第四章 集成电路设计

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集成电路设计

集成电路设计

集成电路设计集成电路设计是电子与电气工程领域中的重要分支,它涉及到电子器件、电路设计和系统集成等多个方面。

随着科技的不断发展和进步,集成电路在现代社会中扮演着至关重要的角色,广泛应用于通信、计算机、医疗、汽车等各个领域。

本文将从集成电路设计的基本原理、技术发展和应用领域等方面进行探讨。

一、集成电路设计的基本原理集成电路是将大量的电子器件、电路和系统集成到一个芯片上的技术,它的设计基于电子器件的特性和电路的原理。

在集成电路设计中,首先需要进行器件级的设计,包括晶体管、电容器、电感器等器件的设计和优化。

其次,需要进行电路级的设计,将各种电子器件按照一定的连接方式组合成电路,实现特定的功能。

最后,需要进行系统级的设计,将多个电路模块组合成完整的电子系统。

这一系列设计过程需要考虑电路的性能、功耗、稳定性等因素,同时还需要满足特定的应用需求。

二、集成电路设计的技术发展随着半导体技术的不断进步,集成电路设计也在不断发展和演变。

在早期,集成电路设计主要采用手工设计的方式,设计师需要手动布线和优化电路,这种方式效率低下且容易出错。

随着计算机技术的发展,出现了自动化的电路设计工具,如EDA(Electronic Design Automation)软件,它能够自动完成电路布局、布线和优化等工作,大大提高了设计效率和准确性。

近年来,随着人工智能和机器学习等技术的兴起,集成电路设计也开始探索自动化设计和智能优化的方法,为设计师提供更多的辅助和创新思路。

三、集成电路设计的应用领域集成电路设计在各个领域中都有广泛的应用。

在通信领域,集成电路被用于设计和制造各种通信设备,如手机、路由器、光纤通信系统等。

在计算机领域,集成电路是计算机芯片的核心,它决定了计算机的性能和功能。

在医疗领域,集成电路被应用于医疗设备的设计和制造,如心脏起搏器、MRI扫描仪等。

在汽车领域,集成电路被用于汽车电子系统的设计和控制,如发动机控制单元、自动驾驶系统等。

模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器.

模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器.

ΔVinmax
2ISS 故允许输入的最大差模电压范围△V 为: ID =β
2ISS (这就是电路能处理信号的最大差模电压。) ΔVID = β
差动放大器4 # 14
基本差分对的定量分析(4)
4. 因△ID是△Vin的奇函数,故有:
ΔID(t)=αΔV 1 in(t)+αΔV 3 in (t)+αΔV 5 in (t)+......
gmR D VY = A VX VT = Vin 2
差动放大器4 # 19
差分对的小信号特性(3)
gmR D VX = A VX Vin1 = Vin1 2 gmR D VY = A VX VT = Vin1 2 (VX-VY ) |Vin1=∆Vin=-gmRD ∆Vin
(VX-VY ) |Vin2=-∆Vin=-gmRD ∆Vin
差动放大器4 # 18
差分对的小信号特性(2)
利用叠加定理 ,先考虑Vin1的 作用,再求VY
1 1 RT = = g m1 g m
VT=Vin RL1 求开路电压VT
这是CG放大器
利用小信号等 效电路,可求得:
g m1R L1R D1 利用CG放大器已有公式: VR L1 = Vin 1+ g m1R L1 g m2R D gmR D g m1R L1R D1 A VX = = VT = lim VR L1 = Vin = Vin 1+ g m2R T 2 R L1 →∞ 1+ g m1R L1
简 单 差 动 对
如何减小输入共模电平变化的影响呢?
差动放大器4 # 5
基本差动对
Vin1-Vin2 足够负, M1截止, M2导通 Vin1-Vin2 相差不 大时, M1 和 M2 均 导通

集成电路设计

集成电路设计

集成电路设计
集成电路设计是指将多个电子元器件集成在一起,组成一个功能完整的整体电路系统。

它通常通过布线和逻辑设计来实现。

集成电路设计在现代电子工业中占据重要地位,它被广泛应用于各个领域,包括通信、计算机、汽车、医疗器械等。

在集成电路设计中,有几个主要的步骤。

首先是需求分析,设计人员需要了解电路的功能和性能要求,以确定设计的目标。

然后是电路架构设计,设计人员需要选择适当的架构来实现所需的功能。

接着是电路元器件的选择,设计人员需要根据需求选择合适的电子元器件,包括晶体管、电容、电阻等。

在选择元器件之后,设计人员需要进行电路布线和逻辑设计。

布线是将元器件连接起来,并安排它们的位置。

逻辑设计是确定电路中各个元器件的功能和工作方式,以实现整体的功能。

这些步骤需要使用专业的电路设计软件,如CAD、EDA等。

集成电路设计还需要进行电路仿真和验证。

在设计过程中,设计人员需要使用电路仿真软件来验证电路的功能和性能。

通过仿真,可以发现和修复电路中存在的问题,确保电路的正常工作。

验证是对最终设计的电路进行测试,以确保其满足预定的功能和性能要求。

最后,集成电路的制造和测试是集成电路设计的最后步骤。

制造是将设计好的电路制作成实际的芯片,这需要使用先进的微电子技术和制造设备。

测试是对制造好的芯片进行测试,以确保其质量和可靠性。

总的来说,集成电路设计是一项复杂而重要的工作,它需要设计人员具备深厚的电子知识和工作经验。

通过合理的设计和优化,可以开发出功能强大、性能卓越的集成电路产品,推动电子科技的发展。

第4章集成运算放大电路

第4章集成运算放大电路

2020年4月8日星期三
Shandong University
第3页
模拟电路
二、集成运放电路的组成
两个 输入端
一个 输出端
若将集成运放看成为一个“黑盒子”,则可等效为一个 双端输入、单端输出的差分放大电路。
2020年4月8日星期三
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第4页
模拟电路
集成运放电路四个组成部分的作用
模拟电路
第四章 集成运算放大电路
§4.1 概述 §4.2 集成运放中的电流源 §4.3 电路分析及其性能指标
2020年4月8日星期三
Shandong University
第1页
模拟电路
§4.1 概述
一、集成运放的特点 二、集成运放电路的组成 三、集成运放的电压传输特性
2020年4月8日星期三
Shandong University
2020年4月8日星期三
Shandong University
第5页
模拟电路
三、集成运放的电压传输特性 uO=f(uP-uN)
在线性区:
uO=Aod(uP-uN) Aod是差模开环放大倍数。
非线 性区
由于Aod高达几十万倍,所以集成运放工作在线性区时的 最大输入电压(uP-uN)的数值仅为几十~一百多微伏。
特点:IC1具有更高的稳定性。
2020年4月8日星期三
Shandong University
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三、微电流源
模拟电路
要求提供很小的静态电流,又不能用大电阻。
IE1 (UBE0 UBE1) Re
U BE
I UT
I I e , I e E
S
E0 E1

第四章集成电路设计

第四章集成电路设计

h
单位电阻条宽的最大工作电流IW max
IW max (PA max/ R□)1/2
PAmax 5 10 W / m
6
2
最小宽度WR min
I IW max
第四章
IW max (PA max/ R□)1/2
最小宽度WR min I IW max
最小宽度WR min越大 最小宽度WR min越小
输入端低电平时:
pMOS管导通,nMOS截止,输出端通过导通 的pMOS管接到VDD上,呈现高电平。
第四章
N阱CMOS设计规则
列出的最小分辨率的微米规则与 规则工艺的特征尺寸,版图基本几何图 形及间隔
MOS自隔离,P型衬底接地(Vss),N阱区接VDD
多晶硅作引线,为降低电阻,减小功耗,提高速度。多晶硅要重掺杂N+ 减小接触电阻,金属与N+和P+接触连接(欧姆接触);金属与多晶硅和衬底 接触,需增大接触面积
s n n+
n型外延层
a
P p
b
R1
R5
R2 R3 N+R4 p 衬底 (aP )
R 1 长方体电阻 Cb R 2 埋层拐角体电阻 C b 2 2 n R 3 梯形电阻 n R 4 埋层拐角体电阻 Csub s s R 5 长方体电阻 分别计算出各区的电阻后相加 (b) (c)
第四章
2+ R 3+ a R c= R 1 +R b a R 4+ R 5 R R
六. 双极和MOS集成电路的比较
制造工艺
MOS电路的源、漏极可同时扩散,只需 1 次扩散就形成。 一般双极电路至少需 5次。工序和时间多,所以引入缺陷多, 成品率低。

集成电路设计

集成电路设计

集成电路设计一、前言集成电路设计是现代电子工业中不可或缺的重要环节之一。

随着科学技术的不断进步以及社会经济的不断发展,集成电路设计的重要性越来越突显。

本文将围绕集成电路设计展开详细的介绍,从理论基础到实际应用进行全方位的探讨,以期对广大读者有所帮助。

二、理论基础1.集成电路的概念集成电路是指将多个电子器件和元件在微型芯片上通过化学、光刻等加工工艺加工制作而成的微型电子元件。

它把电子器件和元件集成在一起,形成了一种新的电子元件,其功能和性能得到了大幅提升。

2.集成电路设计的流程集成电路设计的流程主要包括:需求分析、框架设计、逻辑设计、物理设计、验证和测试等环节。

其中需求分析和框架设计是最为关键的两个环节,这两个环节的质量直接决定了整个设计的成败。

3.集成电路设计的技术路线根据不同的设计需求和功能要求,集成电路设计可以采用不同的技术路线。

其中,数字电路设计和模拟电路设计是最为常用的两种路线。

数字电路设计主要应用于数据的处理和存储等方面,而模拟电路设计则主要应用于信号的处理和传输等方面。

三、实际应用1.数字电路设计的应用数字电路设计在计算机、通信、控制等领域都有着广泛的应用。

例如,在计算机中,CPU的设计就是一项复杂的数字电路设计工作。

而在控制领域,数字电路设计也被广泛应用于各种自动化控制系统中。

此外,数字电路设计还可以应用于存储器、通信设备等领域。

2.模拟电路设计的应用模拟电路设计主要应用于通信、遥感、信号处理等领域。

例如,在通信领域中,模拟电路设计被广泛应用于调制解调器、手机等设备中。

而在遥感领域中,模拟电路设计则可以应用于各类传感器和信号处理器中。

3.集成电路设计的发展趋势随着科学技术的不断进步和市场需求的不断提高,集成电路设计的发展趋势也日益明显。

未来的集成电路设计将更加注重可靠性、功耗和可扩展性等方面的考虑。

同时,随着芯片设计的不断精细化,集成电路的设计方法也将发生相应的改变。

四、结论集成电路是现代电子工业的重要组成部分,其设计技术和应用领域也日益广泛。

数字集成电路设计 第四章导线.ppt

数字集成电路设计 第四章导线.ppt

导线. 17
合肥工业大学应用物理系
接触电阻(contact resistance)
• 布线层之间的转接将给导线带来额外的电阻 – 尽可能地使信号线保持在同一层上并避免过多的接触或通孔 – 使接触孔较大可以降低接触电阻(电流集聚在实际中将限制接触孔 的最大尺寸)
• 典型接触电阻,RC, (最小尺寸) – 金属或多晶至n+、p+以及金属至多晶为 5 ~ 20 – 通孔(金属至金属接触)为1 ~ 5
例4.1 金属导线电容
考虑一条布置在第一层铝上的10cm长,1m宽的铝线,计算总的电容值。
平面(平行板)电容: ( 0.1×106m2 )×30aF/m2 = 3pF
边缘电容:
2×( 0.1×106m )×40aF/m = 8pF
总电容:
11pF
现假设第二条导线布置在第一条旁边,它们之间只相隔最小允许的距离, 计算其耦合电容。
Capacitance-only
注意:这些附加的电路元件并不处在实际的单个点上,而是分布在导 线的整个长度上
导线. 6
合肥工业大学应用物理系
寄生简化
• 电感的影响可以忽略 – 如果导线的电阻很大(例如截面很小的长铝导线的情形) – 外加信号的上升和下降时间很慢
• 采用只含电容的模型 – 当导线很短,导线的截面很大时 – 当所采用的互连材料电阻率很低时
D2 C1R1 C2 R1 R2
r1
1 r2
2
Vin
c1
c2
ri-1 i-1 ri
i
ci-1
ci
rN
N VN
cN
Di C1R1 C2R1 R2 ... Ci R1 R2 ... Ri

集成电路CAD 第四章

集成电路CAD 第四章

第四章逻辑模拟§1.逻辑模拟原理•逻辑模拟是在计算机上建立数字电路模型并使该模型运行的一种过程,这里“运行”的意思是针对某一外加的输入序列激励,计算模型电路中随时间变化的各个响应的信号值。

逻辑模拟的主要用途①评价新的设计。

逻辑设计者首要的任务是检验逻辑的正确性,在满足逻辑功能的基础上,根据时间关系、信号传播特性或通过模拟获得有关电路的竞争、冒险和电路振荡条件的资料。

②分析故障。

用一个给定的测试序列分析可监测的故障,包括在规定的故障条件下的电路工作特性,以及对于给定的测试序列可获得怎样的故障分辨率等等。

冒险•对于单个逻辑信号,由于延迟的原因,组合电路可能产生瞬态错误或尖峰脉冲,称为冒险。

竞争•对于多路信号,在若干信号同时改变时会引起竞争。

在竞争的条件下,电路的动作取决于信号变化的实际次序。

逻辑模拟的分级•逻辑模拟可分为三级:“门”级;“功能”级和“寄存器”级。

•门级模拟与功能级模拟主要用于检查逻辑设计的正确性和故障分析;寄存器级模拟主要用于检查指令操作时间表。

门级模拟•门级模拟的基本部件包含与门、或门、非门、与非门及或非门等,门级模拟也包含一些触发器等基本寄存部件,是数字电路中最低一级的逻辑元件的模拟。

门级模拟一般在逻辑设计基本完成以后进行,主要目的是检查逻辑和时序的正确性。

功能级模拟•功能级模拟允许一些功能块作为模拟的基本部件,包括加法器、计数器、编译码器等,模拟的主要目的是检查逻辑的正确性。

功能级模拟要求功能部件内部的逻辑电路是详细的和准确无误的。

寄存器级模拟•寄存器级模拟不需要详细的逻辑细节,只要编译操作表或用寄存器传输语言描述即可进行模拟。

寄存器级模拟主要是检查所设计的各条指令的流程及其在相关寄存器中传输的情况。

所以寄存器级模拟主要用于检查指令操作表的正确性。

逻辑模拟系统可用精确性、有效性、通用性来评价①精确性指信号值与时间的关系必须严格对应于实际电路所呈现的关系;②有效性指模拟过程有效而成本低;③通用性指程序能够处理各种各样的逻辑电路。

《集成电路设计》课件

《集成电路设计》课件

掺杂与刻蚀
在晶圆表面进行掺杂和刻蚀, 形成电路元件和互连结构。
晶圆制备
将高纯度硅晶棒进行切片,得 到晶圆片,作为集成电路制造 的基础材料。
图案转移
将设计好的电路图案通过光刻 技术转移到晶圆表面,形成电 路图形。
金属化与封装
在晶圆表面沉积金属,形成电 路的互连线路,并将单个芯片 封装成最终的产品。
集成电路工艺材料
详细描述
数字集成电路设计案例通常包括门电路设计、触发器设计、寄存器设计等,这些基本单元是构成复杂数字系统的 基石。此外,数字系统级的设计案例包括微处理器、微控制器、数字信号处理器等,这些系统级芯片广泛应用于 计算机、通信、控制等领域。
模拟集成电路设计案例
总结词
模拟集成电路设计案例主要涉及放大器、滤波器、比较器等模拟电路单元的设计,以及模拟系统级的 设计。
电视、音响、游戏机 等。
工业控制
PLC、DCS、机器人 等。
汽车电子
发动机控制、ABS、 ESP等。
02
集成电路设计基础
集成电路设计流程
需求分析
对产品需求进行调研,明确设计目标、性能 指标和限制条件。
规格制定
根据需求分析结果,制定出具体的规格说明书 ,包括芯片功能、性能参数等。
架构设计
根据规格说明书,设计出芯片的总体结构,包括 各个模块的组成和相互关系。
电路仿真工具
用于模拟电路的行为和性能, 常用的有ModelSim和 Matlab Simulink。
物理设计工具
用于将电路设计转换为版图, 常用的有Cadence和 Synopsys。
测试工具
用于测试芯片的性能和功能, 常用的有JTAG和Boundary Scan。

数字集成电路设计第四章习题

数字集成电路设计第四章习题

1. 如下图所示时钟数, 根据下表中提供的电容电阻数据, 计算从节点A到节点B的Elmore 延时。

图计算延时的RC树
表Values of the components in the RC tree
Resistor Value( ) Capacitor Value(fF)
R1 0.25 C1 250
R2 0.25 C2 750
R3 0.50 C3 250
R4 100 C4 250
R5 0.25 C5 1000
R6 1.00 C6 250
R7 0.75 C7 500
R8 1000 C8 250
3等分并插入2个传播延时为100ps的反相器,计算在这种情况下各层上整个导线的传播延时。

3.设计一个时钟分布网络,在各个时钟之间的最小偏差是很关键的问题,从一个时钟网络中抽象出如下图所示的RC网络,最初CLK3比CLK1和CLK2的路径更短,为了补偿这一不平衡,在CLK3的路径中插入一个传输门。

1)写出节点CLK3、CLK1和CLK2的时间常数,假设传输门用R3模拟;
2)如果R1=R2=R4=R5=R,C1=C2=C3=C4=C5=C,R3为多大时可以平衡;
3)当R=750Ω,C=200fF,传输门有多大的W/L比可以消除偏差;。

《集成电路设计》课件

《集成电路设计》课件
《集成电路设计》PPT课件
本课程将详细介绍集成电路设计的全过程及其重要性,并深入探讨了现代集 成电路设计中使用的常见工具、案例和技术趋势。
课程介绍
什么是集成电路设计
集成电路设计是指将多个电子元件(如晶体管、电阻和电容)集成在一颗芯片上的过程。
集成电路的应用领域
集成电路广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域,为现代科技的发展提供了重要支持。
电路功能仿真与验证
使用仿真工具验证电路的功能和性能, 优化电路设计,确保其符合预期。
电路版图绘制
完成电路的版图设计,包括引脚、连线、 电路层等
如LTspice、Cadence等,用于 电路的仿真和性能验证。
物理布局软件
如Cadence Virtuoso、 Synopsys IC Compiler等,用于 电路的布局和版图设计。
仿真验证工具
如ModelSim、VCS等,用于验 证电路功能和时序正确性。
案例分析
1 典型的集成电路设计案例
例如CPU芯片、无线通信芯片和图像处理器等,它们都使用了复杂的集成电路设计技术。
2 设计难点和解决方案
针对不同案例的设计难点,介绍了相应的解决方案和创新技术。
技术发展趋势
当前集成电路设计的热点
如AI芯片、边缘计算芯片和物联网芯片等,都是当 前研究和发展的热点。
未来发展方向
包括更小尺寸、更低功耗、更高性能和更强功能的 集成电路设计趋势。
总结
集成电路设计的重要性
良好的集成电路设计可以提高系统性能、降低功耗和成本,推动技术进步和产业发展。
集成电路设计流程
1
电路原理设计
2
基于需求分析,设计电路的逻辑结构和
功能,并进行逻辑仿真和验证。

集成电路设计

集成电路设计

集成电路设计
集成电路设计是现代电子产品制造的重要组成部分,它使得设计师可以将设计概念转变为可实现的硅片。

集成电路设计要求对电路进行设计,有严谨的步骤和步骤,以便实现设计的最终目的。

首先,在集成电路设计之前需要制定设计细节和设计要求。

详细的设计细节主要取决于产品的功能和性能的需求。

当设计详细信息和设计要求确定时,设计过程就可以正式开始。

然后进入元器件选择和布线状态设计。

在选择通用元器件,特定元器件和封装时要细心,要考虑元器件的可用性、性能、接口匹配等,只有当全部元件都能组合起来运行稳定时,整个电路才能发挥最佳性能。

接下来需制作原理图和布线图。

原理图是集成电路的框架,它记录了电路的技术要求、连接方式和元器件的选型;布线图是以原理图为纸,以保证各个元器件之间的物理连接,按照布线规则进行布线。

最后,将电路的布线图转换为可制造的设计,并制作可供制造的文件,包括封装、基板、分板等。

由于不同元件的封装差异性,规则编排更重要,因此只有使用精确的测量才有可能实现高效率的设计,让集成电路按时准确完成设计。

通过上述步骤,可以实现集成电路设计。

这种设计不仅能够完成复杂的电子设备,而且还能够充分发挥电子产品的性能,以满足各个部门的需求。

集成电路设计与优化的算法研究

集成电路设计与优化的算法研究

集成电路设计与优化的算法研究第一章:引言近年来,随着科技的发展和应用需求的提升,集成电路设计与优化的算法研究成为了一个重要的研究领域。

集成电路设计是指将各功能模块集成在一块芯片上,以实现特定的功能。

而优化算法则是为了设计的集成电路能够在不同的方面取得最佳性能,如功耗、面积、时延等。

本文将对集成电路设计与优化的算法进行研究和探讨。

第二章:集成电路设计的基本原理2.1 集成电路设计流程集成电路设计流程包括需求分析、系统建模、电路设计、验证与仿真、版图设计、物理实现等一系列步骤。

在需求分析阶段,确定集成电路的功能和性能指标。

系统建模阶段,将功能需求转化为逻辑电路。

电路设计阶段,根据逻辑电路设计电路结构。

验证与仿真阶段,对设计的电路进行功能验证和性能仿真。

版图设计阶段,将电路布局规划到芯片上。

最后,通过物理实现将芯片制造出来。

2.2 集成电路设计中的优化目标集成电路设计中的优化目标主要包括功耗、面积和时延。

功耗优化旨在通过降低电路的功耗来提高芯片的工作效率,以延长电池寿命和减少散热。

面积优化是指在满足设计要求的前提下,尽量减少芯片占用的空间。

时延优化是指减少电路的传输延迟,以提高电路的工作速度和响应时间。

第三章:集成电路设计与优化的算法3.1 遗传算法遗传算法是一种模拟生物进化过程的优化算法。

它通过模拟自然选择、交叉、变异等操作,不断改进和优化电路设计。

遗传算法可以通过对电路参数进行编码,通过交叉和变异操作生成新的设计方案,然后通过评估函数对新的设计方案进行评估和选择。

遗传算法具有全局搜索能力强、不易陷入局部最优等特点,因此在集成电路设计中得到了广泛应用。

3.2 模拟退火算法模拟退火算法是一种基于物理退火原理的优化算法。

它通过模拟材料的退火过程,以寻找电路设计中的最优解。

模拟退火算法通过定义一个系统的能量函数,并通过不断降低系统温度来改善设计方案。

在算法中,解空间中的每个解被看作系统的一个状态,状态之间的转移则对应了设计变量的改变。

集成电路设计基础Ch04

集成电路设计基础Ch04

AlGaAs /GaAs基异质结双极性晶体管
○ ○ ○
(a)
(b)
图4.3 GaAs HBT的剖面图(a)和能带结构(b)
GaAs 基 HBT InP 基 HBT Si/SiGe的HBT
4.2 MESFET和HEMT工艺
引言
GaAs工艺:MESFET
金锗合金
欧姆
肖特基
欧姆
图4.4 GaAs MESFET的基本器件结构
Si-Bipolar
NMOS
Silicon 硅
GaAs 砷化镓
CMOS BiCMOS
Si/Ge MESFET HEMT
HBT
InP 磷化铟
HEMT HBT
器件 D, BJT, R, C, L D, NMOS, R, C D, P/N-MOS, R, C D, BJT, P/N-MOS, R, C D, HBT/HEMT D, MESFET, R, C, L D, E/D-HEMT, R, C, L D, HBT, R, C, L D, HEMT, R, C, L D, HBT, R, C, L
P 型掺杂硅晶圆(=75-200mm),生长 1m 厚氧化层, 涂 感光胶 (Photoresist)
1
有源区
紫外曝光使透光处光胶聚合, 去除未聚合处(有源区)光
胶, 刻蚀(eching)氧化层, 薄氧化层(thinox)形成, 沉淀
多晶硅层, 涂感光胶
2 离子注入区 曝光, 除未聚合光胶, 耗尽型 NMOS 有源区离子注入, 沉淀多晶硅层, 涂感光胶
4.3 MOS工艺和相关的VLSI工艺
图4.7 MOS工艺的分类
认识MOSFET
Gate
G
S

集成电路设计

集成电路设计

集成电路设计在现代电子设备中,集成电路(Integrated Circuit,简称IC)在各个领域扮演着至关重要的角色。

从计算机到智能手机,从汽车电子到医疗设备,集成电路的应用无处不在。

而集成电路的设计是实现这些应用的基础。

一、集成电路设计的概述集成电路设计是指将电子元器件和电路功能集成在一个芯片上的过程。

通过将上千个甚至上百万个晶体管、电容、电阻等器件集成在一个芯片上,实现了电子设备的迷你化、优化化和高性能。

集成电路设计分为几个关键步骤,如需求分析、电路设计、模拟与数字仿真、版图设计和制造等。

每个步骤都需要经过严密的测试和验证,以确保设计的成功和满足特定应用的需求。

二、集成电路设计的分类根据集成度的不同,集成电路设计可以分为三大类,分别是小规模集成电路(SSI),中规模集成电路(MSI)和大规模集成电路(LSI)。

小规模集成电路一般包含几十个到上百个器件,主要应用于数字电路的设计。

中规模集成电路通常包含几百个到上千个器件,更常用于存储器芯片和逻辑门电路的设计。

大规模集成电路则包含上万个器件,广泛应用于微处理器和通信芯片等复杂系统的设计。

三、集成电路设计工具集成电路设计离不开专业的设计工具,其中最常见和流行的是EDA (Electronic Design Automation)软件。

EDA软件提供了包括电路仿真、版图设计、验证和测试等在内的一系列功能和工具。

常见的EDA软件包括Cadence、Synopsys和Mentor Graphics等。

这些工具使得设计师能够更高效、更准确地完成集成电路设计任务,并极大地提高了设计的可靠性和稳定性。

四、集成电路设计的挑战与发展趋势集成电路设计面临着一系列的挑战。

随着集成度的提高和器件尺寸的缩小,电路设计需要更高的精度和更强的稳定性。

此外,功耗和散热问题也是设计过程中需要考虑的重点。

另外,集成电路设计还需要与系统级设计相结合,以实现更好的整体性能和功能。

未来,随着新材料和新工艺的引入,集成电路设计将突破更多的技术瓶颈,实现更高的性能和功能。

第四章集成电路版图设计和工具- 集成电路重点实验室

第四章集成电路版图设计和工具- 集成电路重点实验室

问题讨论:
(2)MOS管的规则
在多晶硅穿过有源区的地方,源和漏扩散区被多晶硅 区所掩蔽。因而,源、漏和沟道是自对准于栅极的。 重要的是,多晶硅必须完全穿过有源区,否则制成的 MOS管就会被源、漏之间的扩散通路所短路。为确保 这一条件得到满足,多晶硅必须超出扩散区边界,例 如该硅栅工艺中规则3.4中规定的1.5μm,这常常称 为“栅伸展”。同时,有源区也必须在多晶硅栅两边 扩 展,这样才能有扩散区存在,使载流子进入和流出沟 道,例如规则3.5规定的3.0μm就是保持源区和漏区 所必需的。
源漏离子注入
阴ห้องสมุดไป่ตู้区
S/D
D/S
(a)离子注入方向性(b)形成的不对称源漏结构 倾角引起的注入阴影
M1
1 2
M1
1 2
M2
R
R
R
R
R
R
M2



(a)简单布局
指 的

1 2
M2
分 对


1 2
M1(b)同心布局

总之,与分立元件电路设计相比,集成电路设 计的一个显著特点在于:设计者能够充分利用 集成电路特点,通过改变晶体管等元器件的图 形结构和几何尺寸,设计出最合理的晶体管来 满足整体电路的要求。但这要求设计者在设计 版图前,首先要搞清楚电路中各个晶体管的作 用,再决定采用哪种图形的晶体管。设计时, 既要考虑工作电流、特征频率、最高振荡频率 以及噪声等电学参数,又要兼顾光刻精度、套 准精度等工艺水平,以及占用面积、电路成品 率等因素。
根据双极型晶体管的版图特点,其版图设计 的一般原则包括以下几个方面的内容: 1)划分隔离区(岛) 2)几何对称设计 3)热对称设计 4)图形尺寸选择

模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器分解

模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器分解

模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器分解差分放大器是CMOS集成电路设计中非常重要的一部分,它在电信号放大、差分信号处理和模拟信号传输等领域具有广泛的应用。

本文将对CMOS集成电路设计中的差分放大器进行分解,以帮助读者更好地理解和应用这一核心电路模块。

差分放大器是一种由两个输入端和一个输出端组成的放大器,它的特点是能够放大两个输入信号的差值,并抑制共模信号(即两个输入信号的平均值)。

差分放大器常用的两种结构是共源共栅结构和共源共栅共源共栅结构。

下面将详细介绍这两种结构的分解方法。

1.共源共栅结构的分解共源共栅结构的特点是输入信号通过共源极放入电路,输出信号通过共栅极输出。

它的优点是输入电阻高、增益稳定,适用于高频和宽频带应用。

首先,我们来看一下共源共栅结构的电路原理图。

它由一个共源极M1、一个共栅极M2和一个负载电阻RL组成。

其中,M1的栅、漏极与输入信号相连,M2的源极与M1的源极相连,并通过电流源IB偏置。

负载电阻RL连接在M2的漏极和M1的源极之间。

接下来,我们对这个电路进行分解。

首先,将M1和M2的直流工作点确定。

假设输入信号为微弱的交流信号,可以将M1和M2视为理想可变电阻,其中M1的栅极和漏极之间的电压为vgs1,M2的栅极和源极之间的电压为vgs2、根据共源共栅和平衡电流假设,可以得到:id1 = id2 = id/2gm1vgs1 = gm2vgs2其中,id为分配给两个MOS管的总漏源电流,gm1和gm2分别为M1和M2的跨导。

然后,通过公式计算共源共栅结构的增益,可以得到:Av = -gm2RL最后,在进行差分模式和共模模式的分析。

差分模式下,输入信号为vcm-vd,其中vcm是共模信号,vd是差模信号。

共模模式下,输入信号为(vcm1+vcm2)/2、根据共模模式下输出电流为零的条件,可以得到共模抑制比CMRR与差分增益Av的关系为CMRR = Av/2gm.2.共源共栅共源共栅结构的分解共源共栅共源共栅结构是一种衍生自共源共栅结构的放大器,它包含两对共源共栅结构,具有更高的增益和更稳定的工作特性。

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第四章 模拟集成电路设计
教学目的和要求 1、了解集成电路设计流程和集成电 路设计的基本方法。 2、学习基于Pspice仿真软件的器件 级模拟电路的设计方法。 3、了解常用的集成电路设计的技术。
第一节 集成电路设计流程与实现方法
一、集成电路设计的思路 1、集成电路的设计要求:根据电路功能 和性能的要求,在正确选择系统配置、电路 形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情 况下,尽量减小芯片面积,降低设计成本, 缩短设计周期,以保证全局优化,设计出满 足要求的集成电路。集成电路设计的最终输 出结果是掩膜版图,通过制版和工艺流片可 以得到所需要的集成电路。
第二节 模拟集成电路系统设计
集成运放的内部电路组成原理框图如3.2.1
+
vid
-
差分输 入级
电压 放大
输出级
v0
偏置电路
输入级:由差分式放大电路组成,其对称特 性可以提高电路的共模抑制比和其它方面的性 能,它的两个输入端构成整个电路的反相输入 端和同相输入端。 中间级:由电压放大级、偏置电路组成, 同时还要完成电平移动电路等辅助功能。电压 放大级的主要功能是提高电压增益,它可由一 级或多级放大电路组成。偏置电路是为各级提 供合适的工作电流,常由各种电流源电路组成。 输出级:一般由电压跟随器或互补电压跟随 器所组成,以降低输出电阻,提高带负载能力, 同时输出级还包括适当的过载保护电路等。
(2)逻辑设计 概念:指确定满足一定逻辑功能的由 逻辑单元组成的逻辑结构,其输出一般是网 表和逻辑图。 逻辑综合的原则:根据一个系统(子系统) 与性能的要求,在一个包含众多结构、功能、 性能均已知的逻辑元件的逻辑单元库的支持 下,寻找出一个逻辑网络结构的最佳的(至 少是较佳的)实现方案。包括两个方面内容: i)逻辑结构的生成与优化; ii)逻辑网络的性 能优化。
平衡输出共模电压增益为:
CMRR
Ad 2 CMRR Ac 2
Ad 2 Ac 2 2 RE 1 re1 Rc1 re1 12 Rc1 2 RE
2 RE 1 re1 Rc1 re1 2 1 Rc1 2 RE
(4)共射差分级跨导Gm 跨导:是指输入电压变化dVid引起集电 极电流变化dIc,用公式表示为:

0

0

R0 r0 1 g m r // RE 1 g m RE 得 : R0 r0 g m RE 1
二、双极集成运放输入级 参数补偿原理:是指依靠电路的对称性设法 使集成运放一些重要参数,如失调电压、失调电 流以及失调参量随温度、时间变化尽可能达到最 小。
图3.2.6是差模输入混Л模型等效电路
差分放大器差模电压增益为:
单端输出 双端输出
Ad单 Ad双
V01 Rc Vd 2re V01 V02 Rc Vd re
(2)差分放大器共模电压增益
当差分放大器两个输入端输入两个幅 度相等,相位相同的输入信号Vi1= Vi2= ViC=时,则称之为共模输入。由于两个输 入信号幅度相同,相位也相同,因而它们 在RE上的信号电流大小、方向都相同,其 结果在RE上的信号压降为2I△eRE,这样 共模输入时,差分放大器可以等效成两个 独立的,具有射极反馈电阻为2RE的单管 放大器,如图3.2.7所示。
6、逻辑单元阵列法:又被称为 FPGA(现场可编程门阵列),是主要 的在系统可编程技术实现的物理基础。 它也是直接可以从市场上购得的产品, 经设计人员通过开发工具对其进行“编 程”来实现特定的逻辑功能。 它内部配置有:可编程的逻辑功能模 块,可编程的连线资源和可编程输入/输 出功能模块。 特点:现场可编程,可实现比PAL、 GAL器件更强的功能。
(6)差分放大器失调电压VOS 图3.2.9 差分放大器失调电压
Vos KT 1 Rc1 A1 I 2 ' q 1 Rc1 A1 I es1
' es1

(7)差分放大器输入失调电流IOS 输入失调电流指输出直流电压为零时, 两个输入端基极偏置电流之差,即输入失调 电流。即:IOS=Ib1-Ib2
40I e n 1 单位 : I e A Gm1 1 26I e n 1.5 单位 : Gm1 M
n为修正因子,小电流时n=1.5,大电流时n=1
平衡输出时,共射差分用跨导表示:
40I e Rc Ad 1 26I e Rc
n 1 n 1.5
I os I b1 I b 2 I b

1
1
RRcc11

I os I b1 I b 2 I
1 b 1


Rc1 Rc1

(8)差分输入级输入失调电压温漂 失调电压温漂是输入失调电压VOS随温 度的变化。
dVos VBE 2 K Rc1 KT 2 1 dT T T Rc1 q 其中: 为基区扩散电阻温度系 数
(4)版图设计 概念:根据逻辑与电路功能和性能要求 以及工艺条件的限制(如:线宽、间距、 制版设备所允许的基本图形等),设计集 成电路制造过程中所需的光刻掩膜版图。 单元库中的版图是对应于某一具体工艺 的,因此,一般都能满足设计规划,在人 工调整时,要特别注意设计规划。 版图设计与集成电路制造工艺技术紧密 相连,是集成电路设计的最终目标。
图3.2.7 共模输入等效电路
Vi2
图3.2.8 共模输入混Л等效电路
单管电压增益为:
共模电压 单端输出 增益为:
双端输出
Ac单 Ac双
V01 Rc Vic re 2 RE V01 V02 0 Vic
(3)共模抑制比CMRR
“共模抑制比” 定义为:差模电压增益 Ad与共模电压Ad增益之比。
版图 设计
统 一 据 库
生产定型
(1)系统功能设计 概念:系统功能设计是最高一级的设 计,主要是指根据所设计系统的要求(包 括芯片的功能、性能、尺寸、功耗等), 进行功能划分和数据流、控制流的设计, 完成功能设计。 功能块划分的原则是:既要使功能块之 间的连线尽可能地少,接口清晰,又要求 功能模块规模合理,便于各个功能块各自 独立设计。
其中: 为基区扩散电阻温度系 数 dVos VBE 2 K Rc1 KT 2 1 dT T T Rc1 q
所谓“热对称”设计就是在版图设计 时,把输出级所有功耗存在较大变化的元 器件,以硅片中心线为基准而对称分布。
2、共集——共基(CC—CB)差分输入级
特点:利于有源负载, 替代第一代集成运放的电阻 负载,提高了输入级的电压 增益。复合差分输入级, 由于采用β高的npn晶体管 和共基接法的pnp管组成输 入级,既提高了运放的输入 阻抗,又改善了横向pnp管 的频响特性。
第三节 电路基本模块设计 (设计方案选择)
一Байду номын сангаас准备知识
1、共射双极晶体管放大器混小信号模型
图3.2.2为共射单管放大器混小信号模型等效 电路。
图中:
rx r 200
' bb
VT (m V) r 1 re gm 1 r0 VA re
I E (m A)
VT , rin rx r I c I c
(3)电路设计 概念:根据所要求的电路性能,例如:速度、 功耗、电源电压、逻辑操作类型、信号电平的容 限、电路工作频率、放大倍数等确定电路的结构 和各元器件的参数;同时应考虑工艺上可能发生 的偏差和使用时温度的变化等,使设计的电路仍 然能达到规定的性能。 数字电路:将门级电路元件细化为电路级元 件。 模拟电路:在行为仿真通过后,由设计人员 结合自己的设计经验进行电路设计,(建议用成 熟的功能模块为基础,适当进行必要的调整)。
二、集成电路的设计流程
1、概念 (1)自顶向下设计:运用分层分级设计 和模块化设计原理,将一个复杂的集成电路 逐级到单元功能足够简单,可以进行高效设 计的设计级别,每一级所要完成的功能及上 一级与下一级的接口均有严格规定的设计。 (2)综合:指通过附加一定的约束条件 从高一级设计层次直接转换到低一级设计层 次的过程。 (3)模拟:对实际电路系统加以抽象, 提取其模型输入计算机,然后给定输入激励 号,利用该模型计算出各节点和输出端的信 号,验证设计其功能和性能的过程。
1、共射差分输入级——第一代集成运 放输入级,其电路形式如图3.2.4所示:
图3.2.4 共射差分输入
图3.2.5差分输入等效电路
(1)差分放大器差模电压增益 Vd Vd 设 : Vi1 , Vi 2 2 2 则差模输入电压:
Vi1 Vi 2 Vd
差模输入时,在RE上的电流变化为0,共 射差分放大器可看成两个独立的RE=0的共 射单管放大器,如图3.2.5。
-----采用有源负载是第二代 集成运放的重要标志。
(2)共集——共基复合差分级电压增益 n 1 I c 3 A 20I c 3 RL1 Ad 1 Gm1 RL1 n 1.5 RL1 M 13I c 3 RL1 RL是输入有效负载
三、集成电路设计实现方法
1、全定制法:是一种基于晶体管级的 设计方式。设计者使用版图编辑工具,从 晶体管的版图尺寸,位置及互连线开始设 计。要求设计者对电路、逻辑、结构等各 个层次进行精心的设计。
特点:芯片工作效率高,速度快,功耗低, 面积小,但设计周期长,开发阶段投资风险大。
2、定制法:(又称库单元法):基于事先 精心设计并存在单元库中的单元电路而设计的 方法。在设计时,设计者根据电路要求,从库 中调出所需单元电路和压焊块,进行自动布局 和布线,最后得到被设计电路的掩膜版图。 整个设计工作都由制造商完成,通常分为两大 类:a)标准单元法;b)通用单元法。 特点:芯片效率较高,设计上的自由度较 大,芯片中没有无用的单元或晶体管,芯片面 积较小。
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