高通疑难问题解答
高通芯片手机救砖及恢复IMEI串号
手机救砖及更改IMEI叶长青玩手机的人大多遇到过手机变砖，这是令手机玩家特别头疼的事。
所谓手机变砖，就是手机开不开机，黑屏，按电源键手机振动一下或完全没有反应，就像砖头一样。
手机变砖，多由于刷机不当造成ROM损坏所致，需要专门软件修复，严重的只有返厂。
有些砖头机救活后，IMEI丢失或IMEI文件损坏，这就需要IMEI 恢复。
IMEI是移动设备国际辨识码，俗称“串号”，该码是全世界唯一的，是手机的“身份证”。
移动公司绑定手机送话费，认定的就是手机串号。
绑定手机一旦丢失，话费将不会送给你的新手机上，因为移动服务器只认串号而非手机卡，要想继续送话费，就需要把新手机的串号改成和绑定手机一样的，这就是更改IMEI。
另外现在大多数网站需要认证IMEI，如微信、QQ等等，特别是一些手机威客网站，一旦注册时的老手机丢失，改用新手机将无法登陆，账号资料丢失，这也需要更改IMEI。
本文参考有关资料及本人实际救砖经验和更改IMEI体会，做一小结，供遇到过同样问题的朋友参考，不妥之处敬请谅解。
手机救砖根据手机变砖程度，可以大致分为小砖、中砖、大砖。
各个情况形容：1、小砖：按电源键有一下震动，这个时候需要线刷。
可根据不同手机，采用厂家线刷恢复工具刷回出厂状态，这个，一般玩手机的朋友只要细心操作，很容易就可以救活。
2、中砖：按电源键，手机没有一点反应。
这个时候需要先刷底层文件，再进行线刷恢复出厂状态。
3、最后的大砖已经是真砖了，有可能是硬件损坏，需要返厂处理。
下面以普遍采用高通处理器的手机，着重谈谈中砖的救法。
【联发科处理器救砖方法可自行百度】（一）、如何判断手机是中砖。
1、在电池电量足够的情况下，手机按住三键组合或按电源键都无法开机，屏幕没有任何显示，为黑屏状态。
2、插上手机数据线，电脑的设备管理器里多出了一个其它设备，名称为“QHSUSB_DLOAD”，并且有感叹号。
这是没安装高通驱动之前的原始状态。
3、安装了高通驱动之后，之前的“QHSUSB_DLOAD”设备变成“Qualcomm HS-USB QDLoader 9008 (COMx)”，其中COMx不固定，有可能COM10也可能COM260或其它。
刷机小常识：高通模式
刷机小常识：高通模式对手机稍微了解一点的都知道，现在除了苹果、三星和华为以外，其他品牌的手机所使用的芯片基本上出自两家：美国的高通和台湾的联发科。
其中，高通技术实力更强，小米、OPPO、vivo、一加、锤子、努比亚等各种手机都在用。
使用高通芯片的手机，理论上都可以使用高通模式来刷机。
那什么是高通模式？手机使用高通模式刷机，有什么特别的地方呢？今天小编就给大家介绍一下。
1、如何看手机的芯片是什么？登录中关村在线（/），然后搜索您的手机型号，在参数—硬件里就可以找到手机的硬件信息，包括CPU信息。
比如OPPO2017年下半年主打的OPPO R11s，使用的是高通骁龙660的芯片：2、什么是高通模式？目前，手机刷机，根据芯片和厂商的不同，大约分为六种模式（详见：科普：刷机平台、方案和驱动），高通就是其中一种。
理论上来说，使用高通芯片的手机，都可以用高通的模式来刷机。
高通模式的特点在于，手机刷机时，设备管理器显示的是高通9008的端口。
如下图：3、高通模式刷机，有哪些特点呢？a、只能使用win 7/win 8/win 10 64位的系统刷机，32位的系统无法使用高通模式刷机，即使刷了一般也会失败！b、高通模式刷机，不需要解BL锁，可以直接绕过BL锁进行刷机，这是一个很大的好处，特别是手机已经变砖无法解锁的情况；c、高通模式刷机，手机进入刷机模式之后，和刷机过程中，都是全程黑屏的。
如果手机亮屏，就说明您没有正确进入高通模式或者刷机失败了。
这时候您可以检查一下设备管理器的驱动端口，看看是不是高通的端口。
d、高通模式刷机，偶尔会出现进度条到百分之99之后弹出“刷机失败！”此时请回到刷机界面（不要断开数据线），然后重新按住音量上下键和电源键，重进刷机模式进行刷机即可。
您可以打开电脑的任务管理器，看到高通的端口消失再重新出现，然后线刷宝就会开始重新刷机。
4、高通芯片一定是高通模式刷机吗？上面说了，理论上高通的芯片可以用高通的模式刷机，但是实际上，使用什么模式还与刷机包有关。
高通音频增益调试总结
高通音频调试总结1、综述该文档主要描述了手机打开免提通话的时候，如何解决固话端出现的啸音、噪音问题。
2、环境项目：xxx硬件平台：MSM7X27A软件版本：android2.3.5, AMSS114523023、调试流程（1）咨询高通FAE，明确哪些参数需要调整FAE给出的建议是：针对啸音，调整codec_rx_gain、codec_tx_gain参数；针对杂音，调整rx_agc_static_gain、rx_agc_exp_thres、rx_agc_compr_thres、tx_agc_exp_thres、tx_agc_compr_thres参数；（2）使用QACT工具，对上述参数进行调试QACT是高通提供的音频校准工具，可以使用该工具直接在线修改各类音频参数，调试十分方便（使用方法详见安装文件目录下的文档《80-VM407-1_E_Audio_Calibration_Tool_User_Guide.pdf》）。
使用该工具在线调试的基本思路是：适当降低增益（codec_rx_gain、codec_tx_gain），并调整AGC的门限值以及静态增益(rx_agc_exp_thres、rx_agc_compr_thres、tx_agc_exp_thres、tx_agc_compr_thres、rx_agc_static_gain 参数)，以达到消除啸音、噪音的目的。
在线调试完成后，还可以用这个工具将调好的audio_cal.xml文件直接生成代码，具体也请参考上述文档。
（3）修改代码代码路径：modem_proc/multimedia/audio/vocoder/src/voccal.c在结构体voc_pcm_on_chip_speaker_cal_umts_qrd中，分别修改各个参数，代码如下：CAL_MEMORY voc_pcm_path_cal_type voc_pcm_on_chip_speaker_cal_umts_qrd = {VOC_EC_VER_ECNS, /* ec_version */VOC_EC_AEC, /* ec_mode */VOC_NS_ON, /* ns_enable */0x656e, /* tx_gain */0x1000, /* dtmf_tx_gain */// codec_tx_gain由0x71cf修改为0x23280x2328,/* codec_tx_gain */// codec_rx_gain由0xb460修改为0x17700x1770, /* codec_rx_gain */0x0000, /* codec_st_gain */…………#ifdef FEATURE_AUDIO_AGC/* agc_param *//* rx_agc_static_gain由0x8000修改为0x4000，rx_agc_exp_thres由0x1b00修改为0xe42，rx_agc_compr_thres由0x2000修改为0x1f40 ，tx_agc_exp_thres由0xf86修改为0x09c4，tx_agc_compr_thres由0x1bde修改为0x1964 */{ 0x4000, 0x0000, 0xe42, 0xffb0, 0x1f40, 0xffff, 0x0000, 0x0000,0x2000, 0x0000, 0x09c4, 0xffc0, 0x1964, 0xffff },voc_cal_adv_agc_param,voc_cal_avc_param,#endif /* FEATURE_AUDIO_AGC */…………};。
高通平台校准原理
高通平台校准的基本原理
高通平台校准的基本原理涉及硬件和软件的相互配合，以确保设备在各种应 用场景下的稳定性和精确性。
高通平台校准的流程
1
准备与设置
确定校准参数和设备状态，进行前期准备工作。
2
执行校准过程
按照预定的步骤实施校准过程，确保准确性和一致性。
3
校准结果验证
评估校准结果，并进行所我的演示，今天我将与大家分享高通平台校准的原理、流程以及其 在技术领域中的重要性。
高通平台校准原理介绍
高通平台校准是一种关键的技术，它能够确保设备在不同环境下具有一致的性能表现。在本节中，我们将深入 了解它的原理。
校准的目的和重要性
校准的目的是确保设备的准确性和可靠性，从而提高用户体验和产品性能。 高通平台校准在现代技术中发挥着至关重要的作用。
校准结果的分析和评估
校准结果的分析和评估是确保设备性能表现的关键，通过细致的数据分析和 比较，我们能够了解校准是否达到预期目标。
校准过程中的常见问题及解决 方法
在高通平台校准过程中，常常会遇到一些挑战和问题。在本节中，我们将讨 论这些常见问题，并分享解决方法。
总结和展望
通过本次演示，我们深入了解了高通平台校准的原理、流程和重要性。希望这些知识能够帮助您更好地理解和 应用于实际工作中。
关于高通的NV
一，引言 1. 什么是NV 高通平台的NV，保存了系统运行过程中各个模块可能用到的一些参数值，它是以单个文件的形式保存在EFS中，但用户是不能随意访问的，只能通过QXDM来进行读写。
对于60X0平台，NV就有将近5千多项。
2. 为什么要备份恢复NV NV值是需要通过校准和终测才能使手机硬件达到最佳工作状态，特别是其中的RF相关的NV项，经过校准及终测后，每台手机的这些NV值基本上都不一样，又加上NV数据是是存储在EFS，而EFS的数据很可能遭到破坏(如：重新烧写版本)，这时的NV数据也将被破坏，之前校准和终测后的NV数据也将无法恢复，使得手机将面临重新走校准、终测的生产流程。
3. 备份恢复的原则备份：首先要确定需要备份的NV有那些项(一般是RF 相关的)，一旦检测到对NV项的修改，则在EFS中创建一个标志文件，在每次开机时判断这个标志文件是否存在而执行是否做备份。
恢复：同样在每次开机的时候判断EFS中是否存在恢复标志文件，如果不存在则恢复NV，然后创建这个标志文件，创建成功后，下次开机就会不进行恢复。
二，NV的备份1. 备份的区域由于所需要备份的NV项不是很多(一般就几十项)，所以我们可以在FLASH上开辟一块区域专门用于保存NV备份数据。
备份区域是以一定的组织格式来存放数据的(如图)：其中每个Item都是以：Item号+内容大小(Byte)+内容的形式来存放的。
比如第10项NV可能有2个值，分别是0x11,0x22，则它在FLASH中存放的形式就是：0a 00 00 00 02 00 00 00 11 22 --------(这里Item号、内容大小都是UINT32 类型)。
2. 备份的时机一般一台机器在出厂前，都要通过终测仪进行校准、终测。
这个过程就会修改到一些RF相关的NV项，也就是我们需要备份的NV。
对于软件上来说，不管是用终测仪，或则高通的QPST,QXDM工具来修改NV项，最后都会调用到写NV的函数：nvdiag_write()，我们可以在这个函数里面创建备份标志文件，在下次系统启动时读取这个文件是否存在来判断是否要做备份。
高通平台之矩阵键盘接口问题分析总结
矩阵键盘口使用注意事项1 问题描述客户拿到机器测试时发现按键同时按两位会出现三位数字，当快速按下1、2两个按键时，屏幕显示是1、2、3。
问题在每台机器上都存在。
2 重现条件拿到客户样机在公司进行开机测试复现，问题100%出现。
3 原理分析（1）分析过程1、矩阵键盘电路设计具体电路如下：2、目前模块专用支持矩阵键盘的脚是已经被占用或者是未连线出来，所以客户目前使用的是带有中断功能的GPIO口作为矩阵键盘的输入输出脚。
3、我们使用的代码是直接使用高通平台的矩阵键盘原生代码。
4、将示波器四个脚接在客户的KCOL0、KCOL1、KCOL2、KROW0四个脚位上，测试波形如下，从图中可以看出波形有很多细高电平（1.8V），显得非常不正常，还有电平只有半高（0.9V），并且逻辑不对。
5、而按单个按键是正常的原因一个键按下去时单个下降沿触发正常，即使后面的波形不正常也可以掩盖问题。
但当监控扫描中断时同行不同列的多个按键时就会出现异常，按两个键可能会出现异常，就如客户出现的3个数字这种情况。
6、下面是改正软件配置后的正常波形，从波形中可以看出1（KROW0）默认是高电平，其他3根线是KCOL线（3为KCOL0、1为KCOL1、4为KCOL2）默认是低电平，当按下按键7时，列KCOL先全部拉高然后进行中断扫描，KROW0默认一直为高，触发进行拉低，KROW0在KCOL0拉低时相对应触发拉低，其他KCOL拉低时KROW0没反应，表示只有按键7有效。
同理当按下按键8时，KROW0在KCOL1拉低时触发拉低，图如下：（2）分析原因1、首先说明矩阵按键原理，行row设为输入，且内部上拉，也就是默认输入高电平；列col为输出，默认输出低电平；配置行输入为下降沿中断触发；当有按键按下去时，行列有个脚接通，这时候行会被拉低进入中断；在中断处理函数中，先将所有列电平信号置高，然后再逐一拉低，读取行的电平信号是否为低（列扫描），当扫描到某列时读取的行电平为低，说明该列的按键被按下。
高通芯片救砖
高通芯片救砖高通芯片救砖是一种技术，通过高通芯片的强大处理能力和先进的算法，可以在一些特殊情况下帮助用户解决手机砖化（无法开机）的问题。
在传统的情况下，手机一旦砖化就仅仅能够作为一块废品，但是利用高通芯片救砖技术，可以将这些“废品”重新恢复为正常使用的手机。
下面我们就来详细介绍一下高通芯片救砖技术。
首先，我们需要了解什么是手机砖化。
手机砖化（brick）是指手机在刷机过程中或者系统更新失败等异常情况下，导致手机无法正常启动、显示屏黑屏或者一直停留在启动画面等情况。
传统情况下，用户只能送修或者报废。
而高通芯片救砖技术则提供了一种解决方案。
高通芯片救砖是指通过一系列手段，将手机从砖化状态恢复到正常使用的状态。
这个过程需要借助高通芯片的特殊功能，通过连接电脑、使用特定软件等操作完成。
具体来说，高通芯片救砖技术的实现过程主要包括以下几个步骤：1. 手机进入下载模式：首先，将砖化的手机连接到电脑上，按照特定方式进入下载模式，即手机与电脑建立连接，并准备接受刷机等操作。
2. 刷入相关软件：在电脑上运行高通芯片救砖软件，根据具体情况选择合适的刷机包。
刷机包是一个包含了完整操作系统的文件，通过将其刷入手机，可以代替原始的系统文件。
3. 刷机过程：将刷机包文件传输到手机上，等待文件传输完成后，对手机进行重新启动。
手机在重新启动的过程中，会根据刷机包文件进行系统恢复，替换掉砖化的系统文件，完成救砖过程。
需要注意的是，高通芯片救砖技术并不是适用于所有情况的，它仅适用于一些因软件故障导致的砖化情况。
对于硬件故障导致的砖化，高通芯片救砖技术无能为力。
总结来说，高通芯片救砖技术是一种通过高通芯片的强大处理能力和先进算法，将砖化的手机重新恢复为正常使用状态的技术。
通过连接电脑、刷入特定的刷机包等操作，可以将砖化的手机重新启动，并代替砖化的系统文件，完成救砖过程。
然而，高通芯片救砖技术仅适用于因软件故障导致的砖化情况，对于硬件故障则无法解决。
高通平台GSM调试相关
FTM控制功率——未校准机器
PA切换点（第三方PA）
• GSM850 • GSM900
• DCS • PCS
1.GSM低增益测试发现电流 偏高，如果基带软件没问题 的话，先看看PA切换点是不 是M的预校准只针对EDGE 的高增益，所有预校准的起 始功率要大于EDGE的高增益 切换点 3.机器无法连接仪表时，可 以查看一下切换点的配置是 否异常
多时隙功率回落
ORFS switching
杂散超标
1.在PA-IN端预留匹配位置
2.在天线端口添加匹配（低通或者高通）
频率误差和相位误差
1.首先保证GSM测试时，XO已经校准 2.频率误差超标，调试XO_CLK的滤波电容 3.频率或者相位误差超标，检查transceiver的keepout的 区域是否满足参考设计要求以及屏蔽接地是否良好 4.频率，相位或者EVM误差超标，检查PA,PM以及 transceiver的供电的电容
GSM的发射Timing设置
PVT模板
The transmitted power level relative to time for a normal burst shall be within the power/time template given in 3GPP TS 05.05, annex B figure B1. In multislot configurations where the bursts in two or more consecutive time slots are actually transmitted at the same frequency, the template of annex B shall be respected at the beginning and the end of the series of consecutive bursts. The output power during the guard period between every two consecutive active timeslots shall not exceed the level allowed for the useful part of the first timeslot or the level allowed for the useful part of the second timeslot plus 3 dB, whichever is the highest:
浅谈高通芯片手机射频电路的分析及故障维修--以MSM7227A平台手机为例
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芯片技术使用中的常见疑难问题解答指南
芯片技术使用中的常见疑难问题解答指南芯片技术在现代社会中扮演着重要的角色，它们广泛应用于电子设备、通信网络和计算机等领域。
然而，对于初学者来说，芯片技术可能会带来一些疑难问题。
本文将针对芯片技术使用中的常见疑难问题进行解答，帮助读者更好地理解和应用芯片技术。
1. 芯片技术的基本原理是什么？芯片是由大量微小电子元件组成的集成电路，它们通过电子信号的传输和处理来实现不同的功能。
芯片技术的基本原理是利用半导体材料的特性，通过控制电子的流动和电压的变化，实现电子信号的处理和存储。
2. 如何选择适合的芯片？选择适合的芯片需要考虑多个因素。
首先，需要明确所需的功能和性能指标，例如处理速度、存储容量和功耗等。
其次，需要考虑芯片的兼容性和可扩展性，以便与其他设备和系统进行连接和集成。
最后，还需要考虑芯片的成本和供应链情况。
3. 如何解决芯片使用过程中的故障问题？芯片使用过程中可能会遇到各种故障问题，例如芯片无法启动、数据读写错误和通信故障等。
解决这些问题的关键是进行系统性的故障排除。
首先，检查硬件连接是否正确，包括电源、信号线和传感器等。
其次，检查软件设置是否正确，包括驱动程序、操作系统和应用程序等。
如果问题仍然存在，可以尝试重新安装软件或更换芯片。
4. 如何提高芯片的性能和稳定性？提高芯片的性能和稳定性可以从多个方面入手。
首先，选择高质量的芯片和配套设备，以确保其可靠性和稳定性。
其次，合理设计电路和布局，以减少电磁干扰和信号衰减。
此外，优化软件算法和编程代码，以提高芯片的运行效率和响应速度。
最后，定期进行芯片的维护和更新，以确保其正常运行和安全性。
5. 如何保护芯片的安全性？芯片的安全性对于保护个人隐私和防止信息泄露至关重要。
为了保护芯片的安全性，可以采取以下措施。
首先，加密和认证芯片的通信和存储数据，以防止非法访问和篡改。
其次，限制芯片的物理访问和外部接口，以防止恶意攻击和入侵。
此外，定期更新芯片的软件和固件，以修复安全漏洞和弱点。
高通平台RF射频调试实例课件
实例课件中的实践经验和技术细节，对于 工程师在项目实践中具有重要的指导意义 。
展望
技术融合
展望未来，高通平台将与其他通信技术 进一步融合，推动RF射频技术的发展 。
调试挑战
未来随着技术的复杂度增加，RF射频 调试将面临更多挑战，需要不断探索
新的调试方法和技巧。
新应用领域
随着5G、物联网等技术的发展，高通 平台在RF射频领域将有更多新的应用 场景。
移动通信
高通平台在移动通信领域具有重要地 位，为智能手机、平板电脑等终端提 供无线通信功能。
高通平台的优势与挑战
优势
高通平台具有高性能、低功耗、可扩展性和灵活性等特点， 能够满足各种无线通信应用的需求。此外，高通平台的技术 成熟度和产业链完善度也较高，具有较好的商业前景。
挑战
随着无线通信技术的不断发展，高通平台需要不断更新和升 级，以适应新的标准和制式。此外，高通平台的成本和功耗 也需要进一步优化和控制，以满足更多应用场景的需求。
解决方案三：干扰排查与解决
总结词
针对干扰严重的问题，需要进行干扰排查，分析干扰 源和干扰性质，采取相应的解决措施。
详细描述
首先需要进行干扰监测和分析，确定干扰源和干扰性 质。然后采取相应的抗干扰措施，如改变信道、使用 屏蔽技术或滤波器等。如果干扰来自其他无线通信设 备，可以尝试调整频率、功率等参数，避免干扰影响 。如果干扰来自自然界，可以尝试加强信号处理和纠 错能力，降低干扰对通信质量的影响。在干扰排查和 解决过程中，需要综合考虑各种因素，采取合适的解 决措施。
因引起的。
问题二：系统性能不佳
总结词
系统性能不佳通常表现为系统响应速度 慢、数据吞吐量低或系统崩溃等问题。
VS
芯片技术常见问题解答与排错指南
芯片技术常见问题解答与排错指南芯片技术是现代科技发展的核心领域之一，它在电子设备、通信系统、计算机等各个领域都扮演着重要角色。
然而，由于芯片技术的复杂性和多样性，人们在使用和维护芯片时常常会遇到一些问题。
本文将为大家解答一些常见问题，并提供一些排错指南，帮助读者更好地应对芯片技术方面的挑战。
问题一：芯片的性能如何评估？芯片的性能评估主要从以下几个方面进行：功耗、性能指标、集成度和可靠性。
功耗是指芯片在工作过程中所消耗的电能，通常以功耗值来衡量。
性能指标包括处理速度、响应时间、数据传输速率等，这些指标直接影响芯片的工作效率。
集成度指的是芯片上集成的功能模块的数量和复杂程度，集成度越高，芯片的体积和功耗越低。
可靠性是指芯片在长时间工作中的稳定性和可靠性，包括抗干扰能力、故障率等。
问题二：芯片设计中常见的问题有哪些？芯片设计中常见的问题包括电路设计错误、时序问题、功耗问题和故障排查等。
电路设计错误可能导致芯片无法正常工作，例如电路连接错误、电路元件选型错误等。
时序问题是指芯片上各个模块之间的时钟信号同步问题，如果时序设计不合理，可能会导致芯片工作不稳定或无法正常工作。
功耗问题是指芯片在工作过程中的功耗过高或功耗分布不均匀，这可能会导致芯片过热或无法正常工作。
故障排查是在芯片出现故障时进行问题定位和修复的过程，需要使用专业的仪器和技术手段。
问题三：如何进行芯片故障排查？芯片故障排查需要按照以下步骤进行：首先，检查芯片的供电情况，确保电源正常工作；其次，检查芯片的时钟信号，确保时钟信号同步和稳定；然后，检查芯片的外部接口和通信线路，确保连接正确和稳定；最后，通过仪器和测试设备对芯片进行全面的功能测试和性能评估，以确定故障原因。
如果故障无法定位或修复，可以联系芯片厂商寻求技术支持。
问题四：如何提高芯片的性能？要提高芯片的性能，可以从以下几个方面入手：首先，优化电路设计，采用更高效的电路结构和算法，减少功耗和提高性能。
TDLFAQ-华为问答
TDLFAQ-华为问答1.1 原理类：1.1.1 TD-LTE 的帧结构是什么样的？答：关键字: ⽆线帧（10ms ），分为10个⼦帧（1ms ），每个⼦帧分为两个时隙（0.5ms ），其中还有特殊⼦帧（9种上下⾏时隙配⽐），包括DwPTS （Downlink Pilot Time Slot ），GP （Guard Period ），UpPTS （ Uplink Pilot Time Slot ）1.1.2TD-LTE 的组成元素，RE 和RB 的概念？答：RE(resource element)，LTE 最⼩⽆线资源单位，⼀个频点⼀个⼦载波。
RB （Resource block ），⽤户资源最⼩单位，正常情况下由12个⼦载波和7个OFDM 符号组成。
OFDM 符号是⼦载波经过调制后的时间单位。
GPUpPTS DwPTSGP UpPTSDwPTS1.1.3TDL的时隙配⽐有哪些？答：从10个⼦帧进⾏上下⾏配⽐，0和5⼦帧总下⾏，2⼦帧总上⾏，1⼦帧为特殊⼦帧1.1.4TDL的特殊⼦帧的功能和上下⾏配⽐？答：特殊⼦帧位置：TDL 包括9种上下⾏配⽐：特殊时隙功能：DwPTS：最多12个symbol，最少3个symbol，可⽤于传送下⾏数据和信令UpPTS:UpPTS上不发任何控制信令或数据，UpPTS长度为2个或1个symbol,2个符号时⽤于短RACH或Sounding RS,1个符号时只⽤于soundingGP:a)保证距离天线远近不同的UE的上⾏信号在eNB的天线空⼝对齐b)提供上下⾏转化时间（eNB的上⾏到下⾏的转换实际也有⼀个很⼩转换时间Tud，⼩于20us）c)GP⼤⼩决定了⽀持⼩区半径的⼤⼩，LTE TDD最⼤可以⽀持100kmd)避免相邻基站间上下⾏⼲扰1.1.5为匹配TDS组⽹，TDL的时隙配⽐是多少？1.TDS现⽹采⽤4下2上结构，为了避免未来TD-LTE的⼲扰（或者相互⼲扰），TD-LTE采⽤3：1时隙配⽐，即6下2上的结构，加上2个特殊时隙正好⼀个10ms的⽆线帧。
Qualcomm 分析维修指导
制作內容1.網卡&手機測試項目的常見故障現象以及分析指導2.分析心得總結分析師經驗，都坦言：修板其實并不難，只要做到：多觀察（仔細檢查不良PCB外觀，多借用放大鏡、X-RAY輔助工具），多測量（測量工具很多，但一定要能作到“勤”）多交流（遇到難題要互相交流，他人的經驗就是你的了！呵呵!）多總結（好記性不如亂筆頭，遇到典型的代表型故障要會作記錄）少換芯片（這里的少指的是相對而言，CPU,PM,RTR,FLASH都是國際馳名公司高通&三星的物料，質量控制體系嚴格，損壞系數低，如果輕易更換容易作無用功，而且容易引發其它再生故障,譬如RTR芯片焊接技術要求高，不容易更換）不開機：（CT001-1）CT001需測試開機電流和網卡（手機）能否正常進入FTM模式。
每個網卡（或手機）都有固定的開機電流（差異很小）。
我們把網卡的供電電壓設置為5V，手機的供電電壓設置為3.6V（過大電壓會造成手機關機電流或者待機電流大等故障）CT001---（不開機）我們簡單描述網卡（手機）開機過程，通过USB接口从外部引入5V電壓，通過两个DC/DC 转换分成两路电源分别给基带（開機用3.25V）和射频PA（功率發射用3.3V）供电，基带电压（3.25V）给电源管理芯片，射频电压（3.3V）给WCDMA&GSM前端功放模块，網卡的電路設計是一上電就開機，开机后后各路电压分别为：MSMC(1.2V)，MMC (3.0V)，RFRX_1(2.1V)，RFRX_0(2.7V)，MSME(1.8V)，MSMA(2.6V) ，MSMP(2.6V)，TCXO(2.85V)，其中MSMA\P\E\C和VREG TCXO電壓一定要具備，否則網卡不能夠被開機。
我們在維修不開機的主板時，先上電觀察其工作電流，據以往經驗，電流分為以下幾類：就分析操作上不開機可遵循以下步驟：1.首先換上一塊好的電源副板，如果可以開機則確定為電源副板的原因，如果不開機則確定為主板的原因。
高通平台分析步骤
一，下载分析步骤：高通软件分为烧录部分（ARM9）和下载部分（ARM11），MEMORY在贴片前要先烧录ARM9部分。
高通7227平台为例，当软件只有AMR9部分时开机电流会跑到150mA左右才正常（其它平台电流不一定一样）。
正常下载方式夹具需要VBAT（电池电压，设置为通道1）和VCHG（充电电压，设置为通道2）两路电压同时设置为3.8V供电。
当电脑设备管理器能找到ADB interface(fastboot mode)端口就能下载ARM11软件。
正常下载时手机不能找到ADB端口时，故障分析步骤如下：（1）小电流（70mA以下）和大电流（200mA以上）请考虑贴片或物料问题，参考原理图分析问题。
（2）固定不动电流（70mA）较大可能是MEMORY里没有ARM9软件或软件不能运行造成。
正常的板子拆下MEMORY，开机电流就是固定在70mA。
固定不动电流（100 mA）可能是ARM9软件错误或CPU不能正常工作造成。
（3）电流在70至150 mA间跳动，但连接到PC不能找到ADB端口。
此时需要加LCD看板子的状态，正常是开机后进入fastboot mode（LCD显示纯黑色背景，有三行英文字符）；不正常的大多是开机白屏，多是CPU或软件问题。
备注：当一块板子在下载位不能下载时，要清楚知道板子的状态。
以上描述针对从未下载过ARM11软件的板子。
当下载ARM11失败的（开机白屏或定在开机LOGO不动的），要重新下载软件只能通过强行进入下载模式去下载软件，因为用正常下载方式只能进入关机充电模式；如果强行进入下载模式无效则只能拆下MEMORY重新烧录。
二，校准分析（BT1）：->A00001 Serial Connect:开机后，PC识别手机端口。
如果PC在设备管理器上识别端口，但测试程序还是不能连接端口，此时要检查QPST有没有把端口加入。
->A00002 Change Mode to FTM:转化模式进入工程测试模式（BT1时是在FTM模式下运作）->A00003 SWVersion1201-151-286-562-M76XX-TFNCKNLYM-60301->A00004 CheckSW: 1.00 1.00 1.00软件版本检查，每一个ARM11软件会有一个版本号，如果一款机子在生产过程中有软件升级，那么测试时需要在配置文件中将软件版本号修改对应起来->W11000 BC1_Range0_MaxPower 10.89 7.50 ->W11001 BC1_Range1_MaxPower 19.82 10.00->W11003 BC1_Range3_MaxPower 27.85 24.00BC1（WCDMA2100频段）的功率检查，此项测试BC1频段在一个指定的频点上Range0、1、3功率是否达标（下限值分别是7.5dbm、10.0 dbm、24.0 dbm）。
高通wifi断流解决方案
高通wifi断流解决方案
《高通WiFi断流解决方案》
随着移动互联网的飞速发展，WiFi已经成为现代人生活中不
可或缺的一部分。
然而，有时候WiFi连接会出现断流的情况，给用户带来了不便。
针对这一问题，高通公司推出了一种解决方案，让用户可以更加稳定地享受WiFi连接。
高通WiFi断流解决方案主要包括两大特点：一是智能路由技术，二是信号增强技术。
智能路由技术是指高通在其WiFi芯片中嵌入了智能路由算法，能够根据用户使用习惯和网络负荷情况，自动调整路由器的工作模式和信道选择，以保持WiFi信号稳定。
这种技术可以避
免WiFi信号受到干扰而导致断流的情况。
信号增强技术则是通过使用更先进的天线设计和信号处理算法，提升WiFi设备的信号强度和覆盖范围，进而减少断流的可能性。
这种技术可以让用户在更远的距离或更复杂的环境下也能保持稳定的WiFi连接，从而提高用户体验。
通过以上两种技术的综合应用，高通的WiFi断流解决方案能
够显著提升用户在家庭、办公或公共场所的WiFi连接稳定性，让用户享受更加顺畅的网络体验。
总之，高通WiFi断流解决方案为用户提供了一种可靠、稳定
的WiFi连接解决方案，解决了WiFi断流带来的不便，让用户能够更加放心地享受高速、稳定的网络连接。
高通 芯片失效性分析
高通芯片失效性分析
如何进行有效的芯失效分析的解决方案以及常见的分析手段。
失效分析失效分析是一门发展中的新兴学科，近年开始从军向普通企业普及。
它一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出失效的机理的活动。
失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。
失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。
失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计，使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。
失效分析可以评估不同测试向量的有效性，为生产测试提供必要的补充，为验证测试流程优化提供必要的信息基础。
电测并确定失效模式电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。
这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电和过电应力引起。
电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围和参数不稳定。
确认功能失效，需对元器件输入一个已知的激励信号，测量输出结果。
如测得输出状态与预计状态相同，则元器件功能正常，否则为失效，功能测试主要用于集成电路。
三种失效有一定的相关性，即一种失效可能引起其它种类的失效。
功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。
在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下，有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测，结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
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1。
DDR的走线，同组线，线长差最多可以到多少？资料里是40mil走线难度太大。
请参考DDR应用文档
2。
SPK线走0.5mm是否有必要？还是要根据铜皮厚度来走？
请到高通网站提交技术支持服务
3。
32k晶体走线是否需要走表层？下面是否要铺地？
都是走表层的，需要铺地
4。
ddr走线的相邻层是否一定要大地？
要求上下相邻两层为地层
5. MSM7625（其他的7系列同此）的两个PIN：VDD_C1_SENSE和VDD_C2_SENSE的具体作用，以及推荐的电路连接方式，对于不同的制式连接方式是否有差异？
见：
VDD_C1_SENSE和VDD_C2_SENSE是回路，但由于设计问题，这两个管脚不能满足要求，不用，悬空即可。
6. 问下P721C预中试遇到的USB下载问题。
MSM7625的VDD_USBPHY3.3这路电源在复位时的动作，以及和其他电源有没有时序要求？
这个复位时看门狗复位，这个复位的特点是PM7540的默认上电的电源输出一直保持（不会先掉电再上电），原先打开的默认不上电的电源掉电。
USBPHY3.3默认不上电，所以其会掉电。
我查了
一下，发现USBPHY2.6V是不会掉电的。
没有时序问题，掉电的电源由软件来控制上电。
7. 对部分T卡不能正常读写,这个现象不容易复现。
问下MSM7625侧SDC1_CLK的输出波形（幅度，方波还是正弦波，在不同的频率下，是7625哪部分时钟电路提供的），CLK和CMD在读/写的时序要求，以及和DATA、CMD线上的上拉电阻有没有关系？要上拉电阻。
8、QSD8X50的电源部分：
VDD_CDC0是给芯片内部哪个模块供电的？
有资料上面把这个引脚写成：VDD_CDC0_SMI,我理解为supply power for stacked DDR memory digital core.
但是后面还有一个电源为VDD_SMIC：stacked memory core power 。
所以就矛盾了。
请到高通网站提交技术支持服务
VDD_P7: Pad supply voltage for die to die (外部引脚没有使用的)在内部是用来做什么的？
请到高通网站提交技术支持服务
9、QSD8X50的供电（VDD_C1,VDD_CDC0）,（VDD_APC）所需要的电流分别为1200ma，1500ma，所以外部需要加上一个DCDC，
但是PM7540的VREG_MSMC1（500ma）,VREG_MSMC2（500ma）只是作为外部DCDC的两个使能管脚，这样会不会造成效率的下降？
不会的，高通已经测试过，这两个Buck电路应该处于PFM模式。
接在使能脚上是为了保证上电顺序。
10：PM7540的USB3.3伏LDO问题，MIC2有个参考电压需要USB3.3V上电，但这个USB3.3VLDO需要由USB的Vbus供电，现在的方案是用一个GPIO控制LDO形成3.3V，而不用PM7540的USB3.3V。
见前面问题。
高通的平台都存在这个问题，也只能这样解决。
11、8650A与8650虽然是pin脚兼容的，但是增加了两个引脚（原先是NC脚），为做到兼容性设计，应该怎么处理这两个引脚？
请到高通网站提交技术支持服务
12、为了防止频率偏移改善GPS性能，使用DFF以及后面的两级RC网络：
对于第二级的RC网络只是滤除TRK_LO_ADJ信号线在PCB板可能引入的高频噪声，如果第一级RC 网络距离压控温补晶体振荡器很近，
再加第二级RC作用是不是不大？（第一级肯定是要加的，对波形进行处理）
绝对不要修改这个电路的元器件参数和电路。
补充一点：高通平台，在运行不同的功能模块时，会通过TRK_LO_ADJ（PDM）调整电压温度补偿晶振的输出频率。
在使用GPS功能时，GPS的数据是有相位信息的，要求晶振的输出频率不变。
TRK_LO_ADJ的供电还给其他模块供电，其他模块的关断和运行，会造成电源上出现波动，从而在TRK_LO_ADJ上出现波动，故需要将这个信号通过Buffer或D触发器（他们的电源为Reg_TCXO，很干净）过滤一下。
第一级RC是滤高频，使脉冲信号变成直流信号，第二级滤引入射频的干扰，都是必需的。
13、QSD8X50仅支持四线电阻式，那么WIPER引脚用来做什么？如果不用这个引脚可以直接悬空？如果用来做WIPER ADC，输入电压的正常工作范围什么？允许的最大输入电压是多大？
可最为普通ADC输入脚，不用可直接悬空。
至于输入电压的正常工作范围等问题，请到高通网站
提交技术支持服务
14、QSD的HKAIN_0/1/2输入信号正常工作电压范围？允许的最高输入电压？
请到高通网站提交技术支持服务
15、QSD的VDD_SENSE_APC,VDD_SENSE_DIG引脚可以输出电压来调节TPS65023吗？如果不可以的话，这两个引脚的作用主要是什么？
VDD_SENSE_APC,VDD_SENSE_DIG和前面的VDD_C1_SENSE和VDD_C2_SENSE一样，是输出（如VDD_C1经过7625后，从VDD_C1_SENSE出来，本应到PM7540，PM7540根据这个反馈对VDD_C1做相应的调整（硬件完成））。
这里讲一下关于这个TI的DCDC电源（TPS65023）：由于PM7540设计的比较早，其性能不能满足QSD8×50的要求，故选用了这个DCDC.这里有个很绕的问题，有的输出无法通过I2C总线控制，需要硬件控制，于是通过这样做，先通过I2C控制Ldo的输出，将其输出来控制那些需要硬件控制的输出电源。
16：GPIO和Bus上Keeper功能有何用？
所谓Keeper功能就是让管脚保持原有的电平，但其无驱动能力。
GPIO上，看来没有什么意义。
对于Bus，有利于减少信号的SetUp和Hold时间，使读写动作可以以更高的频率运行。
17:USB如何检测的？
当USB线插入，USB_Vbus通过PM7540的USB_Vbus检测模块发现USB插入，通过中断通知MSM/QSD，MSM/QSD通过控制其PHY中检测模块（和MSM8065一样）检测+D/-D来最终检测USB的插入。
所以PM7540中Vcharge和USB_Vbus连在一起是没有问题的，不能影响charge和USB的检测的。
另外，高通USB模块是买的，他们也控制不了MSM/QSD中的USB控制器和PHY。
PM7540电路中PCOMS中的二极管是寄生二极管，所以在关机时，PCOMS虽然关闭了，其实电板电压通过这个寄生二极管还是会给到VHP_PWR上去的。
18：UART和UARTDM的差别：
UartDM是不同的控制器，他和UART有不同的寄存器，有DMA来完成数据收发，故波特率可为4Mbps 和1.15Mbps。
UART就是普通的串口控制器
19：UIM卡电平转换过程？
先给UIM卡1.8V供电，看有没有相应，如没有，则上3.0V。
另外，UIM卡在QSD8×50上可以不再经过PM7540进行电平转换了，QSD自己能完成。