选区电子衍射分析完整版

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(整理)选区电子衍射与晶体取向分析

(整理)选区电子衍射与晶体取向分析

实验四选区电子衍射与晶体取向分析一、实验目的与任务1)通过选区电子衍射的实际操作演示,加深对选区电子衍射原理的了解。

2)选择合适的薄晶体样品,利用双倾台进行样品取向的调整,利用电子衍射花样测定晶体取向的基本方法。

二、选区电子衍射的原理和操作1.选区电子衍射的原理使学生掌握简单地说,选区电子衍射借助设置在物镜像平面的选区光栏,可以对产生衍射的样品区域进行选择,并对选区范围的大小加以限制,从而实现形貌观察和电子衍射的微观对应。

选区电子衍射的基本原理见图10—16。

选区光栏用于挡住光栏孔以外的电子束,只允许光栏孔以内视场所对应的样品微区的成像电子束通过,使得在荧光屏上观察到的电子衍射花样仅来自于选区范围内晶体的贡献。

实际上,选区形貌观察和电子衍射花样不能完全对应,也就是说选区衍射存在一定误差,选区域以外样品晶体对衍射花样也有贡献。

选区范围不宜太小,否则将带来太大的误差。

对于100kV的透射电镜,最小的选区衍射范围约0.5m;加速电压为1000kV时,最小的选区范围可达0.1m。

2.选区电子衍射的操作1) 在成像的操作方式下,使物镜精确聚焦,获得清晰的形貌像。

2) 插入并选用尺寸合适的选区光栏围住被选择的视场。

3) 减小中间镜电流,使其物平面与物镜背焦面重合,转入衍射操作方式。

对于近代的电镜,此步操作可按“衍射”按钮自动完成。

4) 移出物镜光栏,在荧光屏上显示电子衍射花样可供观察。

5) 需要拍照记录时,可适当减小第二聚光镜电流,获得更趋近平行的电子束,使衍射斑点尺寸变小。

三、选区电子衍射的应用单晶电子衍射花样可以直观地反映晶体二维倒易平面上阵点的排列,而且选区衍射和形貌观察在微区上具有对应性,因此选区电子衍射一般有以下几个方面的应用:1) 根据电子衍射花样斑点分布的几何特征,可以确定衍射物质的晶体结构;再利用电子衍射基本公式Rd=L,可以进行物相鉴定。

2) 确定晶体相对于入射束的取向。

3) 在某些情况下,利用两相的电子衍射花样可以直接确定两相的取向关系。

实验四选区电子衍射及晶体取向分析

实验四选区电子衍射及晶体取向分析

实验四选区电子衍射与晶体取向分析一、实验内容及实验目的1.通过选区电子衍射的实际操作演示,加深对选区电子衍射原理的了解。

2.选择合适的薄晶体样品,利用双倾台进行样品取向的调整,使学生掌握利用电子衍射花样测定晶体取向的基本方法。

二、选区电子衍射的原理和操作1.选区电子衍射的原理简单地说,选区电子衍射借助设置在物镜像平面的选区光栏,可以对产生衍射的样品区域进行选择,并对选区范围的大小加以限制,从而实现形貌观察和电子衍射的微观对应。

选区电子衍射的基本原理见图4-1。

选区光栏用于挡住光栏孔以外的电子束,只允许光栏孔以内视场所对应的样品微区的成像电子束通过。

使得在荧光屏上观察到的电子衍射花样,它仅来自于选区范围内晶体的贡献。

实际上,选区形貌观察和电子衍射花样不能完全对应,也就是说选区衍射存在一定误差,所选区域以外样品晶体对衍射花样也有贡献。

选区范围不宜太小,否则将带来太大的误差。

对于100kV的透射电镜,最小的选区衍射范围约0.5μm;加速电压为1000kV时,最小的选区范围可达0.1μm。

图-1 选区电子衍射原理示意图1-物镜2-背焦面3-选区光栏4-中间镜5-中间镜像平面6-物镜像平面2.选区衍射电子的操作为了确保得到的衍射花样来自所选的区域,应当遵循如下操作步骤:(1) 在成像的操作方式下,使物镜精确聚焦,获得清晰的形貌像。

(2) 插人并选用尺寸合适的选区光栏围住被选择的视场。

(3) 减小中间镜电流,使其物平面与物镜背焦面重合,转入衍射操作方式。

近代的电镜此步操作可按“衍射”按钮自动完成。

(4) 移出物镜光栏,在荧光屏显示电子衍射花样可供观察。

(5) 需要拍照记录时,可适当减小第二聚光镜电流,获得更趋近平行的电子束,使衍射斑点尺寸变小。

三、选区电子衍射的应用单晶电子衍射花样可以直观地反映晶体二维倒易平面上阵点的排列,而且选区衍射和形貌观察在微区上具有对应性,因此选区电子衍射一般有以下几个方面的应用。

《选区电子衍射SAED及衍射花样标定》

《选区电子衍射SAED及衍射花样标定》
的准确性: 1)物镜球差的影响。 2)物镜聚焦的影响。
TiO2纳米材料
晶体可视化软件——可以模拟选区电子衍射和粉末 衍射
包含CrystalMaker、CrystalDiffract (模拟粉末衍射)、 SingleCrystal(模拟选区电子衍射)、 Crystal.Impact.Diamond
原子对电子的散射强度远高于原子对X射线的散射强度;
3
与X射线的衍射一样,电子衍射也有衍射的方向和强度,但 由于电子衍射束的强度一般较强,衍射的目的是进行微区的结 构分析,因此,需要的是衍射斑点或衍射线的位置,而不是强 度,因此,电子衍射中主要分析的是其方向问题。而衍射强度 在X射线的衍射分析中则起着非常重要的作用。
高能电子衍射:高能电子衍射的电子能量高,加速 电压一般在100 kV以上,透射电镜 采用的就是高能电子束。
2
电子衍射在材料科学中已得到广泛应用,主要用于材料的物 相和结构分析、晶体位向的确定和晶体缺陷及其晶体学特征的 表征等三个方面。
电子衍射与X射线衍射的异同点 电子衍射的原理与X射线的衍射原理基本相似,
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选区电子衍射SAED基本原理
选区电子衍射(SAED,selected area electron diffraction)
由选区形貌观察与电子衍射结构分析的微区对应性, 实现晶体样品的形貌特征与晶体学性质的原位分析。
简单地说,选区电子衍射借助设置在物镜像平面的 选区光栏,可以对产生衍射的样品区域进行选择, 并对选区范围的大小加以限制,从而实现形貌观察 和电子衍射的微观对应。

选区电子衍射的基本原理见图。选区光栏用于挡住 光栏孔以外的电子束,只允许光栏孔以内视场所对 应的样品微区的成像电子束通过,使得在荧光屏上 观察到的电子衍射花样仅来自于选区范围内晶体的 贡献。

选区电子衍射及其标定-天津大学

选区电子衍射及其标定-天津大学

主要内容::衍射原理由于电子束波长小电子衍射特点:y1、电子散射强度比X射线高一万倍,拍照电子衍射的时间只需几秒。

时间只需几秒y2、利用电子束成图,可得到组织图像和结构信息一一对应的信息。

对应的信息y3、适用于分析微区和微相的晶体结构。

与射线相比电子衍射强度受原子序数制约小y4、与X射线相比,电子衍射强度受原子序数制约小,它易于觉察轻原子的排列规律,等。

必要条件y 布喇格定律波长为的平面单色电子波被yλ的平面单色电子波被一级衍射λθn d =sin 2加速电压(KV)波长(nm )一级衍射:800.00418d °<≈110rad θ充分条件结构因子()−n合成振幅F:∑=•=j jg j r K K i f F 10)(2exp πn)(2exp 1j j j j j hkl lz ky hx i f F ++=∑=π2充分条件结构因子()充分条件结构因子()布喇格衍射的充分必要条件干涉函数2(22)()sin s c sN F I z ππ=y 称为干涉函数,它22)()(sin s c sN z ππ与晶体的尺寸N z c 和s 有关衍射花样与晶体几何关系θ2tan L r =i y 当角度θ很小,tan 2θ≈2θ,sin θ≈θλθ=sin 2d λL rd =y 在恒定的实验条件下,L λ是一个常数,称为相机常数(或仪器常数),L 称为相机长度。

晶带轴定律定y 定义:许多晶面族同时与个晶体学方向平行时这些y 许多晶面族同时与一个晶体学方向[μνω]平行时,这些晶面族总称为一个晶带,而这个晶体学方向[μνω]称为晶带轴。

y 晶带轴定律:y 0=++lw kv hu电子衍射的分类y 选区电子衍射电子衍射谱的获得y1927年,人们就实现了电子衍射。

当电镜以成像方式操作时中间镜物平面与物镜像平面重y当电镜以成像方式操作时,中间镜物平面与物镜像平面重合荧光屏上显示样品的放大图像。

选区电子衍射SAED-PPT课件

选区电子衍射SAED-PPT课件


四氧化三铁
原子对电子的散射强度远高于原子对X射线的散射强度;
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与 X 射线的衍射一样,电子衍射也有衍射的目的是进行微区的结 构分析,因此,需要的是衍射斑点或衍射线的位置,而不是强 度,因此,电子衍射中主要分析的是其方向问题。而衍射强度 在X射线的衍射分析中则起着非常重要的作用。 电子衍射方向与X射线一样,同样决定于布拉格方程:
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选区电子衍射的准确性: 1)物镜球差的影响。 2)物镜聚焦的影响。
TiO2纳米材料


晶体可视化软件——可以模拟选区电子衍射和粉末 衍射 包含CrystalMaker、CrystalDiffract (模拟粉末衍射)、 SingleCrystal(模拟选区电子衍射)、 Crystal.Impact.Diamond
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当电子波的波长小于两倍晶面间距时,才能发 生衍射。常见晶体的晶面间距都在0. 2 ~ 0. 4 nm 之间,电子波的波长一般在 0. 00251 ~ 0.00370 nm ,因此,电子束在晶体中产生衍射是不成问 题的。且其衍射半角 θ 极小,一般在 10-3 ~ 10-2 rad之间。
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选区电子衍射SAED基本原理
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电子衍射
电子衍射在材料科学中已得到广泛应用,主要用于材料的物 相和结构分析、晶体位向的确定和晶体缺陷及其晶体学特征的 表征等三个方面。 电子衍射与X射线衍射的异同点 电子衍射的原理与X射线的衍射原理基本相似, 根据与电子束作用单元的尺寸不同, 分为原子对电子束的散射、单胞对电子束的散射和单晶体对 电子束的散射有3种。 原子对电子的散射又包括原子核和核外电子两部分的散射, 这不同于原子对 X射线的散射,因为原子中仅核外电子对 X 射 线产生散射,而原子核对X射线的散射反比于自身质量的平方, 相比于电子散射就可忽略不计

电子衍射(材料分析方法)

电子衍射(材料分析方法)

第十章 电子衍射一、概述透射电镜的主要特点是可以进行组织形貌与晶体结构同位分析。

若中间镜物平面与物镜像平面重合(成像操作) ,在观察屏上得到的是反映样品组织形态的形貌图像;而若使中间镜的物平面与物镜背焦面重合 (衍射操作),在观察屏上得到的则是反映样品晶体结构的衍射斑点。

本章介绍电子衍射基本原理与方法,下章将介绍衍衬成像原理与应用。

电子衍射的原理和 X 射线衍射相似,是以满足(或基本满足)布拉格方程作为产生衍射的必要条件。

两种衍射技术所得到的衍射花样在几何特征上也大致相似。

多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的同心圆环,单晶衍射花样由排列得十分整齐的许多斑点所组成。

而非晶态物质得衍射花样只有一个漫散得中心斑点(图 1,书上图10-1)。

由于电子波与 X 射线相比有其本身的特性,因此,电子衍射和 X 射线衍射相比较时具有下列不同之处:(1)电子波的波长比 X 射线短的多,在同样满足布拉格条件时,它的衍射角θ很小,约 10-2;而X 射线产生衍射时,其衍射角最大可接近°。

rad 90(2)在进行电子衍射操作时采用薄晶样品, 薄样品的倒易阵点会沿着样品厚度方向延伸成杆状,因此,增加了倒易阵点和爱瓦尔德球相交截的机会,结果使略为偏离布拉格条件的电子束也能发生衍射。

(3)因为电子波的波长短,采用爱瓦尔德球图解时,反射球德半径很大,在衍射角 θ 较小德范围内反射球的球面可以近似地看成是一个平面,从而也可以认为电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内。

这个结果使晶体产生的衍射花样能比较直观的反映晶体内各晶面的位向,给分析带来不少方便。

(4)原子对电子的散射能力远高于它对 X 射线的散射能力(约高出四个数量级) ,这使得二者要求试样尺寸大小不同, X 射线样品线性大小位 10-3cm ,电子衍射样品则为10-6~10- 5cm ,且电子衍射束的强度较大,摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒钟,而X 射线以小时计。

透射电镜的选区衍射

透射电镜的选区衍射
透射电镜的选区衍射
汇报人: 汇报时间:2011.12.15
一、透射电镜电子衍射概论 二、透射电镜选区衍射的原理及特点 三、选区衍射花样的分析与应用 四、透射电镜及选区衍射的发展前景
一、透射电镜电子衍射概论
透射电镜的电子衍射能够在同一试样 上将形貌观察与结构分析相结合。
选区衍射能够将晶体试样图像与衍射图 进行对照分析,得出有用的晶体学数据。
图3 镍基合金中孪晶的形貌像及选区衍射花样 (a) 孪晶的形貌像 (b) [10-1]M、[-101]T晶带衍射花样
B.选区衍射在Si-B-C-N 陶瓷材料析晶过程中的应用
图4(a)的SAED表 明,仅存在立方 SiC晶体; 图4(b)的SAED表 明,对应区域中 存在六方Si3N4; 图4(d)中长条状 晶粒应该对应于 Si3N4,还可能为 石墨化团簇(Cg) 或BCN相的层状 结构。
图5 T1000选区衍射(a) 及高分辨图像(b)
图6 T1000+1400选 区衍射(a)及高分辨图 像(b)
四、透射电镜及选区衍射的发展前景
• 利用EELS精细结构研究电子结构 ; • 利用Z衬度实现原子的化学成份的分辨; • 结合正、倒空间信息,进行三维重构,实 现原子水平的空间分辨本领; • 利用计算机技术进行球差矫正 ,获得高分 辨率;
图4 T1400的选区衍射(a 、b)高分辨图像(c、d)
样品T1000 的选区衍射 (图5(a))只显 示非晶结构, 而其高分辨 像也表明非 晶结构很均 匀. 图中所指的 可能是石墨 化团簇形成 的区域。
SAED衍射环 的标定结果表 明,样品中主 要结晶相仅为 C-SiC ; 自由碳也更明 显地出现了石 墨化的趋势 ; 析晶相h-BN衍 射环完全与石 墨相重叠,因 此不能判断BN 是否已经结晶。

选区电子衍射SAED操作步骤

选区电子衍射SAED操作步骤

选区电子衍射SAED操作步骤
选区电子衍射(SAED)操作步骤
1. 插入选区光栏,套住欲分析的物相,调整中间镜电流(DIFF FOCUS)使选区光栏边缘清晰,此时选区光栏平面与中间镜物平面生重合;
2. 调整物镜电流(FOCUS),使选区内物象清晰,此时样品的一次象正好落在选区光栏平面上,即物镜象平面,中间镜物面,光栏面三面重合;
3. 切换到DIFF模式,荧光屏上可观察到放大的电子衍射花样
4. 调整合适的相机长度,用PLA将衍射图移到荧光屏中心,调整中间镜象散
5. 减弱第二聚光镜电流,使投影到样品上的入射束散焦(近似平行束),用DIFF FOCUS 细调衍射斑至最小,摄照(30s左右)。

选区电子衍射分析

选区电子衍射分析

选区电子衍射分析Last revision on 21 December 2020选区电子衍射分析实验报告一、实验目的1、掌握进行选区衍射的正确方法;2、学习如何对拍摄的电子衍射花样进行标定;3、通过选区衍射操作,加深对电子衍射原理的了解。

二、实验内容1、复习电镜的操作程序、了解成像操作、衍射操作的区别与联系;2、以复合材料(Al2O3+TiB2)/Al为观察对象,进行选区衍射操作,获得衍射花样;3、对得到的单晶和多晶电子衍射花样进行标定。

三、实验设备和器材JEM-2100F型TEM透射电子显微镜四、实验原理选区电子衍射就是对样品中感兴趣的微区进行电子衍射,以获得该微区电子衍射图的方法。

选区电子衍射又称微区衍射,它是通过移动安置在中间镜上的选区光栏(又称中间镜光栏),使之套在感兴趣的区域上,分别进行成像操作或衍射操作,实现所选区域的形貌分析和结构分析。

图1即为选区电子衍射原理图。

平行入射电子束通过试样后,由于试样薄,晶体内满足布拉格衍射条件的晶面组(hkl)将产生与入射方向成2θ角的平行衍射束。

由透镜的基本性质可知,透射束和衍射束将在物镜的后焦面上分别形成透射斑点和衍射斑点,从而在物镜的后焦面上形成试样晶体的电子衍射谱,然后各斑点经干涉后重新在物镜的像平面上成像。

如果调整中间镜的励磁电流,使中间镜的物平面分别与物镜的后焦面和像平面重合,则该区的电子衍射谱和像分别被中间镜和投影镜放大,显示在荧光屏上。

显然,单晶体的电子衍射谱为对称于中心透射斑点的规则排列的斑点群。

多晶体的电子衍射谱则为以透射斑点为中心的衍射环。

非晶则为一个漫散的晕斑。

(a)单晶(b)多晶(c)非晶图2电子衍射花样五、实验步骤通过移动安置在中间镜上的选区光栏(又称中间镜光栏),使之套在感兴趣的区域上,分别进行成像操作或衍射操作,实现所选区域的形貌分析和结构分析。

具体步骤如下:(1)由成像操作使物镜精确聚焦,获得清晰形貌像。

(2)插入尺寸合适的选区光栏,套住被选视场,调整物镜电流,使光栏孔内的像清晰,保证了物镜的像平面与选区光栏面重合。

实验四选区电子衍射及晶体取向分析

实验四选区电子衍射及晶体取向分析

实验四选区电子衍射与晶体取向分析一、实验内容及实验目的1.通过选区电子衍射的实际操作演示,加深对选区电子衍射原理的了解。

2.选择合适的薄晶体样品,利用双倾台进行样品取向的调整,使学生掌握利用电子衍射花样测定晶体取向的基本方法。

二、选区电子衍射的原理和操作1.选区电子衍射的原理简单地说,选区电子衍射借助设置在物镜像平面的选区光栏,可以对产生衍射的样品区域进行选择,并对选区范围的大小加以限制,从而实现形貌观察和电子衍射的微观对应。

选区电子衍射的基本原理见图4-1。

选区光栏用于挡住光栏孔以外的电子束,只允许光栏孔以内视场所对应的样品微区的成像电子束通过。

使得在荧光屏上观察到的电子衍射花样,它仅来自于选区范围内晶体的贡献。

实际上,选区形貌观察和电子衍射花样不能完全对应,也就是说选区衍射存在一定误差,所选区域以外样品晶体对衍射花样也有贡献。

选区范围不宜太小,否则将带来太大的误差。

对于100kV的透射电镜,最小的选区衍射范围约μm;加速电压为1000kV时,最小的选区范围可达μm。

图-1 选区电子衍射原理示意图1-物镜2-背焦面3-选区光栏4-中间镜5-中间镜像平面6-物镜像平面2.选区衍射电子的操作为了确保得到的衍射花样来自所选的区域,应当遵循如下操作步骤:(1) 在成像的操作方式下,使物镜精确聚焦,获得清晰的形貌像。

(2) 插人并选用尺寸合适的选区光栏围住被选择的视场。

(3) 减小中间镜电流,使其物平面与物镜背焦面重合,转入衍射操作方式。

近代的电镜此步操作可按“衍射”按钮自动完成。

(4) 移出物镜光栏,在荧光屏显示电子衍射花样可供观察。

(5) 需要拍照记录时,可适当减小第二聚光镜电流,获得更趋近平行的电子束,使衍射斑点尺寸变小。

三、选区电子衍射的应用单晶电子衍射花样可以直观地反映晶体二维倒易平面上阵点的排列,而且选区衍射和形貌观察在微区上具有对应性,因此选区电子衍射一般有以下几个方面的应用。

(1) 根据电子衍射花样斑点分布的几何特征,可以确定衍射物质的晶体结构;再利用电子衍射基本公式Rd=Lλ,可以进行物相鉴定。

电子衍射的分析流程

电子衍射的分析流程

电子衍射的分析流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

文档下载后可定制随意修改,请根据实际需要进行相应的调整和使用,谢谢!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. l hope that after you downloadthem,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified afterdownloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!电子衍射分析流程:①样品制备:选取合适样品,减薄至透射电子显微镜(TEM)或扫描电子显微镜(SEM)所需的厚度。

②仪器调试:调整电子显微镜的工作条件,如加速电压、束流强度,确保高分辨成像。

③衍射模式设置:切换至电子衍射模式,对准感兴趣区域,调整探测器以捕获衍射花样。

④数据采集:记录电子衍射花样,包括选区电子衍射(SAED)或背散射电子衍射(EBSD)图案。

⑤花样解析:分析衍射斑点的位置、分布,依据布拉格定律计算晶面间距。

⑥相鉴定:比对标准数据库,识别样品中的晶体结构和物相组成。

⑦晶格参数计算:利用衍射数据计算晶胞参数(a, b, c)及晶格角度(α, β, γ)。

⑧微观结构分析:评估晶粒大小、取向、缺陷(如位错、孪晶)等信息。

⑨报告撰写:整合分析结果,撰写包含方法、结果、结论的报告。

电子衍射是研究材料微观结构的重要手段,通过上述流程可深入理解材料的晶体学特征。

【分析】实验四选区电子衍射及晶体取向分析

【分析】实验四选区电子衍射及晶体取向分析

【关键字】分析实验四选区电子衍射与晶体取向分析一、实验内容及实验目的1.通过选区电子衍射的实际操作演示,加深对选区电子衍射原理的了解。

2.选择适宜的薄晶体样品,利用双倾台进行样品取向的调整,使学生掌握利用电子衍射花样测定晶体取向的基本方法。

二、选区电子衍射的原理和操作1.选区电子衍射的原理简单地说,选区电子衍射借助设置在物镜像平面的选区光栏,可以对产生衍射的样品区域进行选择,并对选区范围的大小加以限制,从而实现形貌观察和电子衍射的微观对应。

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实际上,选区形貌观察和电子衍射花样不能完全对应,也就是说选区衍射存在一定误差,所选区域以外样品晶体对衍射花样也有贡献。

选区范围不宜太小,否则将带来太大的误差。

对于100kV的透射电镜,最小的选区衍射范围约0.5μm;加速电压为1000kV时,最小的选区范围可达0.1μm。

图-1 选区电子衍射原理示意图1-物镜2-背焦面3-选区光栏4-中间镜5-中间镜像平面6-物镜像平面2.选区衍射电子的操作为了确保得到的衍射花样来自所选的区域,应当遵循如下操作步骤:(1) 在成像的操作方式下,使物镜精确聚焦,获得清晰的形貌像。

(2) 插人并选用尺寸适宜的选区光栏围住被选择的视场。

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(4) 移出物镜光栏,在荧光屏显示电子衍射花样可供观察。

(5) 需要拍照记录时,可适当减小第二聚光镜电流,获得更趋近平行的电子束,使衍射斑点尺寸变小。

三、选区电子衍射的应用单晶电子衍射花样可以直观地反映晶体二维倒易平面上阵点的排列,而且选区衍射和形貌观察在微区上具有对应性,因此选区电子衍射一般有以下几个方面的应用。

sade

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SADE
03 电子衍射花样分析
2) 多晶衍射花样
多晶电子衍射图是一 系列同心圆环,圆环 的半径与衍射面的面 间距有关。
NiFe多晶纳米薄膜的电子衍射源自SADE03 电子衍射花样分析
多晶电子衍射花样分析 测量各个衍射环的半径ri; 计算各ri2 并找出整数比值规律,估计所鉴定 材料的晶体结构或点阵类型; 用公式ridi=Lλ计算di; 估计各衍射环的相对强度,由三强线的d值 查ASTM卡索引找出最符合的几张卡片再核 算d值和相对强度,并参照实际情况确定物 相。
SADE
选区电子衍射原理示意图
SADE
02 选区电子衍射(SAED)基本原理
选区电子衍射分析技术特点 1、晶体样品形貌特征和微区晶体学性质得到同时反映; 2、电子衍射花样直观反映晶体的点阵结构和晶体取向; 3、电子衍射花样: 单晶体—排列整齐的斑点; 多晶体—不同半径的同心圆环;
SADE
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03 电子衍射花样分析
3) 非晶态物质衍射花样
SADE
SADE
THANKS
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准花样就是各种晶体点阵主要晶带的倒易截面,它可以根据晶带定理和相应 晶体点阵的消光规律绘出(二维倒易面的画法)。
由近及远测定各个斑点的R值; 根据衍射基本公式R=λL/d求出相应晶面间距; 查ASTM卡片,找出对应的物相和{hkl}指数; 确定(hkl),求晶带轴指数; 因为电子显微镜的精度有限,很可能出现几张卡片上d值均和测定 的d值相近,此时应根据待测晶体的其它资料,如化学成份等来排 除不可能出现的相。
SAED
TEM 在晶体学中的简单应用
SADE
CONTENTS
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01
02
常见的电子衍射花样

实验四选区电子衍射与晶体取向分析

实验四选区电子衍射与晶体取向分析

实验四选区电子衍射与晶体取向分析一、实验内容及实验目的1.通过选区电子衍射的实际操作演示,加深对选区电子衍射原理的了解。

2.选择合适的薄晶体样品,利用双倾台进行样品取向的调整,使学生掌握利用电子衍射花样测定晶体取向的基本方法。

二、选区电子衍射的原理和操作1.选区电子衍射的原理简单地说,选区电子衍射借助设置在物镜像平面的选区光栏,可以对产生衍射的样品区域进行选择,并对选区范围的大小加以限制,从而实现形貌观察和电子衍射的微观对应。

选区电子衍射的基本原理见图4-1。

选区光栏用于挡住光栏孔以外的电子束,只允许光栏孔以内视场所对应的样品微区的成像电子束通过。

使得在荧光屏上观察到的电子衍射花样,它仅来自于选区范围内晶体的贡献。

实际上,选区形貌观察和电子衍射花样不能完全对应,也就是说选区衍射存在一定误差,所选区域以外样品晶体对衍射花样也有贡献。

选区范围不宜太小,否则将带来太大的误差。

对于100kV的透射电镜,最小的选区衍射范围约0.5μm;加速电压为1000kV时,最小的选区范围可达0.1μm。

图-1 选区电子衍射原理示意图1-物镜2-背焦面3-选区光栏4-中间镜5-中间镜像平面6-物镜像平面2.选区衍射电子的操作为了确保得到的衍射花样来自所选的区域,应当遵循如下操作步骤:(1) 在成像的操作方式下,使物镜精确聚焦,获得清晰的形貌像。

(2) 插人并选用尺寸合适的选区光栏围住被选择的视场。

(3) 减小中间镜电流,使其物平面与物镜背焦面重合,转入衍射操作方式。

近代的电镜此步操作可按“衍射”按钮自动完成。

(4) 移出物镜光栏,在荧光屏显示电子衍射花样可供观察。

(5) 需要拍照记录时,可适当减小第二聚光镜电流,获得更趋近平行的电子束,使衍射斑点尺寸变小。

三、选区电子衍射的应用单晶电子衍射花样可以直观地反映晶体二维倒易平面上阵点的排列,而且选区衍射和形貌观察在微区上具有对应性,因此选区电子衍射一般有以下几个方面的应用。

第13章++选区电子衍射及衍射讲解

第13章++选区电子衍射及衍射讲解
r3
1)根据电子衍射基本公式,可得
d1=0.2038nm,d2=0.0805nm,d3=0.0784nm
2) Ni 为面心立方结构,对应的衍射面族指数为
{111}, {331},{420}
3)选取r1对应斑点指数为(111) 4)根据夹角公式,可得r2对应斑点指数为
5)其它斑点根据矢量运算获得。 331
根据晶带定律求零层倒易面法线的方向
即晶带轴指数
8
[uvw]=r1×r2
应用实例 1:
图为纯镍的电子衍射谱 (a=0.3523nm),
相机常数 Lλ=1.12mm.nm
测得 r1=5.5mm,r2=13.9 mm,r3=14.25mm.
r1,r2 夹角82°; r1,r3夹角76°.
标定该衍射谱。
r2 r1
6)晶带轴
r2 r1
r3
r1×r2= 123
2)相机常数未知、晶体结构已知时衍射花样的标定
测量靠近中心斑点的几个衍射斑点至 中心斑点的距离R1,R2,R3,R4,… 1
根据R2j的顺序比,结合点阵消光规律判断 晶体的点阵类型。根据与某一R对应的N
值判定衍射面指数
2
其它同第一种情况中(4—8)步
3) 相机常数已知,晶体结构未知时衍射花样的标定
2
由于晶体结构已知,
di相应晶面族的面间距
相应晶面族指数{hkl}i
3
测量各衍射斑点之间的夹角 4
确定离开中心斑点最近衍射点的指数 5
确定第二个斑点的指数。第二个斑点
的指数不能任选,必须和第一个斑点
间符合夹角公式,因此,可通过尝试
法获得。
6
对立方晶系
确定其它斑点所对应衍射面指数,通过 简单矢量运算即可求得。 7

选区电子衍射与晶体取向分析

选区电子衍射与晶体取向分析

实验四选区电子衍射与晶体取向分析一、实验目的与任务1)通过选区电子衍射的实际操作演示,加深对选区电子衍射原理的了解。

2)选择合适的薄晶体样品,利用双倾台进行样品取向的调整,利用电子衍射花样测定晶体取向的基本方法。

二、选区电子衍射的原理和操作1.选区电子衍射的原理使学生掌握简单地说,选区电子衍射借助设置在物镜像平面的选区光栏,可以对产生衍射的样品区域进行选择,并对选区范围的大小加以限制,从而实现形貌观察和电子衍射的微观对应。

选区电子衍射的基本原理见图10—16。

选区光栏用于挡住光栏孔以外的电子束,只允许光栏孔以内视场所对应的样品微区的成像电子束通过,使得在荧光屏上观察到的电子衍射花样仅来自于选区范围内晶体的贡献。

实际上,选区形貌观察和电子衍射花样不能完全对应,也就是说选区衍射存在一定误差,选区域以外样品晶体对衍射花样也有贡献。

选区范围不宜太小,否则将带来太大的误差。

对于100kV的透射电镜,最小的选区衍射范围约0.5m;加速电压为1000kV时,最小的选区范围可达0.1m。

2.选区电子衍射的操作1) 在成像的操作方式下,使物镜精确聚焦,获得清晰的形貌像。

2) 插入并选用尺寸合适的选区光栏围住被选择的视场。

3) 减小中间镜电流,使其物平面与物镜背焦面重合,转入衍射操作方式。

对于近代的电镜,此步操作可按“衍射”按钮自动完成。

4) 移出物镜光栏,在荧光屏上显示电子衍射花样可供观察。

5) 需要拍照记录时,可适当减小第二聚光镜电流,获得更趋近平行的电子束,使衍射斑点尺寸变小。

三、选区电子衍射的应用单晶电子衍射花样可以直观地反映晶体二维倒易平面上阵点的排列,而且选区衍射和形貌观察在微区上具有对应性,因此选区电子衍射一般有以下几个方面的应用:1) 根据电子衍射花样斑点分布的几何特征,可以确定衍射物质的晶体结构;再利用电子衍射基本公式Rd=L,可以进行物相鉴定。

2) 确定晶体相对于入射束的取向。

3) 在某些情况下,利用两相的电子衍射花样可以直接确定两相的取向关系。

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选区电子衍射分析 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】选区电子衍射分析实验报告一、实验目的1、掌握进行选区衍射的正确方法;2、学习如何对拍摄的电子衍射花样进行标定;3、通过选区衍射操作,加深对电子衍射原理的了解。

二、实验内容1、复习电镜的操作程序、了解成像操作、衍射操作的区别与联系;2、以复合材料(Al2O3+TiB2)/Al为观察对象,进行选区衍射操作,获得衍射花样;3、对得到的单晶和多晶电子衍射花样进行标定。

三、实验设备和器材JEM-2100F型TEM透射电子显微镜四、实验原理选区电子衍射就是对样品中感兴趣的微区进行电子衍射,以获得该微区电子衍射图的方法。

选区电子衍射又称微区衍射,它是通过移动安置在中间镜上的选区光栏(又称中间镜光栏),使之套在感兴趣的区域上,分别进行成像操作或衍射操作,实现所选区域的形貌分析和结构分析。

图1即为选区电子衍射原理图。

平行入射电子束通过试样后,由于试样薄,晶体内满足布拉格衍射条件的晶面组(hkl)将产生与入射方向成2θ角的平行衍射束。

由透镜的基本性质可知,透射束和衍射束将在物镜的后焦面上分别形成透射斑点和衍射斑点,从而在物镜的后焦面上形成试样晶体的电子衍射谱,然后各斑点经干涉后重新在物镜的像平面上成像。

如果调整中间镜的励磁电流,使中间镜的物平面分别与物镜的后焦面和像平面重合,则该区的电子衍射谱和像分别被中间镜和投影镜放大,显示在荧光屏上。

显然,单晶体的电子衍射谱为对称于中心透射斑点的规则排列的斑点群。

多晶体的电子衍射谱则为以透射斑点为中心的衍射环。

非晶则为一个漫散的晕斑。

(a)单晶(b)多晶(c)非晶图2电子衍射花样五、实验步骤通过移动安置在中间镜上的选区光栏(又称中间镜光栏),使之套在感兴趣的区域上,分别进行成像操作或衍射操作,实现所选区域的形貌分析和结构分析。

具体步骤如下:(1)由成像操作使物镜精确聚焦,获得清晰形貌像。

(2)插入尺寸合适的选区光栏,套住被选视场,调整物镜电流,使光栏孔内的像清晰,保证了物镜的像平面与选区光栏面重合。

(3)调整中间镜的励磁电流,使光栏边缘像清晰,从而使中间镜的物平面与选区光栏的平面重合,这也使选区光栏面、物镜的像平面和中间镜的物平面三者重合,进一步保证了选区的精度。

(4)移去物镜光栏(否则会影响衍射斑点的形成和完整性),调整中间镜的励磁电流,使中间镜的物平面与物镜的后焦面共面,由成像操作转变为衍射操作。

电子束经中间镜和投影镜放大后,在荧光屏上将产生所选区域的电子衍射图谱,对于高档的现代电镜,也可操作“衍射”按钮自动完成。

(5)需要照相时,可适当减小第二聚光镜的励磁电流,减小入射电子束的孔径角,缩小束斑尺寸,提高斑点清晰度。

微区的形貌和衍射花样可存同一张底片上。

六、电子衍射花样的标定方法电子衍射花样的标定:即衍射斑点指数化,并确定衍射花样所属的晶带轴指数[uvw],对未知其结构的还包括确定点阵类型。

(一)、单晶单晶体的电子衍射花样有简单和复杂之分,简单衍射花样即电子衍射谱满足晶带定律(hu+kv+lw=0),通常又有已知晶体结构和未知晶体结构两种情况。

已知晶体结构的花样标定:(1)确定中心斑点,按距离由小到大依次排列: 4321R R R R 、、、,各斑点之间的夹角依次为 4321ϕϕϕϕ、、、;(2)由相机常数K 和得相应的晶面间距 4321d d d d 、、、;(3)由已知的晶体结构和晶面间距公式,结合PDF 卡片,分别定出对应的晶面族指数{}{}{}{} 444333222111l k h l k h l k h l k h 、、、;(4)假定距中心斑点最近的斑点指数。

若1R 最小,设其晶面指数为{}111l k h 晶面族中的一个,即从晶面族中任取一个()111l k h 作为1R 的斑点指数。

(5)确决定第二个斑点指数。

由晶面族{}222l k h 中取一个()222l k h 代入公式计算夹角1ϕ当计算值与实测值一致时,即可确定()222l k h 。

当计算值与实测值不符时,则需重新选择()222l k h ,直至相符为止,从而定出()222l k h 。

注意,()222l k h 是晶面族{}222l k h 中的一个,仍带有一定的任意性。

(6)由确定了的两个斑点指数()111l k h 和()222l k h ,通过矢量合成其它点(7)定出晶带轴[uvw]。

(8)系统核查各过程,算出晶格常数。

未知晶体结构的花样标定:当晶体的点阵结构未知时,首先分析斑点的特点,确定其所属的点阵结构,然后再由前面所介绍的8步骤标定其衍射花样。

其点阵结构主要从斑点的对称特点或2/1d 值的递增规律来确定。

具体步骤:(1)判断是否简单电子衍射谱。

如是则选择三个与中心斑点最近斑点:P1、P2、P3,并与中心构成平行四边形,并测量三个斑点至中心的距离i r 。

(2)测量各衍射斑点间的夹角。

(3)由rd=L λ,将测的距离换算成面间距di 。

(4)由试样成分及处理工艺及其它分析手段,初步估计物相,并找出相应的卡 片,与实验得到的di 对照,得出相应的{hkl}.(5)用试探法选择一套指数,使其满足矢量叠加原理。

(6)由已标定好的指数,根据ASTM 卡片所提供的晶系计算相应的夹角,检验 计算的夹角是否与实测的夹角相符。

(7)若各斑点均已指数化,夹角关系也符合,则被鉴定的物相即为STAM 卡片 ))((cos 2222222121212121211l k h l k h l l k k h h ++++++=ϕ相,否则重新标定指数。

(8)定其晶带轴。

(二)、多晶多晶体的电子衍射花样等同于多晶体的X 射线衍射花样,为系列同心圆。

其花样标定相对简单,同样分以下两种情况:1、已知晶体结构具体步骤如下:(1)测定各同心圆直径Di ,算得各半径Ri ;(2)由Ri/K (K 为相机常数)算得1/di ;(3)对照已知晶体PDF 卡片上的di 值,直接确定各环的晶面指数{hkl}。

2、未知晶体结构具体标定步骤如下:(1)测定各同心圆的直径Di ,计得各系列圆半径Ri ;(2)由Ri/K (K 为相机常数)算得1/di ;(3)由由小到大的连比规律,推断出晶体的点阵结构;(4)写出各环的晶面族指数{hkl}。

七、成像示例和电子衍射花样的标定(一)、选区电子衍射所成的清晰形貌像(二)、单晶和多晶的电子衍射花样标定1、单晶(纯铝 FCC )如上图所示,以图上标尺为依据,测出 由于标尺的单位是1/nm ,由量出的r 直接取倒数即为晶面间距d 。

由公式d=1/r ,求得d1=,d2=,d3=。

Al 的PDF 卡片如下: nm r nm r nm r 1649317216251===,,由PDF 卡片得r1、r2、r3的hkl 分别为111、220、311FCC 的消光规律:当l k h 、、奇偶混杂时,02=hklF 。

以上三个晶面族均不符合消光条件。

任意选定晶面111l k h =111--,则选择222l k h =220,333l k h =311。

由夹角公式: 将111l k h 、222l k h 和222l k h 、333l k h 分别代入,解得0cos 1=ϕ,853.0cos 1=ϕ。

即 =1ϕ90°,≈2ϕ32°。

计算值与实测值一致。

所以三个斑点的指数(111l k h )、(222l k h )、(333l k h )可以确定为(111--)、(220)、(311)。

其它各斑点的指数均可通过矢量合成法求得。

通过公式:)(:)(:)(::122112211221k h k h h l h l l k l k w v u ---= 将111l k h =111--,222l k h =220代入,得晶带轴[uvw]=[101-]。

2、多晶(未知晶体结构)由上图可测锝,各系列圆半径Ri 。

又由于标尺的单位是1/nm ,由量出的R 直接取倒数即为晶面间距d ,即d=1/R 。

所以,1/di=Ri 。

由测量结果Ri 可得1/d1=60,1/d2=,1/d3=,1/d4=。

由此,得1/2d 由小到大的连比,为11:8:4:3:::1:1:1:1432124232221==N N N N d d d d ))((cos 2222222121212121211l k h l k h l l k k h h ++++++=ϕ根据下面的表格:11:8:4:3:::4321=N N N N 符合面心立方的连比规律,所以,该晶体的点阵结构为面心立方。

前四个环的晶面族指数分别为{}111、{}200、{}220、{}311。

八、实验注意事项注意光栏的合理选择。

九、思考题1、什么是相机常数和有效相机常数。

衍射花样的形成原理图如上图所示,由于衍射角很小,可以认为k g hkl ⊥,这样G OG *∆相似于hkl hkl Lg R g LR λλ==即1G O O ''∆,因而存在以下关系:令λL K =,所以hkl Kg R =,此式即为电子衍射的基本公式,式中λL K =称为相机常数,L 称为相机长度。

透射电镜电子衍射原理图而实际中,电镜中的衍射花样是物镜后焦面的衍射斑 点经过几级透镜放大后在底片上成的像,则相机长度L 不能象电子衍射仪那样简单的计算为试样至底片的距离,而应根据后焦面上衍射斑点被放大的倍数,折算成衍射仪相机长度,成为有效相机长度L '。

而λL K '='称为有效相机常数。

2、单晶体、多晶体、非晶体的电子衍射花样的特征是什么?单晶体的电子衍射花样由排列的十分整齐的许多斑点组成。

多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的同心圆环.。

非晶态物质的电子衍射花样只有一个漫散的中心斑点.。

(a )单晶 (b )多晶 (c )非晶电子衍射花样3、选区衍射的作用是什么?为了分析样品上的一个微小区域,应该在样品上放一个光阑,使电子束只能通过光阑限定的微区。

对这个微区进行衍射分析叫做选区衍射。

由于样品上待分析的微区很小,一般是微米量级。

如果直接用光阑在样品上进行选择分析区域,则制作这样大小的光阑孔在技术上还有一定的困难,加之小光阑孔极易污染,因此,选区光阑都放在物镜的像平面位置。

这样布置达到的效果与光阑放在样品平面处是完全一样的。

但光阑孔的直径就可以做的比较大。

如果物镜的放大倍数是50倍,则一个直径等于50μm的光阑就可以选择样品上直径为1μm的区域。

这样光阑孔的制备以及污染后的清理均容易的多。

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