半导体命名
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。
为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。
绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。
利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。
三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。
晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。
根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。
除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。
这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。
此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。
在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。
随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。
微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。
1、物质的分类按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。
导电能力用电阻率衡量。
导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω•cm绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。
电阻率在108Ω•cm以上半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。
纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω•cm2、半导体的特性与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点：(1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω•cm下降到0.4Ω•cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。
stm32 命名规则
stm32 命名规则
STM32是一款非常流行的嵌入式系统开发板，它的命名规则如下：
1. STM32的命名规则遵循一定的规律，其中“STM”代表意大利半导体公司STMicroelectronics，而“32”表示该系列芯片采用了ARM Cortex-M3或M4内核。
2. 在STM32系列中，每个型号都有一个特定的字母表示其性能等级。
例如，F表示高性能、L表示低功耗、C表示连接器等。
3. 在型号名称的末尾，通常还会添加一些数字来表示不同版本或不同
封装方式。
例如，STM32F103C8T6中，“103”代表该芯片为第一
代产品，“8”表示其内存容量为64KB，“T6”则代表其封装方式为LQFP-48。
4. 对于某些特殊用途的芯片，如USB控制器和以太网控制器等，则会在型号名称中添加相应的字母以区分。
例如，STM32F407VGT6中，“V”代表其具有USB OTG功能，“G”则代表其集成了以太网
MAC控制器。
总之，STM32系列芯片的命名规则十分详细和精确，在选购和使用时需要根据具体需求进行细致分析和比较。
半导体分立器件的型号命名方法及含义
半导体分立器件的型号命名方法及含义国产二极管的型号命名及含义国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见下表。
第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
第三部分用字母表示二极管的类别。
第四部分用数字表示序号。
整流二极管系列(34) 二极管(44400) 稳压二极管系列(27737)触发二极管系列(2) 开关二极管系列(9) 检波二极管系列(22)变容二极管系列(24532) 双向二极管系列(5) 瞬态电压吸收二极管系列(222)发光二极管系列(62) 快恢复整流二极管系列(56) 汽车整流二极管系列(9)高效整流二极管系列(19) 光敏二极管系列(3) 整流桥系列(137)圆珠快速二极管系列(1) 变阻二极管(3941) 硅整流二极管系列(23885)碰撞雪崩渡越时间二极管(1010) 锗二极管与硒二极管(476) 隧道二极管(319)稳流二极管(396) U段与微波段混频二极管(3729) U 段与微波段检波二极管(995)二极管阵列(599) 瞬变抑制二极管(14792) 硅微波二极管(44400)贴片二极管(44400)next page（01）（二）国产三极管的型号命名方法国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分的含义见下表。
第一部分用数字“3”表示主称和三极管。
第二部分用字母表示三极管的材料和极性。
第三部分用字母表示三极管的类别。
第四部分用数字表示同一类型产品的序号。
国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成，各部分的含义见下表。
第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。
第二部分用字母表示晶闸管的类别。
第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。
例如：next page（02）国产电子管的型号命名由部分组成，各部分的含义见下表。
第一部分用数字表示灯丝电压值。
第二部分用字母表示电子管的类型（结构与用途）。
第三部分用数字表示电子管的序号及性能。
stm32型号命名规则
stm32型号命名规则STM32型号命名规则STM32是意法半导体公司推出的一款嵌入式微控制器，它具有高性能、低功耗、易于开发等特点，广泛应用于各种领域。
在STM32系列中，不同的型号有不同的命名规则，本文将详细介绍STM32型号命名规则。
一、产品系列STM32系列按照性能和功能划分为多个系列，包括F0、F1、F2、F3、F4、F7、H7等系列。
其中，F系列是主流产品之一，包括低端的F0和高端的F7。
H7系列则是最新推出的高性能产品。
二、型号编号每个STM32型号都有一个唯一的编号，由字母和数字组成。
其中，字母代表产品系列和功能特点，数字代表性能等级。
1. 字母代表产品系列和功能特点（1） F代表主流产品系列；L代表低功耗产品；G代表通用型号；H代表高性能产品。
（2）其他字母表示不同的功能特点。
例如：C表示具有CAN总线接口；D表示具有双精度浮点运算单元；E表示具有以太网接口；P表示具有LCD控制器；S表示具有安全功能。
2. 数字代表性能等级STM32型号的数字部分代表其性能等级。
通常，数字越高，性能越强。
例如：F030表示低端产品；F103表示中端产品；F407表示高端产品。
三、封装类型STM32微控制器有多种不同的封装类型，包括LQFP、BGA、LFBGA、WLCSP等。
其中，LQFP是最常用的封装类型之一。
四、温度范围STM32微控制器有多种不同的温度范围选项，包括商业级别（0℃~70℃）、工业级别（-40℃~85℃）和汽车级别（-40℃~125℃）等。
五、总结综上所述，STM32型号命名规则包括产品系列、型号编号、封装类型和温度范围等方面。
了解这些规则可以帮助开发者选择适合自己应用场景的STM32微控制器，并且可以更好地理解STM32系列产品的特点和优势。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分的意义分别如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V—微波管、W-稳压管、C-参量管、Z—整流管、L—整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U—光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（f<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管(f〉3MHz，Pc〈1W)、D-低频大功率管(f<3MHz，Pc〉1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc〉1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器）、Y—体效应器件、B-雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN-PIN型管、JG—激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0—光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S—表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
(完整版)美国国家半导体(NS)产品命名规则
概述美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。
提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。
这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。
特定封装标记按每个元件的部件编号。
下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。
•特别代码•标准制造信息（第一行）•小组件制造信息（第一行）•典型元件描述（第二行）•其他的信息（第三行和第四行）•极小组件标记•军用/航空标记•强化塑料标记•其他标记•晶圆制造厂代码•装配厂代码•制造日期代码•裸片批次代码•元件系列，产品线和元件类型•电气等级信息•温度范围代码•封装代码•ROM 代码标记特别代码元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。
美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD”Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C”或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43ABE”的真正字元。
•NS = 标准NS商标•U = 晶圆制造厂代码•Z = 装配厂代码•X = 1-日期或+ 号代表“ES”工程样本•XY = 两个位的日期代码•XYY = 三个位的日期代码•XXYY = 四个位的日期代码•TT = 两个位的裸片批次代码•E# = 含铅成份种类* (E0 - E7 per JESD97)•BBBBB= 五个位的裸片批次代码•DD = 一或两个位的Die Step Rev•SS = 晶圆筛选代码• C = 版权标记•M = 印在圈内的M•> = ESD标记•EP = 强化塑料识别• A = 检查批次号码•DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码•I = 微型SMD 引脚1指示•V = 微型SMD 一个位的裸片批次代码或“+”号表示為工程样品“ES”* - 假如空间容许标准制造信息（第一行）元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2—二极管、3—三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。
表示三极管时:A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P—普通管、V—微波管、W-稳压管、C—参量管、Z-整流管、L—整流堆、S—隧道管、N—阻尼管、U—光电器件、K-开关管、X—低频小功率管(F〈3MHz，Pc<1W）、G—高频小功率管(f>3MHz,Pc〈1W）、D —低频大功率管（f<3MHz,Pc〉1W）、A-高频大功率管（f〉3MHz,Pc〉1W）、T—半导体晶闸管（可控整流器）、Y—体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN—PIN型管、JG—激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3—具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S—表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型.A-PNP型高频管、B—PNP型低频管、C—NPN型高频管、D—NPN型低频管、F—P控制极可控硅、G—N控制极可控硅、H—N 基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K—N沟道场效应管、M—双向可控硅。
半导体分立器件的命名方法
半导体分立器件的命名方法（1）我国半导体分立器件的命名法例：1) 锗材料PNP型低频大功率三极管：2) 硅材料NPN型高频小功率三极管：3A D50C3D G201 B规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率PNP型、锗材料PNP型、锗材料三极管三极管3) N型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管：2C W51B T3 3 E序号规格号稳压管耗散功率N型、硅材料三个电极二极管特种管半导体（2）国际电子联合会半导体器件命名法示例（命名）：A F239SAF239型某一参数的S档普通用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。
3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4) 第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。
5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。
6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。
极性的确定需查阅手册或测量。
(3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。
如表11所示。
表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法1) JAN2N29042) 1N4001JAN2N2904 1N4001EIA登记序号EIA登记序号EIA注册标志EIA注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
半导体三极管的命名方法(中日欧韩美)
半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）按国家标准GB/T 249- 89 的规定，三极管的型号命名同二极管一样由五部分组成，其型号组成部分及其含义见表。
一、我国三极管的型号组成部分及其含义常见的三极管型号有3DG130C, 3AX52B等，其含义如下:头，日本产的半导体三极管是以“2S”开头，目前市场上以“2S”开头的日本品比较多。
日本产半导体器件命名方法如下:半导体三极管型号中的第三部分用A表示PNP型高频管，用B表示PNP型低频管，用C表示NPN型高频管，用D表示NPN型低频管;第四部分由数字组成，表示日本电子工业协会注册登记的顺序号，数字越大，表示产品越新;第五部分用字母表示对原型号的改进产品。
二、日本三极管的型号组成部分及其含义（常用）例子：三、欧洲常采用国际联合会制定的标准，对三极管型号的命名方法是:第一部分用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管);第二部分用C表示低频小功率管，用F表示高频小功率管，用D表示低频大功率管，L表示高频大功率管，用S和U表示小功率开关管和大功率开关管;第三部分用数字表示登记序号，如BC87表示硅低频小功率管。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
stm单片机命名规则
stm单片机命名规则STM单片机是一种非常常见和广泛使用的嵌入式微控制器。
它由意法半导体公司推出，被广泛应用于各种电子设备和系统中，包括智能手机、家电、汽车电子、航空航天等领域。
在STM单片机命名中，遵循一定的规则和标准，以便用户能够更加方便地识别和选择合适的型号。
下面将详细介绍STM单片机的命名规则。
1.命名前缀：- STM32系列：意味着该单片机采用32位的ARM Cortex-M内核，是最常见和广泛应用的系列之一。
- STM8系列：意味着该单片机采用8位的ST7内核，适用于一些低功耗和成本敏感的应用。
2.命名长度：STM单片机的命名中，通常包含一些字母和数字，并且长度有限。
一般来说，STM32系列的命名长度为11个字符，而STM8系列的命名长度为8个字符。
这是为了方便用户在选择单片机时能够更加简洁和高效。
3.命名规则：在STM单片机的命名中，采用了一种简明扼要的命名规则，使得用户能够快速了解单片机的主要性能和特点。
具体规则如下：-数字：STM32单片机的命名中，第一个数字代表了该系列的型号，通常从0开始递增；而STM8单片机的命名中，数字代表了不同系列之间的区别，比如STM8S系列、STM8L系列等。
-字母：一般来说，STM32单片机的命名中，第一个字母代表了芯片的性能级别或系列名称。
例如，F系列代表高性能，H系列代表高性能＋多核，L系列代表低功耗等。
而STM8单片机的命名中，第一个字母则代表了不同系列的区别，比如S系列代表标准系列，L系列代表低功耗系列等。
-后缀字母和数字：这些字母和数字代表了单片机的具体型号和特性。
例如，字母R代表工业级，字母C代表高温降压，数字表示不同的器件版本等。
在STM32单片机中，一般用一个字母和三个数字来表示型号；在STM8单片机中，一般用两个字母和一个数字来表示型号。
4.特殊型号：除了上述规则之外，STM单片机的命名中还存在一些特殊型号，这些型号通常代表了一些特殊的功能或特性。
日本半导体器件型号命名法
FE 的分档标志。 表 12 日本半导体器件型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示类型 或有效电极数 S 表示日本电子工业协会（EIAJ）的注册产品
用字母表示器件 的极性及类型 用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号 用字母表示 对原来型号 的改进产品 符号 意义 符Байду номын сангаас 意义 符号
意义 符号 意义 符号 意义 0 S
A 四位以上的数字 ABCDEFLL B C
D 1 F 2
G H J K
3 LL M n-1
日本半导体器件型号命名法有如下特点： 1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用 “1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。 2) 第二部分均为字母 S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料 和极性。 3) 第三部分表示极性和类型。例如用 A 表示 PNP 型高频管，用 J 表示 P 沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。 4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映 器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如， 2SC2680 型的最大额定耗散功率为 200mW，而 2SC2681 的最大额定耗散功 率为 100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字 越大，越是近期产品。 5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。 6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方 法，即把 2S 省略。例如，2SD764，简化为 D764，2SC502A 简化为 C502A。 7) 在低频管（2SB 和 2SD 型）中，也有工作频率很高的管子。例如， 2SD355 的特征频率 fT 为 100MHz，所以，它们也可当高频管用。 8) 日本通常把 Pcm1W 的管子，称做大功率管。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2,电容器5,半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料与极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其她器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其她器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。
半导体分立器件封装命名规则_解释说明以及概述
半导体分立器件封装命名规则解释说明以及概述1. 引言1.1 概述半导体分立器件封装是指对单个的半导体器件进行封装，以便在电路中使用。
而半导体分立器件封装命名规则则是用于标识和描述这些封装形式的一种规范。
随着电子行业的发展和技术的进步，半导体分立器件封装命名规则成为了确保产品质量、标准化生产和交流合作的重要工具。
1.2 文章结构本文将详细解释和说明半导体分立器件封装命名规则，旨在帮助读者更好地理解和掌握这一方面的知识。
文章首先会介绍什么是半导体分立器件封装命名规则，并阐述其目的和重要性。
接着，我们将列举常见的半导体分立器件封装命名规则示例，从实际案例中深入探讨这些规则的应用。
然后，本文还将概述国际标准与行业标准的区别，并提供国内外常用的半导体分立器件封装命名规则总览。
最后，我们将讨论这一领域的发展趋势和未来发展方向。
1.3 目的本文的目的是全面介绍半导体分立器件封装命名规则，解释其含义和重要性，并为读者提供一个清晰的概述。
通过深入研究和讨论，我们希望能够加深人们对半导体分立器件封装命名规则的理解，同时引起相关行业和领域内人士对这一问题的关注。
最后，我们也将提出进一步研究和应用推广建议，以促进半导体分立器件封装命名规则标准化、统一化发展。
2. 半导体分立器件封装命名规则解释说明2.1 什么是半导体分立器件封装命名规则半导体分立器件封装命名规则指的是定义半导体器件外部封装形式和结构的规则和标准。
由于不同类型的半导体器件在表面封装形式上有所差异，因此需要一套统一的命名规则来对这些器件进行分类和标识。
2.2 命名规则的目的和重要性半导体分立器件封装命名规则的主要目的在于方便工程师、制造商和用户理解各种类型的半导体器件，并选择适合自己需求的器件。
通过使用统一的命名规则，可以确保行业内人员能够准确地对不同型号和尺寸的器件进行描述、比较和选择。
此外，命名规则还有助于提高工作效率，降低误操作风险。
当有大量不同型号或者品牌的半导体器件需要被组装或替换时，使用统一的命名规则可以使得相关工作更加简便明了。
半导体放电管 命名规则 vrwm
半导体放电管命名规则 vrwm 下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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半导体命名方式
用数字表示器件 用字母表示 的电极数目 半导体器件 符 号 0 1 2 3 意 义 符 号 意 义
用拉丁字母表示 器件的结构和类型 符号 A 意 义
用拉丁字母表示同一种 型号器件的改进型
光电器件 二极管 三极管 有三个 PN 结 的器件 S 半导体 器件
高频 PNP 型三极管 快速开关三极管 低频大功率 PNP 管 高频及快速开关 NPN 三极管 低频大功率 NPN 管 P 控制极可控硅 N 控制极可控硅 N 基极单结管 P 沟道场效应管 N 沟道场效应管 双向可控硅
B C D F G H J K M
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
表示不加 热即半导 体器件
登记顺 序号
表示器件改进型
例如 1N4148 表示开关二极管，2N3464 表示高频大功率 NPN 型硅管。 2．日本半导体器件命名法 日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如 2。 表 2 日本半导体器件命名法 第一部分 第 二 部 分 第 三 部 分 第 四 部 分 用 2～3 位数 字表示器件 登记顺序号 第 五 部 分
半导体芯片命名
一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管，如 2SJ----K-N沟道场效应管，如 2SK----M-双向可控硅。
三极管命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半 导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件 的型号命名只有第三、四、五部分）组成。 五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极 数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件 的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、 B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗 材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整 流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电 器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率 管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管 （f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流 器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、 CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、 PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分Fra bibliotek器件型号命名方法
美国半导体分立器件型号命名方法
贴片电容的型号 命名方法及规则简介
贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来 表示，一种是以毫米为单位的公制来表示。贴片电容系列的 型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、 2010、2225、2512等。04表示长度是0.04英寸，02表示宽 度0.02英寸，其他类同。 英制英寸 公制mm 长度及公差 宽度及公差 厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00 不同国家、厂商的命名方法不相同。
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半导体器件型号命名方法
１、国产半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示有效电极数目。
2—二极管、3 —三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示材料和极性。
表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。
表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示类型。
P—普通管、V—微波管、W—稳压管、C—参量管、Z—整流管、L—整流堆、S—隧道管、N—阻尼管、U—光电器件、K—开关管、X—低频小功率管、G—高频小功率管、D—低频大功率管、A—高频大功率管、T—半导体晶闸管（可控整流器）、Y—体效应器件、B—雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT—半导体特殊器件、FH—复合管、PIN—PIN 型管、JG—激光器件。
高频、低频（f＝3MHz）大功率管、小功率管（Pc＝1W)
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG6A表示NPN型硅材料高频小功率三极管
表1 中国半导体器件组成部分的符号及意义
例如锗PNP高频小功率管为3AG11C。
３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）
２、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN—军级、JANTX—特军级、JANTXV—超特军级、JANS—宇航级、（无）—非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1—二极管、2—三极管、3—三个pn结器件、n—n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。
N—该器件已在美国电子工业协会注册登记
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字—该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D…—同一型号器件的不同档别。
例如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管
JAN—军级、2—三极管、N—EIA 注册标志、3251—EIA登记顺序号、A—2N3251 A档。
表2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法
３、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型
0—光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1—二极管、2—三极或具有两个pn结的其他器件、3—具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、……依此类推。
第二部分：日本电子工业协会（JEIA ）注册标志
S—表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A—PNP型高频管、B—PNP型低频管、C—NPN型高频管、D—NPN型低频管、F—P控制极可控硅、G—N控制极可控硅、H—N基极单结晶体管、J—P沟道场效应管、K—N 沟道场效应管、M—双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数—从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
例如：2SD820D表示NPN硅低频大功率三极管
例：
2AP9
——N型锗材料普通二极管
2CW56
——N型硅材料稳压二极管
3AX31
——PNP型锗材料低频小功率三极管
3DG8
——NPN型硅材料高频小功率三极管
3DD15
——NPN型硅材料低频大功率三极管
3DA87
——NPN型硅材料高频大功率三极管
表3 日本半导体器件型号命名方法。