陶瓷电容特性(1206封装)

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SMT常用封装建库规范标准

SMT常用封装建库规范标准

B
5.00 / 197 10.00 / 400 15.60 / 615
六,贴装排阻
1 贴装排阻基本尺寸和类型.(mm)
封装类型
X1
X2
P
T
H
A
B
nom min max nom min max max min max min max
RN8-1608
0.35 0.65 0.8 0.15 0.45 0.6 1.4 1.8
2.00 / 80
L1209
4.00 / 158
L1815
4.00 / 158
2.2 波峰焊标准焊盘:
暂无相关标准焊盘。
Y 4.45 / 175 5.00 / 200 7.50 / 200 1.40 / 55 2.80 / 110 2.80 / 110
C 3.30 / 130 4.06 / 160 5.00 / 200 6.00 / 236 11.00 / 438 15.20 / 600
3
3.4
RN8-2012
0.75 1.05 1.27 0.25 0.55 0.7 1.8 2.2 4.7 5.4
RN8-3212
0.75 1.05 1.27 0.35 0.65 0.7
3
3.4 4.7 5.4
RN10-1606 0.5 0.3 0.4 0.64 0.35 0.55 0.7 1.5 1.8 3.2 3.4
5.50 / 215
11.00 / 430
Y 0.81 / 32 1.32 / 52 1.70 / 67 2.60 / 102 2.60 / 102 3.10 / 122 4.62 / 182
(mm/mils)
C 1.80 / 70 2.30/ 90 3.50 / 138 3.50 / 138 5.54 / 218 6.80 / 268 8.43 / 332

常用贴片元件封装尺寸

常用贴片元件封装尺寸

常用贴片元件封装1 电阻:最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类1)贴片电阻的封装与尺寸如下表:英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm)0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.050402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.100603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.101206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.101210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.101812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.102010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.102512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.102)贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表:英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V)0201 0603 1/20W 250402 1005 1/16W 500603 1608 1/10W 500805 2012 1/8W 1501206 3216 1/4W 2001210 3225 1/3W 2001812 4832 1/2W 2002010 5025 3/4W 2002512 6432 1W 2003)贴片电阻的精度与阻值贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度,J -表示精度为5%、F-表示精度为1%。

1206(X7R)贴片陶瓷电容器规格书说明书

1206(X7R)贴片陶瓷电容器规格书说明书
1.60±0.30
T
0.80±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1.60±0.30
WB 0.60±0.30
第 2 页 共 13 页
五. 规格及测试方法:
No
项目
规格
1 使用温度范围 -55~+125℃
外观无可见损伤
2
外观及尺寸
尺寸符合规格要求
3
静电容量 符合规定许容差以内
4
损耗角正切 DF≤2.5%
6
耐电压
无介质被击穿或损伤
Ur=450/500/630V,1.5倍额定电压,5秒
(DC)
1KV≤Ur≤2KV,........ 1.2倍额定电压,5秒
2KV<Ur,............... 1.1 倍额定电压,5 秒 升压时间为:1~3S 保压时间为:5S
7
可焊性
■上锡率应大于 75% ■外观无可见损伤
IR≥1000MΩ或 IR*Cr≥25S IR 取较小值
外观 无可见损伤
静电容 量变化 特性:
率 ┃ΔC/C┃≤20%
高温负
13 荷实验
DF 值 ≤2 倍的初始标准
特性:
IR IR≥2000MΩ或 IR*Cr≥50S 取较小值
充放电流限制在 50mA 以下. 温 度 时 间
100V≤V≤250V 电压 250V<V<1KV
测定.
测试电压:额定电压
测试时间:60±5 秒测
5
绝缘电阻
IR≥4*109Ω,C≤25nF
试湿度:≤75% 测试
IR*Cr≥100*1012Ω,C>25nF 温度:25±5℃
测试充放电电流:≤50mA
Ur=100V,............. 2.5 倍额定电压,5 秒

贴片电容容量与封装对照表

贴片电容容量与封装对照表

Reference No.:PD PD10101210101210101200000011Customer Customer::承認書APPROVAL SHEET零件名稱:積層陶瓷電容Description :Multi-Layer Chip CapacitorDATE :2020101010//10/11宸遠科技料號CCT Part Numbers客戶料號Customer Customer’’s Part Numbers 宸遠科技ChipCera Technology Co.,LTD 客戶承認Customer Customer’’s Approval 製表Prepared by 審查Checked by 核准Approved byQA Engineer QA Manager Vice G.M.深圳市宸远科电子有限公司ChipCera Technology CO.,LTD 深圳市宝安区银田工业区A9栋厂房TEL :+86-7+86-7555555--29120592FAX :+86-7+86-7555555--291205931/12ToleranceCapacitance for dielectricA=±0.05pF B=±0.10pF C=±0.25pF D=±0.50pF F=±1.0%G=±2.0%J=±5.0%K=±10%M=±20%NP0X7RX5R Y5V 10pF and belowMore than 10pF100pF~1μF (101~105)1uf~100uf (105~107)10nF~10uF (103~106)B,C,D G,J J,K,M K,M M,ZProduct dimensions in mm.2/123/124/125/12X7R/X5R SeriesY5V Series6/12Mounting in accordance with IEC38410,para4.4 conditions:bending1mm at a rate of1mm/s7/128/127Resistance to solderingheatPreheat the capacitor at 120℃to 150℃for 1minute.Immerse the capacitor in an eutectic soldersolution at 270270±±5℃for 1010±±1seconds.After set it at room temperature for 2424±±2hours (temperature compensation type)or 4848±±4hours (high dielectric constant type),then measure.*High dielectric constant type :Initial measurement of X7R X7R/X5R/X5R and Y5V.Perform a heat treatment at 150150±±5℃for one hour and then set it at room temperature for 4848±±4hours.Perform the initial measurement.DielectricNP0X7R X7R//X5RY 5VAppearance No defect Capacitance Change <±2.5%or<±0.25pF ±7.5%±20%DF The same as No.2IRMore than 500500ΩΩ-F (whichever is smaller)Dielectric StrengthNo failure8Resistance to leaching The capacitors are dipped into the solder at 260260±±5℃for 3030±±1seconds,and then check the soldering by measuring the areas covered with solder.95%of the terminations are to be soldered evenly and continuously.9Solder ability of terminationZero hour test,and test after storage (20to 24months)in original atmosphere in normal atmosphere;un-mounted chips completelyimmersed for 2±0.5s in a solder bath of 235±5℃.95%of the termination is to be soldered evenly and continuously.10Rapid change of temperatureNPO/X7R:-55℃to +125℃,5cycle X 5R:-55℃to +85℃,5cycle Y5V:-25℃to +85℃,5cycle Duration:30mins.Recovery:24±2hrs.No visible damage after 24h recovery Class I NPO:∆C/C ≤2.5%or ±0.25pFClass ⅡX7R X7R/X5R /X5R /X5R::∆C/C ≤±15%Y5V:∆C/C ≤±20%11Damp heat,steadystate 500±12hours at 40±2℃;90to 95%RHNo visible damage after 24±2(NPO)or 48±4hours recoveryClass Ⅰ(NPO)1.∆C/C ±5%or 1pF,whichever is greater2.C <10pF ;Q ≥200+10C 10≤C ≤30pF ;Q ≥275+5/2C C >30pF ;Q ≥3503.IR ≥4000M ΩorRiCR ≥4040ΩΩF,whichever is less Class Ⅱ(X7R (X7R/X5R /X5R /X5R))1.∆C/C within ±15%2.2.tantan δ≤7%3.3.RR ≥2000M Ωor RiCR ≥5050ΩΩF,whichever is less Class Ⅱ(Y5V)1.∆C/C within ±30%2.50/25V:tan δ≤9%16V:tan δ≤12.5%10V:tan δ≤15%3.IR ≥2000M ΩorRiCR ≥5050ΩΩF,whichever is less 12Endurance1000h at maximum temperature Vr (rated voltage)≤250V At 2×V rVr (rated voltage)=500V At 1.5VrVr (rated voltage)>500V At 1.2VrC>0..1UF,At1.5VrNo visible damage after 24±2(NPO)or 48±4hoursrecoveryClass 1(NPO)1.∆C/C ±2%or 1pF,whichever is greater2.tan δ≤2x specified value3.IR ≥4000M Ωor RiCR ≥4040ΩΩF,whichever is less Class 2(X7R (X7R/X5R /X5R /X5R))1.∆C/C within ±15%2.tan δ≤7%3.IR ≥2000M Ωor RiCR ≥5050ΩΩF,whichever is less Class 2(Y5V)1.∆C/C within ±30%2.50/25V:tan δ≤9%16V:tan δ≤12.5%3.IR ≥2000M Ωor RiCR ≥5050ΩΩF,whichever is less9/12All dimensions in mmSizeSymbolABPLT(Paper)T(Embossed)04020.62±0.05 1.12±0.05 2.00±0.058.00±0.200.60±0.05N/A 0603 1.10±0.10 1.90±0.10 4.00±0.108.00±0.20 1.00±0.05N/A 0805 1.65±0.05 2.40±0.05 4.00±0.108.00±0.20 1.00±0.05N/A 1206 2.00±0.10 3.50±0.10 4.00±0.108.00±0.20 1.00±0.05Max.2.01210 2.80±0.20 3.70±0.20 4.00±0.108.00±0.20N/A Max.2.01808 2.50±0.30 4.90±0.30 4.00±0.1012.0±0.20N/A Max.2.518123.60±0.304.90±0.308.00±0.1012.0±0.20N/AMax.2.5Paper Tape T ≦1.1mmEmbossed Tape T ≦2.60mmAll dimensions in mm6.1Capacitor ClassificationMulti-layer ceramic capacitors are available in wide range of characteristics.Electronic Industries Association (EIA)and the military have established categories to help divide the basic characteristics into more easily specified classes.The basic industry specification for ceramic capacitor is EIA specification RS-198and as noted in the general section,it specifies temperature-compensating capacitors as class I capacitors.These are specified by the military under specification MIL-C-20.General-purpose capacitors with non-linear temperature coefficients are called Class II capacitors by EIA and specified by military under MIL-C-11015and MIL-C-39014.The new high reliability military specification,MIL-C-123covers both class I and class II dielectrics.Class I —Class I capacitors or temperature-compensating capacitors are usually made from mixtures of titanates where barium titanate is normally not a major part of mix.They have predictable temperature coefficients and in general,do not have an aging characteristic.Thus they are the most stable capacitor available.Normally the T.C.s of Class I temperature-compensating capacitors are NP0(±30ppm/℃).Class II —General-purpose ceramic capacitors are called Class II capacitors and have become extremely popular because of the high capacitance values available in very small size.These capacitors are ferroelectrics and vary in capacitance value under the influence of the environmental and electrical operating conditions.Class II capacitors are affected by temperature 、voltage 、frequency and time.Temperature effects for Class II ceramic capacitors are exhibited as non-linear capacitance changes with temperature.Industry standards for Mid-K dielectrics,such as X7R X7R/X5R /X5R and High-K dielectrics,such as Z5U Z5U..6.2The Characterization of MaterialsDesignationClassTemperature Range(℃)Temp.CharacteristicsNPO(COG)I -55~+125±30ppm/℃X7R II -55~+125±15%X5R II -55~+85±15%Y5VII-25~+85-82~+22%The T.C curve of each material (for reference)6.3Recommend IR reflow and wave solderng profile(Pb-Free)Typical profile band of IR reflow Typical profile band of wave soldering。

电容封装_精品文档

电容封装_精品文档

电容封装电容封装是指将电容器封装在特定的外壳中,以保护电容器内部元件,提高电容器的稳定性和可靠性。

电容器作为一种重要的电子元器件,在各个领域中广泛应用,电容封装作为电容器的重要组成部分,具有重要的作用。

本文将介绍电容封装的基本原理、常见的封装类型及其特点,以及电容封装在各个领域中的应用。

一、电容封装的基本原理电容封装的基本原理是通过将电容器内部元件放在一个外壳中,并使用特定的材料封装,以达到以下几个目的:1. 保护内部元件:电容器的内部元件通常是由金属电极和介质构成,封装能够有效保护这些元件免受外界环境的影响,如湿度、温度变化等。

同时,封装还能够防止外界粉尘、水分等物质进入电容器内部,保证电容器的正常运行。

2. 提高可靠性:电容封装可以减少电容器在使用过程中受到的机械振动、抗干扰等外界因素的影响,从而提高电容器的可靠性和稳定性。

电容器作为电子设备中的重要组件,其可靠性对于整个电子设备的性能和寿命具有重要影响。

二、常见的电容封装类型及其特点1. 芯片电容封装(Chip Capacitor Package):芯片电容封装是将电容器的元件直接封装在一个小芯片上,具有体积小、重量轻、功耗低等特点。

芯片电容封装广泛应用于手机、平板电脑等小型便携式设备中,以满足对体积和重量要求较高的场景。

2. 有机电容封装(Organic Capacitor Package):有机电容封装采用有机材料进行封装,具有低成本、优良的电气性能等特点。

有机电容封装适用于一些低频、低压、性能要求不高的电子设备。

3. 陶瓷电容封装(Ceramic Capacitor Package):陶瓷电容封装采用陶瓷材料进行封装,具有良好的耐温性能、抗振动等特点。

陶瓷电容封装广泛应用于工业控制、通信、汽车电子等领域,以满足对温度和抗振动要求较高的场景。

4. 整体封装电容(Solid Tantalum Capacitor Package):整体封装电容采用有机材料和金属电极进行封装,具有体积小、容量大、电气性能稳定等特点。

PCB板工程师中级考试试题1

PCB板工程师中级考试试题1

PCB板工程师中级考试试题1一、单选题(每题5分,共10题)1.PCB代表什么?– A. Printed Circuit Board(印刷电路板)– B. Printed Control Board(印刷控制板)– C. Programmable Control Board(可编程控制板)– D. Personal Computer Board(个人电脑板)2.PCB设计中,通过什么工具可以实现电路连线的自动布线?– A. PCB Layout– B. PCB Router– C. PCB Editor– D. PCB Compiler3.在PCB设计中,什么是DRC错误?– A. Direct Current Reference– B. Design Rule Check– C. Digital Resistance Control– D. Data Retrieval Conflict4.PCB设计中,通过贴片工艺可安装的元器件包括以下哪些?– A. 轴向元件– B. 贴装元件– C. 插件元件– D. 异形元件5.PCB板中的通孔是用来连接什么之间的电路?– A. 表面电路与表面电路– B. 表面电路与内层电路– C. 表面电路与封装电路– D. 表面电路与外部电路6.在PCB设计中,什么是布局规则?– A. 定义元件的尺寸和形状– B. 控制元件之间的间距和方向– C. 确定元件的安装位置– D. 指定参考层和电源层7.PCB板设计中,通孔的类型包括以下哪些?– A. 盲孔、盖孔、贯通孔– B. 垂直孔、水平孔、导电孔– C. 圆孔、方孔、椭圆孔– D. 外层孔、内层孔、中间孔8.PCBA是指什么?– A. Printed Circuit Board Assembly(印刷电路板装配)– B. Printed Circuit Board Analysis(印刷电路板分析)– C. Personal Computer Build Assembly(个人电脑组装)– D. Processor Circuit Board Assembly(处理器电路板装配)9.PCB逻辑设计中,什么是电路图?– A. 显示元件和连接线之间关系的图形表示– B. 显示元件的位置和尺寸的图形表示– C. 显示元件和信号之间关系的图形表示– D. 显示元件和电源之间关系的图形表示10.PCB布图是指什么?– A. 将具体的元器件放置在PCB板上的过程– B. 将元件和连接线排列在PCB板上的过程– C. 将元件位置和尺寸确定在PCB板上的过程– D. 将元件和信号之间关系确定在PCB板上的过程二、多选题(每题5分,共10题)1.在PCB设计中,以下哪些元器件是通过贴片工艺安装的?– A. 轴向电解电容– B. 贴装电感– C. 插件电阻– D. 无源贴装元件– E. 压敏电阻2.在PCB布图时,以下哪些因素需要考虑?– A. 信号完整性– B. 散热问题– C. 电磁兼容性– D. PCB尺寸– E. 元件布局3.在PCB板设计过程中,以下哪些层是常见的板层结构?– A. 信号层– B. 电源层– C. 地平面层– D. 控制层– E. 丝印层4.在PCB设计中,以下哪些元器件需要考虑EMC设计?– A. 射频模块– B. 高速数字信号– C. 电源电路– D. 低速模拟信号– E. 独立电路单元5.PCB板的最小测量单位是什么?– A. mm(毫米)– B. cm(厘米)– C. inch(英寸)– D. μm(微米)6.PCB设计中,以下哪些因素会影响信号完整性?– A. 电流– B. 电压– C. 带宽– D. 阻抗– E. 延迟7.在PCB布局中,以下哪些规则需要遵守?– A. 硬规则– B. 软规则– C. 整数规则– D. 奇偶规则– E. 电源规则8.在PCB设计过程中,以下哪些检查是必须的?– A. DFM检查(Design for Manufacturability)– B. DRC检查(Design Rule Check)– C. SI检查(Signal Integrity)– D. PI检查(Power Integrity)– E. EMI检查(Electromagnetic Interference)9.PCB设计中,以下哪些软件是常用的PCB设计工具?– A. Altium Designer– B. Cadence Allegro– C. Mentor Graphics PADS– D. KiCad EDA– E. Eagle PCB10.在PCB板设计中,通过加入填充铜可以实现以下哪些目的?– A. 提高导热性– B. 提高信号完整性– C. 提高电流承载能力– D. 提高防护性能– E. 提高电容性能三、简答题(每题10分,共5题)1.PCB板设计中,什么是飞线?–飞线指的是通过导线或覆铜连接两个或多个元件或节点的连接方式。

常见电容的封装和尺寸

常见电容的封装和尺寸

贴片电容简述通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容(Multilayer Ceramic Capacitors),简称MLCC,又叫做独石电容。

它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次烧结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成的。

具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。

同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。

一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。

常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V,常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。

贴片电容基本结构多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。

见下图:贴片电容封装尺寸封装(L) 长度公制(毫米)英制(英寸)(W) 宽度公制(毫米)英制(英寸)(t) 端点公制(毫米)英制(英寸)0201 0.60 ± 0.03(0.024 ± 0.001)0.30 ± 0.03(0.011 ± 0.001)0.15 ± 0.05(0.006 ± 0.002)0402 1.00 ± 0.10(0.040 ± 0.004)0.50 ± 0.10(0.020 ± 0.004)0.25 ± 0.15(0.010 ± 0.006)0603 1.60 ± 0.15(0.063 ± 0.006)0.81 ± 0.15(0.032 ± 0.006)0.35 ± 0.15(0.014 ± 0.006)0805 2.01 ± 0.20(0.079 ± 0.008)1.25 ± 0.20(0.049 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1206 3.20 ± 0.20 1.60 ± 0.20 0.50 ± 0.25(0.126 ± 0.008) (0.063 ± 0.008) (0.020 ± 0.010)1210 3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)2.50 ± 0.20(0.098 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1812 4.50 ± 0.30(0.177 ± 0.012)3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)0.61 ± 0.36(0.024 ± 0.014)1825 4.50 ± 0.30(0.177 ± 0.012)6.40 ± 0.40(0.252 ± 0.016)0.61 ± 0.36(0.024 ± 0.014)2225 5.72 ± 0.25(0.225 ± 0.010)6.40 ± 0.40(0.252 ± 0.016)0.64 ± 0.39(0.025 ± 0.015)贴片钽电容封装、尺寸封装尺寸:毫米(英寸)Code EIACodeL±0.20(0.008)W+0.20(0.008)-0.10 (0.004)H+0.20(0.008)-0.10 (0.004)W1±0.20(0.008)A+0.30(0.012)-0.20(0.008)S Min.A 3216-18 3.20 (0.126) 1.60 (0.063) 1.60 (0.063) 1.20 (0.047) 0.80 (0.031) 1.80 (0.071)B 3528-21 3.50 (0.138) 2.80 (0.110) 1.90 (0.075) 2.20 (0.087) 0.80 (0.031) 1.40 (0.055)C 6032-28 6.00 (0.236) 3.20 (0.126) 2.60 (0.102) 2.20 (0.087) 1.30 (0.051) 2.90 (0.114)D 7343-31 7.30 (0.287) 4.30 (0.169) 2.90 (0.114) 2.40 (0.094) 1.30 (0.051) 4.40 (0.173)E 7343-43 7.30 (0.287) 4.30 (0.169) 4.10 (0.162) 2.40 (0.094) 1.30 (0.051) 4.40 (0.173)。

什么是电容温度系数?

什么是电容温度系数?

什么是电容温度系数?
电容温度系数是指电容在温度变化时的容量变化率。

在电子元器件中,温度变化会影响电容的性能,从而导致容值发生改变。

电容温度系数用来衡量电容在特定温度范围内容量变化的程度。

常见的陶瓷电容温度系数有以下几种:
1. NP0和C0G规定:在-55℃至125℃的温度范围内,静电容量的变化为30ppm/℃。

ppm/℃表示每变化百万分之x。

2. X7R温度系数:工作温度区间为-55℃至125℃,容量变化率为15%。

3. X5R温度系数:在额定的-55℃至85℃温度区间内,容量变化接近-10%。

4. X5S温度系数:在额定的-55℃至85℃温度区间内,容量变化接近超过-15%。

以0.1uF、25V、1206封装的C0G温度系数电容为例,在整个-55~125℃温度特性下,其容量变化可以忽略不计。

而村田最大的C0G 温度系数电容容量为0.47uF。

电容温度系数在电子元器件选型时具有重要意义。

温度系数越好,电容性能越稳定,但价格也相应较高。

在实际应用中,需要根据电路需求和环境温度范围来选择适合的电容温度系数。

此外,电解电容温度系数也是重要的性能指标。

它表示在给定的
温度间隔内,温度每变化1℃时,电解电容的变化数值与该温度下的标称电容的比值。

电解电容温度系数越低,电容性能越稳定。

在选型时,需要根据电路需求和工作温度范围来选择合适的电解电容温度系数。

总之,电容温度系数是衡量电容在温度变化下性能稳定性的重要指标。

在电子元器件选型过程中,需要根据实际需求和环境条件,选择具有合适温度系数的电容,以确保电路性能的稳定性和可靠性。

片状多层陶瓷电容机械应力失效分析

片状多层陶瓷电容机械应力失效分析

电子产品世界片状多层陶瓷电容机械应力失效分析Mechanical stress failure analysis of chip multilayer ceramic capacitors周 睿,项永金,王少辉,陈秀秀 (格力电器(合肥)有限公司,合肥 230088)摘 要:因片式多层陶瓷电容器脆性较强、抗弯曲能力较差,封装尺寸直接影响电器产品使用寿命。

组装生产过程中对片状多层陶瓷电容产生应力极易导致贴片电容开裂。

本文通过优化电容器选型,更改电容器结构,从根本上杜绝贴片电容机械应力问题。

关键词:片式多层陶瓷电容;机械应力;弹性银层;封装选型0 引言片式多层陶瓷电容器是各电路中重要的电子元器件,因其体积小、电容量范围宽、介质损耗小、稳定性高等优点,被广泛使用在各种电路中。

但在使用过程中片式电容器一旦失效将对整体电路造成严重影响。

因此需对片式电容的选型、失效机理及材质特性进行深入研究分析。

1 片状多层陶瓷电容简介片式多层陶瓷电容器是多层叠合结构,相当于多个简单平板电容器的并联体,之所以采用多层结构是为了以较小的体积获取较大的电容量。

多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分:陶瓷介质、金属内电极和金属外电极。

图1所示的多层陶瓷电容器是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极)制成。

图1 片式陶瓷电容结构图1.1 失效特性描述平行电极之间的裂纹主要有两大原因:一是外部机械应力,这种开裂特征基本存在于电极两端,会造成电容器数个平行电极之间开裂。

二是电容器制造过程中的工艺缺陷,在电容器非常窄的两个相邻电极之间产生微裂纹,或电容器电极间存在裂缝,电极之间介质开裂,可导电的污染物夹杂其中,介质介电能力下降而发生漏电甚至击穿。

1.2 材质特性片式多层陶瓷电容通常采用钛酸或钛酸银等陶瓷材料作为电介质,陶瓷材料具有硬脆的物理特性,其塑性形变范围很小,断裂时呈脆性,这使得片式多层陶瓷电容的弯曲形变超过其承受范围时极易产生破裂失效。

常用高压贴片和大容量贴片电容规格

常用高压贴片和大容量贴片电容规格

常用高压贴片和大容量贴片电容规格LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容规格高压陶瓷贴片电容-可代替传统插件电容缩小电源体积(LED电源专用) 规格主要有:102/1KV 1206封装222/1KV 1206封装472/1KV 1206封装103/1KV 1206封装2.2u/100V 1812封装473/250V 1206封装473/630V 1206封装10u/16V 1206封装10u/25V 1210封装22u/10V 1206封装22U/16V 1210封装以上都为X7R或X5R材质,容量精度为10%LED阻容降压用-(代替插件CBB)250V 224 1812封装250V 334 1812封装250V 474 1812封装250V 684 1812封装250V 105 1812封装500V 224 1812封装400V 105 2220封装以上都为X7R材质,耐125度高温无极灯我司专业生产高压高频贴片电容-高频无极灯专用(代替CBB) 规格主要有:1KV NP0 101 221 331 471 102。

100P 3KV NP0 1808/1812封装220P 3KV NP0 1808或1812封装-820P 2KV NP0 1812封装102 2KV NP0 1812封装100P 1KV NP0 1206封装220P 1KV NP0 1206封装470P 1KV NP0 1206封装102 1KV NP0 1206封装0.47u 100V X7R 1206封装0.68u 100V X7R 1206封装节能灯高压贴片电容-代替插件瓷片和薄膜电容缩小体积(节能灯专用) 规格主要有:223/100V 1206封装102/1KV 1206封装332/1KV 1206封装222/1KV 1206封装250V/473 1206封装400V/104 1210封装HID灯常用高压贴片电容和大容量贴片电容规格如下:1KV 100p 1206封装1KV 221 1206封装1KV 102 1206封装1KV 222 1206封装1KV 472 1206封装1KV 103 1206封装630V 104 1812封装10U/25V 1210封装10U/50V 1210封装以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。

常见贴片电阻电容封装

常见贴片电阻电容封装

贴片电阻常见封装有9种,用两种尺寸代码来表示。

一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码,前两位与后两位分别表示电阻的长与宽,以英寸为单位。

我们常说的0603封装就是指英制代码。

另一种是米制代码,也由4位数字表示,其单位为毫米。

下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸:一、零件规格:(a)、零件规格即零件的外形尺寸,SMT发展至今,业界为方便作业,已经形成了一个标准零件系列,各家零件供货商皆是按这一标准制造。

标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法,如下表英制表示法1206 0805 0603 0402公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm)L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm)L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm)L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm)注:a、L(Length):长度;W(Width):宽度;inch:英寸b、1inch=25.4mm(b)、在(1)中未提及零件的厚度,在这一点上因零件不同而有所差异,在生产时应以实际量测为准。

(c)、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻(排阻)和电容(排容),其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小,且形状也多种多样,在此不作讨论。

(d)、SMT发展至今,随着电子产品集成度的不断提高,标准零件逐步向微型化发展,如今最小的标准零件已经到了0201。

二、常用元件封装1)电阻:最为常见的有0805、0603两类,不同的是,它可以以排阻的身份出现,四位、八位都有,具体封装样式可参照MD16仿真版,也可以到设计所内部PCB库查询。

注:ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同0805具体尺寸:2.0 X 1.25 X 0.5(公制表示法)1206具体尺寸:3.0 X 1.5 0X 0.5(公制表示法)2)电阻的命名方法1、5%精度的命名:RS – 05 K 102 JT2、1%精度的命名:RS – 05 K 1002 FTR -表示电阻S -表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。

贴片电容封装与耐压值关系

贴片电容封装与耐压值关系

贴片电容:封装与耐压值关系2009-11-26 12:08贴片电容的封装与耐压值的关系贴片陶瓷电容器(统称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。

下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±%。

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

下表给出了NPO电容器可选取的容量范围:080512061210 560---5600pF 560---2700pF2225 μFμFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。

贴片电容容值表

贴片电容容值表

贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的容量相对稳定。

X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201~1206 X7R贴片电容选型表1210~2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号:大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

我们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷叫电容器瓷。

这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。

大家知道,陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。

就其显微结构而论,大都具有多晶多相结构。

其性能往往决定于其成份和结构。

当配方确定之后,能否达到预期的效果,关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。

按其用途可以分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳定电容器瓷(NPO);③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。

按温度系数分可以分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。

按工作频率可以分为三类:低频、高频、微波介质。

高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。

贴片叠层瓷介电容器(SMD贴片电容)详细介绍

贴片叠层瓷介电容器(SMD贴片电容)详细介绍

北京芯联科泰电子有限公司贴片叠层瓷介电容器(SMD贴片电容)详细介绍:贴片电容全称:多层(积层,叠层)片式陶瓷电容器,也称为贴片电容,片容。

英文缩写:MLCC。

基本概述贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。

下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册尺寸贴片电容的尺寸表示法有两种,一种是英寸为单位来表示,一种是以毫米为单位来表示,贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512,是英寸表示法, 04 表示长度是0.04 英寸,02 表示宽度0.02 英寸,其他类同型号尺寸(mm)英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00命名贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。

信昌贴片电容的型号1201812物料描述及信昌电容规格

信昌贴片电容的型号1201812物料描述及信昌电容规格

信昌贴片电容的型号1206 1812物料描述及信昌电容规格随着经济的发展人们的收入水平逐渐提高,各种各样的家用电器进入了人们的生活,为了提高这些家用电器的品质,延长使用寿命,信昌贴片电容起到了不可替代的作用。

那么信昌贴片电容的型号1206 1812物料描述及信昌电容规格是怎样的呢,下面深圳市兴鸿宇科技有限公司为大家介绍信昌贴片电容的型号1206 1812物料描述及信昌电容规格信昌PDC我司现有电容规格:信昌PDC 是专业高压贴片电容产销公司,拥有完高压贴片电容主要用于电源滤波,电源降压,倍压,吸收浪涌保护IC, 基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用等作用。

应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能,常用于模块电源、液晶显示器inverter高压板,LED阻容降压电源,(INVERTER)逆变器、汽车氙气灯(HID电子安定器)、ASDL语音分离器、RJ45以太网接口、数码相机的闪光灯、LED圣誕灯灯串.节能灯和高频无极灯,电子镇流器等产品中;贴片压敏电阻MLCV产品在移动电话、PDA、MP3、MP4和电脑主板等领域有着广阔的应用前景.规格主要有:信昌电容--- FM31X123J501ECG 物料描述:1206 X7R 12NF +-5% 500V信昌电容--- FM31X474K101EEG 物料描述:1206 X7R 470NF +-10% 100V信昌电容--- FM43X224K251EFG(1) 物料描述:1812 X7R 220NF +-10% 250V信昌电容--- FM43X394K251EGG 物料描述:1812 X7R 390NF +-10% 250V (2.5M)信昌电容--- FM43X684K251EGG 物料描述:1812 X7R 680NF +-10% 250V (2.5M)信昌电容--- FN31X394J500EPG 物料描述:1206 X7R 390NF +-5% 50V信昌电容--- FS32X105K101EFG 物料描述:1210 X7R 1UF +-10% 100V信昌电容--- FS43X105K251EGG 物料描述:1812 X7R 1UF +-10% 250V信昌电容--- MA1206CG471J102ER 物料描述:1206 NPO 470PF +-5% 1KV信昌电容--- MA1210XR225K101ER 物料描述:1210 X7R 2.2UF +-10% 100V信昌电容--- MA1210XR471K202ER 物料描述:1210 X7R 470PF +-10%2KV信昌电容--- MA1812XR104K631ER 物料描述:1812 X7R 0.1UF +-10% 630V信昌电容--- MA1812XR224K251ER 物料描述:1812 X7R 0.22UF +-10% 250V信昌电容--- MA1812XR334K251ER 物料描述:1812 X7R 330NF +-10% 250V信昌电容--- MA1812XR474K251ER 物料描述:1812 X7R 0.47UF +-10% 250V信昌电容--- MA1812XR474K251ER(0.5) 物料描述:1812 X7R 0.47UF +-10% 250V信昌电容--- OP43X334K251EGG 物料描述:1812 X7R 0.33UF +-10% 250V信昌电容--- OP43X474K251EGG 物料描述:1812 X7R 0.47UF +-10% 250V信昌电容--- OP43X684K251EGG 物料描述:1812 X7R 0.68UF +-10% 250V更多库存与规格欢迎查询和索样~陶瓷积层贴片电容优势与特性:1、可以用做出小体积大容量的产品。

陶瓷电容 1206

陶瓷电容 1206

陶瓷电容 1206陶瓷电容是一种常见的电子元器件,其中1206指的是其尺寸规格。

本文将介绍陶瓷电容1206的基本特点、应用领域以及相关注意事项。

一、陶瓷电容1206的基本特点陶瓷电容1206是一种多层结构的电容器,由内部的陶瓷层和外部的金属电极组成。

它的尺寸规格为12mm×6mm,是一种中等尺寸的电容器。

陶瓷电容1206具有以下几个基本特点:1. 高稳定性:陶瓷电容1206具有较高的稳定性,能够在宽温度范围内保持其电容值不变。

这使得它在各种环境条件下都能正常工作。

2. 低损耗:陶瓷电容1206的损耗因数较低,能够有效减少能量的损耗,提高电路的效率。

3. 耐高温:由于采用了陶瓷材料,陶瓷电容1206能够在高温环境下正常工作,具有良好的热耐性。

4. 良好的频率特性:陶瓷电容1206具有较宽的频率范围,能够满足不同频率电路的需求。

二、陶瓷电容1206的应用领域陶瓷电容1206广泛应用于电子设备中的各种电路中,主要用于以下几个方面:1. 滤波电路:陶瓷电容1206能够有效滤除电路中的杂波和噪声信号,提高信号的纯净度。

2. 耦合电容器:陶瓷电容1206可用作耦合电容器,将信号从一个电路传递到另一个电路,实现信号的传输和隔离。

3. 绕组电容器:陶瓷电容1206可用于电感器的绕组中,提高电感器的性能和稳定性。

4. 衰减电路:陶瓷电容1206可用于衰减电路中,控制信号的幅度和频率范围。

三、陶瓷电容1206的注意事项在使用陶瓷电容1206时,需要注意以下几个问题:1. 电压等级:选择适合的电压等级的陶瓷电容1206,以免电压过高造成电容器损坏或短路。

2. 容值选择:根据电路需求,选择合适的容值范围,以满足电路的工作要求。

3. 温度系数:由于陶瓷电容1206的电容值会随温度的变化而变化,因此在高温环境下,需要考虑其温度系数,选择合适的陶瓷电容1206。

4. 安装注意:在安装陶瓷电容1206时,需要注意正确的极性和焊接温度,以避免电容器损坏。

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