电子信息材料物理 2-金属电子的输运过程
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
主要内容
•能带理论复习
•电子的费米分布布
•金属电子的输运过程
•逸出功与接触电势
1
金属电子的输运过程
电场作用下导带电子运动的一般规律 金属电导
金属电导和热导率的关系
影响金属电导的因素
P239-245
P239245
2
x q k 保持匀速增加,电子的本dt 分量x 保持匀速增,子的本
征能量E (k )的随之相应变化。
电子占据态的分布相对于k 空间
的原点不再是对称分布,电子体
系总动量不为零产生电流。
4
系总动量不为零,产生电流。
恒定电场下导带电子的运动---周期运动
电子在恒定电场中
的运动---周期布里
渊区表示
•恒定电场作用下,电子在k 空间匀速运动。(k 的变化为定值)•当电子运动到布里渊区边界k =π/a 时,由于k =−π/a 与k =π/a 相差2π/a ,他们实际上代表同一种状态,所以电子从k =π/a 移出去其实就是同时从k =−π/a 移进来。(不考虑能带跃迁)。•也就是说,电子在k 空间作周期运动。---布洛赫振荡。
•由v =ħ-1∂E/∂k ,电子速度
v 也随时间做振荡,表明电子在实空5
子度随间荡表明子在实间振荡。但实际很难观察到布洛赫振荡(原因在后面)。
外场下导带电子的运动---电子散射(碰撞)•电子在电场作用下加速---漂移。如无其它机制,电子将在k 空间&/qE k =以的速度无休止漂移,形成布洛赫振荡。无电阻。h /qE k =•电阻来源于晶体内一些非周期因素:
声射它是度
•晶格振动引起的声子对电子的散射,它是温度的函数。•晶格内缺陷和杂质对电子的无规律散射。
•其它
•导电电子在外场作用下的运动图像:一方面电场作用下电子加速,定向漂移运动;一方面电子受到无规散射,失去外场下的定向运动。
•定义两次散射之间的平均时间间隔叫作电子平均自由运动时间,用τ来表示。τ的典型值为10-13~-14s 。布洛赫振荡的周期为6
10-4s ,故实际很难观察到布洛赫振荡。
金属电子的输运过程
电场作用下导带电子运动的一般规律 金属电导
金属电导和热导率的关系
影响金属电导的因素
7
金属电导---自由电子气体的漂移速度理论物理基础:
I.电子在电场作用下定向漂移。II 电子由于碰撞失去定向运动II.电子由于碰撞失去定向运动。E=0E
E 0随机热运动外加电场下的漂移运动
外电场作用下电子在热运动之外获得额外的速度分量•外电场作用下,电子在热运动之外获得一额外的速度分量,同时碰撞几率增加。
•稳态时,所有碰撞间获得的动量,都会在碰撞时损失在晶格,故有:)0()(p p qE τ−=−τd
d mv mv =−=08•v d 称为漂移速度,为电子在电场和碰撞作用下的平均速度。
E 金属电导的能带图像
d
mv qE τ=−•如果没有碰撞,漂移速度v d 不断增加。
•-qE τ即为两次碰撞期间电子动量的改变量:
qE τ
k −=Δh q •电场作用下,在k 空间中费米面沿-E 方向不断漂移。碰撞机制(τ有限,10-14s )导致Δk ∼10-5k F 。电子占据状态变化仅发生在费米能级附近。
•远离费米面电子由于k 分布的对称性,
对电流无贡献对电流无贡献。
对金属电导有贡献的仅是费米能级附近电子。
•施加电场,电场方向上-k F 和+k F 附近电子
占据态发生改变(非平衡态);碰撞作用,
费米球复原回到平衡态(弛豫)因此10费米球复原,回到平衡态(弛豫)。因此
τ又称弛豫时间。
金属电子的输运过程
电场作用下导带电子运动的一般规律 金属电导
金属电导和热导率的关系
影响金属电导(阻)的因素
15
金属电子的输运过程
电场作用下导带电子运动的一般规律 金属电导
金属电导和热导率的关系
影响金属电导(阻)的因素
属
18
本征电阻ρl :晶格散射引起的电阻。温度越高,声子数越多,散射几率大,τl 越小,本征电阻越大。
缺陷杂质散射引起的电阻。一般不随温剩余电阻ρr :缺陷、杂质散射引起的电阻。一般不随温度改变,仅与杂质、缺陷密度有关。
r
l T ρρρ+=)(金属电阻率与温度
的关系曲线
21
本节知识应用举例
1. 高压输电线:2009,空载损耗1850亿千瓦(约占总发电量5%),价值600亿人民币
材料:钢芯铝绞线
问题:提高电导率←降低缺陷、杂质→但强度也降低
2. 集成电路互连导线:显著影响微电子器件速度
旧材料:Al
新材料:Cu
问题:制备、刻蚀等工艺问题;组织控制
3. 透明电极:智能手机、Ipad、智能电视、太阳能电池
掺墨烯
ITO,N掺杂TiO2和SnO,Ag纳米线,石墨烯?
23
作业
1.Cu的费米能E F=7.0eV,试求电子的费米速度v F?在273K 时铜的电阻率ρ=1.56×10−8Ω⋅m,求电子的平均自由时间τ和平均自由程λ?
2. 定义金属电阻率比为室温电阻率对剩余电阻率的比值,可用来近似表征个金属样品的纯度。试说明其原理。
用来近似表征一个金属样品的纯度。试说明其原理。
24