模拟电子技术题库-答案分解
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
电子技术题库(1)全解
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共集电极）、（共基极）放大电路。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于一），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号；在时间上和数值上离散的信号叫做数字信号。
2、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。
在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。
4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的位权不同。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
模拟电子技术题库
模拟电子技术-题库1、半导体材料制作电子器件的原因是半导体材料具有热敏性、光敏性和掺杂性。
答案：正确2、本征半导体是纯净的半导体单晶答案：正确3、在T=0K时，本征半导体中有自由电子答案：错误4、在T>0或者有光照时，本征半导体产生本征激发答案：正确5、本征激发要释放能量答案：错误6、复合是本征激发的逆过程，复合要释放能量。
答案：正确7、在半导体内部，复合和本征激发同时存在。
答案：正确8.半导体中的载流子为空穴和（）。
A、负离子B、自由电子C、价电子答案： B9、N型半导体是由本征半导体掺杂制成的，掺入的是三价的杂质。
答案：错误10、N型半导体的多数载流子是自由电子，所以N型半导体显示负电性。
答案：错误11、N型半导体的内部掺杂了（）。
B、 Be元素答案： A12、P型半导体的内部掺杂了（）。
A、 P元素B、 Be元素答案： B13、漂移是由于（）在内电场的作用下形成的。
A、少数载流子B、多数载流子C、正离子D、负离子答案： A14、PN结正向导通时电压所加的方向为( ）A、 P正N负B、 P负N正答案： A15、当PN结加反向电压时，PN结（）A、变宽B、变窄C、不变D、无法确定答案： A16、PN结外加正向电压时，扩散电路（）漂移电流A、大于B、小于C、等于答案： A17、二极管的反向击穿时的电压被称为（）A、击穿电压B、死区电压答案： A18、Si二极管的正向导通压降为（）A、 0.6V~0.8V，工程上习惯取0.7答案： A19、二极管反向击穿后便不能正常使用。
答案：错误20、下列说法正确的是（）。
A、 PN结正偏导通，反偏导通B、 PN结正偏截止，反偏导通C、 PN结正偏导通，反偏截止D、 PN结正偏截止，反偏截止答案： C21、在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。
A、增大B、不变C、减小D、不确定答案： A22、二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术考试试题汇总及答案
参考答案
一、1.C 2.D 3.B 4.A 5.图1(C) B 6.C 7.C 8.A
二、1．-Rf/R12.虚短和虚断 3.反馈网络、选频网络 4.方波
5.单向导电性。6. 石英晶体
如何调整？⑶若 , 和 的 ， ，
，假设 、 、 中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时 ？②如果电路中有一个二极管开路， 是否为正常值的一半？③如果 为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
（5）假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k ，图d的输入电阻为60k ，输出电阻为50 ，当用图a和d构成两级放大电路，其输入信号取自内阻为200 的电压源信号，输出端带4k 负载时，试问：由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大，还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大？
图3
三、(1)(a) CE (b) CB (c) CS (d) CC
（2）c
（3）d
（4）b
（5）a—d
四、（10分）
电路如图4所示。
（1）R5、R6和T4构成的电路有什么作用？
（2）希望在不增加其它任何元器件情况下，通过图中反馈电阻Rf引入负反馈，以稳定输出电压 。试画出反馈通路的连线，并说明该反馈是什么组态；
（3）假设引入的负反馈为深度负反馈，可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时，若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压，反馈电阻Rf应取多大？此时负载获得的功率有多大？
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。
答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空16分1．半导体二极管的主要特性是___________ ;2．三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置;3．当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ ;4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈;5．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______;这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真;6．在串联型稳压电路中,引入了——负反馈；为了正常稳压,调整管必须工作在____区域;二、选择正确答案填空24分1．在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是 ;A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示,该管为 ;A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的 ;A．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV;B．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV;C．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV;D．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV;4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 ;A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应 ; A．减小C,减小Ri B．减小C,增大RiC．增大C,减小Ri D．增大C,增大 Ri6．如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为 ;A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和 ; A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是 ;A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路;1．分别指出V1、V2的电路组态；2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；3．计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro;12分四、图示运算放大电路中,已知u1 = 10 mV,u2 = 30 mV,求uO = 10分五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率8分六、分析图示两个电路的级间反馈;回答：12分1．它们是正反馈还是负反馈2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有3．它们属于何种组态4．各自的电压放大倍数大约是多少七、电路如图所示;试回答：1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件2．如不满足,应如何改动使之有可能振荡如果满足,则它属于哪种类型的振荡电路3．在满足振荡条件的情况下,电路的振荡频率为多少 10分八、电路如图所示,已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V,IZmin = 5 mA,IZmax = 40 mA,变压器二次电压有效值U2 = 20 V,电阻R = 240 W,电容C = 200 μF;求：8分1．整流滤波后的直流电压UIAV 约为多少伏2．当电网电压在±10%的围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大模拟试卷二一、填空：18分1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式;2．在三极管多级放大电路中,,总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器;3．单相桥式整流电路中,若输入电压U2 = 30V,则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W,整流二极管IDAV =___A;4．文氏桥正弦波振荡器用网络选频,当这种电路产生正弦波振荡时,该选频网络的反馈系数即传输系数、jF = ;5．在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时,可选用滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用滤波器；有用信号频率为某一固定频率,可选用滤波器;6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中,放大管的导通角为 ;二、选择正确答案填空9分1．图示电路中二极管是理想的,电阻R为6 W;当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时,用黑表笔通常带正电接A点,红表笔通常带负电接B点,则万用表的指示值为 ;a．18 W ； b．9 W ； c．3 W ； d．2 W ； e．0 W ;2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大;在负载开路的条件下测得A的输出电压小;这说明A 的 ;a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V;这说明放大电路的输出电阻为 ;a．10 kW ； b．2 kW ； c．1 kW ； d．0.5 kW ;三、判断下列管子的工作状态10分1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示,试判断它们分别工作在什么状态饱和、截止、倒置;设所有的三极管和二极管均为硅管;2．电路如图所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区饱和区、夹断区、可变电阻区;四、图示差分放大电路中,调零电位器RP的动端处在中点位置,已知 b1 = b2 = 50,UBE1 = UBE2 = 0.7 V,其它参数如图所示;1．求静态工作点IB、IC、UCE；2．画出半边对称放大电路的微变等效电路；3．当uS1 = -uS2 = 10 mV时,求uO = 12分五、已知集成运放的BWG = 1 MHz,试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率;8分六、图示电路中各运算放大器是理想的,试写出各输出电压Uo的值;10分七、电路如图所示,设满足深度负反馈条件;1．试判断级间反馈的极性和组态；2．试求其闭环电压放大倍数Auf; 10分八、题图电路为两个三端集成稳压器,已知电流IQ = 5 mA;1．写出图a中的I0的表达式,并算出具体数值；2．写出图b中的Uo的表达式,并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；3．指出这两个电路分别具有什么功能;9分九、画出图中各电路的电压传输特性,要求uI的变化幅度足够大,并在图中表明有关数值;设所有集成运放具有理想的特性,所有电源电压为±12 V;12分模拟试卷三一、填空26分1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种;2．图中二极管为理想器件,V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V;3．三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V,则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极,晶体管为__型三极管;4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V,最大稳定电流IZmax = 20 mA;图中电压表中流过的电流忽略不计;当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时,其读数分别为__ 、 __、 ;5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为__dB,折合为__倍;6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ ;7．三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V,而CW7809的输出电压则为___V;一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、已知图示电路中的三极管 b = 60,rbb = 200 W,UBEQ = 0.7 V,RB1 = RB2 = 150 kW,RC = 5.1 kW,Rs = 300 W,Vcc = 12 V;试求：1．静态工作点；2．画出微变等效电路；3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro;12分三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件,试估算闭环电压增益 8分四、在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12 V;1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区3．若输入为1 V的直流电压,则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大 12分五、电路如图所示;1．正确连接A、B、P、N四点,使之成为RC桥式振荡电路；2．电路的频率f0是多少3．若R1 = 2 kW,求Rf的最小值;12分六、图为一高通有源滤波电路;设A为理想运算放大器,试推导传递函数Uojw/Uijw 的表达式,并求出截止频率fp;8分七、在图示两个电路中,A为理想运算放大器,输出电压的极限值为Uomax; 1．指出这是两个什么类型的电路；2．画出它们的电压传输特性;10分八、在图示电路中,Rf和Cf均为反馈元件,设三极管饱和管压降为0 V;1．为稳定输出电压uO,正确引入负反馈；2．若使闭环电压增益Auf = 10,确定Rf =3．求最大不失真输出电压功率Pomax = 以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少 12分模拟试卷四一、填空20分1．在常温下,硅二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V; 2．场效应管属于__控制型器件,而晶体三极管则是___控制型器件;3．某场效应管的转移特性曲线如图所示,由此可知该管是 N或P沟道增强或耗尽型的结型或绝缘栅场效应管,图中UGS = －2 V称为该管的电压;4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：表明其下限频率为____,上限频率为 ,中频的电压增益为__dB,输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ ;5．在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中,若两个输入电压 DUI1 = DUI2,则输出电压 DUo = ;若 DUI1 = +1500 mV,DUI2 = +500 mV,则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ,差模输入信号分别为 DUId1 = ,DUId2 = ,共模输入信号 DUIc = ;6．设计一个输出功率为20 W的扩音机电路,若用乙类推挽功率放大,则应选至少为 W的功率管两个;二、两级放大电路如图所示,已知三极管 b1 =b2 =50,rbe1 = 1.6 kW,rbe2 = 1.3 kW,各电容的数值都足够大,在中频区可视为短路; 共14分1．试说明V1和V2各组成什么电路组态2．画出中频区的H参数微变等效电路；3．计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro；4．计算中频区源电压放大倍数Aus;三、图示电路中的模拟乘法器和运算放大器均为理想器件;10分1．为对运算放大器形成负反馈,应对uI2的极性有何限制2．推导uo与uI1、uI2之间的关系式,指出该电路具有何种运算功能;3．设K = 0.1 V-1,R1 = 10 kW,R2 = 1 kW,uI1与uI2极性相同且绝对值均为10 V,问输出电压uo =四、电路如图所示,设满足深度负反馈条件,电容C1、C2的容抗很小,可以忽略不计;10分1．试判断级间反馈的极性和组态；2．估算其闭环电压放大倍数;五、图示电路为一阶低通有源滤波器;设A为理想运算放大器,试推导该电路的传递函数,并求出通带截止频率fp;8分六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡;如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等,并估算其振荡频率;已知这两个电路中的L = 0.5 mH,C1 = C2 = 40 pF;10分七、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图所示;已知W7805的输出电压为5 V,IQ = 8 mA,晶体管的 b = 50,|UBE| = 0.7 V,电路的输入电压UI = 16 V,求输出电压Uo是多少伏 6分八、在图示电路中,设运算放大器是理想的,电阻R1 = 33 kW,R2 = 50 kW,R3 = 300 kW,R4 = Rf = 100 kW,电容C = 100 mF;试计算下列各值：1．当uI1 = 1 V时,uo1 =2．要使uI1 = 1 V时uo维持在0 V,uI2应为多大设电容两端的初始电压uc = 0;设t = 0时uI1 = 1 V,uI2 = -2 V,uc = 0 V,求t = 10 s时uo = 12分九、OCL电路如图所示,负载电阻RL = 50 kW,设晶体管的饱和管压降可以忽略;10分1．若输入电压有效值Ui = 12 V,求输出功率Po、电源提供功率PDC以及两管的总管耗PC；2．如果输入信号增加到能提供最大不失真的输出,求最大输出功率Pomax、电源此时提供的功率PDC以及两管的总管耗PC；3．求两管总的最大管耗PCM;模拟试卷五一、填空题20分1．处于放大状态的NPN型晶体管,UB、UC、UE 三个电位之间的关系是___ 处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_______ ；2．理想运算放大器的开环电压放大倍数为__,输入电阻为___,输出电阻为___；工作在线性区时,运放两个输入端电压___,称做___；流入输入端的电流为___,称做___;3．如果变压器二次即副边电压的有效值为10 V,桥式整流后不滤波的输出电压为___V,经过电容滤波后为___ V,二极管所承受的最大反向电压为______ V; 4．差分放大电路,若两个输入信号uI1 = uI2,则输出电压,uO =___；若u I1 = 100 mV,u I 2 = 80 mV则差摸电压uId =___；共摸电压uIc =____;5．某晶体管的极限参数PCM = 200 mW,ICM = 100 mA,UBRCEO = 30 V,若它的工作电压UCE为10 V,则工作电流不得超过___mA；若工作电流IC = 1 mA,则工作电压不得超过________ V;6．某放大电路的电压增益为80 dB,相当电压放大倍数为______ 倍;7．产生正弦波振荡的幅值平衡条件是________,相位平衡条件是___ ;二、选择题7分1．工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在 ;a．开环或正反馈状态 b．深度负反馈状态 c．放大状态 d．线性工作状态2．某电路有用信号频率为2 kHz, 可选用 ;a．低通滤波器 b．高通滤波器 c．带通滤波器 d．带阻滤波器3．某传感器产生的是电压信号几乎不能提供电流,经过放大后希望输出电压与信号成正比,电路形式应选 ;a．电流串联负反馈 b．电流并联负反馈 c．电压串联负反馈 d．电压并联负反馈4．与甲类功率放大方式相比,OCL互补对称功放的主要优点是 ;a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真5．集成运放的输入级采用差分电路是因为可以 ;a．增大放大倍数 b．减小温漂 c．提高输入电阻6．稳压二极管稳压时,其工作在 ,发光二极管发光时,其工作在 ;a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区三、放大电路如下图所示,已知：VCC = 12 V,RB1 = 120 kW,RB2 = 39 kW,RC = 3.9 kW,RE = 2.1 kW,RL = 3.9 kW,rbb = 200 W,电流放大系数 b = 50,电路中电容容量足够大,要求：1．求静态值IBQ,ICQ 和UCEQ 设UBEQ = 0.6 V ；2．画出放大电路的微变等效电路；3．求电压放大倍数Au,源电压放大倍数Aus,输入电阻Ri,输出电阻Ro ;4．去掉旁路电容CE,求电压放大倍数Au ,输入电阻Ri ; 14分四、设图中A为理想运放,请求出各电路的输出电压值;12分五、题图四个中间级电路,假设各电路都设置有合适的静态工作点图中未画出;12分1．指出其级间反馈的极性,若为负反馈说明组态；2．写出其中的负反馈电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数表示式;六、同学们在实验中用集成运放组成了四个LC正弦波振荡电路,请说出每个振荡电路的类型,并判断它们是否都能振荡起来 6分七、题图电路,A1,A2为理想运放;1．说明电路由哪些基本单元电路组成；2．画出u0与u01的电压传输特性曲线；3．设t = 0时,uc0 = 0,u0 = 12 V,现接入uI = -10 V,经过多长时间u0 翻转到 -12 V4．若uI 输入如图所示的矩形波,请画出u01和u0的波形; 14分八、题图为由三端集成稳压器W7805构成的直流稳压电路;已知IQ = 9 mA,电路的输入电压为16 V,求电路的输出电压UO = 5分九、图示电路中,输入信号是正弦电压,V1,V2管的饱和压降可以忽略,且静态电流很小,VCC = VEE = 15 V,RL = 8 W;1．请说明该功放电路的类型；2．负载上可能得到的最大输出功率；3．每个管子的最大管耗PCM为多少电路的最大效率是多大 10分模拟试卷一答案一、填空16分1．单向导电性;2．正向、反向；正向、正向;3．0.707、3dB、±45°;4．交流串联负反馈、交流电压负反馈;5．0、0、78.5%、交越;6．电压串联负反馈,放大;二、24分1．A 2．D 3．C 4．C 5．D 6．A 7．D 8．A三、12分1．V1组成共射放大电路,V2组成共集电极放大电路；2．图略；3．四、10分五、8分电压放大倍数：Au0 = Auf = 1 + Rf/R1 = 1 + 16/5.1 = 4.14 下限频率：fL = 1/2pRC = 40.8 Hz六、12分图a：负反馈,交、直流反馈兼有,电压并联组态,；图b：负反馈,交、直流反馈兼有,电压串联组态,;七、10分1．满足相位平衡条件；2．电容三点式正弦波振荡电路；3．八、8分1．U IAV " 24 V;2．故求得100 W ￡ RL ￡ 133 W ;模拟试卷二答案一、填空18分1．直接、变压器;2．-200,共基极,共发射极,共集电极;3．27 V,0.135 A;4．RC串并联、1/3、0°;5．低通,高通,带阻,带通;6．2p,p,大于 p 小于2p;二、9分a、b、c ;三、10分1．V1截止,V2倒置,V3饱和；2．V4工作在饱和区放大区,V5工作在可变电阻区;四、13分1．, , UCE1 = UC - UE = 8.7 V；2．图略；3．,, uo = -548 mV;五、8分fL = 1/2pR1C1 = 79.5 Hz , fH = BWG/Auf = 20 kHz ;六、10分a Uo = 0.45 V；b Uo = 0.15 V;七、10分1．a为电压并联负反馈,b为电流串联负反馈；2．八、10分1．IO = U23 / R + IQ " 1 A ；2．UO = U231 + R2 / R1 + IQR2 " 10 V ；3．a 为恒流源电路,b 为可调的稳压电源;九、12分模拟试卷三答案一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、12分1．IB = 18.5 mA,IC = 1.11 mA,UCE = 6.25 V；2．图略；3．,Ri = 1.58 kW, Ro = 4.9 kW;三、8分电压串联负反馈； ;四、12分1．A1组成反相比例电路,A2组成单值比较器,A3组成电压跟随器；2．A1和A3工作在线性区,A2工作在非线性区；3．uO1 = -10 V,uO2 = 12 V,uO3 = 6 V;五、12分1．A与P、B与N分别相连；2．；3．Rf > 4 kW;六、8分七、10分1．图a为反相迟滞比较器,图b为同相比例运算电路;2．见图：八、12分1．电压串联负反馈；2．, Rf = 90 kW；3．,最大输出时Uom = VCC = AufUim,Uim = 1.5V;模拟试卷四答案一、填空20分1．0.5 V,0.7 V；0.1 V,0.2 V;2．电压,电流;3．P,增强,绝缘栅,开启电压;4．10 Hz,106 Hz,60 dB,-180°;5．0,1 000 mV,500 mV,-500 mV,1 000 mV;6．4 W;二、14分1．V1组成共射电路；V2组成共集电极电路2．图略;3．4． ,Au2 " 1,Au = Au1Au2 " -27.5,;三、10分1．要求uI2 > 0,即为正极性;2．u o = KuI2 uo,且,故得到该电路具有除法运算功能;3．uo = -1 V;四、10分1．电压并联负反馈；2． ;五、8分六、10分图a不能振荡;图b可能振荡,为电容三点式正弦波振荡电路;振荡频率为七、6分答Uo ＝9 V也算正确;八、12分1．u o1 = 3 V；2．令,得uI2 = -1 V；3．;九、10分1．PC = PDC - PO " 32 W ；2．PC = PDC - POmax " 22 W ；3．PCM = 0.4POmax " 31.2 W ;模拟试卷五答案一、填空题20分1．UC > UB > UE ；UB> UC > UE 或UB > UC、UB > UE ;2．∞,∞,0；相等,虚短；零,虚断;3．9 V,12 V,14.1 V;4．0,20 mV,90 mV;5．20 mA；30 V;6．104 ;7．AF = 1,j A + jF = 2np ;二、选择题7分1．a； 2．c； 3．c； 4．c； 5．b； 6．c,a三、14分四、12分U01 = 6 V, U02 = 6 V, U03 = 4 V, U04 = 10 V, U05 = 2 V, U06 = 2 V;五、10分1．a 电压串联负反馈； b 正反馈； c 电流并联负反馈； d 正反馈;2．六、6分a能振荡,为电感三点式；b不能振荡;七、14分1．由积分电路和具有滞回特性的电压比较器组成； 2．传输特性曲线;3．∴ t = 20 mV; 4．波形八、5分九、10分1．OCL；2．；3．PCM = 0.2Pmax = 2.8 W, hmax = 78.5%;。
模拟电子技术基础复习题答案
第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。
(a) (b)(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术考试题及答案
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是（）。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ，输出电阻是50Ω，那么它的电压增益是（）。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V，当通过它的电流为20mA时，消耗的功率是（）。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线，说明这个电路是（）。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10，电压增益是-100，那么它的输出电阻是（）。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是（）。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中，什么是“饱和区”？A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波，输出信号是方波，这个放大器可能应用在（）。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案：1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电子电路中，________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
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模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_mg ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。
18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。
22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。
23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。
24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。
25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。
26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。
27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。
28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。
29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。
I会增加30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，CBO________，导通电压会变小_________ 。
31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。
32、N 型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是___空穴_____。
33、某晶体管的极限参数mW P CM 150=，mA I CM 100=，V U CEO BR 30)(=。
若它的工作电压V U CE 10=，则工作电流不得超过__15_____mA ；若工作电压V U CE 1=，则工作电流不得超过____100___mA ；若工作电流mA I C 1=，则工作电压不得超过___30____V 。
34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为A V =－9V ， B V =－，C V =－6V ，则该三极管是______PNP_______型三极管，A 为_______集电______极，B 为_____基________极，C 为______发射_______极。
35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是__β___。
36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。
37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。
38、场效应管与晶体管比较， 场效应 管的热稳定好，输入电阻高， 晶体 管的放大能力强。
39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。
二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏导通状态。
A ．0B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降 2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。
A ．少子B ．多子C ．杂质离子D ．空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。
A ．截止B ．放大C ．饱和D ．损毁 4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。
A ．前者反偏、后者也反偏 B ．前者正偏、后者反偏 C ．前者正偏、后者也正偏 D ．前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。
A ．多子B ．少子C ．自由电子 D.空穴6、当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为C U （A ）B U （A ）E U 。
A ． >B ． <C ． =D ． ≤ 7、对二极管正向电阻Z r 和反向电阻F r 的要求是（ C ） A ．Z r 、F r 都大 B ．Z r 、F r 都小 C ．Z r 很小，F r 很大 D ．Z r 大，F r 小8、稳压二极管动态电阻Z r （ B ），稳压性能愈好。
A ．愈大 B ． 愈小 C ．为任意值9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。
A ． 放大 B ． 截止 C ． 饱和 D ． 无法确定 10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A 、D ） A ．自给偏压电路 B ．外加偏压电路 C ．无须偏置电路D ．栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度与（ B ）有很大关系。
A ．温度B ．掺杂工艺C ．杂质浓度D ．晶体管缺陷12、场效应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化h 参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。
A ．电荷B ．电压C ．电流13、当PN 节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。
A ．大于 B ．小于 C ．等于 D ．变宽 E ．变窄 F ．不变 14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。
A ．左移，下移 B ．右移，上移 C ．左移，上移 D ．右移，下移 15、PN 结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。
A ．变窄B ．基本不变C ．变宽 D.先变窄，后变宽16、 在25ºC 时，某二极管的死区电压Uth ≈，反向饱和电流Is ≈，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ D ）。
A Uth ≈，Is ≈ B Uth ≈，Is ≈ C Uth ≈，Is ≈ D Uth ≈，Is ≈17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN 或PNP ）与三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ）。
A ．测试各极间电阻 B ．测试各极间、对地电压 C ．测试各极电流三、判断题1、 三极管在工作频率大于最高工作频率M f 时会损坏。
（ ╳ ）2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（╳）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
（ √ ）4、P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ╳ ）5、有人测得晶体管在BE U =时，B I =5A μ，因此认为在此工作点上的be r 大约为26 5.2BmvK I =Ω。
（ √ ） 6、通常结型场效应管JFET 在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
（ √ ）7、通常的双极型晶体管BJT 在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ╳ ）8、在N 型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P 型半导体。
（√ ） 9、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ╳ ） 10、PN 结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ╳ ） 11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
（ √ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时，就有电流流过。
（ ╳ ）13、PN 结方程可以描述PN 结的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。
（ ╳ ）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ╳ ）15、有人测试晶体管的be r ，方法是通过测得晶体管的7.0=BE U ，mA I B 20=，推算出Ω===K mA V I U r B BE be 3520/7.0/ 。
（ ╳ ）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。
（10分）2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）3、如下图，试确定二极管D 是正偏还是反偏设二极管正偏时的正向压降为,试计算U X 和U Y 的值（共9分）U YU XU YU X（a ） （b ）答案：（a ） D 正偏导通 I=R37.010-=x U 2RI=37.010-=V Uy 9.67.02.6=+=（b ）D 仅偏截止 I=0X U =0 yU =10V4、如下图，设硅稳压管1DZ V 、2DZ V 的稳压值分别为6V 和9V ， 求Uo 为多少（共3分）1K..20V答：0U =9-6=3V5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u 0。