第八章 光电式传感器练习答案

第八章光电式传感器

§8-1 真空光电器件

作业题

1.光电管由一个和一个封装在一个内组成。它

的技术特性主要取决于。（阴极；阳极；光电阴极材料）

2.光电管的光谱特性主要取决于的特性，光电管对入射光的

具有选择性，这是因为对入射光的有选择性。（光

电阴极材料；频谱；光电阴极；频谱）

3.光电管的伏安特性是指，与的关系。当阳极

电压较小时，光电流随而增加。到电压以后，光电流，这是因为单位时间内发射的光电子全部被阳极收集了。（一定光适量照

射下；阴极电压；光电流；阳极电压增加；饱和；饱和；发射的光电子）

4.光倍增管的结构与基本一样，也是在壳内，安装

和，只是在之间再安装几个。（光电管；玻璃；

阳极；阴极；阳极与阴极；倍增级）

5.光电倍增管倍增系数大约为数量级，故光电倍增管的

极高。随着的升高，倍增系数也增加。（106；灵敏度；工作电

压）

6.当入射光不变时，被照物体在单位时间内与

成正比。（频谱；发射的光电子数；入射光强度）

§8-2 光敏元件

作业题

1.物体受到光照以后，物体内部的原子释放出电子，这些电子仍留在物体

内部，使物体的或产生的现象称为。（电阻率

发生变化；光电动势；内光电效应）

2.在光线的作用下，半导体的的现象称光电导效应。（电导率增加）

3.光照射使半导体原子中的吸收光子能量激发出的现象，称本

征光导效应；光照射使半导体杂质吸收光子能量激发出的现象，称非本征光导效应，它的激发比本征光导效应。（价电子；

自由电子同时产生空穴；自由电子；容易）

4.某种半导体能否产生光电效应，决定于照射光的，而光的强

度只取决于产生的。（频率；光子数目的多少）

5.光敏电阻是用制成的，极性，是个电阻。使用时可

以加电压，亦可加电压。不同下电阻值不同，对不同的入射光有的灵敏度。（光导体；没有；纯；直流；

交流；材料；波长；不同）

6.将光敏电阻置于室温、条件下，经过一定稳定时间后，测得的

阻值称暗电阻；在条件下，测得的阻值称为。（无光照全暗；光照；亮电阻）

7.一定电压作用下，与的关系称为光敏电阻的光电特

性。因为它具有性，光敏电阻不宜做测量元件。（光适量；光通量；非线）

8.光敏电阻的频率特性中的频率是指。（光强度变化的频率）

§8—3 光电池

作业题

1.光电池是基于直接将转换成的一种有源器

件。（光生伏特效应；光能；电能）

2.硅光电池是在N型硅片上渗入形成一个 PN结附近激发出

光生电子、空穴对时，由PN结将光生电子、空穴对进行漂移，使

PN结两边半导体产生。（P型杂质；大面积；光照射PN结区；阻挡层；电动势）

3.硅光电池的光谱比硒大。它的光照度与短路电流的关系呈，光

照度与开路电压的关系有。使用硅光电池做测量变换元件时，最

好使其工作在。它在温度特性是指与随的特

性。（光波长；线性；饱和期；接近短路工作状态；短路电流；开路电压；温度变化）