B0530W肖特基二极管
肖特基二极管参数及特点
肖特基二极管参数及特点肖特基二极管肖特基（Schottky ）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基二极管参数：（1） VF 正向压降Forward Voltage Drop（2） VFM 最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop（3） VBR 反向击穿电压Breakdown Voltage（4） VRMs 能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage（5）VRRM峰值反复反向电压Peak RepeTITIve Reverse Voltage（6）VRsM Non-RepeTITIve Peak Reverse Voltage （halfwave，single phase，60 Hz）非反复反向峰值电压（半波，单相，60Hz ）（7） VRwM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage （8） Vpc 最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage （9） Trr 反向恢复时间Reverse Recovery Time（10） Ip（Av 正向电流Forward Current（11）IrsM 最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent（12） IR 反向电流Reverse Current（13） Ta 环境温度或自由空气温度Ambient Temperature（14） Tj 工作结温Operating Junction Temperature（15） TsTG 储存温度Storage Temperature Range（16） Tc 管子壳温Case Temperature肖特基二极管特点：1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
超低压差肖特基二极管
超低压差肖特基二极管
超低压差肖特基二极管（Super Low Voltage Schottky Diode）是一种特殊的肖特基二极管，其主要特点是在较低的工作电压下具有低的压降和快速的开关速度。
肖特基二极管是一种结构与普通二极管相似的二极管，但其PN结由金属（通常为铝）和半导体（通常为硅）组成，而不是两个不同的半导体材料组成。
这种结构使得肖特基二极管具有较低的正向压降和快速的开关特性。
超低压差肖特基二极管在普通肖特基二极管的基础上进一步降低了正向压降，使其能够在更低的工作电压下进行正向导通。
这对于一些对电源电压要求较低的应用非常有用，例如低功耗电子设备、电池供电设备等。
超低压差肖特基二极管还具有快速的开关速度，具有较低的反向恢复时间和导通延迟时间。
这使得它在高频应用和需要快速开关的电路中具有优势。
总之，超低压差肖特基二极管是一种在较低工作电压下具有低压降和快速开关速度的特殊肖特基二极管。
它在一些低功耗和高频应用中得到广泛应用。
常用肖特基二极管型号
常用肖特基二极管型号:常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。
特基二极管F5KQ100F5KQ100肖特基二极管30CPQ14030CPQ140肖特基二极管30CPQ10030CPQ100肖特基二极管30CPQ09030CPQ090肖特基二极管30CPQ06030CPQ060肖特基二极管30CPQ04530CPQ045肖特基二极管MBRS260T3GMBRS260T3G肖特基二极管MBRS130T3GMBRS130T3G肖特基二极管MBRS320T3GMBRS320T3G肖特基二极管MBRS340T3GMBRS340T3G肖特基二极管MBRS140T3GMBRS140T3G肖特基二极管MBRS240LT3MBRS240LT3肖特基二极管MBRS230LT3MBRS230LT3肖特基二极管MBRS2040LTMBRS2040LT肖特基二极管MBR20100MBR20100肖特基二极管MBR3045MBR3045肖特基二极管MBR2545MBR2545肖特基二极管MBR2045MBR2045肖特基二极管MBR1545MBR1545肖特基二极管MBR1045MBR1045肖特基二极管MBR745MBR745肖特基二极管MBR3100MBR3100肖特基二极管MBR360MBR360肖特基二极管DSC01232DSC01232肖特基二极管SB3040SB3040肖特基二极管IN5817IN5817肖特基二极管IN5819IN5819肖特基二极管IN5818IN5818肖特基二极管IN5822IN5822肖特基二极管HER107HER107肖特基二极管HER207HER207肖特基二极管HER307HER307肖特基二极管FR105FR105肖特基二极管FR2050。
国内常用肖特基二极管型号在集结
国内常用肖特基二极管型号在集结在电子元器件这个行业里面，会用到肖特基二极管的人很多，而且肖特基二极管本身的型号和封装也非常的多，所以下面由银联宝电子科技小编来为大家简单介绍一下，肖特基二极管常用的几种型号和封装。
一、肖特基二极管常用型号产品图肖特基二极管二、肖特基二极管型号大全TO-220AB:MBR20100CT、MBR10100CT、MBR2045CT、MBR1645CT、MBR30100CT、MBR10150CT、MBR3045CT、MBR20150CT、MBR1045CT。
ITO-220AB:MBR20100FCT、MBR10100FCT、MBR2045FCT、MBR1645FCT、MBR30100FCT、MBR10150FCT、MBR3045FCT、MBR20150FCT、MBR1045FCT。
TO-247:MBR4045PT、MBR30100PT、MBR40100PT、MBR60100PT、MBR40150PT、MBR30200。
TO-263:MBR30150DC、MBR3060DC、MBR3045DC、MBR20150DC、MBR2045DC、MBR20100DCSMA:SS12、SS14、SS15、SS16、SS120、SS22、SS24、SS26、SS32、SS34、SS36。
SMB: SS52、SS54、SS56、SS33、SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、M7、SB240-SR260、SR2100、SR3100、SR540-SR560、SR5100、1N4007、1N5819。
三、肖特基二极管的特性1．肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管的正向压降要低很多，而且肖特基二极管自身的功耗较小，效率高。
2．由于肖特基二极管的反向电荷恢复时间极短，所以适宜工作在高频状态下。
3．而且肖特基二极管能耐受高浪涌电流。
4．以前的肖特基二极管反向耐压一般在200V以下，但现在的技术可以做到高达1000V的产品，所以肖特基二极管的应用范围十分广阔。
常用肖特基二极管参数
常用肖特基二极管参数双击自动滚屏发布者：admin 发布时间：2007-2-1 阅读：3310次型号制造商封装If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0.6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9610BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0.6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57SS16 GS DO214 1.00 60 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.4530BQ015 IR SMC 3.00 15 0.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0.5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0.5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.57 6CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.58 6CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.81 1N5817 ON 轴向 1.00 20 0.75 1N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55 SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00 MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52 MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 20 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85 SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66 MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84 MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84 MBR745 IR TO220 7.50 45 0.84 80SQ040 IR 轴向8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 100 0.7280SQ040 IR 轴向8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53 HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向9.00 15 0.3190SQ040 轴向9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.00 45 0.57MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84 MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84 STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64 MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85 MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95 PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.7010TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.7340L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.4185CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32150K40A IR D08 150.00 400 1.3312CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73 MBR1545CT IR TO220 pr 15.00 45 0.72 MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.7516CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.7218TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60 HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00 MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.6319CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84 MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80 MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.4932CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.4930CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.86 30CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.00 40CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.77 40L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.5347CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.3448CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.5840L15CW IR TO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.3840CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.6840L45CW IR TO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.98 52CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73 STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.84 65PQ015 IR TO247 65.00 15 0.5072CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.51 85CNQ015 IR D61 80.00 15 0.3283CNQ100 IR D61 80.00 100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.3282CNQ030A IR D61 80.00 30 0.3782CNQ045A IR D61 80.00 45 0.4783CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52 125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33 122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95 182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41 200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54 200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54 200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48 STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91 203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83 440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41。
肖特基二极管讲解
肖特基二极管简介肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。
肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode.肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。
肖特基二极管怎么测量_万用表检测肖特基二极管的好坏
肖特基二极管怎么测量_万用表检测肖特基二极管的好坏肖特基二极管简介肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P 型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为BA。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从AB的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。
用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖。
肖特基二极管通用参数全套汇编
肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装If/A Vrrm/V最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 900.6510MQ100N IR SMA 0.77 1000.9610BQ015 IR SMB 1.00 150.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 300.3910BQ040 IR SMB 1.00 400.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 400.6010BQ060 IR SMB 1.00 600.57SS16 GS DO214 1.00 60 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.4530BQ015 IR SMC 3.00 15 0.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0.5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0.5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 400.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 600.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 1000.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.75 1N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.50 1N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 501.00MBR160 ON 轴向 1.00 601.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.55 11DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.58 11DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 400.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.85 1N5821 ON 轴向 3.00 30 0.38 1N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 601.00SS32 GS DO214 3.00 20 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66 MBR735 GS TO220 7.50 350.84MBR745 GS TO220 7.50 450.84MBR745 IR TO220 7.50 450.8480SQ040 IR 轴向8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 350.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 6001.7095SQ015 轴向9.00 15 0.3190SQ040 轴向9.00 40 0.48 10TQ045 TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 350.84MBR1045 ON TO220 10.00 450.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 600.85 <P style="TEXT-INDE。
肖特基二极管型号大全之ASEMI肖特基常见型号
肖特基⼆极管型号⼤全之ASEMI肖特基常见型号编辑-Z肖特基⼆极管最⼤的特点是正向压降VF⽐较⼩。
在相同电流的情况下，其正向压降要⼩得多。
此外，它的恢复时间很短。
它也有⼀些缺点：耐压⽐较低，漏电流稍⼤。
选择时必须充分考虑，肖特基⼆极管通常⽤于对电源的次级输出进⾏整流。
肖特基⼆极管型号⼤全之ASEMI肖特基有哪些常见型号呢？ASEMI肖特基⼆极管型号⼤全封装SMA:SS510、SS310、SS210、SS110、SK310A、SK210A、SK110A等。
封装TO-220：MBR2060AC、SBT40100VICT、MBR10100FCT、MBR10200FAC等。
封装TO-247：MBR60100PT、MBR60200PT、MBR40200PT、MBR30200PT等。
封装TO-263：SBT40100VDC、SBT30100VDC、MBR40100DC、MBR30100DC等。
肖特基⼆极管型号⼤全之肖特基⼆极管封装：分为引线式和表⾯贴装（贴⽚式）封装。
带引线封装的肖特基⼆极管通常⽤作⾼频⼤电流整流⼆极管、续流⼆极管或保护⼆极管。
它有两种封装形式：单管式和双管（双⼆极管）式。
常⽤的有引线式肖特基⼆极管、1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号，也称为插件封装。
肖特基⼆极管型号⼤全之肖特基的作⽤：作⽤还是整流，它的优点是正向电压降低，反向恢复时间快，所以整体损耗会⽐其他⼆极管低很多。
肖特基⼆极管型号⼤全之肖特基⼆极管特性：1、肖特基⼆极管的正向压降远低于快恢复⼆极管，因此⾃⾝功耗⼩，效率⾼。
2、由于反向充电恢复时间极短，适合在⾼频条件下⼯作。
3、能承受⾼浪涌电流。
4、以往肖特基管的反向耐压⼀般在200V以下，但现在最新技术可以做到产品⾼达1000V，市场应⽤前景⼗分⼴阔。
5、⽬前市⾯上常见的肖特基管的最⾼结温为100℃、125℃、150%、175℃（结温越⾼，产品的耐⾼温性能越好。
二三极管规格书
2SD1626 2SD2170 BCV26 BCV27 BCV46 BST50 BST51 M M B TA 1 3 LT 1 M M B TA 1 4 LT 1 M M B TA 6 3 LT 1 M M B TA 6 4 LT 1 M M B TA 9 2 M M B TA 4 2 MMBT4403 MMBT4401 M M B TA 5 5 M M B TA 5 6 MMBT9013
复合三极管
1MD3A 1MX1 1MX2 1MX3 1MX4 1MX5 1MX6 1MX7 1MX8 1MX6 1MZ1A UMX1N UMX2N Rn1502 UMG6 UMG8 Xn2501 Xn4300 Xn4401 Xn4501 Xn4601 ……
带电阻三极管
D TA 11 4 E K A D TA 11 4 T K A D TA 1 4 3 E K A D TA 1 4 3 T K A D TA 1 4 3 X K A D TA 1 4 4 E K A D TA 1 4 4 T K A D TA 1 4 4 K X A D T C 11 4 E K A D T C 11 4 T K A D T C 11 4 E K A OTC124EKA DTK124TKA OTK143EKA DTK143TKA DTK143XKA DTK144EKA DTK144TKA DTK144XKA D TA 1 2 4 E K A D TA 1 2 4 T K A D TA 1 2 4 X K A D T B 11 4 E K A OTB123YKA O T D 11 4 E K A DTD123TKA DTD143TKA ……
PHILIPS
B B… B C V… B F… P M B T… B Z X 8 4… B A T… 系 列
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管（Schottky Diode）是一种由半导体材料制成的二极管，其具有较快的开关速度、低的开关功耗和较小的反向恢复时间等优点。
在电子设备和电路中广泛使用，特别是在高频应用、功率电子和数字和模拟电路中。
下面是一些常用的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
1.1N5817-正向电压降：0.45V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：15ns2.BAT41-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：150nA-耐反向电压：30V- 反向恢复时间：4ns3.BAT85-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：200mA -反向漏电流：150nA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：4ns4.SB540-正向电压降：0.55V-最大正向连续电流：5A-反向漏电流：200uA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：25ns5.MBR2045CT-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：35ns-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：100V- 反向恢复时间：40ns7.11DQ06-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：60V- 反向恢复时间：20ns-正向电压降：0.52V-最大正向连续电流：16A-反向漏电流：50uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：16ns9. TPSMBxxA-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：600mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：5-180V（不同型号可选）- 反向恢复时间：5-50ns（不同型号可选）10.LMBS82-正向电压降：0.32V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：4ns以上是一些常见的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
很全的肖特基二极管知识,学习了!
很全的肖特基二极管知识，学习了！肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。
肖特基二极管原理及结构和其他的二极管比起来，肖特基二极管有什么特别的呢？SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。
用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，N 型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题(Qrr→0)，使开关特性获得时显改善。
其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。
但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。
因此适宜在低压、大电流情况下工作。
利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。
肖特基二极管的封装肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。
它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。
肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。
B0540W肖特基二极管
3.86(0.152) 3.56(0.145)
2.84(0.112) 2.54(0.100)
3.9(0.154) 3.7(0.146)
2.7(0.106) 2.6(0.102)
MECHANICAL DATA
.71(0.028) .50(0.020) .15(.006) MAX 1.35(.053) .94(.037) .135(.005) .127(.004) 0.6(.023) 0.5(.020) 1.15(.045) 1.05(.041)
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.25(.010) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Marking: B0520LW:SD, B0530W:SE, B0540W:SF
Dimensions in millimeters and (inches)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @TA=25C PARAMETER Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC Blocking voltage RMS Reverse voltage Average rectified output current Peak forward surge current Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Storage temperature Voltage rate of change Electrical ratings @TA=25C PARAMETER Minimum reverse breakdomn voltage
超低电容 肖特基二极管
超低电容肖特基二极管
超低电容肖特基二极管是一种特殊设计的肖特基二极管，其主要特点是具有非常低的电容。
肖特基二极管是一种特殊的二极管，由金属-半导体接触组成，具有快速开关速度和低反向漏电流的优点。
超低电容肖特基二极管通常采用微细工艺制造，通过优化金属-半导体接触结构和材料，以减小电容。
电容较低的肖特基二极管可以在高频电路中使用，能够提供更快的开关速度和更小的信号延迟。
超低电容肖特基二极管在高频放大器、射频收发器、微波通信和高速数字电路等领域有广泛应用。
它们可以用于提高电路的开关速度和信号传输速率，同时减小功耗和噪声干扰。
超低电容肖特基二极管具有低电容、快速开关速度和低反向漏电流等优点，适用于高频和高速电路中，能够提高电路性能和信号传输速率。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管是一种具有特殊结构的二极管，具有快速开关速度、低反向电流和低电压丢失的特点，广泛应用于电源管理、开关电源、高频电路、自增放大器、矩阵存储等领域。
下面是一些常见的肖特基二极管型号及其参数。
1.1N5711：1N5711是一种常用的肖特基二极管型号，其最大正向电流为15mA，最大反向电流为2uA，最大反向电压为70V。
2.BAT54：BAT54是一种超小型、超低电压丢失的肖特基二极管，其最大正向电流为600mA，最大反向电流为5uA，最大反向电压为30V。
该型号适用于电源管理、无线通信、自增放大器等应用领域。
3.BAS70：BAS70是一种超小型、超低电压丢失、低反向电流的肖特基二极管，其最大正向电流为70mA，最大反向电流为50nA，最大反向电压为70V。
该型号适用于电源管理、高频电路、模拟开关等领域。
4.1N5819：1N5819是一种经典的肖特基二极管型号，其最大正向电流为1A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、充电器、汽车电路等应用领域。
5.SB520：SB520是一种超速肖特基二极管，其最大正向电流为5A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为20V。
该型号适用于变换器、电源管理、DC/DC转换器等高功率应用领域。
6.SR240：SR240是一种高速肖特基二极管，其最大正向电流为2A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、电机驱动、变换器等高速开关应用领域。
以上只是常见的一些肖特基二极管型号及其参数，不同型号的肖特基二极管在正向电流、反向电流和反向电压等参数上存在差异。
在实际选择时，需要根据具体应用场景和要求来选择合适的肖特基二极管型号。
低压降肖特基二极管规格型号
低压降肖特基二极管规格型号
低压降肖特基二极管是一种具有低正向压降的肖特基二极管，主
要应用于高频电路、功率放大器、DC/DC转换器、线性稳压器和开关电源等领域。
下面将介绍几种常见的低压降肖特基二极管的规格型号。
1. B130LAF-13-F
该型号的低压降肖特基二极管具有极低的正向压降和极短的恢复
时间，适用于高频电路和功率放大器等应用。
其最大正向电压为30V，最大平均整流电流为1A，最大反向电流为10uA，且具有极好的ESD性能。
2. BAT54S-7-F
该型号的低压降肖特基二极管是一种超小尺寸的SOT-23封装器件，适用于需要高可靠性和紧凑空间的电路。
其最大正向电压为30V，最大连续工作电流为0.2A，反向电流为5uA，具有极好的迅速开关功能。
3. SS14-E3/5AT
该型号的低压降肖特基二极管是一种超快速开关二极管，适用于开关电源和DC/DC转换器等高速电路。
其最大正向电压为40V，最大平均整流电流为1A，最大反向电流为5uA，具有极短的恢复时间和低正向压降。
4. MBR745-E3/45
该型号的低压降肖特基二极管是一种高可靠性的工业级快速整流二极管，适用于高温环境下的电子设备。
其最大正向电压为45V，最大平均整流电流为7.5A，最大反向电流为5uA，具有极好的低温漂移和ESD性能。
总之，低压降肖特基二极管是一种性能优异的半导体器件，其规格型号多种多样，可根据不同应用场景选择合适的型号。
未来，随着科技的不断进步和市场的不断拓展，低压降肖特基二极管将会有更广泛的应用领域和更多的发展空间。
肖特基二极管 超低 电流
肖特基二极管超低电流下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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0.8
0.6
1.0
0.4
0.1
0.2
B0530W B0520LW
0 0
0.01 25 50 75 100 125 150 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
TL,LEAD TEMPERATURE( C)
VF INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE.(V)
FIG. 3-TYP. JUNCTION CAPACITANCE VS REVERSE VOLTAGE
1000
CJ, CAPACITANCE (pF)
100
10
1.0 0 5 10 15 20
VR REVERSE VOLTAGE.(V)
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
|样品申请单模板
Dimensions in millimeters and (inches)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @TA=25C PARAMETER Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC Blocking voltage RMS Reverse voltage Average rectified output current Peak forward surge current Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Storage temperature Voltage rate of change Electrical ratings @TA=25C PARAMETER Minimum reverse breakdomn voltage
.25(.010) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Marking: B0520LW:SD, B0530W:SE, B0540W:SF
1.0
FIG. 2-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
IF,INSTANTANEOUS FWD CURRENT(A)
IO.AVERAGE RECTIFIED CURRENT(A)
10 Tj=25 C Pluse width=300us 2% duty cycles B0540W
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3.86(0.152) 3.56(0.145)
2.84(0.112) 2.54(0.100)
3.9(0.154) 3.7(0.146)
2.7(0.106) 2.6(0.102)
MECHANICAL DATA
.71(0.028) .50(0.020) .15(.006) MAX 1.35(.053) .94(.037) .135(.005) .127(.004) 0.6(.023) 0.5(.020) 1.15(.045) 1.05(.041)
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
www.ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES B0520LW/B0530W/B0540W
FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CVRVE
SYMBOLS B0520LW B0530W SYMBOLS
B0520LW 20 14
B0530W 30 21 500 5.5 410 244 -65 to +150 1000
B0540W 40 28
UNITS VOLTS V mA A mW C/W C V/uS
VRRM VRWM VR VR(RMS) IO IFSM Pd RΘJA TSTG dv/dt
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B0520LW/B0530W/B0540W
SCHOTTKY DIODE
SOD-123
1.80(.071) 1.40(.055) 1.65(.065) 1.55(.061)
FEATURES
Low forward voltage drop Guard ring construction for transient protection High conductance Also available in lead free version
B0540W
Unit V V V V V V
20 VBR 30 40 0.34 0.43 75 20 250 130 20 170 4 10 0.375 0.430
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals Reverse recovery time
VF1 VF2 VF3 IR1 IR2 IR3 IR4 IR5 CT trr
0.510 0.62
uA uA uA uA uA pF ns
Conditions IR=250uA IR=130uA IR=20uA IF=0.1A IF=0.5A IF=1.0A VR=10V VR=15V VR=20V VR=30V VR=40V VR=1V,f=1.0MHz IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100