n 空穴浓度 电子浓度 0 >空穴浓度 p0 (2)受主与 型半导体 : )受主与p型半导体 电子浓度n 空穴浓度 p0>电子浓度 0 电子浓度
UESTC Nuo Liu
§2.1 Si、Ge晶体中的杂质能级
KEY:1、施主
施主能级 施主电离能 2、受主 受主能级 受主电离能
正、负电荷所处介质: ε = ε0εr 负电荷所处介质:
q2 电势能 U(r) = 4πε0εr r
m q m E0 施 电 能 ED = 主 离 = 2 →(3) m0 εr 8ε ε h
E0 受主电离能 EA = = 2 →(4) m0 εr 8ε ε h m q
* 4 p 2 2 2 0 r
ni——本征载流子浓度 ——本征载流子浓度
UESTC Nuo Liu
(3)n型半导体与p型半导体 型半导体与p

半导体物理及固体物理基础课程大纲

半导体物理及固体物理基础课程大纲

《半导体物理及固体物理基础》课程教学大纲课程名称:半导体物理及固体物理基础课程代码:MICR3021英文名称:Fundamentals of Semiconductor Physics and Solid-State Physics课程性质:专业必修课学分/学时:3/63开课学期:5适用专业:微电子科学与程、电子科学与技术先修课程:量子力学、统计物理后续课程:半导体器件物理、大规模集成电路制造工艺开课单位:电子信息学院课程负责人:王明湘大纲执笔人:张冬利大纲审核人:王明湘一、课程性质和教学目标课程性质:《半导体物理与固体物理基础》课程是微电子科学与技术的一门专业必修课,也是本专业的必修主干课程,是半导体器件物理、大规模集成电路制造工艺等课程的前导课程。

课程旨在使学生掌握半导体物理中的涉及的各种物理机制和基本概念,为分析半导体器件的工作原理打好基础。

教学目标:本课程的教学目的是使学生掌握半导体材料常见特性的物理机制以及基本半导体器件的工作原理。

通过本课程的学习,要求学生能掌握半导体的导电机制、掺杂原理、载流子统计分布、非平衡载流子的概念等,能运用这些理论来分析p-n结、金半接触、 MIS、异质结等基本半导体器件结构的应用原理。

本课程的具体教学目标如下:1、理解固体分类、晶体结构、共价键等基本概念。

【1.3】2、掌握载流子、能带、费米能级等物理概念以及各种载流子输运机制。

【1.3】3、能够根据所学知识计算载流子浓度、费米能级位置以及载流子分布。

【2.1】4、能够利用所学知识解释简单半导体器件的工作原理。

【2.1】5、能够对半导体器件进行测量和参数提取,并对非理想因素进行分析解释。

【4.1】二、课程目标与毕业要求的对应关系三、课程教学内容及学时分配(重点内容:★;难点内容:∆)第一章固体物理预备知识课时:2周,共6课时教学内容第一节半导体的特性及分类(支撑课程目标1)一、什么是半导体★按照电阻率划分二、半导体的基本特性及分类掺杂敏感性,光敏,热敏三、常见的半导体材料元素半导体,化合物半导体第二节半导体科学发展史(支撑课程目标1)一、按年代的发展历程二、与其他学科的关系量子力学,统计物理,固体物理第三节晶体学常识(支撑课程目标1)一、基本晶体结构★SC,FCC,BCC等二、晶格★晶列,晶向,晶面,密勒指数,三、晶体结构类型★基元,点阵,原胞,单胞,简单晶格,复式晶格四、倒格子倒格矢思考题:1、试证体心立方点阵和面心立方点阵互为正倒点阵。

《半导体物理》习题答案第二章

《半导体物理》习题答案第二章
②利用氢原子基态电子的轨道半径
13.6 0.012eV 17
r0
0 h2 52.9 1012 m m0 q 2
可将浅施主杂质弱束缚电子的基态轨道半径表示为
rn

0 r h2 m 17 r o r 52.9 1012 =6 10-8m=60nm * 2 * 0 mn q mn 0.015
补充 1、在硅晶体的深能级图中添加铒 (Er)、钐 (Sm)、钕(Nd)及缺陷深中心(双空位、E 中心、A
第2章
中心)的能级。 (略) 补充 2、参照上列 GaN 中常见杂质及缺陷的电离能参数表(或参考书表 2-4)回答下列问题: 1)表中哪些杂质属于双性杂质? 2)表中还有哪些杂质可能跟这些杂质一样起双重作用,未发现其双重作用的可能原因是什 么? 3)Mg 在 GaN 中起施主作用的电离能为什么比 Si、C 施主的电离能大,且有两个不同值? 4)Ga 取 N 位属何种缺陷,有可能产生几条何种能级,其他能级观察不到的可能原因是什 么? 5)还能不能对此表提出其他问题?试提出并解答之。 答:1)按表中所列,Si、C、Mg 皆既为施主亦为受主,因而是双性杂质。 2)既然 II 族元素 Mg 在 N 位时能以不同电离能 0.26eV 和 0.6eV 先后释放其两个价电子,那么 表中与 Mg 同属 II 族元素的 Be、Zn、Cd、Hg 似也有可能具有类似能力,I 族元素 Li 更有可能在 N 位上释放其唯一的外层电子而起施主作用。现未发现这些杂质的施主能级,原因可能是这些元素释 放一个电子的电离能过大,相应的能级已进入价带之中。 3)Mg 在 GaN 中起施主作用时占据的是 N 位,因其外层电子数 2 比被其置换的 N 原子少很多, 因此它有可能释放其价电子,但这些电子已为其与最近邻 Ga 原子所共有,所受之约束比 Si、C 原子 取代 Ga 原子后多余的一个电子所受之约束大得多,因此其电离能较大。当其释放了第一个电子之后 就成为带正电的 Mg 离子,其第二个价电子不仅受共价环境的约束,还受 Mg 离子的约束,其电离能 更大,因此 Mg 代 N 位产生两条深施主能级。 4)Ga 取 N 位属反位缺陷,因比其替代的 N 原子少两个电子,所以有可能产生两条受主能级, 目前只观察到一条范围在价带顶以上 0.59eV1.09eV 的受主能级, 另一能级观察不到的原因可能是其 二重电离(接受第二个共价电子)的电离能太大,相应的能级已进入导带之中。 (不过,表中所列数 据变化范围太大,不合情理,怀疑符号有误,待查。 ) 5)其他问题例如: 为什么 C 比 Si 的电离能高?答:因为 C 比 Si 的电负性强。 Li 代 Ga 位应该有几条受主能级?答:Li 比 Ga 少两个价电子,应该有两条受主能级。 ……….

半导体物理分章答案第二章

半导体物理分章答案第二章
EC 0.04eV
ED
③Au一:Au0 + e →Au一
EC 0.04eV
ED
Eg
EV
EA 0.15eV
Eg EV
④Au二:Au一 + e →Au二
0.20eV EA2 EA1 0.15eV EC Eg EV
⑤Au三:Au二 + e →Au三
EA3 EA2 EA1 0.15eV EC Eg EV
0.04eV
例如:GaAs中掺Si(IV族)
Si
Si
Ga As
施主
受主
§2.3 缺陷能级
Imperfection Level
1、点缺陷
常见点缺陷
• 空位
• 间隙原子 • 反结构缺陷
哈尔滨工业大学微电子科学与技术系
(1)Si中的点缺陷
以空位、间隙和复合体为主。 • A、空位 V0 + e → V-(受主) V0 - e → V+(施主)
• NA>ND时:p 型半导体 因EA在ED之下,ED上的束缚电子首先填充EA上的空 位,即施主与受主先相互“抵消”,剩余的束缚空穴再电 离到价带上。
有效受主浓度: NA*=NA-ND
• NA≌ND时:杂质高度补偿
高度补偿:若施主杂质浓度与受主杂质尝试相差不大或二 者相等,则不能提供电子或空穴,这种情况称 为杂质的高度补偿。 本征激发的导带电子
m* q 4 p
(4)
(mn*和mp*分别为电导有效质量) 估算结果与实际测量值有 误差,但数量级相同。 这种估算有优点,也有缺 点。 • Ge:△ED~0.0064eV • Si: △ED~0.025eV
6、杂质补偿
半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时,受主杂质 会接受施主杂质的电子,导致两者提供载流子的能力相互 抵消,这种作用称为杂质补偿。 在制造半导体器件的过程中,通过采用杂质补偿的方 法来改变半导体某个区域的导电类型或电阻率。

哈工大--课件半导体物理(第二章)模板

哈工大--课件半导体物理(第二章)模板


ED
mn* m0
E0
2 r
0.1213.6 0.00637eV 162
对于Si,ml=0.98m0 , mt =0.19m0, r =12 代入可得mn* 0.26m0

ED
mn* m0
E0
2 r
பைடு நூலகம்
0.26 13.6 122
0.025eV
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.3 杂质的补偿作用
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.4 深能级杂质
深能级的形成
Ⅵ族杂质.多于两个价电子被两个正电荷的杂质中心束缚, 类似于一个氦原子,其每个电子平均受到大于一电子电荷 的正电中心的作用,从而深能级杂质的电离能比浅能级杂 质要大。在电离出一个电子后,带有两个正电荷的杂质中 心使第二个电子电离需要更大能量,对应更深的能级,所 以Ⅵ族杂质在硅锗中一般产生两重施主能级,如锗中的硒、 碲。
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.1 硅锗晶体中的杂质能级
浅能级杂质:电离能小的杂质称为浅能级杂质。
所谓浅能级,是指施主能级靠近导带底,受主 能级靠近价带顶。
室温下,掺杂浓度不很高的情况下,浅能级杂 质几乎可以可以全部电离。五价元素磷(P)、 锑(Sb)在硅、锗中是浅受主杂质,三价元 素硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In) 在硅、锗中为浅受主杂质。
杂质补偿:半导体中存在施主杂质和受 主杂质时,它们的共同作用会使载流子 减少,这种作用称为杂质补偿。在制造 半导体器件的过程中,通过采用杂质补 偿的方法来改变半导体某个区域的导电 类型或电阻率。
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.3 杂质的补偿作用
1)ND NA : 受主能级低于施主能级,剩余杂质 ND NA

西电半导体物理教案chapter2

西电半导体物理教案chapter2

School of Microelectronics
在图 (a)中,A点的状态和a点的状态 完全相同,也就是由布里渊区一边运 动出去的电子在另一边同时补充进来, 因此电子的运动并不改变布里渊区内 电子分布情况和能量状态,所以满带 电子即使存在电场也不导电。 但对于图(b)的半满带,在外电场的作 用下电子的运动改变了布里渊区内电 子的分布情况和能量状态,电子吸收 能量以后跃迁到未被电子占据的能级 上去了,因此半满带中的电子在外电 场的作用下可以参与导电。
N是固体物理学原胞数,代入布洛赫波函数得到 K=n/Na=n/L (n=0,±1,±2…)
因此波矢k是量子化的,并且k在布里渊区内均匀分布 , 每个布里渊区有N个k值 。
School of Microelectronics
推广到三维
nx L1 ny Ky = L2 nz Kz = L3 Kx =
是半导体中出现的是 mn*,称mn*为导带底电子有效质量。 因导带底附近E(k)>Ec,所以mn* >0。 同样假设价带极大值在k=0处,价带极大值为Ev ,可 以得到
h2k 2 E( k ) Ev = 2mn
1 1 d 2E = 2 2 mn h dk k =0
其中
而价带顶附近E(k)<Ev,所以价带顶电子有效质量mn* <0。
半导体器件和集成电路生产中就是利用杂质补偿作用在n型si外延层上的特定区域掺入比原先n型外延层浓度更高的受主杂质通过杂质补偿作用就形成了p型区而在n型区与p型区的交界处就形成了pn结
半导体物理
SEMICONDUCTOR PHYSICS
西安电子科技大学 微电子学院
School of Microelectronics
School of Microelectronics
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mA MB 0
长光学波反映的是原胞质心不动
B:短波极限 q
min
2 m

2a
(M 2 2 ) B 2 cos qa) A 0 (
B=0,但A≠0 短波极限,重原子不振动,轻原子振动
{2.3 周期边界条件与格波数
q的取值是连续的还是分立的?q的取值数? 实际晶体由有限个原子组成,必须考虑 边界对内部原子振动状态的影响 一.周期边界条件
N个原胞,每个原胞2个原子, 原胞体积(线度)为2a .
m 2 n 1 ( x2 n 2 x2 n 2 x2 n 1 ) x M 2 n ( x2 n 1 x2 n 1 2 x2 n ) x
x 2 n 1 A ei ( q ( 2 n 1) a t ) i ( q 2 na t ) x 2 n Be
U (a ) U (a ) ( U U )a ( )a r 2! r 2
2 2
简谐近似
恢复力:
F
U U ( 2 ) a r
2
力常数
第n个原子受到n-1个原子和n+1个原子的作用力分别为
(1)声学波的振动
2 ( M m) M 2 m 2 2Mm cos(2qa) Mm 1 2 ( M m) ( M m) 2Mm(1 cos(2qa)) 2 Mm
1 2 4Mm ( M m)1 1 sin 2 (qa) 2 Mm ( M m)
2n 2N+2n
周期边界条件:
X 2n X 2 N 2n
2 Nqa 2 s
q
e
i 2 Nqa
1
s
Na


2a
q

2a


2a

s
Na


2a

N N S 2 2
S取N个值,因而q也只能取N个值
(1)q的取值数=原胞数N (2)格波数2N=晶体内原子 的总自由度数 (3)格波支数2=原胞内原子 的自由度数
aq
N Aq e
it
bnq
e iqna N
xn
a
q
q
bnq
b (1) nq 具有正交归一性
* bnq
e iqna N
* bnq
e iqna N
b
q
N
nq
b
* nq
1 N
e
q
N
i ( n n' ) qa
nn'
<
对一个原子,按振动模式求和,每个原子的振动模式数为N。
a


a

2 s Na a

N N S 2 2
S取N个值,因而q也只能取N个值
(1)有限晶格振动状态的波矢q只能取分立值,N个
不同的值在布区内均匀分布,间隔是
2 Na

(2)每个q对应一个振动频率,每个频率对应一个格 波,格波数(振动模式数)等于晶体中的原胞数。 三.一维双原子晶格振动的格波数
i ( qnat )
二.格波
x n Ae i ( qnat )
A:各个原子的振动存在固定的位相关系,位相差 由 qna 决定,相邻两个原子的位相差为
q(n 1)a qna qa
B:如果第m个原子与第n个原子的位相差为
mqa-nqa=2S时,(S为整数),则有:
xm Ae i ( qma t ) Ae i ( 2S qnat ) Ae i ( qnat ) xn

(M m) Mm

M 2 m 2 2 Mm cos(2qa)


1 2
( M m) ( M m) 2 Mm(1 cos(2qa)) Mm
2

1 2 4 Mm ( M m)1 1 sin 2 (qa) Mm ( M m) 2


4a 5
原子分布是离散和周期性的
q限制在一个周期的范围内,即第一布里渊区

a
<q≤

a
max

max
(2)色散关系的对称性
( q ) ( q)
(3)长波极限
A:色散关系
sin
q 0,布区中心
qa qa 2 2

m a q
- /a
O
/a
q

<
B:相速度
E (nl
l 3 Nn
< <
1 )l 2
{2.4 晶格振动的量子化 声子
一.数学处理-正则变换
势能U 1 nm X n X m 2 nm
正则变换
U
m 2 aq2 2 q
独立的谐振子能量之和
E (
q
1 2 m 2 2 pq aq ) 2m 2
量子理论,独立的谐振子能量之和
第二章
晶体振动
两个重要概念: (1)格波 -晶格振动以波的形式传播。 局部的激发将引起整个原子系统的集体振动 (2)声子 - 晶格振动的能量子。 l 分两种情况讨论: (1)一维单原子晶格的振动 (2)一维双原子晶格的振动 步骤: (1)分析原子受力情况,建立运动方程。 (2)建立色散关系,讨论格波性质。 >
2 v p a m q 2 q
c a 弹性模量

m 密度 a
a2
m

c

相邻原子的振动位相差 qa 趋于零,振幅也接近相等,
晶体的原子性不明显 (4)短波极限
q

a
,布区边界
2a
{2.2 一维双原子晶格的振动
一. 运动方程
四. 三维晶格振动的格波数
三维 N个原胞 每个原胞有n个原子 每个原子的自由度为3
共有Nn个原子
晶体内原子的总自由度数为3Nn
(1)波矢数(q的取值数)=原胞数N
(2)格波支数=原胞内原子的自由度数3n (3)总格波数=晶体内原子的总自由度数3Nn 3Nn个格波(振动模式)是独立的也是分立的 3Nn个独立简谐振子的振动能量
A、B分别为m、M 原子的振幅,q为波矢
二.色散关系
( m 2 2 ) A 2 cos(qa) B 0 2 ( M 2 ) B 2 cos(qa) A 0
有非零解,系数行列式为零
m 2 2 2 cos(qa) 2 cos(qa) M 2
2
0
( M m) M 2 m2 2Mm cos(2qa) Mm
2
(1)长波极限
max [2 (
1 1 12 )] m M
q 0, 布区中心
min 0
q
(2)短波极限 若M>m,
min

2a
,布区边界
2 1 ( ) 2 m


x<<1
1 (1 x) 1 x 2
1 2
2 ( ) sin(qa) M m
1 2
( m 2 2 ) A 2 cos qa ) B 0 ( 2 ( M 2 ) B 2 cos qa ) A 0 (
(
A 2 cos( qa ) ) B 2 m 2
E ( nl
l 3 Nn
1 )l 2
一维单原子晶格的振动,第n个原子的振动位移
x n Ae i ( qnat )
xn Aq e
q N i ( qna t )
一种独立的振动模式
N
Aq e
q
N
iqna it
e
N Aq e
q
it
eiqna N

2
2 2Mm 2 (M m) 1 sin (qa) 2 Mm ( M m)
A 2 cos( qa ) ( ) B 2 m 2
2
2 2 , m 2 m
分母为负 分子为正
q

2a
, cosqa 0
A 0 B

2 q
三.色散关系 (q)
x n Ae i ( qnat )
m n ( xn 1 xn 1 2 xn ) x

2
4 2 1 sin ( qa) m 2
max

max
max 2 m
max
1 sin( qa) 2
- /a
O
/a
q
色散关系
(1)色散关系的周期性
A:数学表达式
2 ( q ) ( q) a
周期为 2 a
B:原因
xn Ae
i ( qna t )
Ae
i[( q
2 ) na t ] a
Ae
i ( qna t )
例:
q

2a

2 4a q
2 5 q 2a a 2a
max (
2 12 ) M
光学支
(3)频率禁区
在这个范围内的格波是 强烈衰减的,或不能被 激发。
声学支
若m>M?
(4)色散关系的周期性
(q
a ) ( q)

一维单原子晶格振动的布区范围 一维双原子晶格振动的布区范围
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