芯片内部结构

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电源管理芯片
6.内部器件及尺寸
模组尺寸3.0*2.5*0.9mm
功率电感尺寸2.0*1.2*0.5mm 半导体IC尺寸（加引脚） 1.4*0.9*0.3mm
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电源管理芯片
7.内部功率电感
端留边0.12mm，侧留边0.14mm ，电极宽0.2mm，电极厚0.02mm ，产品高度＜0.5mm,有效圈数4.5 （推测RDC在75-95mΩ）
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9.半导体IC
树脂形貌相同，推测 IC未做树脂封装，直 接焊接在铜电极上
半导体IC尺寸（加引脚） 1.4*0.9*0.26mm
半导体部分：180um 电极接口部分：15um 电极引出部分：65um
树脂有层界面，上边无颗粒层应为IC引出电路保 护层；铜柱引出电极应是与IC一体；
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半裸IC 11
引出电路保护——碳层
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电源管理芯片 ——各层磨片尺寸
底部焊盘
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PCB铜 电极层
PCB内部 焊接点
3
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器件层
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一、电源管理样片结构
12.总结
推测可能的工艺路线如下：
铜片
正反两 面蚀刻
点锡
贴器件
回流焊
包装
切割
激光 打标
镀底部 焊盘
塑封
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电源管理芯片
THANK YOU!
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电源管理芯片
10.半导体IC电极引出铜柱焊接
树脂有界面，推测 上部无颗粒部分为 IC引出电路保护层
高纯度Cu
Sn焊接 Sn-Cu界面层
推测芯片焊接方式与电感一致，即将裸芯片放置在锡膏上，过回流焊炉完成焊接
；
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电源管理芯片
11.半导体IC电极引出封装结构
1
4
6 7
23 5
IC半导体主体 微电路——W金属层 隔层——Al金属层 微电路——W金属层 电极引出触点——Al金属层 隔层——Al金属层
放大
只有1层，16um厚 ，成分为锡；与铜 电极界面无其他金 属
工艺可能是电极显露后直接镀锡
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4.内部电极电路
电极总厚200um，成分 为铜，无层状分界界面 ；形貌上有2个弧形， 高度分别是 130um/70um；推测是 整版铜片正反两次蚀刻 形成；
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5.封装树脂
封装树脂为硅基，PCB电极平面处未发 现层状界面，推测为一次封装成型；
电源管理芯片
电源管理芯片样品模ห้องสมุดไป่ตู้ 结构分析
2017年4月
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电源管理芯片
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电源管理芯片
一、电源管理样片结构
1.外观
正面
激光打标AGRG22-191未搜到芯 片datasheet
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底面
整版镀锡后 再切割
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2.内部结构
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CT
201205 尺寸功 率电感
半导体IC
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3.底部焊盘结构
3层夹层
磁体为镍铜锌铁氧体
从引出端及连接点方式推测，疑似FDK的功率电感 MIPSUZ2012GR47，0.47uH,RDC 100mΩ±30%， Isat 1.5A;
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8.电感端头及焊盘结构
沾银层 镍层 锡层
焊接锡
锡-铜层 PCB铜电极
内部焊盘结构推测：无专用焊盘，直接在铜电极上点锡焊接电感及半导体芯片；