7寸CELL后段制程简介

偏光板贴付-2
• 以压力Roller贴付装置使面板和偏光 板/位相差板贴合
• 偏光板材料 • 面板显示
偏光板贴付-3
• 偏贴小组群策群力从过年到暑假 • 偏贴Table和Roller之间的平行度 • 贴附Roller押入量 • 贴付Roller压力 • 偏光板材料 • Tact time和带静电量的平衡点
液晶材料的评价步骤
A. 符合光学特性 : V10 , V90 , Viewing Angle Contrast Ratio
B. 高的电压保持率( VHR ) : 高阻值
C. 低的残留DC
D. 应答时间( Response Time ) : ON & OFF
E. 确认T-V Curve
F. 信赖性测试
Tso1
R
conveyor
CF
TFT
暂放
R
R 双手臂
R
R
R
ISD
CF
SPB
CF
CF
SDP
SDP
CF
ISM
SDP
36K
SDP
R
Flow
R
R
R R
USC(CF)
USC(TFT)
R
R
R
R
CPCDP3D6K
Tso2
CF Conveyor TFT
R
ISP/
CPD ISC
CPD NG品
Flow
R USS USC
• 面板外观贝壳状或破损 • 静电气相关的注意事项
表面洗净/BRUSH洗净-1
• 表面清洁和Brush清洁装置 • 洗剂/刮刀/研磨 • 纯水/毛刷/风刀 • 偏贴前PANEL的最终洗净
偏光片贴附
上下偏光片滤光角度差90度
偏光板贴附
目的：将偏光板贴附在玻璃表面上
偏光板贴付-1
• MEDEC • 难缠复杂的设备
大尺寸對應性 可
量產設備發展 良
維修與切換 良
綜合
可
Dispense Drop
Yarn Touch
&
Bond
易易
難
差
可可
良
良
可可
良
良
良可
良
良
良良
可
差
可良
難
差
可良
可
差
液晶注入-1
• ANELVA • 1-2-3个Chamber • 3个Chamber 排气室/脱泡室/注入室 • 卡匣In-line式注入创举
洗净 洗去残留于cell表面
之残留LC 再配向 使LC整齐的沿着配向膜
的方向排列
面板洗净/再配向处理
目的： 将TFT基板与CF基板间的残留液晶洗净 使液晶分子依照配向方向规则排列
CF基板 TFT基板
Panel洗净及ISO处理-1
• SPC(岛田理化)统计制程管理六槽 式的设计
• In-line式稼动 • 洗的乾乾净净
• 三星DAIMOND • Cluster和直线In-line • 切割裂片/切割裂片与搬送机构 • 经分断使液晶注入口露出 • 经分断凸显电极部 • 由多面取的基板分割出各个独立之面板 • 切割刀轮/刀轮速度/刀轮压力 • 裂片压力 • 不同的CF/不同的玻璃与框胶设计
面板切裂
目的：将组立后基板分割成所需尺寸的面板
Injection
抽真 空
高真 空
破真 空至 常壓
Injection type
Dip method
Yarn method
Touch method
Dispense method
Drop & Bond method
Injection type比较
Dip
技術難易度 易
液晶使用效率 差
防液晶污染性 差
液晶各物理性质的关系
n
n
1
Kij/K11
TN-I
1
Kij/K11
TN-I
X
X
PA/Rub angle
CF 45
6:00 E-mode / 12:00 O-mode
TFT CF
135 135
6:00 O-mode / 12:00 E-mode
TFT 45
T-V
1.2
p=30um
0.8
0.6
0.4
Cell Process II
PI塗佈
清洗基板
進料檢驗
CF 清 洗
分製程
TFT 清 洗
Cell 前制程
Cell 后制程
LC再配向 模組廠
1.8“
2.5＂
4“
6.1＂~6.8“
400mm
wenku.baidu.com
320mm
第1代面板:长400mm,宽320mm
13.3“~14.1＂
15“~17＂
19“
22“~32＂
720mm
TFT R
SPS
SPS
TSO/TSH
LIFTER
R
R
HPS36K
R
HPS
R
HPO
HPO
FLOW
R
R
HPS
AMO R
R AMO
TPI IMM R
NG品 IMP
FLOW
LIFTER R
R DBF
IMP MFS
NG品
R
ALM
CSL
R
SSC
R
R SSC
CSL
SSC
ALM
NG品
CSS
CSS CSS
FLOW
Large Lower VHR , Reliability will be decrease or mura
will be occur .
Lower n
Increase
Increase Viewing angle & Gray Level , Transmission Decrease
Lower Chiral Pitch Large Vth , Prevent Reverse Twist Domain
Viscosity Increase & Response Time Increase
Lower 1
Decrease Response Time
Large Kij/K11
Increase Gray Level , Decrease Response Time
Large TN-I
Wide Temperature range
• 不是大好就是大坏 • 一切都可以再补救
只除了最危险的Dip时间 • 设计的OEM • 注入未满/气泡/框胶剥离 • 注入口Gap/污染
液晶擠出擦拭
End-seal
封口膠塗佈
封口膠滲入
封口膠硬化
End-seal type
(1)接触式加压压合 (2)非接触式加压压合 (3)加热压合 (4)冷却压合
VCO*6
36K加一台
FLOW
LCI*12
36K
LCI*4
CRS PES*6
PES*2 CRS
FUV CRS PES*4
LCI*8
43K
PES
LCI
LCI LCI
PES
LCI
CCRRSS
CRS CRS
CRS
FLOW
WCO 3
CLO*
Drafter
VIS MCC
MCC
VIS
IPE
MCC
ICG
43K
80px3Cassette/Batch
液晶注入-2
• 利用毛细管现像及LCD面板内外之压 力差使液晶注入空面板中
液晶注入-3
• 排气速度/真空度/Dip时间与Leak开 始之Timing/Leak速度与LCD的Cell gap或显示均一性之微妙关系
• 1个或2个或4个注入口 • 污染
液晶注入-4
0.2
1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
1 1.2 1.4 1.6 1.8
2 2.2 2.4 2.6 2.8
3 3.2 3.4 3.6 3.8
4 4.2 4.4 4.6 4.8
5
p=84um
p=104um
Cr-viewing
0度
Cr-viewing
90度
Iso-Cr(Viewing cone)
3904F-B
Panel Inspection
檢查項目
(一)始業點檢 (二)配向檢查 (三)Roller Press (四)黑畫面檢查 (五)單色畫面檢查 (六)白畫面
檢出欠陷
檢查各條件是否正確,以避免誤判
ＬＣ內異物,ＣＦ黑埋,ＢＭ破裂,ＣＦ-ＢＭ 拔, 牛頓環, ＣＥＬＬ厚度ＭＵＲＡ, ＩＴ Ｏ刮傷, PI 刮傷. (1)上下 leak(點滅輝點) (2)D-Cs leak
Voltage
VHR : TFT-LCD的液晶为何需高电阻 ?
E
V V 0 RT
1012 cm VHR96% 1010 cm VHR68%
Time
R-DC: 因有内电压的存在 ,来源为面板内的Ion
PI Alignment Voltage
PI Alignment
Transmission(%)
600mm
面板范围
第3.5代面板:长720mm,宽610mm
切割&裂片
Scribe the CF Substrate
１４。１“
Break the CF Substrate
Scribe and Break the TFT Substrate
View Inspection
空面板分断: some points
Panel洗净及ISO处理-2
• 超声波加温纯水洗净注入口封止后 的面板/端子部/两基板间所沾附之 液晶材料或污染
• 混乱液晶分子排列或配向膜经ISO再 配向均匀化
Panel洗净及ISO处理-3
• 洗剂的选择 • 各槽设置时间,温度 • 洗净能力提高
Panel洗净及ISO处理-4
• 端子部残留液晶 • 浸泡过久对封止胶之恶劣影响 • ISO处理影响
及注入条件之影响
封止-4
• 封止流胶的困扰 • Cell Gap丢一旁的封止 • 注入口之框胶决定了注入口
Gap
液晶注入
目的：将液晶材料注入至空面板内
加压封止 目的： 液晶注入后面板先进行面板加压，使其获得均匀的 cell gap 值 将封止胶涂布在面板注入口外侧，并使其硬化，以防止液晶材料外漏
未灌满
Corner bubble
封止-1
• ANELVA • 卡匣In-line式作业 • 加压封止或封止
封止-2
• UV胶以Dispenser涂布及UV硬化将注 入口封止
• UV胶涂布量/UV照射时间 • 完美的隔绝
封止-3
• 注入口框胶断面之状况 • 注入口之框胶设计 • 注入口Gap与注入口封止胶吸入量
(1)線欠陷 (2)點欠陷 (3)LC 內異物 (4)微 小欠陷( ITO 及 CF 刮傷)
(1)CF 不均 (2)CF 破損 (3)CF 黑埋 (4)S-S Leak , P-P 橫向 Leak , 黑點 (5)面內異物 (1)Domain (光漏)
(七)Tune Ton 檢查 (八) )Tune Toff 檢查 (九) Tune Vcdc 檢查 (十) Leak 檢查 (十一) ID 修正、指壓點燈檢查 (十二) 外觀檢查 (十三)S-G(Cs) debug
84 < -20
13 2.5*10 0.086 1.5721 1.4862 4.95
Steepness
V10/V90
1.49
Pitch
（m）
76
Elastic Constant
K
改变液晶物理特性的影响
Lower Vth
Increase 1 increase , response time increase
UV胶 (紫外线胶)
紫外线
液晶注入示意图
液晶 液晶
2.封閉CHAMBER,
將注液入晶口3皿達1.上到破.抽昇液真面,使真空空
之下
利用大气压力及 毛细现象将液晶 灌入cell内
Injection
注入封口的目的是利用压力差与毛细力，将空cell填充满液晶，经再压合 后将多余液晶从panel中挤出，以UV胶将注入口封闭，再放松后将涂在封口 之UV吸入并曝光硬化，以达封口与外界隔绝之目的。
分断及磨边、导角
目的：将 shorting bar切除，并将玻璃边缘钝角化
分断
RG B
玻璃侧视图 磨边
玻璃上视图 导角
S/R面取-1
• 玻璃,切裂后的修饰
S/R面取-2
• 对面板Short-ring的磨边导角 • 砥石的管理 • 磨边/导角量的控制
S/R面取-3
• 模组的声音磨边导角端子部正反两 面要兼顾
T-V Curve : Vth & 灰阶的确认
100 90
50
10 0
Applied Voltage
液晶物理性质
Sample Data Sheet
Cleaning Point Specific Resistivity Optical Anisotropy
Dielectric Anisotropy
TNI（C） TSN（C） n ne no
MFA
VIS MCC
R WES
R
R WES
R
ISO
液晶评价项目
Cell段制程主要的控制项目
Pretilt Angle
--PI Curing Condition --Rubbing Condition --Annealing Condition
Cell Gap
--Spacer Condition --Hot Press Condition --Injection / End-seal Condition
偏光板贴付-4
• 无解的习题设备/材料/人 • 14.1“/15＂保持一定比例不良的偏
贴异物 • 犬足乎Gap乎
吸着Pad真空压力或面板结构先天不 良 • 偏贴气泡 • 静电气
加压脱泡-1
• 偏贴后的补救 • 偏光板的付着性提高 • 藉由压力/温度消泡 • 能力有限 0.5mm以下
TFT
conveyor CF
切割示意圖
裂片示意圖
配向组 (A unit) 投入工程
TFT一次切断面取
ち澄
吊
近
縤娩
縤娩 ホ
glass
glass ホ
面板切裂工程不良
1.裂伤 2.突出 3.破裂 4.碰伤 5.缺口(贝壳状) 6.刮伤 7.面板表面异物
磨边 磨去 Short Bar
Short Bar 保护 TFT基板免于 静电破坏的保护线路