IC FAB 厂务系统简介

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半导体厂务系统

半导体厂务系统

半导体厂务系统 The manuscript was revised on the evening of 2021半导体厂务工作吴世全国家奈米元件实验室一、前言近年来,半导体晶圆厂已进展到8"晶圆的量产规模,同时,也着手规划12"晶圆的建厂与生产,准备迎接另一世代的产业规模。

於是各厂不断地扩增其产能与扩充其厂区规模,似乎稍一停顿即会从此竞争中败下阵来。

所以,推促着制程技术不断地往前迈进,从μm设计规格的64Mb(百万位元)DRAM(动态随机记忆元件)记忆体密度的此际技术起,又加速地往μm规格的256M发展;甚至μm的1Gb(十亿位元)集积度的DRAM元件设计也屡见不鲜。

亦即整个半导体产业正陷入尖端技术更迭的追逐战,在竞争中,除了更新制程设备外,最重要的是维持厂区正常运作的厂务工作之配合,而这两方面的支出乃占资本财的最大宗。

特别是多次的工安事故及环保意识抬头之後,厂务工作更是倍显其重要及殷切。

事实上,半导体厂的厂务工作为多援属性的任务,也是後勤配合与收摊(废弃物)处理的工作;平时很难察觉其重要性,但状况一出,即会令整厂鸡飞狗跳,人仰马翻,以致关厂停机的地步。

所以,藉此针对厂务工作的内容做一概略性的描述,说明其重要性并供作参考与了解。

文章分为三部份:首先为厂务工作的种类,其次是厂务工作的未来方向,最後是本文的结语。

二、厂务工作的种类目前在本实验室所代表的半导体制程的厂务工作,约可分为下列数项:1.一般气体及特殊气体的供应及监控。

2.超纯水之供应。

??3.中央化学品的供应。

4.洁净室之温度,湿度的维持。

5.废水及废气的处理系统。

6.电力,照明及冷却水的配合。

7.洁净隔间,及相关系统的营缮支援工作。

8.监控,辅佐事故应变的机动工作等数项。

下述将就各项工作内容予以概略性说明:1.一般气体及特殊气体的供应及监控[1]一座半导体厂所可能使用的气体约为30种上下,其气体的规格会随制程要求而有不同;但通常可分为用量较大的一般气体(Bulk Gas),及用量较小的特殊气体(Special Gsa)二大类。

半导体FAB里基本的常识简介

半导体FAB里基本的常识简介

CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一,是需要一个无尘室,为何需要无尘室答:由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答:半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。

最常用的半导体材料是硅及锗。

半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

常用的半导体材料为何答:硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答:VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什幺答:介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答:沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答:CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答:PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?答:良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?答:做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答:称为金属沉积前的介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答:金属层间介电质层。

何谓USG?答:未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?答:掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG?答:掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS?答:Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答:液体二氧化硅其K值为3.9表示何义答:表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍氟在CVD的工艺上,有何应用答:作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答:clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答:有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答:告知所有的人勿操作机台,避免危险机台维修至少两人配合,有何目的?答:帮忙拆卸重物,并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后,一定要做何动作?答:用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber),应配带何种手套答:石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答:半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用?答:降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答:机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用?答:机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber的功能为何?答:移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)?答:将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程。

半导体FAB里基本的常识简介

半导体FAB里基本的常识简介

CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一,是需要一个无尘室,为何需要无尘室答:由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \- W答:半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。

最常用的半导体材料是硅及锗。

半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G答:硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \8 g3 P. G答:VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \t9 x5 L4 K% _2 f在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U" w! I答:介电质(Dielectric). w- j" @9 Y2 {0 L0 f w薄膜区机台主要的功能为何答:沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答:CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答:PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ?答:良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [答:做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答:称为金属沉积前的介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?" j% y7 O/ Q" m; N, b答:金属层间介电质层。

半导体芯片厂厂务手册

半导体芯片厂厂务手册

半导体芯片厂厂务手册一、工厂简介本半导体芯片厂成立于XXXX年,位于[XXXXX],专注于集成电路芯片的研发、生产和销售。

工厂拥有先进的生产设备和完善的生产流程,致力于为客户提供高品质的芯片产品和服务。

二、组织结构本厂的组织结构包括总经理办公室、人力资源部、财务部、研发部、生产部、品质部和销售部。

各部门职责明确,协同合作,确保工厂的正常运营和客户需求的满足。

三、厂区布局厂区布局合理,分为生产区、办公区、仓储区和员工生活区。

各区域功能明确,互不干扰,有利于提高工作效率和保障员工生活品质。

四、生产设备工厂拥有先进的生产设备,包括芯片制造设备、测试设备和包装设备等。

设备均来自知名品牌,性能稳定可靠,能够满足大规模生产的需要。

五、生产流程生产流程包括芯片设计、制造、测试和包装等环节。

工厂采用先进的工艺技术和严格的质量控制标准,确保每个环节的顺利进行,最终为客户提供高品质的芯片产品。

六、品质管理品质管理是工厂的核心工作之一。

我们建立了完善的品质管理体系,从原材料采购、生产过程到成品检验等各个环节进行严格把控,确保产品合格率达到XX%以上。

七、安全生产工厂高度重视安全生产工作,建立健全安全生产责任制和安全管理制度。

我们定期进行安全检查和隐患排查,加强员工安全培训和教育,确保生产安全无事故。

八、环境保护工厂积极履行环保责任,严格遵守国家和地方的环保法律法规。

我们采取一系列环保措施,如废气治理、废水处理和废弃物回收等,降低生产过程中的环境污染,营造绿色低碳的生产环境。

九、员工培训为了不断提升员工的技能水平和综合素质,工厂定期开展各类培训课程,包括新员工入职培训、岗位技能培训、安全教育培训等。

同时鼓励员工参加外部培训和学习,为员工职业发展提供支持。

通过培训,提高员工的工作效率和团队协作能力,为工厂的持续发展提供有力的人才保障。

半导体fab是什么意思

半导体fab是什么意思

半导体fab是什么意思半导体fab是半导体工艺的缩写,意思是半导体工厂。

半导体fab用于生产和制造半导体元件,是半导体行业的核心设施和重要技术服务。

半导体fab是新兴技术领域的核心,为半导体行业的发展和创新提供技术支持和支撑。

半导体fab的概念可以追溯到1960年代,当时企业开始大规模生产并销售半导体器件。

到了1970年代,随着科技水平的不断提高,生产和销售半导体器件的企业也开始建立起工厂,即半导体fab,用于生产和销售半导体器件。

半导体fab建立在复杂的设计、图像科学、自动化控制、数据分析、计算机网络等科技技术基础之上。

半导体fab的建立使企业能够大规模生产集成电路(IC),特别是大规模集成电路(VLSI),是芯片的关键技术和装置,至今仍被广泛应用于产品设计和制造。

半导体fab的运营包括基础设施建设、生产技术、环境控制和平衡、设备的开发和维修、人员的培训和指导等多个方面。

半导体fab 的建设需要大量的资本建设投资,投资周期长,并且要求半导体fab 在技术、设备和流程方面不断革新,以应对市场变化和需求变化。

半导体fab具有重要的经济和技术意义。

根据一项调查,半导体fab的建设为半导体行业的发展起到了重要的作用,其经济贡献率高达80%。

另外,半导体fab的发展为行业提供了核心技术和装备,促进了半导体制造技术的发展和创新。

此外,半导体fab也对培养人才具有重要意义,已在中国培养了大批专业人员和技术人员,为我国半导体行业提供了人才支持。

半导体fab的发展改变了半导体行业的格局,为半导体制造技术的发展和创新提供了强有力的支撑。

可以预见,在未来的发展过程中,半导体fab的地位将会更加重要,对半导体行业的发展和创新将产生深远的影响。

半导体厂务系统自动化

半导体厂务系统自动化
PC-Based
DCS 架構圖
DCS 系統
分散系統 集中控制 資料/資訊集中整合 整合度高 系統封閉,
PLC 架構圖
PLC 系統
分散系統 分散控制 需整合系統統整各系統 介面較多 資料須整合系統整合管理 系統封閉, 但現行系統多有開放的架構與介面
PAC
PAC
PAC 系統
EIM (Engineering Information Management)
收集測試及實驗數據進行SPC分析及各種統計手法
Module 自動化系統 (續)
AMHS (Automated Material Handling System)
Tool 間 Lot 自動化傳送 設定最佳路徑, 自動化傳輸
一種透過TCP/IP (Ethernet) 介面, 讓EAP與設備間 可高速交換訊息的通訊協定
GEM – General Equipment Model
驅動設備於各式狀況下去進行特定的動作 這個標準對於EAP來說定義著設備點的狀況
其他 SEMI 標準
Carrier Management, Process Job Management, Control Job Management, Carrier Handoff
EAP 透過半導體設備通用的介面與機台交換資料
HSMS
SECSII
பைடு நூலகம்
GEM
其他 SEMI 所訂定的 Protocol
EIM
AMHS
Tool ToTooAloPl s
SECSII
EAP
MES APC
SECSII
一種固定格式的通訊協定, 讓設備與EAP之間可以 交換訊息
HSMS - High Speed SECS Message Service

fab fabless解释-概述说明以及解释

fab fabless解释-概述说明以及解释

fab fabless解释-概述说明以及解释1.引言1.1 概述Fab fabless是一个在集成电路(IC)行业中常用的术语,它是由两个词组合而成:fab和fabless。

在过去的几十年里,电子设备的市场需求不断增长,对于集成电路的需求也随之增加。

然而,专门从事集成电路制造的工厂(也称为fab)的建设和运营成本非常高昂,这使得许多公司难以承担。

为了解决这个问题,一种新的制造模式应运而生,即fab fabless模式。

Fab fabless模式是指公司将集成电路的设计与研发工作与生产制造工作分离,即由一些专门从事IC设计的公司(称为fabless公司)负责产品的研发和设计,而将生产制造工作委托给专门的集成电路制造工厂(fab)来完成。

在这种模式下,fabless公司可以将更多的精力和资源专注于产品的研发和设计上,而无需投入大量资金和资源来建设和运营fab。

与此同时,fab工厂则可以通过接受来自不同fabless公司的订单来提高产能利用率,实现规模经济效益,从而降低生产成本。

通过采用fab fabless模式,IC行业可以实现资源的合理配置和分工,提高生产效率和灵活性,降低生产成本,加速产品的推出速度。

这种模式的出现对于促进整个IC产业链的发展和进步具有重要意义。

随着信息技术的快速发展和智能设备的普及,集成电路的需求将会持续增长。

因此,fab fabless模式在未来将继续发挥重要作用,并有望在IC 行业中得到更广泛的应用和推广。

1.2文章结构文章结构是指整篇文章的组织框架和段落安排。

一个良好的文章结构可以帮助读者更好地理解和阅读文章内容。

在本文中,我们将按照以下结构来组织和展开我们关于"fab fabless"的解释:1. 引言1.1 概述1.2 文章结构1.3 目的2. 正文2.1 什么是fab fabless2.2 fab fabless的优势3. 结论3.1 总结fab fabless的意义3.2 展望fab fabless的未来在正文部分中,我们将详细解释fab fabless的定义、相关概念和特点。

厂务系统概述简单中文介绍

厂务系统概述简单中文介绍

清洁清洗/制程需求
1.4 真空系统在制程中的功能
PV 制程真空
HV 清洁真空
吸引搬移 尘屑吸引清洁
1.5 排气/排水系统在制程中的功能
Pump Line 制程高真空
Exhaust 排气系统
Drain 排水系统
制程转换之高真空建立 制程转换之废气排除 制程使用之废DI/Chemical排放
二、厂务系统使用材质
PN2 纯化氮气
SUS 316L EP
其他B-GAS 大宗气体
SUS 316L EP/PH2有时用双套管(EP/AP)
S-GAS 特殊气体
SUS 316L EP/双套管/加热套
2.3 化学系统使用材质
有机类 化学药品
一般酸碱 化学药品
其他 化学药品
溶剂类→SUS 316 BA H2SO4/NaOH→PVC/CPVC CPVC/PFA/PVDF/PTFE
厂务系统概述
目录 一、厂务系统功能 二、厂务系统使用材质 三、厂务系统流程
一、厂务系统功能
1.1 水系统在制程中的功能
PCW 制程冷却水
UPW/DIW 超纯水
制程机台冷却 补水/清洗/稀释
Chill Water 冰水
RW 回收水
冷却用冷源/空调用冰水 DI回收/冷凝回收/再生使用
CW 自来水
原水/一般用水
化学品 供应槽车
化学品 储槽
传送系统
供应槽
废液 回收槽
回收管线
使用点
VMB/P
分配系统 化学管路
3.10 废水收集系统简略流程
Drain Pipe
机台 排放点
收集 管线
废水 处理厂
3.11 废水处理系统简略流程

IC_FAB_厂务系统简介

IC_FAB_厂务系统简介

FA B 1F U tility fa b 2F L e v e l 1 s u b -fa b 3F L e v e l 1 C /R 4F L e v e l 2 s u b -fa b 5F L e v e l 2 C /R 5F CL + /- 4 .8 m 6F U p p e r tr u ss 7F O ffic e R oof M UA p e n th o u se R oof of p e n th o u se S u p p o r t in g B u ild in g ( S B ) 1F W a re h o u se 2F R a w m a te r ia l sto r a g e 3F C le a n s u p p o r t ro o m 4F P ro d u c tio n s u p p ly ro o m
1-3. Door size for process tool move-in route :
W×H : 2.8 m × 3.4 m
1-4. Goods elevator :
1-4-1. For process tool transportation : A. Load capacity : 8 tons B. H × W × D : 3.4m × 3.0m × 5.0m C. Door size(W×H) : 2.8 m × 3.4 m 1-4-2. Only for W/H material transportation : A. Load capacity : 5 tons B. H × W × D : 3.4m × 3.0m × 5.0m C. Door size(W×H) : 2.8 m × 3.4 m
1 ,0 0 0 1 ,0 0 0 1 ,7 5 0 1 ,0 0 0 1 ,7 5 0 750 400 200 750

Fab基本情况介绍

Fab基本情况介绍

Fab基本情况介绍晶圆制造厂非常昂贵的原因之一,是需要一个无尘室,为何需要无尘室答:由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答:半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。

最常用的半导体材料是硅及锗。

半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

常用的半导体材料为何答:硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答:VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什幺答:介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答:沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答:CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答:PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?答:良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?答:做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答:称为金属沉积前的介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答:金属层间介电质层。

何谓USG?答:未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?答:掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG?答:掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS?答:Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答:液体二氧化硅其K值为3.9表示何义答:表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍氟在CVD的工艺上,有何应用答:作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答:clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答:有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答:告知所有的人勿操作机台,避免危险机台维修至少两人配合,有何目的?答:帮忙拆卸重物,并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后,一定要做何动作?答:用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber),应配带何种手套答:石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答:半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用?答:降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答:机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用?答:机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber的功能为何?答:移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)?答:将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程。

fab厂工艺技术

fab厂工艺技术

fab厂工艺技术Fab(制造)厂是指在半导体制造过程中进行芯片和电子元器件生产的工厂。

在这个厂里,需要运用一系列复杂的工艺技术来生产出高质量的产品。

下面我将介绍一下Fab厂的工艺技术。

首先,Fab厂的工艺流程非常复杂,需要经历多个步骤。

首先是晶圆加工,晶圆是一种由硅单晶材料制成的圆盘状基板。

晶圆加工主要包括切割、抛光和清洗等步骤。

接下来是光刻工艺,通过使用光刻胶和光刻机来在晶圆上进行图案的曝光和显影,制作出芯片的图案。

然后是沉积工艺,通过化学气相沉积或物理气相沉积等方法在晶圆上沉积各种材料,如金属、多晶硅等。

接下来是刻蚀工艺,通过使用刻蚀液和刻蚀机来去除不需要的材料,保留下芯片的图案。

最后是电镀和封装工艺,通过电镀将金属沉积在芯片上,并进行封装,保护芯片并提供连接器。

其次,Fab厂的工艺技术关键在于精确度和一致性。

由于芯片上的图案很小,通常只有几纳米大小,所以需要非常高的精确度来制作芯片。

而且,每个芯片都必须保持一致,没有任何缺陷或差异。

为了达到这个目标,Fab厂采用了先进的设备和工艺控制技术,如显微镜、扫描电子显微镜和自动化系统等。

通过这些技术的应用,Fab厂可以准确地控制每个工艺步骤的参数,并及时发现和修复任何潜在的问题。

第三,Fab厂的工艺技术还需要不断创新和改进。

由于技术的快速发展,Fab厂必须不断地更新和改进工艺技术,以满足市场的需求。

例如,随着芯片尺寸的不断减小,Fab厂需要开发新的技术来提高芯片的制作精度。

另外,Fab厂还需要关注能源消耗和环境保护等问题,不断寻求更节能和环保的工艺技术。

最后,Fab厂的工艺技术在现代社会中起到了至关重要的作用。

芯片和电子元器件广泛应用于电子设备、通信设备、汽车和医疗设备等各个领域。

而这些芯片和电子元器件的质量和性能直接影响到产品的质量和性能。

因此,Fab厂的工艺技术对整个产业的发展和进步都起着至关重要的作用。

综上所述,Fab厂的工艺技术是一项非常复杂和关键的技术。

半导体FAB里基本的常识简介

半导体FAB里基本的常识简介

CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一,是需要一个无尘室,为何需要无尘室答:由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答:半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。

最常用的半导体材料是硅及锗。

半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

常用的半导体材料为何答:硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答:VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什幺答:介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答:沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答:CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答:PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?答:良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?答:做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答:称为金属沉积前的介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答:金属层间介电质层。

何谓USG?答:未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?答:掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG?答:掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS?答:Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答:液体二氧化硅其K值为表示何义答:表示二氧化硅的介电质常数为真空的倍氟在CVD的工艺上,有何应用答:作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答:clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答:有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答:告知所有的人勿操作机台,避免危险机台维修至少两人配合,有何目的?答:帮忙拆卸重物,并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后,一定要做何动作?答:用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber),应配带何种手套答:石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答:半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用?答:降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答:机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用?答:机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作. Wafer Scrubber的功能为何?答:移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)?答:将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程。

半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识(想入此行当的朋友请先)

半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识(想入此行当的朋友请先)

半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识(想入此行当的朋友请先)最近天涯有不少的弟兄谈到半导体行业,以及SMIC、Grace等企业的相关信息。

在许多弟兄迈进或者想要迈进这个行业之前,我想有许多知识和信息还是需要了解的。

正在半导体制造业刚刚全面兴起的时候,我加入了SMIC,在它的Fab里做了四年多。

历经SMIC生产线建立的全部过程,认识了许许多多的朋友,也和许许多多不同类型的客户打过交道。

也算有一些小小的经验。

就着工作的间隙,把这些东西慢慢的写出来和大家共享。

如果有什么错误和不当的地方,请大家留贴指正。

从什么地方开始讲呢?就从产业链开始吧。

有需求就有生产就有市场。

市场需求(或者潜在的市场需求)的变化是非常快的,尤其是消费类电子产品这类产品不同于DRAM,在市场上总是会有大量的需求。

也正是这种变化多端的市场需求,催生了两个种特别的半导体行业——Fab和Fab Less Design House。

我这一系列的帖子主要会讲Fab,但是在一开头会让大家对Fab周围的东西有个基本的了解。

像Intel、Toshiba这样的公司,它既有Design的部分,也有生产的部分。

这样的庞然大物在半导体界拥有极强的实力。

同样,像英飞凌这样专注于DRAM的公司,活得也很滋润。

至于韩国三星那是个什么都搞的怪物。

这些公司,他们通常都有自己的设计部门,自己生产自己的产品。

有些业界人士把这一类的企业称之为IDM。

但是随着技术的发展,要把更多的晶体管集成到更小的Chip上去,Silicon Process的前期投资变得非常的大。

一条8英寸的生产线,需要投资7~8亿美金;而一条12英寸的生产线,需要的投资达12~15亿美金。

能够负担这样投资的全世界来看也没有几家企业,这样一来就限制了芯片行业的发展。

准入的高门槛,使许多试图进入设计行业的人望洋兴叹。

这个时候台湾半导体教父张忠谋开创了一个新的行业——foundry。

IC FAB 厂务系统简介

IC FAB 厂务系统简介

IC FAB 廠務系統簡介2. Electrical power supply condition :2-1. Voltage & Loading :480V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 4 wire(R,S,T,G)208V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 4 wire(R,S,T,G)208V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 5 wire(R,S,T,N,G)120V : 60Hz ±0.5Hz, 1 phase 3 wire(L,N,G)※If tool loading of 208V is greater than 400A, we suggest to use480V power source.※Process tool should follow IEEE standard 466 -electrical power voltage requirement.As attachment-1.2-2. Type :Normal Power : without supply when power outageEmergency Power : can sustain power failure more than 10 minutesDynamic UPS : continuously supply even thought power outage3. EMI:<10mG dc &<1mG ac, and maximum 0.2 mG variation over 5 minutes nearsensitive equipment.4. ESD:4-1. Raised floor and concrete floor = 10E6~5×10E8Ω/□4-2. Clean room wall = 10E6~5×10E8Ω/□4-3. Voltage : <100 V level4-4. Photo area : discharge time: +1000V to +100V under emitter<40 sec.5. Grounding : ≦1Ω6. Noise : ≦60 NC7. Illumination : 750 ~ 800 lux for C/R;but photo area 500 ~ 600 lux with yellow light10. Drain :10-1.『HF-S Drain』: the waste water contain fluorine ion, [F-] >200 mg/l10-2.『HF-W Drain』: the waste water contain fluorine ion, [F-] <200 mg/l10-3.『IPA Waste』: the waste liquid contain IPA and concentration [IPA]>80%10-4.『Solvent Waste』: the waste liquid contain solvent and concentration [Solvent] >80% 10-5.『DA(Waste Drain)』: DA is dedicated to followed condition.A. The waste water contain TOC and concentration [TOC]>2mg/lB. The waste water contain acid or alkali but not first acid rinse waterC. Conductivity>800μs/㎝but not first acid rinse water10-6.『FDA Drain』: is dedicated to first acid rinse water10-7.『DG(general drain)』: DG is dedicated to followed condition.A. The waste water doesn't contain fluorine ion.B. [TOC]<2mg/lC. Conductivity<800μs/㎝but not hot water10-8.『DAH Drain』: hot drain water with [TOC]<2mg/l and conductivity<800μs/㎝and without fluorine ion.10-9.『Oxide Slurry Drain』: is dedicated to CMP oxide waste water10-10.『Metal Slurry Drain』: is dedicated to CMP metal waste water10-11.『Cu-W Drain』: is dedicated to CMP copper waste water10-12.『Cu-S Drain』: is dedicated to electroplating waste for Cu process10-13.『H2SO4-S』: the waste liquid contain H2SO4 and concentration [H2SO4]>80%10-14.『H3PO4-S』: the waste liquid contain H3PO4 and concentration [H3PO4]>80%10-15. Other waste collection systems are dedicated to specialty chemical waste such as EKC, coater, T-12…etc.Typical Power Design Goals for Semiconductor Process Equipment Voltage: 120/208, 277/480 variations as defined by CEBMA curve (IEEE Standard 446)RCFSUB-FABExhaustMUAoutdoor airULPA ChamberEQ-2Clean RoomHc\潔淨室air 品質管理f2.PPT, @2002/01/08.Fab Air Quality ManagementSMIF FOUPEQ-1Local Chemical FilterRCFChemical Filtermicro-environment Chemical FilterMUA Chemical Filter23511. Wafer Operation Area.2. RCF CF 前.3. RCF CF 後.4. MUA CF 前.5. MUA CF 後.儀器與方法1. IMS. (HF,Cl2,NH4OH,VOC/ppb)2. TLD-1. (Cl2 / ppb)3. CCT/ERM. (Å/hr, Å/day)4. Cu/Silver Coupon. (Å/day, Å/week)5. Metal Wafer Queue Time.6. Others. (CD, Defect, Lens,…)1FFUChemical Filter11. Air Velocity.2. Temp./Humidity.333功能與應用1. 晶片保護. (Alarm, OCAP/MRB,…), [ERT]2. Chemical Filter 之Lifetime 管理. [治標]3. 污染洩漏源管理.(Pattern,Map,...) [治本]4. CR 微污染有效管理. (計劃實驗), [持續改善]5. MUA 空氣品質管理. [提昇品質]6. 人員衛生品質管理. [特殊應用]杜絕漏源人人有責4WwaferSMIF/FOUP: Standard Mechanical Inter-Face, Front Opening Unified Pod.Fab Layout (air quality monitor)15112552434323Hc\潔淨室air 品質管理5.ppt1. Wafer Operation Area.2. RCF/FFU CF 前.3. RCF/FFU CF 後.4. MUA CF 前.5. MUA CF 後.RCFSUB-FABExhaustMUAoutdoor airULPA ChamberEQ-2Clean RoomHc\潔淨室particl e 理f2.PPT, @2002/05/13.Fab Particle ManagementSMIF FOUPEQ-1231. Wafer Exposure Area.2. ULPA 後.3. Mfg Working Area4. MUA 後.儀器與方法1. Particle Counter. (.1um)2. Particle monitor. (.3um)3. Air Velocity Meter. (0.1-1m/sec.)4. Flow pattern monitor5. Smog Generator.6. De-bug Tool. (Item1,2 + CCTV)111. Air Velocity.2. Flow Pattern23功能與應用1. 晶片保護. (Alarm, OCAP/MRB,…), [ERT]2. Filter 之Lifetime 管理. [治標]3. Particle 來源管理.(Pattern,Map,...) [治本]4. CR 微塵有效管理. (計劃實驗), [持續改善]5. MUA Particle 品質管理. [提昇品質]微塵控管人人有責4Class 1@0.1um Class 0.1@0.1umClass 100T @0.3umClass 100, @0.3umWClass 10@0.1umWafer SMIF/FOUP: Standard Mechanical Inter-Face, Front Opening Unified Pod.Gerneral Fab Layout (particle monitor)15112523323Hc\潔淨室particl e 管理5.ppt1. Wafer Operation Area.2. Mfg Working Area.3. ULPA 前.4. ULPA 後.5. MUA 前.444。

半导体FAB里基本的常识简介

半导体FAB里基本的常识简介

CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一,是需要一个无尘室,为何需要无尘室答:由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答:半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。

最常用的半导体材料是硅及锗。

半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

常用的半导体材料为何答:硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答:VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什幺答:介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答:沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答:CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答:PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?答:良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?答:做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答:称为金属沉积前的介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答:金属层间介电质层。

何谓USG?答:未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?答:掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG?答:掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS?答:Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答:液体二氧化硅其K值为表示何义答:表示二氧化硅的介电质常数为真空的倍氟在CVD的工艺上,有何应用答:作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答:clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答:有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答:告知所有的人勿操作机台,避免危险机台维修至少两人配合,有何目的?答:帮忙拆卸重物,并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后,一定要做何动作?答:用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber),应配带何种手套答:石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答:半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用?答:降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答:机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用?答:机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber的功能为何?答:移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)?答:将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程。

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( MXIC FAB-3 Utility Supply Condition & Limitation for Process Tool )
1. Building condition : 1-1.Floor load/ ceiling height/ vibration isolation :
Location Floor name Floor loading Ceiling height 1,000 1,000 1,750 1,000 1,750 750 400 200 750 ㎏/m2 ㎏/m2 ㎏/m2 ㎏/m2 ㎏/m2 " ㎏/m2 ㎏/m2 ㎏/m2 ㎏/m2 Vibration Required Vibration Goal
1-4-1. For process tool transportation : A. Load capacity : 8 tons B. H × W × D : 3.4m × 3.0m × 5.0m C. Door size(W×H) : 2.8 m × 3.4 m 1-4-2. Only for W/H material transportation : A. Load capacity : 5 tons B. H × W × D : 3.4m × 3.0m × 5.0m C. Door size(W×H) : 2.8 m × 3.4 m
C/R: Clean Room, CDA: Clean Dry Air, PV: Process Vacuum. NG: Nature Gas, LPG: Liquefied Petroleum Gas
fab-3\fab3utility說明1.ppt
Performance Criteria of Utility Supply System
Fire Detection & Protection POU Monitor & Control FAC Monitor & Control
H2SO4 回收 有機溶劑
接地系統
液態氮 液氧 液氬 氦氣 氫氣
大地
氮氣供應商 氣体供應商
供 應 商
供 應 商
有機溶劑 供應站
酸 鹼 廢 水
IPA 再生系統
特殊氣體供應站
外氣
水蒸汽
IC FAB / 廠務供應系統
新竹自水公司 軟 水 裝 置
飲 用 水
廢氣處理
清 洗 用 水
Acid Scrubber Solvent VOC
酸 鹼 廢 水
空調 設施
廢氣
熱 水 * 蒸 氣 +
UPW
DI
RO
自來水 儲存槽 (20000m3)
設備冷卻水 供應系統பைடு நூலகம்
208V/480V 電力供應站 22.8KV/4.16KV 電力供應站 外氣
Drain : 為達環評水資源回收 ≧ 85% 目標, 特增設回收水再生處理系統, 但需 Module 配合增加分流控制的軟硬體.
PCW : 採密閉循環系統, 水質控制較佳, hookup 管線採用焊接方式, 漏水 問題會比 Fab-2 少. 和 EQ 銜接部分仍用高壓軟管, 要特別注意管 線保護且拆裝時要特別注意. 其他 : 未和晶片直接接觸之廠務系統, 如 City Water, CDA, PV, NG, LPG, 廢水處理, 廢氣處理,… 等系統能力與品質大致和 FAB-2 相同.
Floor name Clean support room
Floor loading 1,000 ㎏/m2 750 ㎏/m2 400 ㎏/m2 400 ㎏/m2 200 ㎏/m2
Ceiling height 3.6m
Vibration Required 1000μ"/s
Vibration Goal
Mechanical room
Bulk Gas : PN2, PO2, PH2, PAr, PHe, purifier . (≦ 1 ppb)
UPW : RS ≧ 18.25M, impurity 可達 1ppb 水準.
MAU: Makeup Air Unit,
fab-3\fab3utility說明1.ppt
S.S.: Stainless Steel,
3. EMI:<10mG dc &<1mG ac, and maximum 0.2 mG variation over 5 minutes near
sensitive equipment.
4. ESD:
4-1. Raised floor and concrete floor = 10E6~5× 10E8Ω/□ 4-2. Clean room wall = 10E6~5× 10E8Ω/□ 4-3. Voltage : <100 V level 4-4. Photo area : discharge time: +1000V to +100V under emitter<40 sec.
Location Fab 3F Fab 5F SB 3F SB 5F Fab 5F Fab 1F ※ Floor name Level 1 C/R Cleaness Temperature 22.5± 1℃ 22.5± 1℃ 22.5± 1℃ 22.5± 1℃ 22.5± 1℃ 22.5± 2℃ Class 100T @0.3μ m Level 2 C/R Class 100T @0.3μ m Clean support Class 100T room @0.3μ m Clean support Class 100T room @0.3μ m CMP slurry area Class 100T @0.3μ m HPM area Class 100,000 @0.5μ m Relative humidity 43± 3﹪ 43± 3﹪ 43± 5﹪ 43± 5﹪ 43± 3﹪ 50± 10﹪
FAB 1F Utility fab 2F Level 1 sub-fab 3F Level 1 C/R 4F Level 2 sub-fab 5F Level 2 C/R 5F CL +/- 4.8m 6F Upper truss 7F Office Roof MUA penthouse Roof of penthouse Supporting Building(SB) 1F Ware house 2F Raw material storage 3F Clean support room 4F Production supply room
CDA
濃縮污泥 衛生排水
科管局 廢水/污水 處理站
外氣
空保 外氣 土保 水保
清潔用 真空
設備用 廢 真空 溶 有機溶劑 收集槽
劑 光 阻 劑
廢HF 酸 鹼 廢 水
環 保
合格環保 廢棄物 處理公司
磷 酸 回 收
DI 再生 廢水
HF 處理站
合格環保 處理公司
環 保
廢水中和處理站

地下水
260\scliu\fac\FACTTSYS1.PPT, @2000\05\02.
(上坪溪) (竹東大圳) (寶山水庫) (永和山水庫)
園區儲水池 園區加壓站
柴油 儲槽
供應商
補 充 空 氣
溫 水
冰 水
DI 回收
pcw
EG + DUPS
161KV/22.8KV 電力供應站 台灣 電力公司 變電站
供 應 商
酸 /鹼 化學藥品 供應站
酸/鹼
HF 再生系統
TFMS/TFPS
潔淨室 (IC 製造設備) CIM + 晶片自動傳送 潔淨室 (IC 製造設備) 維修區/製造支援區
1-2. Raised Floor :
A. Load capacity : 1,500㎏/m2 B. Concentration load : 70~80㎏/㎝2
1-3. Door size for process tool move-in route :
W×H : 2.8 m × 3.4 m
1-4. Goods elevator :
3.6m 3.6m " 2.7m
1000μ"/s 250μ"/s 1000μ"/s 250μ"/s
125μ"/s 500μ"/s
200 ㎏/m2
1,000 ㎏/m2 1,000 ㎏/m2 1,000 ㎏/m2 750 ㎏/m2 3.6m 1000μ"/s
Location 5F 6F 7F Penthouse Roof
※ Pressurization hierarchy : Fab > Adjacent supporting C/R 15 Pa > Adjacent non-C/R 15Pa
9. Exhaust :
9-1. Exhaust pressure at POU ≦ -30mmAq 9-2. Exhaust type : GEX : General exhaust for heat emission and non-hazardous gaseous material emission. SCX : Scrubber exhaust for acid gaseous material emission. ACX : Base scrubber exhaust for gaseous alkaline material emission. SOX : Solvent scrubber exhaust for gaseous volatility material emission. ※ All of emission with harmfulness should be pre-treated by local scrubber, unless it could be dissolved in water completely. ※ These exhaust systems haven't capability of particulate treatment, if process tool's emission with particulate, then it should own itself local scrubber to treat this. ※ If the solvent possess corrosiveness ( such as EKC ), that should be pointed out especially.
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