RENA前后清洗
生理性海水鼻腔清洗器怎么用
生理性海水鼻腔清洗器如何正确使用生理性海水鼻腔清洗器是一种利用生理性海水清洁鼻腔的工具，可以有效帮助清洁鼻腔、缓解鼻塞等不适症状。
正确的使用方法非常重要，下面将详细介绍生理性海水鼻腔清洗器的正确使用方法。
1. 准备工作在使用生理性海水鼻腔清洗器之前，首先需要准备好以下物品：•生理性海水鼻腔清洗器•清洁的鼻腔•清水2. 使用步骤步骤一：准备生理性海水首先需要准备好生理性海水，一般可以在药店或超市购买得到。
确保生理性海水的包装完好，没有损坏。
步骤二：清洁鼻腔在使用生理性海水鼻腔清洗器之前，需要先用清水将鼻腔清洁干净，确保没有异物或分泌物残留。
步骤三：使用生理性海水鼻腔清洗器1.将生理性海水鼻腔清洗器拧开，倒入适量的生理性海水。
2.将喷嘴对准鼻孔，轻轻握紧鼻腔，然后用一定的力度将生理性海水喷入鼻腔。
3.保持头部直立，让生理性海水在鼻腔中停留几秒钟。
4.轻轻倾斜头部，让鼻腔中的生理性海水流出，再用干净的纸巾擦拭鼻孔。
5.若需要清洗另一侧鼻腔，重复上述步骤。
步骤四：清洁及保养清洁使用后的生理性海水鼻腔清洗器，确保清洁卫生，避免细菌滋生。
定期更换喷嘴等易污染部位，保持清洁。
3. 注意事项•准备生理性海水时，应检查包装是否完好并严格按照说明书的说明进行操作。
•使用过程中应注意力度，避免用力过猛损伤鼻腔。
•使用生理性海水鼻腔清洗器后，避免揉搓鼻子，以免引起细菌感染。
•如果出现不适症状，应立即停止使用并就医咨询。
通过正确地使用生理性海水鼻腔清洗器，可以有效地帮助维持鼻腔清洁，减轻鼻塞等不适症状，提高呼吸道健康水平。
希望以上内容对您有所帮助。
TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究
第53卷第5期2024年5月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.53㊀No.5May,2024TOPCon 太阳电池单面沉积Poly-Si 的工艺研究代同光,谭㊀新,宋志成,郭永刚,袁雅静,倪玉凤,汪㊀梁(青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安㊀710100)摘要:目前隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池制造技术越来越成熟,所耗成本不断降低㊂行业内普遍采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式进行双面沉积或单面沉积㊂单面沉积存在Poly-Si 绕镀问题,严重影响电池片转化效率和外观质量,同时正面绕镀层去除难度较大,在用碱溶液去除绕镀层的同时,存在绕镀层去除不彻底或者非绕镀区域P +层被腐蚀的风险,导致P +发射极受损,严重影响电池片外观质量与性能㊂双面沉积可避免上述问题,但产能减少一半,制造成本增加㊂本文对单面沉积Poly-Si 工艺及绕镀层去除工艺进行研究,在TOPCon 电池正面及背面制作了一层合适厚度的氧化层掩膜,搭配合适的清洗工艺㊁去绕镀清洗工艺,既可有效地去除P +层绕镀的Poly-Si,也可很好地保护正面P +层及背面掺杂Poly-Si 层不受破坏,同时可大幅提升产能㊂关键词:TOPCon 太阳电池;Poly-Si 绕镀层;低压化学气相沉积;BSG;PSG;腐蚀速率中图分类号:TM914.4;TB43㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2024)05-0818-06Single-Sided Deposition of Poly-Si in TOPCon Solar CellsDAI Tongguang ,TAN Xin ,SONG Zhicheng ,GUO Yonggang ,YUAN Yajing ,NI Yufeng ,WANG Liang (Xi an Solar Power Branch,QingHai Huanghe Hydropower Development Co.,Ltd.,Xi an 710100,China)Abstract :At present,the technology of tunnel oxide passivated contact (TOPCon)solar cells is becoming more and more mature,and the manufacturing cost is decreasing.TOPCon cell technology has been applied in the process of manufacture.Low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)is widely used in the industry for double-sided deposition or single-sided deposition.Single-sided deposition has the problem of Poly-Si winding coating,which seriously affects the efficiency and appearance quality of solar cells.It is difficult to remove the winding coating on the front side.While removing the winding coating in alkali solution,there is a risk of incomplete removal of the winding coating or corrosion risk of P +layer in non-winding plating area.As a result,the P +emitter is damaged,which seriously affects the appearance quality and performance of solar cells.Double-sided deposition can avoid the above risks,but the production capacity will be reduced by half,the manufacturing cost will increase.In this paper,the single-sided deposition of Poly-Si process and the removal process of the winding coating were studied.A layer of oxide coating with appropriate thickness is made on the front and back of TOPCon solar cells.With appropriate cleaning process and unwinding plating cleaning process,the Poly-Si winding coated with P +layer can be effectively removed,and the front P +layer and the doped Poly-Si layer on the back can be well protected from damage,and the production capacity can be greatly improved.Key words :TOPCon solar cell;Poly-Si winding coating;low pressure chemical vapor deposition;BSG;PSG;corrosion rate ㊀㊀收稿日期:2023-09-11㊀㊀作者简介:代同光(1986 ),男,山东省人,工程师㊂E-mail:tg334334@0㊀引㊀㊀言近年来,为应对能源危机和日益严重的环境问题,各国都在大力发展新能源,太阳能光伏发电技术因具有高效㊁清洁㊁取之不尽等优点,越来越受到国际能源产业的青睐㊂目前产业上应用最广泛的太阳能电池为传统晶硅电池,主要是以P 型单晶硅为衬底的钝化发射极背接触太阳电池(passivated emitterand rear cell,PERC)为主,但受P 型硅材料质量和器件结构设计的限制,其光电转化效率很难提高到23%以上[1]㊂而以N 型单晶硅片为衬底的N 型电池片,具有少子寿命高㊁对金属污染容忍度高㊁光致衰减低等㊀第5期代同光等:TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究819㊀优点,可用于制备双面电池,提高了太阳能电池系统的发电量,所以N型技术替代P型技术已成为光伏行业发展的趋势㊂在现有的N型电池中,隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivated contact,TOPCon)电池的隧穿氧化层和非晶硅层的沉积为硅片的背面提供了良好的表面钝化,提升了电池的开路电压和短路电流[2],TOPCon 电池具有工艺流程简单㊁效率提升空间大等优点,已被广泛应用于N型高效太阳能电池量产㊂TOPCon电池核心结构由SiO2隧穿氧化层和磷掺杂的多晶硅层组成,目前行业内TOPCon电池的制备方式主要为低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)法[3]㊁等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)法和溅射法,其中LPCVD技术制备的多晶硅膜层在片内及片间呈现较好的均匀性,电池端良率较高,工艺时间相对较短,生产效率高,同时LPCVD设备具有产能大㊁易于维护等优势,因此,LPCVD技术是目前TOPCon电池厂商布局的主流技术路线[4]㊂该技术采用LPCVD方式进行双面沉积或单面沉积,工艺的基本原理是将一种或数种气态物质,在较低压力下,用热能激活,使气态物质发生热分解或化学反应,沉积在衬底表面形成所需的薄膜㊂本征Poly-Si层的沉积主要应用硅烷的热分解来完成,在580~620ħ高温下,通入一定流量的硅烷,并将压力控制在一定范围内,硅烷热分解后在硅片表面沉积一定厚度的Poly-Si,化学反应式为SiH4ңSiˌ+2H2ʏ(1)其中单面沉积产能大但容易导致硅片正面边缘被绕镀Poly-Si(简称绕镀层),该绕镀层的存在影响电池正面对光的吸收,进而影响电池光电转换效率[5]㊂研究发现,与HF/HNO3酸刻蚀处理电池表面多晶硅绕镀相比,采用KOH碱刻蚀方法所处理的电池样品,在电池漏电流方面更具有优势[6],所以目前行业内普遍采用碱刻蚀去除绕镀层㊂但是碱溶液对前表面的腐蚀是全面的,也就导致前表面非绕镀区域也会受到影响,在去除绕镀层的同时,存在正面绕镀层去除不彻底或者非绕镀区域P+发射极被腐蚀的风险,严重影响电池片外观质量和性能㊂双面沉积可避免上述问题,但产能将减少一半,制造成本增加㊂为了保证单面沉积后电池的P+发射极在碱刻蚀过程中不被损坏,需要在P+发射极表面制备一层掩膜㊂本工作采用硼扩散时产生的硼硅玻璃(borosilicate glass,BSG)作为电池P+发射极掩膜,优点有:不增加新的生产设备,减少了电池制备成本;可通过调节硼扩散工艺实现P+发射极与BSG掩膜的共同制备,减少了电池制备流程,并避免样品转移过程带来的污染[6]㊂根据TOPCon电池工艺流程,在LPCVD后须对后表面进行磷掺杂㊂研究人员采用三氯氧磷热分解沉积方式进行磷掺杂,反应过程中生成的磷硅玻璃(phosphosilicon glass,PSG)被绕镀至硅片前表面,且绕镀的PSG厚度并不均匀,PSG的存在将影响Poly-Si绕镀层的去除,需要在去绕度工序前用HF 酸溶液去除㊂之前的研究人员通过实验发现,不同厚度的PSG叠加BSG,在HF酸溶液内的腐蚀速率不一致,进而影响前表面掩膜对P+发射极的保护作用㊂本文对单面沉积Poly-Si工艺及绕镀层去除工艺进行研究,通过在TOPCon电池正面及背面制备一层适宜厚度的氧化层掩膜,搭配刻蚀及去绕镀工序适宜浓度的清洗工艺,既可有效地去除P+层绕镀,也可很好地保护正面P+层及背面掺杂Poly-Si层不受破坏,解决Poly-Si绕镀层问题的同时,提高LPCVD产能㊂1㊀实㊀㊀验1.1㊀LPCVD单㊁双面Poly-Si沉积工艺对TOPCon电池外观及性能影响的实验在本公司TOPCon工艺产线其他工序工艺保持不变的条件下,LPCVD分别采用单插㊁双插方式制作电池,Poly-Si厚度120nm,对比LPCVD单㊁双面Poly-Si沉积时硅片前表面膜层结构的差异及LPCVD工艺后外观差异㊂1.2㊀LPCVD单㊁双面Poly-Si沉积时氧化层厚度对半成品外观影响的实验LPCVD采用单㊁双插方式制作电池半成品样片,在硼扩散㊁磷扩散工艺过程中,通过调整氧化压力,在硅片表面生长不同厚度的BSG㊁PSG,其他工序工艺保持不变,镀正面氮化硅后目测统计外观异常比例,实验设计如表1所示㊂820㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷表1㊀不同氧化层厚度对单、双面Poly-Si 沉积TOPCon 太阳电池外观影响实验方案Table 1㊀Experimental scheme of effect of different oxide layer thickness on the appearance of single-sided anddouble-sided Poly-Si deposited TOPCon solar cellsLPCVDGroup Count Thickness of BSG /nm Thickness of PSG /nm G1-14008030Single-sideG1-240010040G1-340012050G2-14008030Double-side G2-240010040G2-3400120501.3㊀HF 酸溶液对不同厚度氧化层腐蚀速率影响的实验在上述实验硼扩散㊁磷扩散工艺过程中,同步使用碱抛光片在表面制备不同厚度的BSG㊁PSG㊁BSG +PSG,对比其在刻蚀HF 酸溶液内的腐蚀速率差异,实验设计如表2所示㊂表2㊀不同厚度氧化层在HF 酸内腐蚀速率实验方案Table 2㊀Experimental scheme of corrosion rate comparison in HF acid for different oxide layer thicknessOxide layer Thickness /nm Concentration of HF /%Time /s BSG 80 1.5120PSG 50 1.512080+30 1.5120BSG +PSG80+40 1.512080+50 1.51201.4㊀Poly-Si 厚度及绕镀面积对单面Poly-Si 沉积TOPCon 电池外观影响的实验LPCVD 采用双插方式制作电池半成品样片,通过调整LPCVD 沉积时间得到不同厚度的Poly-Si,其他工序工艺保持不变,镀膜后统计外观异常比例㊂1.5㊀实验过程实验材料:N 型金刚线切割硅片制绒后半成品若干㊁N 型金刚线切割硅片抛光片若干㊁HF 酸溶液㊂图1㊀TOPCon 电池制备工艺路径Fig.1㊀Preparation process path of TOPCon cells 实验设备及仪器:深圳捷佳创湿法槽式清洗设备㊁深圳捷佳创低压扩散设备㊁普乐LPCVD㊁RENA InOxSide 链式刻蚀机㊁深圳捷佳创管式镀膜设备㊁Syscos COSE PV4.0光谱椭偏仪㊂实验方法:取N 型金刚线切割硅片制绒后半成品若干,使用深圳捷佳创低压扩散设备进行硼扩散工艺,通过调整氧化压力制备不同厚度的BSG,硼扩后的样品按实验组进行分类,经RENA链式刻蚀机清洗背表面及侧边横截面的BSG 后,浸没在捷佳创湿法槽式设备NaOH 刻蚀槽中对背表面进行抛光,再使用普乐LPCVD 设备进行单㊁双面Poly-Si 沉积,之后在深圳捷佳创低压扩散设备进行磷扩散工艺,通过调整氧化压力制备不同厚度的PSG,后流转至去PSG 工序,使用RENA 链式刻蚀机清洗前表面绕镀Poly-Si 上层绕扩PSG,进一步在去绕镀清洗工序使用深圳捷佳创湿法槽式NaOH 刻蚀溶液去除绕镀Poly-Si,最后使用深圳捷佳创管式镀膜设备对硅片前表面镀氮化硅膜,实验结束后全检外观,统计半成品外观情况㊂上述硼扩散㊁磷扩散过程中,同步使用NaOH 碱刻蚀抛光后的硅片作为氧化层厚度监控片,并随样品进行流转,用于去PSG 工序监控氧化层厚度变化㊂实验样品制作工艺流程如图1所示㊂㊀第5期代同光等:TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究821㊀2㊀结果与讨论2.1㊀LPCVD单、双面Poly-Si沉积工艺对TOPCon电池结构及外观的影响当LPCVD采用双面沉积(单槽单插)时,硅片正表面㊁背面均沉积厚度一致的Poly-Si,硅片前表面颜色均匀㊂采用单面沉积(单槽双插)时,硅片背面沉积厚度一致的Poly-Si,硅片正面绕镀厚度不一致的Poly-Si,根据前表面外观颜色可以看出,从硅片边缘到中心,绕扩的多晶硅厚度呈递减趋势,单双面沉积P+层绕镀结构对比如图2所示㊂LPCVD工艺前和工艺后半成品前表面外观如图3所示㊂图2㊀LPCVD单面与双面结构图Fig.2㊀Structure of single-sided and double-sided by LPCVD图3㊀LPCVD单面与双面P+层外观Fig.3㊀P+layer appearance of single-sided and double-sided by LPCVD2.2㊀LPCVD单面Poly-Si沉积时氧化层厚度对半成品外观影响经实验数据分析(见表3)可知,LPCVD采用双面沉积时,样品镀膜后外观无异常㊂LPCVD采用单面沉积时,当硼扩散BSG厚度小于80nm时,在BOE去绕镀时不足以保护P+层,导致部分区域被腐蚀抛光;当BSG厚度大于100nm时,抛光现象消除;当PSG厚度大于40nm时,在BOE去绕镀时P+层局部被过度腐蚀导致外观发白的比例最高;当PSG厚度小于40nm时,发白比例随PSG厚度减小而递减㊂外观正常及异常图片如图4所示㊂表3㊀LPCVD单面与双面匹配不同厚度氧化层的外观数据Table3㊀Appearance data of single-sided and double-sided by LPCVD matching with different oxide layer thickness LPCVD Group Proportion of polishing/%Proportion of whiten/%G1-110 Single-side G1-200.5G1-30 1.5G2-100 Double-side G2-200G2-3002.3㊀HF酸溶液对不同掺杂氧化层腐蚀速率的影响HF酸对不同厚度氧化层腐蚀能力数据如图5所示㊂从图中可以看出,不同氧化层在同一浓度HF酸溶液内的腐蚀速率为:V BSG<V PSG<V BSG+PSG㊂在腐蚀BSG+PSG叠层掩膜时,随着PSG厚度的增加,腐蚀速率将增大,而在磷扩工艺过程中,P+层绕镀的PSG厚度是不一致的,这将导致刻蚀在去除P+层PSG绕镀时,腐822㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷蚀速率不一致,部分区域剩余掩膜较薄,在去绕镀时被腐蚀,被腐蚀区域比表面积变小,在镀氮化硅膜时,同一条件下,反应气体流量相同,比表面积大的区域沉积的氮化硅厚度越小,而比表面积小的区域则反之[7],导致被腐蚀区域膜厚异常,外观呈发白状,所以在选择磷扩散工艺时,要尽量降低P +层绕扩的PSG 厚度,以降低BSG +PSG 叠层掩膜在刻蚀的腐蚀速率差异㊂图4㊀LPCVD 单面经去绕镀㊁镀膜后的外观Fig.4㊀Appearance after dewinding and coating of single-side by LPCVD图5㊀HF 酸对不同厚度氧化层腐蚀能力数据Fig.5㊀Etching ability data of HF acid to different oxide layers thickness 2.4㊀改进效果评估综上所述,通过在TOPCon 电池前表面制备适宜厚度的BSG 掩膜,同时控制PSG 厚度,可有效解决单面Poly-Si 沉积导致的外观异常,同步制作两组改进前和改进后的电池片进行对比,统计前表面外观异常比例和电性能参数,评估改进效果,实验条件及结果如表4所示㊂实验结果显示,改进前外观抛光比例1.2%,外观发白比例1.8%,改进后外观无明显异常㊂改进前外观异常区域PN 结被腐蚀破坏,难以产生光生伏特效应,导致转化效率损失,改进后外观无异常,电池性能显著提升㊂表4㊀不同厚度氧化绕镀层对单面Poly-Si 沉积TOPCon 太阳电池外观及电性能影响Table 4㊀Effects of different oxide layer thickness on the appearance and electrical properties of TOPCon solar cells deposited by single-sided Poly-SiGroup Count Thickness of BSG /nm Thickness of PSG /nm U oc /V I sc /AR s /ΩR sh /ΩFF /%NCell /%Proportion of polishing /%Proportion of whiten /%Baseline 40080500.706513.69140.0009460282.6624.27 1.2 1.8Improvement 400100300.707413.69950.0008466582.7824.32003㊀结㊀㊀论1)在TOPCon 工艺过程中,LPCVD 采用单面Poly-Si 沉积时,前表面非绕镀区域在清洗去绕镀时容易被腐蚀,导致电池片外观异常㊁效率损失㊂㊀第5期代同光等:TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究823㊀2)氧化层厚度对TOPCon电池外观起着至关重要的作用,当硼扩散BSG厚度小于一定量时,在BOE去绕镀时不足以保护P+层,导致部分区域被腐蚀抛光;PSG厚度大于一定厚度时,在BOE去绕镀时P+层局部易被过度腐蚀导致发白㊂3)各掺杂氧化层在刻蚀HF酸溶液内的腐蚀速率为:V BSG<V PSG<V BSG+PSG㊂在腐蚀BSG+PSG叠层掩膜时,随着PSG厚度的增加,腐蚀速率将增大㊂4)通过在TOPCon电池正面制备一层适宜厚度的氧化层掩膜,搭配刻蚀及去绕镀工序化学品1.5%浓度的清洗工艺,即可有效地去除P+层绕镀的Poly-Si,也可很好地保护正面P+层不受破坏,解决单面沉积Poly-Si 外观异常的同时,提高LPCVD产能㊂参考文献[1]㊀张㊀志.隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池的研究[D].昆明:昆明理工大学,2019.ZHANG Z.Research on tunneling oxide passivation contact(TOPCon)solar cells[D].Kunming:Kunming University of Science and Technology,2019(in Chinese).[2]㊀肖友鹏,李桂金.硅太阳电池钝化载流子选择性接触概念与现状[J].电源技术,2019,43(11):1897-1900.XIAO Y P,LI G J.Concept and present situation of passive carrier selective exposure in silicon solar cells[J].Chinese Journal of Power Sources,2019,43(11):1897-1900(in Chinese).[3]㊀SACHS E,PRUEGER G,GUERRIERI R.An equipment model for polysilicon LPCVD[J].IEEE Transactions on SemiconductorManufacturing,1992,5(1):3-13.[4]㊀王举亮,贾永军.LPCVD法制备TOPCon太阳能电池工艺研究[J].人工晶体学报,2023,52(1):149-154.WANG J L,JIA Y J.Preparation of TOPCon solar cells by LPCVD method[J].Journal of Synthetic Crystals,2023,52(1):149-154(in Chinese).[5]㊀张㊀婷,刘大伟,宋志成,等.多晶硅绕镀层的去除工艺研究[J].人工晶体学报,2020,49(9):1641-1645.ZHANG T,LIU D W,SONG Z C,et al.Research on surround coating removal technology for polysilicon[J].Journal of Synthetic Crystals, 2020,49(9):1641-1645(in Chinese).[6]㊀周㊀颖.n型隧穿氧化层钝化接触太阳电池的量产关键问题研究[D].大连:大连理工大学,2021.ZHOU Y.Study on key Issues in mass production of N-type tunneling oxide passivation contact solar cells[D].Dalian:Dalian University of Technology,2021(in Chinese).[7]㊀涂宏波,马㊀超,王学林,等.晶硅太阳电池氮化硅膜产生色差的影响因素研究[J].化工中间体,2013,10(5):37-41.TU H B,MA C,WANG X L,et al.The inluence factors causing color diference of silicon nitride film of crystalline silicon solar cell[J].Chemical Intermediates,2013,10(5):37-41(in Chinese).。
美容仪器的正确清洁方法
美容仪器的正确清洁方法作为现代美容界的热门产品，美容仪器在帮助人们实现美丽愿望的同时，也需要得到妥善的保养与清洁。
正确的清洁方法不仅能延长美容仪器的使用寿命，更能保证使用效果和美容效果的最大化。
在这篇文章中，我将为大家介绍一些美容仪器的正确清洁方法，助您轻松拥有健康美丽的肌肤。
首先，我们要注意的是对美容仪器的日常清洁。
美容仪器的表面容易积累灰尘和污垢，因此，每次使用后，都要用干净的湿布或纸巾擦拭仪器表面。
这样可以保证仪器的整洁，防止外界污染物对仪器的损坏和皮肤的刺激。
除了日常清洁，定期深度清洁也是美容仪器保养的重要环节。
根据不同的美容仪器种类和使用频率，一般建议每1-2个月进行一次深度清洁。
深度清洁可分为以下几个步骤：第一步，将美容仪器的部件拆卸下来，分别清洗。
使用温和的洗洁剂，借助刷子或海绵清洗仪器的部件。
注意洗洁剂要少用，以免残留造成皮肤刺激。
洗净后，用清水彻底冲洗干净。
第二步，对于可以水洗的部分，选择温水加入适量的消毒液或消毒片，将仪器浸泡于其中，以杀灭细菌和病毒。
浸泡时间一般为15-30分钟，具体时间根据产品说明书的要求为准。
第三步，使用纯净水对仪器进行彻底冲洗，确保清洗干净。
之后，需要将仪器放置在干燥通风的地方，自然风干。
千万不要用毛巾或纸巾擦拭，以免留下纤维和细菌。
此外，还需要注意美容仪器的存储问题。
美容仪器在存放的过程中也容易受到细菌和污染的影响，因此，我们应将其存放在干燥清洁的地方，并避免阳光直射。
建议在存放之前，用纯净水再次对仪器进行简单清洁和消毒，以确保下次使用前仪器的整洁和安全。
最后，我还要提醒大家，使用美容仪器前一定要将脸部清洁干净，以免将污垢带入仪器中影响使用效果。
此外，在使用美容仪器后，也要对仪器进行简单的清洁，以保持其使用效果和卫生性。
综上所述，美容仪器的正确清洁方法包括日常清洁和定期深度清洁。
通过正确的清洁，我们可以延长美容仪器的使用寿命，保证其有效发挥作用，并帮助我们拥有美丽健康的肌肤。
RENA设备SOP操作流程-月PM
检查挡板高度
一、用水平仪检测挡板的水平状态。
27
二、水平确认无误后，用实物检查，如图取一硅片平放在挡板前。
挡板
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三、沿水平方向轻推硅 片通过挡板上方，仔细 观察硅片与挡板之间的 间距。
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检查CHILLER冷却水管道滤网
首先关闭冷却水进水， 再关闭冷却水回水.
拆下Chiller后面的6个盖板螺丝
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检查CHILLER冷却水管道滤网
用活动扳手旋开图示螺丝，并检查清理内部滤网，之后安装滤网并旋紧螺丝
滤网检查完毕，依次打开冷却水回水，进水.
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检查碱槽冷凝水管是否破裂
1.打开设备盖板. 2.用六角工具拆下碱槽冷凝排外部密封盖板. 3.手动打开冷却水控制阀，在加水的同时观察冷凝排是否漏水.
4.如果发现有水溢出，则拆下冷凝排进行维修，否则装好盖板，完成此步动作.
步骤八 清理废弃滤芯
● 将废弃的滤芯用垃圾袋双层包装，放入设备专用的危险废弃品放置桶 内，并在垃圾袋上显眼位置标识危险品。（正常都是在纸片上注明危 险品并粘贴在垃圾袋上。）
● 在操作时务必装带好必要的PPE，尤其是更换酸槽的滤芯时，要注意 安全。
17
பைடு நூலகம்
疏通风刀
● 步骤一 关闭风刀阀门 ，用水枪冲洗风刀
● 松开防尘网螺丝，取下防尘网，用吸尘器清理防尘网正反两面的灰尘
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步骤三 安装防尘网
● 重新安装好防尘网，切勿装反
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清洗排风口处盖板
● 穿戴好防护用品拆下盖板，至清洗房进行清洗，清洗完后安装盖板
37
更换RENA上方防尘网
38
擦拭滚轮
● 设备人员拆下上料台和下料台的滚轮交由生产人员擦拭
电池片工序流程
电池片生产工序流程第一道工序是清洗制绒，目的是通过一系列化学处理使硅片表面形成绒面,来减少对光的反射,吸收更多的光。
目前我们公司使用的是德国产的RENA清洗机，它采用全自动计算机控制添加排放药液，智能分析控制药液流量及浓度，以达到高效率、高产量、高稳定性产品。
第二道工序是磷扩散工序，目的是通过扩散磷杂质，在P型衬底硅表面形成N型硅，制作PN结。
PN结的制作是生产太阳光伏电池的核心工艺步骤。
目前我们公司主要使用的是中国电子科技集团公司第四十八研究所的扩散炉，它能达到较好的扩散控制精度。
第三道工序是后清洗工序，通过酸碱腐蚀去除扩散在硅片边缘的PN结，防止电池正负极短路。
目前我们公司使用的是德国RENA机，全自动计算机控制生产速度快。
第四道工序是PECVD工序，目的是通过等离子增强化学气相沉积在扩散面上镀上一层淡蓝色SIN膜，减少光反射，同时也起到钝化、抗氧化及绝缘作用。
目前我们公司使用的是德国产C—T管式PECVD等离子增强化学气相沉积机。
主要优点是全自动控制，提高生产效率。
第五道工序是丝网印刷工序，它分三道印刷完成，第一道是印刷背电极，目的是电池片形成良好的欧姆接触易于焊接。
第二道是印刷背电场，目的是收集载流子。
第三道是印刷正电极，目的是收集电流易于焊接。
目前我们公司使用的是意大利产BACCINI印刷机，是目前全球最先进的丝网印刷机。
第六道工序是烧结工序。
目的是通过红外加热管加热，烘干去除浆料里的有机物质，再经过高温使上下电极与硅片形成良好的欧姆接触，提高转换效率。
烧结后印刷电极可引出电流，形成电流回路。
目前我们公司使用的是美国产DESPATCH 烧结炉和德国产C—T烧结炉，设备优点是能达到快速烧结，且温度精度控制好。
最后一道工序是分类检测。
它通过模拟太阳光照射电池片，再通过模拟负载测出每片电池片的电流、电压、电阻等电性能参数，换算出转换效率进行分档。
目前我们公司使用的也是意大利产BACCINI分检机，它的优点是全自动分档范围广速度快。
RENA设备工艺介绍
4
设备运行过程中碱洗槽的 干燥运行保护
碱液罐碱液是否 不够
5
设备工作过程中酸洗槽高 温报警
查看冷却系统是 否正常
6
第一道滚轮不转其他滚轮 运行正常
查看滚轮感应器 是否正常
感应器出错
40
RENA开机工艺准备工作：
开机前工艺人员必须确保所有的化学用液在规定范围之内，各槽参数正常，即 RENA机主界面全部是绿色的情况下方能正常运行。
15
RENA手动模式状态详解：
16
RENA刻蚀槽界面介绍：
MODE MAN&MODE AUTO----自动运行时单个槽的自动手动切 换 PT FILLING DI----储液槽加纯水 PT FILLING CHEMIE----储液槽加化学药品 SYSTERM RINSING----整个系统(包括外槽内槽储液槽)用纯水清 洗
进入服务模式按扭 进入手动模式按扭 工艺文件 进入手动添加界面
曲线图
进入报警信息界面 取消蜂鸣 取消报警
14
RENA主界面详细说明7:
各添加桶状态 冷水机 状态 储液箱 状态
集中供液是 否READY
机器内化学品排 放是否READY
储液箱进口温度 储液箱设定温度 储液箱实际温度 冷水机内自来 水的电导率
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工艺技术人员对RENA机的工作内容及要求
对于RENA机，工艺技术人员最主要的工作就是要保证片子出来后符合工艺参 数要求在这边主要的一个工作内容包括以下几点： 1：保证RENA机各槽溶液的一个及时准确的更换，每个班必须记录下当天所换 药品，以确保下个班工艺能及时准确的了解。（一般换碱液工艺人员控制在40分 钟之内，更换蚀刻槽液体控制在3~4小时，更换HF酸控制在2~3小时）
RENA产品介绍
Dimensions 6500 x 3100 x 2400 mm (length x width x height) Throughput Depending on number of separation modules and proportion of good wafers • Wafer size 125 and 156 mm, 2650 wafers/h net Wafer thickness > 150 μm Media consumption • DI water 1-0.02 MOhm (1 - 50 μS/cm) 200 l/h temperature [°C] 18 +/- 3 • Compressed air 5 m3/h • Electricity 380 – 400 V AC +5% 3Ph+N+PE, 50 Hz 20 A
Throughput • Up to 3000 wafers/h dependent on wafer size Media consumption • Compressed air < 6 Nm3/h • Electricity 380 – 400 V Ac + 5% 3Ph+N+PE 50 Hz < 25 A Options • Shape/dimensional detection • Inline weighing • Complete inspection systems
电池片工艺流程
电池片工艺流程一、电池片工艺流程：制绒(intex)---扩散（diff）----后清洗（刻边/去psg）-----镀减反射膜（pecvd）------丝网、烧结（printer）-----测试、分选（tester+sorter）------包装（packing）二、各工序工艺了解：（一）前清洗1.rena前冲洗工序的目的：（1）去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤）（2）去除表面油污（利用hf）和金属杂质（利用hcl）（3）形成起伏不平的绒面，利用陷光原理，增加对太阳光的吸收，在某种程度上增加了pn结面积，提高短路电流（isc），最终提高电池光电转换效率。
2、前冲洗工艺步骤：制绒→碱洗→酸洗→揉搓etchbath：刻蚀槽，用于制绒。
所用溶液为hf+hno3，作用：（1）.除去硅片表面的机械受损层；（2）.形成无规则绒面。
alkalinerinse：碱洗槽。
所用溶液为koh，促进作用：（1）.对形成的多孔硅表面进行清洗；（2）.中和前道退火后残余在硅片表面的酸液。
acidicrinse：酸洗槽。
所用溶液为hcl+hf，作用：（1）.中和前道碱洗后残余在硅片表面的碱液；（2）.hf可去除硅片表面氧化层（sio2），形成疏水表面，便于吹干；（3）.hcl中的cl-存有随身携带金属离子的能力，可以用作除去硅片表面金属离子。
3.酸制绒工艺涉及的反应方程式:hno3+si=sio2+nox↑+h2osio2+4hf=sif4+2h2osif4+2hf=h2[sif6]s i+2koh+h2o→k2sio3+2h24.前冲洗工序工艺建议（1）片子表面5s控制不容许用嘴巴片子的表片，必须很湿手套，防止蔓延后发生脏片。
（2）称重a.自噬体片子的腐蚀深度都必须检测，不容许捏造数据，混用批次等。
b.要求每批测量4片。
c.摆测量片时，把握住平衡原则。
例如第一批放到1.3.5.7道，下一批则放到2.4.6.8道，易于检测设备稳定性以及溶液的光滑性。
RENA操作
2 关于temperature（温度）报警
出现此类报警时，需确认coolingunit在工作，确认有 循环流量，然后等待并观察温度是否降低。
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3 关于pump（泵）报警
出现此类报警时，需确认报警槽的溶液量是否达到 液位要求，循环是否正常。如有异常，补加药液并手动打 开槽体循环。检查该槽喷淋滤芯是否正常。
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硅片表面未洗干净
手指印及其 他人为污染 非扩散面有明 显大面积脏污 停止 查看各槽循环 正常 严格遵守生 产操作规范 异常 通知设备 停止 打开循环 通知设备 清理喷淋 及风刀 有效 硅片表面发黄
查看碱槽循环 正常
查看各槽喷淋 及风刀
正常 刻蚀槽补药
异常 查看碱槽喷淋及 风刀 正常 增大碱槽流量
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主操作界面
7
带数
带数
刻蚀槽温度
碱槽温度
风刀功率 循环流量 刻蚀槽寿命 酸、碱槽寿命
8
Manual界面
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注：管路图，其中黄色为酸管路，紫色为碱管路， 绿色为水管路，灰色为压缩空气
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Etch bath 刻蚀槽，是整个设备的核心部分，作用是去除背结、边缘 绝缘；主要含有DI水、H2SO4、HF、HNO3、按一定比例混合均匀后配 成。反应温度通常在5～8度。 主要反应方程式有： 1: Si + 4HNO3 = SiO2 + 4NO2 + 2H2O 2: SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O 3: SiF4 + HF= H2SiF6
是
通知设备人员处 理
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RENA设备常见报警信息
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1 关于waferjam（叠片）报警
出现此类报警时，设备人员调整滚轮并取出碎片。如果 是滚轮原因造成上述报警，同时上级决定暂时不能停机， 可选择不在报警道投片，待工艺换药或设备PM时进行相应 调整。此外可要求生产人员不定时检查各段滚轮是否正常 工作，设备中是否出现卡片、碎片。如果出现上述异常， 需及时调整片间距，减少叠片的发生。
电池片工艺流程
电池片工艺流程一、电池片工艺流程:制绒(INTEX)---扩散(DIFF)----后清洗(刻边/去PSG)-----镀减反射膜(PECVD)------丝网、烧结(PRINTER)-----测试、分选(TESTER+SORTER)------包装(PACKING)二、各工序工艺介绍:(一)前清洗1.RENA前清洗工序的目的:(1) 去除硅片表面的机械损伤层(来自硅棒切割的物理损伤)(2) 清除表面油污(利用HF)和金属杂质(利用HCl)(3)形成起伏不平的绒面，利用陷光原理，增加对太阳光的吸收，在某种程度上增加了PN结面积，提高短路电流(Isc)，最终提高电池光电转换效率。
2、前清洗工艺步骤: 制绒?碱洗?酸洗?吹干Etch bath:刻蚀槽，用于制绒。
所用溶液为HF+HNO3 ，作用:(1).去除硅片表面的机械损伤层;(2).形成无规则绒面。
Alkaline Rinse:碱洗槽。
所用溶液为KOH，作用:(1). 对形成的多孔硅表面进行清洗;(2).中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。
Acidic Rinse:酸洗槽。
所用溶液为HCl+HF，作用:(1).中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液;(2).HF可去除硅片表面氧化层(SiO2)，形成疏水表面，便于吹干;(3).HCl中的Cl-有携带金属离子的能力，可以用于去除硅片1/13页表面金属离子。
3. 酸制绒工艺涉及的反应方程式:HNO3+Si=SiO2+NOx?+H2OSiO2+ 4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]Si+2KOH+H2O ?K2SiO3 +2H24. 前清洗工序工艺要求(1) 片子表面5S控制不容许用手摸片子的表片，要勤换手套，避免扩散后出现脏片。
(2)称重a.每批片子的腐蚀深度都要检测，不允许编造数据，搞混批次等。
b.要求每批测量4片。
c.放测量片时，把握均衡原则。
如第一批放在1.3.5.7道，下一批则放在2.4.6.8道，便于检测设备稳定性以及溶液的均匀性。
EM-EOP-084B 清洗段RENA设备月保养作业指导书.
步骤二：一人负责对槽内所有风刀进行清洗。
步骤三：一人对设备维修面过滤桶内滤芯进行清洗或更换。
步骤四：一人对设备内碎片进行清理（如图以出料槽为例）
步骤五：对设备上冷却水管上3处滤网进行清理，防止滤网被堵，导致设备槽体降温效果不好。
步骤六：检查碱槽冷却水管是否破裂
步骤七：排掉冷却机内的水和乙二醇，重新添加乙二醇（用量20L），主要为了降低冷却机水箱内的电导率，保证水箱内不结冰。
步骤八：对设备电柜，热风机，设备顶端过滤网进行清理
步骤九：清洗各槽液位管，防止液位感应器误感应步骤十：清洗排风口盖板
步骤十一：检查电柜接线端子是否松动
步骤十二：检查各传感器工作是否正常
步骤十三：对设备主传动进行目视检查
（
对槽体滚轮进行水平检查
步骤十五：通知工艺进行配槽，要求产线人员对设备上下料滚轮用酒精进行擦拭。
操作步骤：
用酒精对滚轮进行擦洗，保证工艺卫生。
注意事项：
所需工具：无尘纸，酒精
所需工具：无
步骤十六：用50片假片手动放入设备，并跟踪，确保设备能
够正常运行。
电池线知识汇总.doc
电池线知识汇总电池线知识归纳一、生产流程一次清洗→扩散→二次清洗→PECVD→丝网印刷→测试分选二、各工序作用一次清洗（制绒工序国产设备）将硅片表面进行化学腐蚀，去除硅片表面的损伤层并形成绒面。
一次清洗（酸洗工序国产设备）去除硅片表面的金属离子和氧化层，使硅片表面洁净达到扩散要求。
一次清洗（RENA设备）将硅片进行化学腐蚀，去除硅片表面的损伤层并形成绒面。
扩散在清洗后的P型硅片表面通过高温扩散的方式形成一层N型，使整个硅片形成PN结。
二次清洗（等离子刻蚀工序国产设备）通过气体辉光放电的方式形成等离子体，将扩散后的硅片边缘N型去掉，防止边缘漏电。
二次清洗（清洗工序国产设备）对等离子刻蚀后的硅片表面进行化学清洗，去除硅片表面的磷硅玻璃。
二次清洗（RENA设备）对扩散后的硅片表面进行化学刻蚀及化学清洗。
PECVD通过等离子化学沉积的方法形成氮化硅薄膜，以增加表面的光吸收和减少硅片表面的载流子复合。
丝网印刷通过丝网印刷的方法，将导电浆料印刷到硅片上，以引出太阳能电池的电极，最后通过烧结炉对硅片进行烧结，使电极材料和硅形成良好的欧姆接触。
测试分选对烧结后的电池片的电性能进行测试，并根据其转换效率进行分选，最后按档位分别包装入库。
三、各工序所用设备和工具以及原辅料工序名所用设备和工具所用原辅料一次清洗（制绒工序国产设备）制绒清洗机、花篮、片盒、推车NAOH 、HF、Na2SiO3 、IPA 氮气、去离子水一次清洗（酸洗工序国产设备）酸洗清洗机、甩干机、花篮、片盒、推车HF 、HCl 、氮气、去离子水一次清洗（RENA设备）RENA一次清洗机、片盒、周转车、推车HF、HNO3 、氮气、去离子水、KOH、H2SO4 扩散石英舟、石英吸笔、舟叉套管、净化插片台、卸片台、扩散炉、承载片盒、方块电阻测试仪、少子寿命测试仪三氯氧磷、三氯乙烷、氧气氮气、氢氟酸、盐酸、去离子水二次清洗（等离子刻蚀工序国产设备）夹具、垫板、等离子刻蚀机、冷热探针四氟化碳、氧气、氮气二次清洗（清洗设备）二次清洗机、甩干机、花篮、片盒、推车HF、氮气、去离子水二次清洗（RENA设备）RENA清洗机、片盒、周转车硝酸、HF、KOH、HCL 氮气、去离子水PECVD（板式）板式PECVD镀膜设备、石墨框、片盒硅烷、氮气、氨气PECVD（管式）管式PECVD镀膜设备、石墨舟、片盒石英吸笔、周转车氨气、硅烷、氮气丝网印刷印刷机、烘干炉、网版浆料搅拌机、烧结炉单晶PV147、儒兴铝浆、PV149多晶PV505、儒兴铝浆、PV16A 测试分选测试分选仪、塑封机、包装机泡沫盒、瓦楞板、封箱带四、主要设备工艺参数1、一次清洗（制绒工序国产设备）片源1预清洗3去损伤58制绒槽初始配比时间S 温度℃初始配比时间S 温度℃初始配比时间S 温度℃自动补液手动补液硅切部片源3KG柠檬酸120 90 2KG氢氧化钠60 70 1.25KG氢氧化钠6L IPA.0.7L制绒辅助品1100 76 每过一篮补625ml氢氧化钠250ml IPA 每过3篮补100ml制绒辅助品外购片3KG柠檬酸60 90 15KG氢氧化钠80 80 1.25KG氢氧化钠6L IPA.0.7L制绒辅助品900 76 每过一篮补625ml氢氧化钠250ml IPA 每过3篮补100ml制绒辅助品一、二线工艺参数对照表片源1预清洗3去损伤58制绒槽初始配比时间S 温度℃初始配比时间S 温度℃初始配比时间S 温度℃自动补液手动补液硅切部片源3KG柠檬酸120 90 2KG氢氧化钠60 70 1.25KG氢氧化钠6L IPA.0.7L制绒辅助品1100 76 每过一篮补1250ml氢氧化钠300ml IPA 每过3篮补100ml制绒辅助品外购片3KG 柠檬酸60 90 15KG氢氧化钠80 80 1.25KG氢氧化钠6L IPA.0.7L制绒辅助品900 76 每过一篮补900ml氢氧化钠300ml IPA 每过3篮补100ml制绒辅助品三、七、八线工艺参数对照表2、一次清洗（酸洗工序国产设备）槽位功能配比液位时间1 HCl HCl 20L 最上面刻度120s 2 漂洗/ / 120s 5 混合酸洗HF 20L HCl 8L 最上面刻度120s 6 喷淋/ / 100s 7 漂洗/ / 100s 8 慢提拉/ / 30s 9 烘干/ / 300s 10 烘干/ / 300s 适用于一中心扩散前酸洗备注各槽位温度都在常温下，酸槽换液频率为12小时槽位功能配比液位时间鼓泡流量1 HCl HCl 20L 中间刻度120s 0.3-0.7m3/h配液时开，酸洗时关 2 漂洗/ / 120s 0.1-0.4m3/h 3 混合酸洗HF 20L HCl 8L 中间刻度120s 0.3-0.7m3/h配液时开，酸洗时关4 喷淋/ / 100s / 5 漂洗/ / 100s 0.1-0.4m3/h 6 喷淋/ / 100s / 适用于二、五中心扩散前酸洗备注1-7槽位温度都在常温下，3、4屏蔽,8槽温度为60℃;9.10槽温度为80℃酸槽换液频率都为12小时3、甩干机工艺参数瑞能甩干机项目低速高速喷水时间吹气时间温度喷氮延时蜂鸣延时参数180-205rpm 360-430rpm 30s ≥200s 120±5℃5s 10s 4、一次清洗（多晶中联设备）槽位配比温度时间自动补液漂洗DI Water120L 常温120-240s / 制绒HF40-50L HNO3200-250L DI120-150L 8-12℃120-180s HNO31.0-2.0L/篮HF0.6-1.2L/篮DI0.1-0.5L/篮漂洗DI120L 常温120s溢流漂洗DI120L 常温120s 溢流碱洗kOH8L DI115L 20±5℃20-60s KOH0.15-0.3L/篮DI1.4-2.0L/篮漂洗DI120L 常温180s 溢流漂洗DI120L 常温180s 溢流HCl酸洗HCl16L DI64L 常温120s HCl0.2-0.3L/篮DI0.4-0.6L/篮漂洗DI120L 常温120s 溢流HClHF酸洗HCl22.5L HF7.5L DI60L 常温120s HCl0.2-0.3L/篮HF0.15-0.25L/篮DI0.3-0.6L/篮漂洗DI120L 常温120s 溢流漂洗DI120L 常温120s 溢流慢提拉DI120L 60℃3-4min 溢流烘干氮气80-90℃3-8min / 一次清洗（多晶RENA设备）槽位配比温度速度自动补液循环流量制绒槽HF54.7L HNO3272.5L DI water152.8L 6-13℃1.1±0.2m/min HNO31.2±0.5L/100片HF0.5±0.2L/100片DI water0.55L/100片180±20L/ 吹干压缩空气/ 1.1±0.2m/min / 25Nm3/H 漂洗DI Water80L 常温1.1±0.2m/min / 58L/min 碱洗KOH6-8L DI water92L 20±5℃ 1.1±0.2m/min koH0.8-1.6L/H DI water16±2L/H 2800-3500L/H 漂洗DI water92L 常温 1.1±0.2m/min / 58L/min 酸洗HF23L HCl61L DI water92L 常温1.1±0.2m/min 4700L/H 漂洗DI water92L 常温 1.1±0.2m/min / 58L/min 吹干压缩空气/ 1.1±0.2m/min / 25Nm3/H 换液频率类型制绒槽碱洗槽酸洗槽漂洗槽156多晶30±5万片换一次15万片换一次15万片换一次每班交接班及用餐间换液125多晶45±5万片换一次15万片换一次15万片换一次每班交接班及用餐间换液扩散方块电阻要求类型单点控制上下限单片平均值控制上下限单晶125/156 45±5 45±3 多晶125/156 54±6 54±3 扩散炉开机后升温程序88 工艺号步号时间各炉区温度小N2sccm 大N2sccm O2sccm 清洗小N2sccm 舟速88 1 400 150 / 25000 / / 350 2 5100 850 / 25000 / / / 3 400 850 / 25000 / / / 扩散炉开机后清洗饱和工艺工艺号步号时间各温区温度小N2sccm 大N2sccm O2sccm 清洗小N2sccm 舟速02 1 400 850 / 20000 / / 350 2 800 1050 / / 10000 / / 3 600 1050 / / 10000 / / 4 3600 1050 / / 10000 1000 / 5 3600 1050 / / 10000 1000 / 6 1200 900 / 10000 10000 / / 7 4200 900 1800 20000 2400 / / 8 900 900 / 20000 / / / 9 400 900 / 25000 / / 350 单晶工艺参数步骤时间min 温度℃扩散大氮L/min 小氮L/min 氧气L/min 源温℃进炉5 850-890 25-30 0 0 20 稳定15 850-890 25-30 0 0 20 通源2 850-890 25-30 0.6 0.9 20 通源20 850-890 25-30 1.6-2.0 1.8-2.5 20 吹氮15 850-890 25-30 0 0 20 出炉5 850-890 25-30 0 0 20 多晶工艺参数步骤时间min 温度℃扩散大氮L/min 小氮L/min 氧气L/min 源温℃进炉 6 830-860 25-30 0 0 20 稳定15 830-861 25-30 0 2 20 通源 5 830-862 25-30 2 3 20 预沉积30 830-863 25-30 2-2.5 3-5.5 20 驱入15 830-864 25-30 0 2 20 降温5 800 25-30 0 0 20 出炉6 800 25-30 0 0 20 等离子刻蚀时间参数预抽120sec 辉光720sec 主抽120sec 清洗60sec 送气180sec 充气30sec 工艺参数工艺压力100pa 辉光功率600w 氧气流量30sccm CF4流量250sccm 二次清洗（国产设备）单晶三槽去磷硅玻璃1去磷硅玻璃槽初始配液去离子水180升、氢氟酸8升、去离子水加至液面从上而下第2条刻度过程中加液不排液、不加液反应时间2.5min 反应温度常温鼓泡氮气流量0.7-1.1m3/h 换液频率正常生产时每12小时换液2漂洗槽时间≥5min 氮气鼓泡流量0.1-0.4m3/h 温度常温换液频率12小时喷淋槽时间5min 温度常温单晶六槽去磷硅玻璃1去磷硅玻璃槽初始配液氢氟酸8升去离子水加至液面从上而下第2条刻度过程中加液不排液、不加液反应时间130s 反应温度常温鼓泡氮气流量0.3-0.7m3/h 配液时开启，清洗时关闭换液频率正常生产时每12小时换液2、3漂洗槽时间100s 温度常温鼓泡氮气流量不鼓泡换液频率12小时4、5喷淋槽时间100s 温度常温二次清洗（RENA设备）槽位配比温度速度自动补液循环流量刻蚀HF14.5L HNO3102L H2SO480L DIWater213.5L 8±2℃ 1.1±0.2m/min HNO30.2-0.25L/400片HF0.08-0.2L/400片25-45L/min 吹干压缩空气/ 1.1±0.2m/min / 25Nm3/h 漂洗DI water80L 常温1.1±0.2m/min 58L/min 碱洗KOH8L DI water92L 20±5℃1.1±0.2m/min KOH1-1.5L/h DI water10-15L/h 3500L/h 漂洗DI water60L 常温1.1±0.2m/min / 58L/min 酸洗HF39L DI water396L 常温 1.1±0.2m/min HF1.2L/h DI water 6L/h 4700L/h 漂洗DI Water60L 常温1.1±0.2m/min / 58L/h 吹干压缩空气/ 1.1±0.2m/min / 25Nm3/h 备注156多晶制绒槽每150万片换液一次，漂洗槽每5万，其他槽每10万片换一次125多晶制绒槽每150万片换液一次，漂洗槽每5万，其他槽每15万片换一次反应方程式制绒SI2NAOHH2ONA2SIO3H2 RENA 3SI4HNO318HF3H2SIF64NO8H2O PE 3SIH44NH3SI3N412H2 3SIH42N2SI3N46H2 扩散POCL3-600度---P2O5PCL5 4 PCL55O22P2O510CL2 2P2O55SI4P5SIO2 二次清洗SIO26HFH2[SIF6]2H2O。
RENA电池清洗机安全操作规程范本
RENA电池清洗机安全操作规程范本1. 介绍RENA电池清洗机是一种高效、可靠的设备，用于清洗各类电池。
为了确保操作人员的安全，减少事故发生的可能性，本规程旨在规范RENA电池清洗机的安全操作。
2. 操作前准备2.1 在进行任何操作之前，操作人员应该穿戴符合安全要求的个人防护装备，包括防护眼镜、手套和耳塞等。
2.2 确保清洗机的工作环境干燥、整洁，并确保设备连接稳固。
2.3 了解清洗机的操作流程和相关安全规范，遵守制造商提供的操作手册。
3. 电源和电气安全3.1 在启动清洗机之前，检查供电电源是否正常，确保电源线没有损坏，避免触摸湿润的表面。
3.2 操作人员离开清洗机时，应该关闭电源开关，并拔掉电源插头。
3.3 禁止用水或其他液体接触电源部件，以防止电击和设备故障。
4. 化学品和清洗剂安全4.1 使用RENA电池清洗机时，应该使用指定的清洗剂，并按照操作手册提供的配比进行配置。
4.2 避免直接接触清洗剂，如误触，应立即用大量清水冲洗皮肤，并咨询医生。
4.3 涉及酸性或碱性清洗剂时，应戴防酸防碱手套和防护眼镜。
4.4 清洗剂应储存在安全的地方，远离火源和易燃物。
5. 机械操作安全5.1 在操作清洗机之前，先将设备调整到合适的工作模式，防止设备过载。
5.2 不得将手或其他物体伸入工作区域内，以免发生夹伤或切割。
5.3 若发现设备异常，如异味、异响或故障，应立即停止使用，并通知维修人员。
5.4 清洗机应安放在平稳的表面上，并确保设备固定牢固。
6. 紧急情况处理6.1 在紧急情况下，操作人员应立即将清洗机停止，并向相关人员报告。
6.2 在紧急情况下，操作人员应知道紧急停止按钮的位置，并立即按下以停止设备运行。
6.3 在发生火警时，应立即关闭电源，并拨打火警电话。
7. 周期性维护和检查7.1 定期检查清洗机的连接件、电源线、液位等是否正常。
7.2 清洗机的维护和修理应由专业人员进行，非专业人员严禁擅自拆卸或修理设备。
新买的成人用品清洗方法
新买的成人用品清洗方法> 成人用品的私密性和特殊性使得它的清洗和消毒变得尤为重要。
正确的清洗方法不仅能保护我们的健康，而且能延长成人用品的使用寿命。
本文将介绍一些新买的成人用品的清洗方法，希望能帮助您正确地保养和清洁您的成人用品。
步骤一：阅读说明书在开始清洗之前，首先阅读和理解成人用品的说明书。
不同的成人用品可能有不同的材质和特性，需要采用不同的清洗方法。
同时，说明书中也会提供一些建议和注意事项，遵守这些指导能够更好地清洗和保养成人用品。
步骤二：准备清洗工具和材料为了能够有效地清洗和消毒成人用品，您需要准备一些清洗工具和材料，例如：- 温水和中性清洁剂或专用的成人用品清洗液- 温水和抗菌洗液或抗菌消毒液- 柔软的毛巾或纸巾- 小刷子或牙刷（建议选择软毛的刷子）- 干燥透气的容器或包装盒（用于存放已经清洗干净的成人用品）步骤三：清洗表面首先，使用温水和中性清洁剂或专用的成人用品清洗液清洗成人用品的表面。
注意不要将电子部分浸入水中，以免损坏。
轻轻地用毛巾或纸巾擦拭表面，确保清洁彻底。
如有需要，可以使用小刷子或牙刷清洁难以到达的角落。
步骤四：清洗内部部分接下来，根据成人用品的类型和材质，决定是否清洗内部部分。
有些成人用品拥有可拆卸的部件，可以将其分解后单独清洗。
建议使用温水和抗菌洗液或抗菌消毒液进行清洗。
如果使用的是防水产品，可以将其浸入温水中，加入适量的清洁剂或消毒液，轻轻地搅拌和按摩，然后彻底冲洗清洗剂。
如果使用的是非防水产品，可以使用湿巾或纸巾擦拭内部部分。
注意，一些成人用品内部有电池或电机，需要特别小心。
避免将电子部分浸入水中，以免损坏。
步骤五：消毒处理为了保证成人用品的卫生和健康，消毒是十分重要的一步。
您可以选择使用专门的抗菌消毒液或抗菌湿巾对成人用品进行消毒处理。
按照说明书的要求，将消毒液均匀地喷洒或擦拭在成人用品的表面和内部部分，确保每个角落都得到消毒。
然后，将其静置一段时间，以确保消毒剂发挥作用。
成人硅胶处理方法
成人硅胶处理方法
【导语】成人硅胶作为一种常见的日用品材料，了解其处理方法对于确保使用安全和卫生至关重要。
本文将详细介绍成人硅胶的储存、清洗、保养以及废弃处理等方面的方法。
一、储存方法
1.保持干燥：成人硅胶应存放在干燥、通风的环境中，避免潮湿导致硅胶发霉。
2.避免阳光直射：长时间的阳光照射会使硅胶老化，影响使用寿命。
3.妥善放置：硅胶制品应放置在清洁的容器内，避免与其他物品混放，以免污染。
二、清洗方法
1.使用前清洗：在首次使用成人硅胶之前，应用清水彻底冲洗，去除表面尘埃和残留物。
2.日常清洗：使用后，应及时清洗硅胶制品，可以用温水和温和的洗涤剂轻轻搓洗，然后用清水冲洗干净。
3.定期消毒：为了保证卫生，建议定期使用专业的消毒液对硅胶制品进行消毒处理。
三、保养方法
1.晾干：清洗后的硅胶制品应放在通风处晾干，避免潮湿。
2.避免划伤：在使用过程中，避免与尖锐物品接触，以免划伤硅胶表面。
3.定期检查：定期检查硅胶制品，如发现破损、老化等现象，应及时更
换。
四、废弃处理方法
1.分类丢弃：废弃的成人硅胶制品应按照当地垃圾分类规定进行分类丢弃。
2.环保处理：如有条件，可将废弃硅胶制品送到专业的回收处理机构进行环保处理。
通过以上介绍，相信大家对成人硅胶的处理方法有了更深入的了解。
RENA前后清洗工艺培训教程
太阳电池是应用光生伏特效应， 把光能直接转换成电能的一种器件。
它的任务原理可以概括成下面 几个主要进程：第一，必需有光的 照射，可以是单色光，太阳光或我 们测试用的模拟太阳光源。第二， 光子注入到半导体后，激起出电 子—空穴对。这些电子空穴对必需 有足够的寿命保证不会在分别前被 附和。第三，必需有个静电场〔PN 结〕，起分别电子空穴的作用。第 四，被分别的电子空穴，经电极搜 集输入到电池体外，构成电流。
的结晶盐梗塞喷淋口及风刀。 ➢ 3.停机1h以上，要跑假片，至少一批〔400片〕且要在消费前半小
时用水枪冲洗风刀处的滚轮，根绝制绒后的片子有滚轮印。 ➢ 前清洗到分散的产品时间: ➢ 最长不能超越4小时,时间过长硅片会污染氧化，到分散污染炉管,
从 而影响前面的电功用及效率
➢
四、RENA InOxSide后清洗工艺培训
RENA前后清洗工艺培 训教程
2021/6/30
Highlight
1.太阳电池基本知识 2.清洗制绒的目的 3.前清洗RENA机台及工艺引见 4.后清洗工艺引见 5.RENA机台罕见报警信息 6.碎片改善 7.十项影响要素 8.异常图片及复杂剖析 9.异常处置流程
一、什么是太阳能电池
1.太阳能电池的原理
2.设备结构
前清洗工艺步骤： 制绒→碱洗 →酸洗→吹干
RENA Intex前清洗设备的主体分为以下八个槽，此外还有滚轮、排 风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。
Etch bath
Dryer1
Rinse1
Alkaline Rinse
Rinse2
Acidic Rinse
Rinse3
Dryer2
出现此类报警时，工艺人员需确认报警槽的溶液量能否到达液位要求，循环
Rena清洗机
下料台
干 燥
漂洗 3#
酸 洗
漂洗 2#
InOxSide
上料台 刻蚀槽 漂洗 1# 碱 洗 漂洗 2#
下料台
干 燥
漂洗 3#
酸 洗
开机前检查 1、压缩空气:
RENA 清洗 机的 Air Knifes 工作压力规定4—6bar 的气压。
无法显示图像。计算机可能没有足够的内存以打开该图像，也可能是该图像已损坏。请重新启动计算机，然后重新打开重新将其插入。
开机的操作过程
确认各模 块有无报 警信息， 若有任何 异常，通 知当班工 艺和设备 工程师。
信息栏
开机的操作过程
1.点击 Manual 按钮,随后点 F4（三次）， 进入Ｄrives 菜 单，点击 All Conveyor,点击 Stop 停止滚轮 转动。 2.点 F10 退回 主界面。
Conveyor按钮
开机的操作过程 1、合上电源，开启设备的显示器
无法显示图像。计算机可能没有足够的内存以打开该图像，也可能是该图像已损坏。请重新启动计算机，然后重新打开该文件。如果仍然显示红色 “x”，则可能需要删除该图像，然后重新将其插入。
电源按钮
电源开关
开机的操作过程
点击
点击 Login 进入登陆界 面，输入用 户名及密码， 点击 ok 进 入,
界面上 Etch bath 单元下方显示为黄色“Filling chemie”和黄 色＂not ready",等待 Etch bath 添加完成，等待碱槽和酸槽 温度显示稳定，下方显示为绿色
添加完成 显示为绿色
开机的操作过程
“Full chemie”和绿色“Ready”。随后点击＂start"按钮各模块 自动运行．
RENA清洗设备中文版说明书
RENA清洗设备中文版说明书仅操作部分6、操作6.1 开机6.1.1 步骤1：开机前准备第一步：打开药液供给侧的手动阀第二步：关闭所有后侧门第三步：关闭所有服务和维修窗口的盖板第四步：解锁所有急停按钮6.1.2步骤2：给机器上电第一步：将机器的主开关打到ON的状态此时机器有电第二步：移走UPS电源的盖板第三步：将UPS的主开关打到ON的状态第四步：将主机的主开关打到ON的状态此时操作系统启动6.1.3步骤3：给CHILLER上电第一步：将CHILLER的主开关打到ON的状态此时CHILLER启动6.1.4步骤4：登录Windows第一步：选择Operator用户第二步：输入Operator密码，点击确定6.1.5步骤5：启动应用软件6.1.5.1 启动SPS软件第一步：双击WINLC RTXSPS软件启动SPS软件开始自动运行，直到ON和RUN显示为绿色第二步：将WINLC RTX最小化6.1.5.2 启动Server第一步：双击Server第二步：点击Open Project第三步：选择Project Path第四步：点击[+]第五步：点击[Configuration]第六步：点击OK第七步：点击RUN第八步：点击Start Tag Provider第九步：最小化服务器程序6.1.5.3 启动用户界面第一步：双击[Client]6.1.6步骤6：用户登入第一步：登入Process6.1.7步骤7：控制系统上电第一步：按动ON按钮6.2 工艺初始化准备第一步：登入Service第二步：了解所有报警信息第三步：将机器打到Manual状态第四步：对所有的功能单元下载Recipe第五步：冷却系统补液第六步：清洗槽补液第七步：所有dosage tanks补液第八步：所有Pump tanks补液此时机器用于工艺已准备好6.3 自动生产第一步：登入Operator用户第二步：确认所有的功能单元都处在Ready状态第三步：点击Start production6.3.3 停止自动生产6.3.3.1 停止预定的自动生产第一步：点击Scheduled stop弹出一个窗口第二步：点击YES仍在机器内的硅片跑出后停止6.3.3.2 停止未预定的自动生产第一步：点击Unscheduled stop弹出一个窗口第二步：点击YES仍在机器内的硅片将过刻6.3.3.3 停止自动生产—关闭步骤1：停止预定的自动生产第一步：点击Scheduled stop第二步：点击YES仍在机器内的硅片跑出后停止步骤2：点击Unscheduled time6.3.4 手动补液6.3.4.1 工艺槽补液第一步：点击Process bath第二步：点击欲加液的dosage tank.第三步：点击dosage第四步：输入欲加液的体积第五步：点击Start manual dosage补液开始停止补液第一步：点击Stop manual dosage补液停止6.3.4.2 碱槽补液与以上相似6.3.4.3 酸槽补液与以上相似6.3.5 滚轮操作6.3.5.1 停止滚轮第一步：点击Drives break滚轮停止转动6.3.5.2 启动滚轮第一步：点击Drives continue滚轮开始转动6.3.6 机器保护门的操作6.3.6.1 解锁保护门第一步：点击Unlock pane保护门解锁6.3.6.2 锁保护门第一步：点击Lock pane保护门锁上6.3.7硅片计数器清零第一步：点击Reset wafer counter硅片计数器清零6.4 手动操作6.4.1 将机器打到Manual状态第一步：点击Manual第二步：等到所有功能单元都切换到Manual状态6.4.2 冷却系统补液第一步：将机器打到Manual状态第二步：点击Cooling System第三步：点击Manual functions第四步：点击Fill with City Water冷却系统开始补液中断冷却系统补液第五步：点击Stop正补液的冷却系统停止补液6.4.3 清洗槽补液第一步：将机器打到Manual状态第二步：点击欲加液的清洗槽第三步：点击Manual functions第四步：点击Fill with DI清洗槽开始补液6.4.4 dosage tank补液6.4.4.1 工艺槽dosage tank补液第一步：将机器打到Manual状态第二步：点击Process bath第三步：点击Manual functions第四步：点击欲加化学药品的Dosage Tank Filldosage tank开始补液第五步：对所有的dosage tank重复第四步的操作中断补液第六步：点击Stop补液被中断6.4.4.2 碱槽的dosage tanks补液与以上相似6.4.4.3 酸槽的dosage tanks补液与以上相似6.4.5 Pump tanks 补液6.4.5.1 工艺槽Pump tanks 补液第一步：将机器打到Manual状态第二步：点击Process bath第三步：点击Manual functions第四步：对所有的dosage tanks补液第五步：点击Fill chemistryPump tank将按照recipe的设定补液中断补液第六步：点击Stop补液被中断6.4.5.2碱槽Pump tanks 补液与以上相似6.4.5.2酸槽Pump tanks 补液与以上相似6.4.6 Bath槽补液第一步：将机器打到Manual状态第二步：冷却系统补液第三步：所有清洗槽补液第四步：所有dosage tanks补液第五步：所有pump tanks补液第六步：点击InOxSide第七步：点击Start productionBath槽开始补液6.4.7 冷却系统排液第一步：将机器打到Manual状态第二步：点击Cooling system第三步：点击Manual functions第四步：点击Drain冷却系统开始排液中断排液第五步：点击Stop排液被中断6.4.8清洗槽排液与以上相似6.4.9 将Baths的药液排到pump tank第一步：将机器打到Manual状态第二步：选择欲操作的功能单元第三步：点击Manual functions第四步：点击Drain bath to pump tankBath开始排液到Pump tank中断排液第五步：点击Stop排液被中断6.4.10 对baths and pump tank排液第一步：将机器打到Manual状态第二步：选择欲操作的功能单元第三步：点击Manual functions第四步：点击DrainBath和Pump tank将被排空6.4.11 对dosage tanks排液第一步：将机器打到Manual状态第二步：选择欲操作的功能单元第三步：点击Manual functions第四步：点击DrainBath和Pump tank将被排空第五步：点击欲操作的dosage tank的Drain dosage tankdosage tank的药液被排到pump tank.pump tank.的药业被排空中断排液第六步：点击Stop排液被中断6.4.12 换液Changing the bath第一步：将机器打到Manual状态第二步：选择欲操作的功能单元第三步：点击Manual functions第四步：点击Bath change6.4.13 启动自动清洗清洗周期和清洗时间由recipe的参数预设第一步：将机器打到Manual状态第二步：选择欲操作的功能单元第三步：点击Manual functions第四步：点击Clean开始清洗中断清洗第五步：点击Stop清洗被中断6.4.14 启动手动清洗6.4.14.1 工艺槽的手动清洗第一步：将机器打到Manual状态第二步：点击Process bath第三步：点击Manual functions第四步：点击Start manual rinseBath槽的排液阀门打开用水枪冲洗bath槽中断清洗第五步：点击StopBath槽的排液阀门关闭手动清洗被中断6.4.14.2 酸槽的手动清洗与以上相似6.4.15 停止手动清洗6.4.15.1 工艺槽的手动清洗第一步：将机器打到Manual状态第二步：点击Process bath第三步：点击Manual functions第四步：点击stop manual rinseBath槽的排液阀门关闭6.4.15.2酸槽的手动清洗与以上相似6.4.16 初始化第一步：将机器打到Manual状态第二步：选择欲操作的功能单元第三步：点击Init功能单元开始初始化中断初始化第四步：点击Stop初始化被中断6.4.17 dosage tanks的余量置零第一步：将机器打到Manual状态第二步：点击Process bath第三步：点击Manual functions第四步：点击Bath changeThe bath is changed.The rest volume dosage tank is reseted 6.4.18 检测第一步：登入Process用户第二步：打开检测单元的盖子第三步：将检测容器与检测软管连接第四步：关闭检测单元的盖子第五步：点击sampling按钮5秒第六步：打开检测单元的盖子第七步：取出检测容器第八步：锁上检测容器第九步：关闭检测单元的盖子第十步：登入Operator用户6.5 设置6.5.1 改变温度6.5.1.1 在生产过程中改变温度第一步：点击Inoxside第二步：点击Bath temperature第三步：改变温度值第四步：点击OK6.5.1.2 在Recipe里改温度第一步：点击Inoxside第二步：点击Process bath第三步：点击Recipe第四步：双击pump tank temperature or bath temperature的数值第五步：更改数值第六步：点击OK6.5.2 更改带速6.5.2.1在生产过程中改变速度第一步：点击Inoxside第二步：点击Speed setpoint第三步：改变速度值第四步：点击OK6.5.2.2在Recipe里改速度第一步：点击Inoxside第二步：点击Transport第三步：点击Recipe第四步：双击欲改变的数值第五步：更改数值第六步：点击OK6.5.3 设置第一次补液的比例第一步：点击Inoxside第二步：点击欲操作的功能单元第三步：点击Recipe第四步：双击Concentration for first fill'.的数值第五步：更改数值第六步：点击OK6.5.4 设置自动补液第一步：点击Inoxside第二步：点击欲操作的功能单元第三步：点击Recipe第四步：双击Dosage V olume'的数值第五步：更改数值第六步：点击OK6.5.5 设置自动清洗6.5.5.1设置清洗周期的编号第一步：点击Inoxside第二步：点击欲操作的功能单元第三步：点击Recipe第四步：双击Numbers of Cleaning Cycles'.的数值第五步：更改数值第六步：点击OK6.5.5.2设置清洗时间第一步：点击Inoxside第二步：点击欲操作的功能单元第三步：点击Recipe第四步：双击Cleaning time'.第五步：更改数值第六步：点击OK6.5.6设置流动时间第一步：点击Inoxside第二步：点击欲操作的功能单元第三步：点击Recipe第四步：双击Setpoint flow'第五步：更改数值第六步：点击OK6.5.7设置dryer第一步：点击Inoxside第二步：点击dryer第三步：点击Recipe第四步：双击要改变的参数第五步：更改数值第六步：点击OK6.6 关机6.6.1 步骤1：机器排液第一步：点击Scheduled stop◊No new wafers are conveyed into the machine.The mode of the machine is◊ changed to 'Standby'.Processing of any wafers that are still in the◊ machine is carried out to the end. The baths are drained into the pump◊ tank.The mode of the machine is changed to◊ 'Manual'.6.6.2步骤2：结束工艺准备就绪第一步：登入Process用户第二步：所有的Pump tanks排液第三步：所有的Dosage tanks排液第四步：清洗所有的Dosage tanks第五步：清洗所有的Pump tanks第六步：将机器状态改为Off6.6.3步骤3：关闭控制电源第一步：在控制面板上点击Off按钮机器将不再能从界面上控制6.6.4步骤4：关机准备第一步：关闭所有的药液提供侧的手动阀6.6.5步骤5：关闭总电源第一步：将主开关打到Off状态6.7 急停按下后的开机6.7.1步骤1：开机准备第一步：处理急停原因第二步：解锁所有的急停按钮6.7.2步骤2：打开控制电源第一步：点击ON按钮6.7.3步骤3：启动准备就绪第一步：登入Service用户第二步：将机器打到manual状态第三步：了解所有的报警信息6.7.4步骤4：开始自动生产第一步：登入Operator用户第二步：确保所有的功能单元都处于Ready状态第三步：点击InOxside第四步：点击Start production该按钮键变绿状态显示变为InitBaths槽开始补液状态显示变为Auto机器开始生产The Semi E10状态改为Start production 6.8断电后的开机6.8.1断电断于10分钟的开机6.8.1.1步骤1：开机前准备第一步：重启电源6.8.1.2步骤2：打开控制电源第一步：按动ON按钮控制电源上电该按钮键显示为绿色6.8.1.3步骤3：启动准备就绪第一步：登入Service用户第二步：将机器打到manual状态第三步：了解所有的报警信息6.8.14步骤4：开始自动生产第一步：登入Operator用户第二步：确保所有的功能单元都处于Ready状态第三步：点击InOxside第四步：点击Start production该按钮键变绿状态显示变为InitBaths槽开始补液状态显示变为Auto机器开始生产The Semi E10状态改为Start production 6.8.2大于10分钟断电后的开机6.8.2.1步骤1：开机前准备第一步：重启电源6.8.2.2步骤2：打开控制电源第一步：按动ON按钮控制电源上电该按钮键显示为绿色6.8.2.3步骤3：windows登入第一步：点击operator第二步：输入密码Operator点击OK6.8.2.4步骤4：启动准备就绪第一步：登入Service用户第二步：将机器打到manual状态第三步：了解所有的报警信息第四步：对所有的功能单元下载Recipe第五步：冷却系统补液第六步：所有清洗槽补液第七步：所有的dosage tanks 补液第八步：所有的pump tanks 补液此时设备准备好6.8.2.5步骤5：开始自动生产第一步：登入Operator用户第二步：确保所有的功能单元都处于Ready状态第三步：点击InOxside第四步：点击Start production该按钮键变绿状态显示变为InitBaths槽开始补液状态显示变为Auto机器开始生产The Semi E10状态改为Start production。
清洗rena
片
多晶硅片制绒效果图
干燥硅片
InOxside各槽的功能
Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2 SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O SiF4 + HF= H2SiF6 SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O SiF4 + 2HF= H2SiF6
Chint Solar Confidential
19
谢 谢
Chint Solar Confidential
20
1.硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸将硅氧化）。
2.二氧化硅和氢氟酸反应（快反应），生成四氟化硅和水（快反应），四氟化
硅又和水化合成氟硅酸进入溶液。 去除残余的化学品、清洁硅
1、去PSG；2、去除残余的碱； PSG PSG 硫酸不参与反应，仅仅是增加氢离子浓度，加快反应，增加溶液黏度（增大溶 片 3、去除金属离子 干燥硅片
表面，以减少光的反射 去金属离子和氧化物
制作疏水表面
陷光原理图
Chint Solar Confidential
3
设备简介
设备名称：InOxside
全称：Inline Edge Isolation and Oxide Etch Machine
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三、RENA Intex前清洗（酸制绒）工艺
RENA清洗设备 注：前、后清洗设备外观相同，内部构造和作用原理稍有不同
1.RENA前清洗工序的目的：
去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤） 清除表面油污（利用HF）和金属杂质（利用HCl） 形成起伏不平的绒面，增加对太阳光的吸收，增加PN结 面积，提高短路电流（Isc），最终提高电池光电转换效率。
3. 酸制绒工艺涉及的反应方程式:
HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H2O SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2 NO2 + H2O = HNO3 + HNO2 Si + HNO2 = SiO2 + NO +H2O HNO3 + NO + H2O = HNO2
3.放测量片时，把握均衡原则。如第一批放在1.3.5.7道，下一批则 放在2.4.6.8道，便于检测设备稳定性以及溶液的均匀性。
刻蚀槽液面的注意事项： 正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立 即通知工艺人员。
产线上没有充足的片源时，工艺要求: 1.停机1小时以上，要将刻蚀槽的药液排到tank，减少药液的挥发。 2.停机15分钟以上要用水枪冲洗碱槽喷淋及风刀，以防酸碱形成的 结晶盐堵塞喷淋口及风刀。 3.停机1h以上，要跑假片，至少一批（400片）且要在生产前半小时 用水枪冲洗风刀处的滚轮，杜绝制绒后的片子有滚轮印。
腐蚀深度与电性能间的关系
在绒面硅片上制成PN结太阳电池，它有以下特点:
(l)绒面电池比光面电池的反射损失小，如果再加减反射膜，其反射率可进
一步降低。 (2)入射光在光锥表面多次折射，改变了入射光在硅中的前进方向，不仅延 长了光程，增加了对红外光子的吸收，而且有较多的光子在靠近PN结附近 产生光生载流子，从而增加了光生载流子的收集几率。 (3)在同样尺寸的基片上，绒面电池的PN结面积比光面大得多，因而可以提 高短路电流，转换效率也有相应提高。 (4)绒面也带来了一些缺点:一是工艺要求提高了；二是由于它减反射的无 选择性，不能产生电子空穴对的有害红外辐射也被有效地耦合入电池，使 电池发热；三是易造成金属接触电极与硅片表面的点接触，使接触电阻损 耗增加。
HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液为HF， 作用：中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液；去PSG
后清洗机台的操作界面，基本的工艺要求，换药 规程等、基本都都同于前清洗设备，在此不再累述。 需要注意的是：后清洗刻蚀槽处的排风很重要
五、RENA设备常见报警信息
1 关于waferjam（叠片）报警 出现此类报警时，工艺人请设备人员调整滚轮并取出碎片。如果是滚轮原因 造成上述报警，同时上级决定暂时不能停机，可选择不在报警道投片，待工艺换 药或设备PM时要求设备人员进行相应调整。此外可要求生产人员可适当增大放 员需检查各段滚轮是否正常工作，设备中是否出现卡片、碎片。如果出现上述异 常，需及时片间距，减少叠片的发生。 2 关于temperature（温度）报警 出现此类报警时，工艺人员需确认coolingunit在工作，确认有循环流量，然后 等待并观察温度是否降低。如果温度没有下降趋势，通知设备人员进行检查。 3 关于pump（泵）报警 出现此类报警时，工艺人员需确认报警槽的溶液量是否达到液位要求，循 环是否正常。如有异常，补加药液并手动打开槽体循环。同时要求设备人员检查 该槽喷淋滤芯是否正常。 4 关于dry（风刀）报警 出现此类报警时，工艺人员需检查外围供气压力是否正常，风刀有无被堵 。并及时通知外围人员或设备人员作出相应调整。
主操作界面
Manual界面
刻蚀槽管路图
A1. 换药时酸液流动方向 A2.补药时酸液流动方向 B. 循环时液体流动方向 C. DI Water 流动方向 D. Cool water 流动方向 E. Exhaust(acidic gas) V/V and Sensors a-c: liquid level sensor, a:under the level, not enough b: liquid is full c: liquid overfill d: liquid will overfall f: V/V open while liquid circulation g/G:MFC1 h: thermometer i: conductivity meter j: MFC2(Etch Bath airknife) k: MFC3 l:pump
Recipe界面
Replenish界面
Trend界面
4.前清洗换药规程
5. 前清洗工序工艺要求
片子表面5S控制 不容许用手摸片子的表片，要勤换手套，避免扩散后出现脏片。
称重
1.每批片子的腐蚀深度都要检测，不允许编造数据，搞混批次等。 2.要求每批测量4片。
后清洗的目的就是进行湿法刻蚀和去除PSG。
2.湿法刻蚀原理:
利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去
除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。
边缘刻蚀原理反应方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2 + 8H2O
3.刻蚀中容易产生的问题及检测方法： 1.刻蚀不足：边缘漏电，Rsh下降，严重可导致失效 检测方法：测绝缘电阻 2.过刻：正面金属栅线与P型硅接触，造成短路 检测方法：称重及目测 SPC控制：当硅片从设备中流转出来时，工艺需检查硅片表面状 态，绒面无明显斑迹，无药液残留。125单晶该工序产品单要求面腐 蚀深度控制在0.8～1.6μm范围之内,且硅片表面刻蚀宽度不超过2mm, 同时需要保证刻蚀边缘绝缘电阻大于1K欧姆。
5 关于刻蚀槽flow（流量）报警 出现此类报警时，工艺人员需检查是否有碎片堵住药液入口。如有碎片 需取出后，将药液打入tank混匀溶液后重新将药液打入bath中。如果流量不 稳定报警，需要求设备人员检查相应传感器 6 关于overfilled（溶液过满）报警 出现此类报警时，工艺人员需要求设备检查液位传感器是否正常工作。 如果确实过满，则需要手动排掉部分药液，直到达到生产液位要求。 7 关于 tank empty（储药罐空）报警 出现此类报警时，说明外围相应储药罐中的药品已空，需及时通知外围 人员添加药液。 8 关于 valve blocked（阀门被堵）报警 出现此类报警时，则有阀门被堵，必须立即通知设备人员处理。 9 颜色突出指示的意义 出现报警信息时，各种颜色突出所指示的相关意义如下图所示
Dryer2
Etch bath：刻蚀槽，用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3 ，作用： 1.去除硅片表面的机械损伤层； 2.形成无规则绒面。
Alkaline Rinse：碱洗槽 。 所用溶液为KOH，作用： 1. 对形成的多孔硅表面进行清洗； 2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。 Acidic Rinse：酸洗槽 。 所用溶液为HCl+HF，作用： 1.中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液； 2.HF可去除硅片表面氧化层（SiO2），形成疏水表面，便于吹干； 3.HCl中的Cl-有携带金属离子的能力，可以用于去除硅片表面金属离子。
RENA前后清洗工艺培训
Confidential
一、什么是太阳能电池
1.太阳能电池的原理
太阳电池是利用光生伏特效应， 把光能直接转换成电能的一种器件。 它的工作原理可以概括成下面 几个主要过程：第一，必须有光的 照射，可以是单色光，太阳光或我 们测试用的模拟太阳光源。第二， 光子注入到半导体后，激发出电 子—空穴对。这些电子空穴对必须 有足够的寿命保证不会在分离前被 附和。第三，必须有个静电场（PN 结），起分离电子空穴的作用。第 四，被分离的电子空穴，经电极收 集输出到电池体外，形成电流。
2.设备构造
前清洗工艺步骤： 制绒→碱洗 →酸洗→吹干 RENA Intex前清洗设备的主体分为以下八个槽，此外还有滚轮、排 风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。
Etch bath Dryer1 Rinse1 Alkaline Rinse
Rinse2
Acidic Rinse
Rinse3
去PSG工序检验方法： 当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表 明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃 未被去除干净，可在HF槽中适当补些HF。
5.后清洗设备构造
后清洗工艺步骤： 边缘刻蚀→碱洗 →酸洗→吹干 RENA InOxSide后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、 排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。
前清洗到扩散的产品时间:
最长不能超过4小时,时间过长硅片会污染氧化，到扩散污染炉管,从 而影响后面的电性能及效率
四、RENA InOxSide后清洗工艺培训
1.后清洗的目与原理
扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩 散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域 流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。 同时，由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化 硅，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶 格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG。
4.去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降 低和功率的衰减。 2) 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降 低，进而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。
去PSG原理方程式： SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O