半导体基本测试原理PPT课件

If Vf @ If
Reverse
Voltage Vr
Vr@Ir
Ir
Ir@Vr
Forward Voltage
Reverse Current
VF
1. VF Forward Voltage（正向电压） 二极管在规定的正向电流（IF / IAK）下的正向压降。
对于SBD/FRD测试，以下测试项为VF参数： 1) VF 适用于单管芯及双管芯产品第一个管芯的
2. ＊.jdf.xls ：＊.jdf自动转化的excel文档， 用于查看各参数测试具体数据。
3. ＊_Counter.xls ：计数文件，用于查看 wafer整体良率情况及各bin的统计。
测试数据文件介绍(STATEC)
STATEC机台测试数据文件：STATEC测试机 测试数据文件主要有：
1. ＊.log2 ：原始测试数据，必须由 STATEC 自带软件“Atos”打开查看并转 换为excel文档，原始测试数据不能编辑 或更改。
IDSS - Drain to Source Leakage Current
ISGS - Gate to Source Leakage Current
Vth
- Gate to Source Threshold Voltage
RDON - DraLeabharlann Baidun to Source On-Resistance
反向电流测试；
2) ICBO 适用于双管芯产品第二个管芯的反向电流 测试。
IR
IR
ICBO
VCE
VCE
VCB
测试数据文件介绍(JUNO)
Juno机台测试数据文件：Juno测试机测试 数据文件主要有：
1. ＊.jdf ：原始测试数据，必须由Juno自 带软件“DfOpener”打开查看，且测试数 据不能编辑或更改
基本测试原理
基本测试原理
半导体产品的不同阶段电学测试
测试种类 生产阶段
测试描述
IC设计验证
生产前
描述、调试和检验新的芯片 设计，保证符合规格要求
在线参数测试 Wafer制造 为了监控工艺，在制作过程
（PCM)
过程中 的早期进行产品工艺检验测
试
硅片拣选测试 Wafer制造 产品电性测试，验证每个芯
（CP测试） 后
2) BVCBO 适用于双管芯产品第二个管芯的反向电压 测试。
VZ IKA
VZ
BVCBO
IKA IC
IR
3. IR Reverse Current(I)（反向电流）
二极管在规定的反向电压（VR / VCE / VCB)下的 电流值。
对于SBD/FRD测试，以下测试项为IR参数：
1) IR
适用于单管芯及双管芯产品第一个管芯的
片是否符合产品规格
终测（FT） 封装后
使用产品规格进行的产品功 能测试
CP测试主要设备
1. 探针卡（probe card）
探针卡是自动测试机与待测器件（DUT）之间的接 口，在电学测试中通过探针传递进出wafer的电流。
2. 探针台（prober)
主要提供wafer的自动上下片、找中心、对准、定位 以及按照设置的步距移动Wafer的功能，以使探针卡 上的探针总是能对准硅片相应位置进行测试。
正向电压测试；
2) VFBC 适用于双管芯产品第二个管芯的正向电压 测试。
VF
IAK
VF
VFBC
IAK IB
VR(VZ) 2. VR(VZ) Reverse Voltage(反向电压)
二极管在规定的反向电流（IR / IKA）下的电压值。
对于SBD/FRD测试，以下测试项为VR参数：
1) VZ 适用于单管芯及双管芯产品第一个管芯的 反向电压测试；
2. 承片台吸附wafer进行自动对准定位，以使探针 卡/探针与wafer测试区域接触良好。
3. 测试机（tester)将电信号通过探针卡加载在待测 die上，对产品进行测试，按照测试结果分类。
4. 对不合格芯片进行打墨点标记，以使不良管芯 可以在封装之前被识别并废弃。
测试的评判标准－－良率（yield）
2. ＊.sum ：每片的计数文件，用于查看各 片wafer的良率情况及各bin统计。
3. ＊.wfs ：整批的计数文件，用于查看该 批wafer整体良率情况及各bin的统计。
End
MULTI-SITE TECHNICAL SHARING
AUGUST 10-12, 2004
• 电学测试数据根据每个硅片上失效的芯片 数目把硅片分为通过（Pass）和失效（Fail ）两类，其中合格芯片所占的百分比称为 良率。
产品良率（Yield）＝合格芯片数（good die） / 总芯片数（ gross die）
测试的基本参数及其测试原理
VDMOS基本测试参数
BVDSS - Drain to Source Breakdown Voltage
3. 测试机（tester / ATE）
控制测试过程，可作为电压或电流源并能对输出的 电压和电流进行测量，并通过测试软件实现测试结 果的分类（bin）、数据的保存和控制、系统校准以 及故障诊断。
CP测试主要过程
1. 将待测Wafer放在cassette中置于探针台（Prober) 的上下片部分，探针台自动上片到承片台（ chuck）并被真空吸附在承片台上。
VFSD - Drain to Source Forward Voltage
二极管（SBD/FRD等）基本测试参数
VF
-Forward Voltage
VR(VZ)
-Reverse Voltage
IR
-Reverse Current(I)
SBD特性曲线：
SBD特性曲线
Forward Current