透射电镜用选区电子衍射附件技术参数
透射电镜的选区电子衍射
透射电子显微镜的选区衍射摘要：本文主要是以透射电子显微镜的选区电子衍射为主题来说明透射电镜在材料学中的应用。
关键词：透射电镜；电子衍射谱；选区电子衍射；应用Selected-Area Electron Diffraction of TEMAbstract: The Selected-Area Electron Diffraction of TEM is mainly talked about in this paper, And it tell us the application of the TEM in materials science.Key words:Transmission electron microscope; Electron diffraction spectrum; Selected-Area Electron Diffraction; application1．透射电镜的电子衍射概论透射电镜的电子衍射是透射电镜的一个重要应用，而透射电镜广泛应用于断裂失效分析、产品缺陷原因分析、镀层结构和厚度分析、涂料层次与厚度分析、材料表面磨损和腐蚀分析、耐火材料的结构与蚀损分析[1]中。
透射电镜的电子衍射能够在同一试样上将形貌观察与结构分析结合起来[2]。
这就使得电子衍射在应用中有着举足轻重的地位。
在透射电镜的衍射花样中，对于不同的试样，采用不同的衍射方式时，可以观察到多种形式的衍射结果。
如单晶电子衍射花样，多晶电子衍射花样，非晶电子衍射花样，会聚束电子衍射花样，菊池花样等。
而且由于晶体本身的结构特点也会在电子衍射花样中体现出来，如有序相的电子衍射花样会具有其本身的特点。
另外，由于二次衍射等原因会使电子衍射花样变得更加复杂。
选区衍射的特点是能把晶体试样的像与衍射图对照进行分析，从而得出有用的晶体学数据，例如微小沉淀相的结构、取向及惯习面，各种晶体缺陷的几何学特征等[3]。
2．选区电子衍射的原理及特点2.1选区电子衍射的原理为了得到晶体中某一个微区的电子衍射花样，一般用选区衍射的方法，将选区光阑放置在物镜像平面（中间镜成像模式时的物平面），而不是直接放在样品处。
透射电镜的选区电子衍射
透射电子显微镜的选区衍射摘要：本文主要是以透射电子显微镜的选区电子衍射为主题来说明透射电镜在材料学中的应用。
关键词：透射电镜；电子衍射谱；选区电子衍射；应用Selected-Area Electron Diffraction of TEMAbstract: The Selected-Area Electron Diffraction of TEM is mainly talked about in this paper, And it tell us the application of the TEM in materials science.Key words:Transmission electron microscope; Electron diffraction spectrum; Selected-Area Electron Diffraction; application1．透射电镜的电子衍射概论透射电镜的电子衍射是透射电镜的一个重要应用，而透射电镜广泛应用于断裂失效分析、产品缺陷原因分析、镀层结构和厚度分析、涂料层次与厚度分析、材料表面磨损和腐蚀分析、耐火材料的结构与蚀损分析[1]中。
透射电镜的电子衍射能够在同一试样上将形貌观察与结构分析结合起来[2]。
这就使得电子衍射在应用中有着举足轻重的地位。
在透射电镜的衍射花样中，对于不同的试样，采用不同的衍射方式时，可以观察到多种形式的衍射结果。
如单晶电子衍射花样，多晶电子衍射花样，非晶电子衍射花样，会聚束电子衍射花样，菊池花样等。
而且由于晶体本身的结构特点也会在电子衍射花样中体现出来，如有序相的电子衍射花样会具有其本身的特点。
另外，由于二次衍射等原因会使电子衍射花样变得更加复杂。
选区衍射的特点是能把晶体试样的像与衍射图对照进行分析，从而得出有用的晶体学数据，例如微小沉淀相的结构、取向及惯习面，各种晶体缺陷的几何学特征等[3]。
2．选区电子衍射的原理及特点2.1选区电子衍射的原理为了得到晶体中某一个微区的电子衍射花样，一般用选区衍射的方法，将选区光阑放置在物镜像平面（中间镜成像模式时的物平面），而不是直接放在样品处。
碳中和联合研究院扫描电镜和透射电镜采购项目质量技术参数要求
碳中和联合研究院扫描电镜和透射电镜采购项目质量技术参数要求泄露保护、辐射保护功能；（5）样品低损伤观察:低剂量电子束观察，软件界面上电子束剂量实时显示，具有预辐照功能；（6）需可适应在独立地线不小于40。
环境下正常工作。
10.能谱仪系统（I）硅漂移SDD电子制冷探测器，有效面积N80mπΛ晶体位置优化设计，大大提高能谱仪计数率；（2）元素分析范围：从Be4-Cf98;★（3）具有能谱面扫描功能；（4）能谱应用软件可以实现多线程设计，导航器界面，支持用户自定义模式及账户管理，支持分屏显示及远程控制，支持中、英文等多种操作界面；（5）定性分析：可自动标识谱峰，除惰性气体元素外，无禁止自动标定的元素；可进行谱重构，对重叠峰进行手动峰剥离；（6）其它功能：可将电镜图象传输到能谱仪的显示器上,并以该图为中心做微区分析，可显示电子作用区大小，可对点，矩形，任意不规则区域等进行分析；（7）具备全谱面分布/线扫描分析功能，一次采集，能存储每一扫描位置（x,y）的所有元素的信息，用户随后可以在离线状态下从图像上的任何位置重建谱图和面分布图。
11.包括但不限于以下（得满足主机连接需求）：（1）透射电镜主机（包含高反差和高分辨模式，可实现一键切换）；（2）电镜控制与显示系统一套；（3）一体化、高灵敏像素CMoS主相机；（4）一体化超高速CMOS荧光屏相机；（5）真空系统等其它相应配套附件；（6）能谱仪（含有能谱面扫描功能及相关套件）；（7）标准单倾样品杆；（8）冷却水系统；（9）空气压缩机；（10）UPS电源等。
注：本项目评分标准中将根据标注“★”符号的技术标准与参数配置、技术指标的偏离情况进行评审打分。
透射电子显微镜技术参数
透射电子显微镜技术参数一、透射电镜主机技术要求：1.总则：1.1提供相应货物的技术规格文件，在应答的品目标题下,标明货物的型号、商标名称及生产厂家。
1.2货物的制造和检验，必须是按照现行的中国国家标准，或通用国际标准。
1.3仪器设备如需特殊工作条件（如：水、电源、磁场强度、特殊温度、湿度、振动强度等），应在相关文件中加以说明。
2环境条件：除该品目在技术要求中另有说明外，所有仪器、设备和装置，均应适合以下条件：a）电源：220V（±10%）,50Hz∕60Hz;b）工作环境温度：15〜23度c）工作环境湿度：＜60%RHd）运行持久性：连续使用e）安装条件：地线接地电阻小于100欧姆3.技术要求：3.1分辨率：≤0.2nm3.2加速电压：20T20KV（以IOOV为步长调节）3.3放大倍数：高反差模式：X200-X200,000高分辨模式：X4,000-X600,000低倍模式：X50-X1.,0003.4图像旋转：最大范围XI,000〜X40,000,旋转角度：±90度（15度/步）3.5衍射长度：高反差方式0.2〜8.Om高分辨方式0.2〜2.0m3.6电子枪：鸨灯丝，具有电流自动控制，灯丝计时，气压式自动升枪等功能3.7使用高灵敏度的荧光屏CMOS相机取代了传统的荧光屏，配置双CCD,使图像显示与操作一体化3. 8样品位移：X/Y±Imm（CPU控制马达驱动），Z±0.3mm,样品台倾斜角：±30度。
可显示样品位置、倾角等。
3.9透镜系统：高倍观测时8级透镜3.10照明透镜级数：2级聚光镜3.11成像系统：CPU控制的6级透镜系统，物镜、中间镜和投影镜均为两级3.12不更换硬件的前提下，可在同一台仪器上实现高分辨和高反差模式的自由切换3.13高反差模式，高分辨模式3.14物镜活动光阑:4孔光阑（10-20-50-80微米）3.15可以实现8KX8K像素快速自动拼图（4张x4张拼图仅需4分钟）3.16电镜控制界面与相机图像∙体化,配置1600万像素相机3. 17真空系统：真空逻辑由测量值控制配有皮拉尼规，用于测量低真空度潘宁规，用于测量高真空度3.18不使用扩散泵，标准配置分子泵1台，转速不低于2501.∕s,旋转泵1台，转速不低于1351.∕min<>3 .19配三维重构功能及±70°倾转样品台4 .必要配置：主机一台，包括空气压缩机，冷却循环水，专用工具、配置双CCD,电脑及控制软件,三维重构，样品台，操作台，旋钮板和，手册5 .技术服务：为用户培训使用仪器的工作人员。
TEM透射电镜中的电子衍射及分析
TEM透射电镜中的电子衍射及分析TEM透射电镜（Transmission Electron Microscopy）是一种高分辨率的显微镜，它利用电子束穿透样品，并通过电子衍射和显微成像技术来观察样品的内部结构和晶格信息。
本文将通过一个实例来介绍TEM透射电镜中的电子衍射及分析过程。
实例：研究纳米材料的晶格结构研究目标：使用TEM透射电镜研究一种纳米材料的晶格结构，确定其晶格常数和晶体结构。
实验步骤：1.样品制备：首先，需要制备纳米材料的TEM样品。
常见的制备方法包括溅射，化学气相沉积和溶液法等。
在本实验中，我们将使用溶液法制备纳米颗粒样品，并将其沉积在碳膜上。
2.装载样品：将TEM样品加载到TEM透射电镜的样品台上，并进行适当的调整，以使样品位于电子束的路径中。
3.调整TEM参数：调整透射电镜的参数，如电子束的亮度，聚焦和对比度等。
这些参数的调整对于获得良好的电子衍射图像至关重要。
4. 获得电子衍射图：通过调整TEM中的衍射镜，观察和记录电子衍射图。
可以使用选区衍射（Selected Area Diffraction，SAD）模式，在样品上选择一个小区域进行衍射。
电子束通过纳米颗粒样品时，会与晶体的原子排列相互作用，并在相应的探测器上形成衍射斑图。
5.解析电子衍射图：利用电子衍射图分析软件，对获得的电子衍射图进行解析。
通过测量衍射斑的位置和相对强度，可以推断出样品的晶格常数和晶体结构。
6.确定晶格常数：根据衍射斑的位置，使用布拉格方程计算晶格常数。
布拉格方程为：nλ = 2dsin(θ)其中，n是衍射阶数，λ是电子波长，d是晶体平面的间距，θ是入射角。
通过测量不同衍射斑的位置和计算，可以得到晶格常数及其误差范围。
7.确定晶体结构：根据衍射斑的相对强度以及已知的晶格常数，可以利用衍射斑的几何关系推断样品的晶体结构。
常见的晶体结构包括立方晶系、六方晶系等。
8.结果分析：根据实验获得的数据，进行晶格常数和晶体结构的分析和比较。
透射电镜技术指标(final)
31、 扫描透射STEM
32、 数字化STEM软件包
1). Scanning image observation devise扫描透射单元
2). Image acquisition unit扫描透射图象采集单元
3). Dark field image observation device高角环形暗场探头（HAADF）
16、 Water chiller循环冷却水箱(一体式，水-空气散热交换)
17、 Automatic voltage regulator自动稳压电源
18、 UPS power supporter不间断电源
19、 Beam stopper束流遮挡器
20、 Swing mouse unit 划动鼠标
21、 Electro short switch电极短路开关
2). 前级机械泵
3). 最优真空度：电子枪室：优于0.910-8Pa；样品室：优于210-5Pa
15、电镜安全保护：
1). 可以连续使用（电子枪可以连续工作不自动熄灭）
2). 断电、断水、失真空警报及保护，分子泵、离子泵、高压放电、变压器过热保护
16、计算机系统
1). 电镜控制专用高速计算机和EDX配套使用计算机应等于或优于以下配置(要求均为品牌配件)
6). 电缆（电源用） １根
质保期
提供至少2年以上免费保修，保修期自验收签字之日起计算。另外，双倾台提供至少3年以上免费保修
售后服务及培训要求
1、 要求供货厂家在中国至少设立一家以上的固定维修站
2、 设备安装调试：免费负责设备安装场地的工作环境测试。仪器到达用户所在地后，在接到用户通知后1周内执行安装调试。仪器安装调试应于一个月内一次性完成
透射电镜技术指标(final)
9).相机长度：80～2,000mm
10).相机长度和放大倍数误差小于5%
13、样品室
1).5轴全自动马达台(X/Y/Z/Tilt X/Tilt Y)
2).样品漂移：≤ 1 nm/min
3).样品复位精度：具有记忆模式功能，将样品从一个位置移动到另一个位置，且X、Y方向复位精度由于200 nm
20).在中国有TEM电制冷能谱用户且连续正常工作三年以上
21).能够对元素进行点、线、面成份的定性和定量分析
22).分辨率：Mn Ka保证优于127eV(100,000cps时测量)，峰背比优于20,000:1
23).探测器自动伸缩设计，避免高能杂散信号的攻击，保护能谱探测器
24).系统稳定性：100,000cps以内输入计数谱峰偏移不超过1eV
2).前级机械泵
3).最优真空度：电子枪室：优于0.910-8Pa；样品室：优于210-5Pa
15、电镜安全保护：
1).可以连续使用（电子枪可以连续工作不自动熄灭）
2).断电、断水、失真空警报及保护，分子泵、离子泵、高压放电、变压器过热保算机和EDX配套使用计算机应等于或优于以下配置(要求均为品牌配件)
3、环境条件：10℃~30℃，相对湿度：70 %；
4、直流磁场：水平<80 nT；垂直<100 nT；
5、安装条件：独立地线：4欧姆；
6、可不间断连续运行。
四、主要技术指标：
1、电子枪：肖特基场发射电子枪
2、点分辨率：≤0.19 nm
3、线分辨率：≤0.102 nm
4、加速电压：80, 100, 120, 160, 200 kV（100 V/步可调）
透射电镜的主要性能参数及测定介绍
透射电镜的主要性能参数及测定介绍透射电镜的主要性能参数及测定2.3.1 主要性能参数分辨率；放大倍数；加速电压2.3.2 分辨率及其测定1. 点分辨率透射电镜刚能分清的两个独立颗粒的间隙或中心距离。
测定方法：Pt 或贵金属蒸发法。
如图所示。
将Pt 或贵金属真空加热蒸发到支持膜（火棉胶、碳膜）上，可得到粒径0.5-1nm、间距0.2-1nm 的粒子。
高倍下拍摄粒子像，再光学放大5 倍，从照片上找粒子间最小间距，除以总放大倍数，即为相应的点分辨率。
2. 晶格分辨率当电子束射入样品后，通过样品的透射束和衍射束间存在位相差。
由于透射和衍射束间的位相不同，它们间通过动力学干涉在相平面上形成能反映晶面间距大小和晶面方向的条纹像，即晶格条纹像，如下图2-9 所示。
晶格分辨率与点分辨率是不同的，点分辨率就是实际分辨率，晶格分辨率的晶格条纹像是因位相差引起的干涉条纹，实际是晶面间距的比例图像。
测定方法：利用外延生长方法制得的定向单晶薄膜做标样，拍摄晶格像。
测定晶格分辨率常用的晶体见下表。
根据仪器分辨率的高低选择晶面间距不同的样品做标样。
图2-9 晶格分辨率测定金（220）、（200）晶格像表2－1 测定晶格分辨率常用晶体2.3.3 放大倍数透射电镜的放大倍数随样品平面高度、加速电压、透镜电流而变化。
TEM 在使用过程中，各元件的电磁参数会发生少量变化，从而影响放大倍数的精度。
因此，必须定期标定。
标定方法：用衍射光栅复型为标样，在一定条件下（加速电压、透镜电流），拍摄标样的放大像，然后从底片上测量光栅条纹像间距，并与实际光栅条纹间距相比即为该条件下的放大倍数，见图2-10。
例如，衍射光栅2000 条/mm，条纹间距0.0005mm.利用光栅复型上喷镀。
透射电子显微镜与选区电子衍射对纳米材料的联合分析_欧阳健明
续增大浓度至60mmol并反应30stem图像上银树枝晶的轮廓已经十分明显3csaed分析表明该阶段的银树枝晶已经开始呈现类似单晶的特100mmol时tem下可以看到形貌十分清晰的银枝晶saed的点状衍射花样表明此时的银枝使得银颗粒在形貌上从团聚状态转变成树枝形态在结构上也从大量银颗粒聚集的多晶体逐渐转变为典型的银枝晶单晶体
硒作为一种性质稳定的非金属材料，广泛的应 用于光电管、太阳能电池，半导体领域． Wang 等［13］ 通过乙二胺作为螯合剂制备硒前驱体，然后通过控 制陈化时间制备了形貌规整的硒纳米线． 如图 4 所 示，硒前驱体呈类球形，直径 170 nm 左右，并发生大 规模的聚集现象（ 图 4a） ． 陈化 0. 5 h 后，视野中开 始出现了线状结构的纳米硒； 当陈化 4 h 后，球状结 构的纳米硒已经完全消失，取而代之的是线条结构 的纳米硒，这些纳米硒直径 45 nm 左右，长度可达数
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暨南大学学报（ 自然科学版）
第 33 卷
1932 年 Ruska 发明了以电子束为光源的透射 电子显微镜（ TEM） ，从而使人类观察微小物质的能 力发生了质的飞跃． TEM 是波长极短的电子束经过 电磁透镜进行聚焦后穿透样品成像． 当电子束投射 到样品中质量较大的区域时，电子被散射的多，透射 到荧光屏上的电子少，从而呈现暗像，电子照片上则 为黑色； 反之，透射到荧光屏上的电子多则显示明 像，电子照片相应区域的颜色则较亮．
透射电镜技术指标
3).Dark field image observation device高角环形暗场探头（HAADF）
33、能谱仪(EDS)系统
34、底插式CCD相机系统
备品备件及耗材
1、备用场发射灯丝1根
2、主动式防震台1套，有以下组成部分：
4).更换样品及电镜底片时，更换样品时间小于15分钟，更换底片时间小于30分钟
5).样品台移动尺寸：X ≥2mm，Y ≥2mm，Z ≥ ±0.1mm
6).样品台倾斜角度：X ≥ ±25°，Y≥ ±25°
7).样品台移动步长精度：优于3nm/步
8).取出角：≥ 20°
14、真空系统
1).离子泵、油扩散泵
8).放大倍数：优于50～100万倍；放大倍数重复性：< 10%
9).相机长度：80～2,000mm
10).相机长度和放大倍数误差小于5%
13、样品室
1).5轴全自动马达台(X/Y/Z/Tilt X/Tilt Y)
2).样品漂移：≤ 1 nm/min
3).样品复位精度：具有记忆模式功能，将样品从一个位置移动到另一个位置，且X、Y方向复位精度由于200 nm
31).自动马达控制探测器进出无需手动操作
32).通过处理器自动扣除和峰(非软件扣除)，自动选择最佳处理时间
33).宽范围电压适配可适用(85～265 VAC)电压
34).所有校准数据均保存与信号处理器中，用户能够自行矫正系统，重装或者升级电脑可由用户自己完成
35).具备零峰修正功能,可以快速稳定谱峰,开机5分钟内能得到稳定的定量结果
20).在中国有TEM电制冷能谱用户且连续正常工作三年以上
透射电镜中的电子衍射
R=λLghkl=Kghkl
R=λL/d=K/d
Lλ称为电子衍射的相机常数； 而L称为相机长度。
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6.8.1 有效相机常数
R=λL/d=K/d
R是正空间的矢量，而ghkl是 倒易空间中的矢量，因此相 机常数Lλ是一个协调正、倒 空间的比例常数。
Rhdkl f0M1MP LK
其中K‘称为有效相机常数，因为
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6.8.2 选区电子衍射
为了保证物镜像平面和选区光阑的重合，获得选区电子 衍射花样，必须遵循下面的标准操作步骤：
1. 插人选区光阑，调节中间镜电流使荧光屏上显示该光阑 边缘的清晰像。此时意味着中间镜物平面和选区光阑重合；
2. 插入物镜光阑，精确调节物镜电流，使所观察的样品形 貌在荧光屏上清晰显示；意味着物镜像平面与中间镜物平面 重合，也就是与选区光阑重合；
200 220 311 222
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6.9.3 复杂的电子衍射花样
1. 高阶劳厄斑点
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6.9.3 复杂的电子衍射花样
2.超点阵斑点
AuCu3在395℃以上是无序固溶体，每个原子位置上发现Au和Cu的 几率分别为0.25和0.75，在395℃以下, AuCu3便是有序态，此时Au 原子占据晶胞顶角位置，Cu原子则占据面心位置。
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2.超点阵斑点
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2.超点阵斑点
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6.9.3 复杂的电子衍射花样
3. 二次衍射斑点
• 电子受原子散射作用很强，以致衍射束强度可与透射 束强度相当(动力学交互作用)，故衍射束可作为新的 入射束，并产生衍射，称为二次衍射。
透射电镜的选区衍射
图3 镍基合金中孪晶的形貌像及选区衍射花样 (a) 孪晶的形貌像 (b) [10-1]M、[-101]T晶带衍射花样
B.选区衍射在Si-B-C-N 陶瓷材料析晶过程中的应用
图4(a)的SAED表 明，仅存在立方 SiC晶体； 图4(b)的SAED表 明，对应区域中 存在六方Si3N4； 图4(d)中长条状 晶粒应该对应于 Si3N4，还可能为 石墨化团簇(Cg) 或BCN相的层状 结构。
图5 T1000选区衍射(a) 及高分辨图像(b)
图6 T1000+1400选 区衍射(a)及高分辨图 像(b)
四、透射电镜及选区衍射的发展前景
• 利用EELS精细结构研究电子结构 ； • 利用Z衬度实现原子的化学成份的分辨； • 结合正、倒空间信息，进行三维重构，实 现原子水平的空间分辨本领； • 利用计算机技术进行球差矫正 ，获得高分 辨率；
透射电镜的选区衍射
汇报人： 汇报时间：2011.12.15
一、透射电镜电子衍射概论 二、透射电镜选区衍射的原理及特点 三、选区衍射花样的分析与应用 四、透射电镜及选区衍射的发展前景
一、透射电镜电子衍射概论
透射电镜的电子衍射能够在同一试样 上将形貌观察与结构分析相结合。
选区衍射能够将晶体试样图像与衍射图 进行对照分析，得出有用的晶体学数据。
图4 T1400的选区衍射(a 、0 的选区衍射 (图5(a))只显 示非晶结构， 而其高分辨 像也表明非 晶结构很均 匀. 图中所指的 可能是石墨 化团簇形成 的区域。
SAED衍射环 的标定结果表 明，样品中主 要结晶相仅为 C-SiC ； 自由碳也更明 显地出现了石 墨化的趋势 ； 析晶相h-BN衍 射环完全与石 墨相重叠，因 此不能判断BN 是否已经结晶。
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透射电镜用选区电子衍射附件技术参数
1. 主要用途
选区电子衍射借助设置在物镜像平面的选区光阑，可以对产生衍射的样品区域进行选择，并对选区范围的大小加以限制，从而实现形貌观察和电子衍射的微观对应。
选区光阑用于挡住光栏孔以外的电子束，只允许光阑孔以内视场所对应的样品微区的成像电子束通过，使得在荧光屏上观察到的电子衍射花样仅来自于选区范围内晶体的贡献。
2. 主要组成
2.1 冷指
2.2 选区光阑杆（含选区光阑）
2.3 电子束遮挡器
2.4 双倾样品杆
2.5 衍射测量软件
2.6 软件升级包
2.7 离线工作站
3. 配置组成及用途说明
3.1 冷指：用于减少图像漂移，增强成像效果；
3.2 选区光阑杆（含选区光阑）：用于选定进行分析的样品微小区域；
3.3 电子束遮挡器：在荧光屏上观察到电子衍射花样后，需使用电子束遮挡器将中心
透射斑遮挡住，有效提高样品衍射花样的清晰度，并可有效保护CCD，避免受到电子束的损伤；
3.4 双倾样品杆：可在α方向和β方向进行旋转，可用于寻找样品指定晶带轴，全面
表征分析晶体的结晶情况；
3.5 衍射测量软件：可实现对电子衍射花样的可视化分析，包括单晶、多晶等多种晶
体结构，自动识别衍射花样的参数信息。
3.6 软件升级包：离线分析软件，具有扩展升级功能，可用于多种离线分析。
3.7 离线工作站：配合离线分析软件，进行多种离线分析。
4. 安装要求
4.1 安装在日立透射电镜HT7700电镜主机上
4.2 电源：220 V(±10%)，50 Hz/60 Hz；
4.3 工作环境温度：15～23度
4.4 工作环境湿度：<60 %RH
4.5 运行持久性：连续使用
4.6 地线接地电阻小于100欧姆
5. 技术指标
5.1 衍射长度：高反差方式0.2～8.0 m
5.2 高分辨方式0.2～2.0 m
5.3 4孔光阑：光阑孔尺寸50-100—200-400 μmφ
Inspector ALERT V2多功能核辐射检测仪
1. 检测射线：α、β、γ和x射线
2. 探测器：卤素填充盖革计数管（能量补偿）。
有效直径1.75”(45mm)。
云母薄片密
度1.5-2.0mg/cm2 。
3. 多种检测模式自由切换：辐射剂量模式、αβ表面污染检测模式、辐射累积计量模式
4. 自定义报警功能（0~50 mR/hr & 0~160,000 CPM）
5. 自动校准（针对不同校准源，支持自定义校准系数设置）
6. CE认证
7. 显示屏：高清晰度4位数字液晶显示器。
8. 平均周期：显示器每3s更新一次显示，显示标准强度下前面30s的平均值。
平均周
期随着辐射强度的增大而缩短。
9. 测量范围：mR/hr: 0.001~110.0 / μSv/hr: 0.001~1,100
10. CPM: 0~350,000 / CPS: 0~5,000
11. Total/ Timer - 1 ~9,999,000 counts
12. 灵敏度：3500 CPM/mR/hr referenced to Cs-137
13. α射线≥2.0 MeV/β射线≥40 keV/γ射线≥10 keV
14. 精度：±10%~ ±15%
15. 警报设置范围：Sv/hr: 0 to 500 / mR/hr: 0 to 50 / CPM: 0 to 160,000；70db @ 1m。
16. 指示灯：每探测到一次计数（一个电离过程），红计数灯就会闪动一次
17. 定时器：1分钟~40小时自定义（一分钟增量）
18. 声音报警器：内置蜂鸣器（可关闭可实现静音操作）
19. 输出：CMOS/TTL微型插孔，输出到计算机或数据记录器端口。
Submini插孔输
入允许电子校准
20. 电源：9v的碱性电池。
正常情况下电池寿命约为2000小时，在1 mR/hr时约为
700小时
21. 温度范围：-20 ℃~50 ℃。