模拟电子第一章练习题

说明：以下是整理出来的第一章的一些练习题，部分习题已有答案，答案仅供同学们参考，对答案有疑问的，欢迎同学们提出。对于没提供答案的习题，请同学们根据所学内容进行解答。另外，教材中的书后习题，同学们也要认真做一做，答案可以参考教学指导书。

一．填空题

1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。

2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。

3. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生

的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。

4. 半导体中有自由电子和空穴两种载流子。本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度，杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。

5．温度升高，本征载流子浓度增加；杂质半导体中少子浓度增加，多子浓度基本不变。

6.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的

半导体中加入微量的杂质。

7.N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

8.P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

9.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的

扩散运动和少数载流子的漂移运动。

10.PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

11. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通；反向截止；

反向击穿）。

12. 三极管工作在放大状态时，发射结应正向偏置，集电结应反向偏置。

若工作在饱和状态时，发射结应正向偏置，集电结应正向偏置。若工作在截止状态时，发射结应反向偏置，集电结应反向偏置。

13. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝0.98 ；若α＝0.99，则β＝99 。

14.BJT所代表的电气元件是双极结型三极管。

15.三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。

16. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小；另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。

17.根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和金属－氧化物－半导体场效应管两类。

18. MOSFET所代表的电气元件是金属－氧化物－半导体场效应管。

19. 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。

20. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，

从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

21. 半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于电压控制器件

二．选择题

1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压U AB应为（ B ）。

A、U AB＝－12V

B、U AB＝－6V

C、U AB＝＋6V

D、U AB＝＋12V

2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（ C ）。

A、I＝2mA

B、I＝0mA

C、I＝1.5mA

D、I＝－1.5mA

3．硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）。

A、0.6V；0.6V

B、0.6V；0.1V

C、0.1V；0.6V

D、0.1V；0.1V

4．在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）。

A、温度

B、掺杂元素

C、掺杂浓度

D、掺杂工艺

5．N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。

A、自由电子

B、空穴

C、硼元素

D、磷元素

6.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（c），而少数载流子的浓度则与（a）有很大关系。

A．温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

7.当PN结外加正向电压时，扩散电流（a）漂移电流，耗尽层（e），当PN结外加反向电压时，扩散电流（b）漂移电流，耗尽层（d）。

A.大于

B.小于

C.等于

D.变宽

E.变窄

F.不变

8.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。

A、放大状态

B、饱和状态

C、截止状态

D、倒置状态

9.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（d）。

A.处于放大区域

B.处于饱和区域

C.处于截止区域

D.已损坏

10. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（ A ）。

A、NPN硅管

B、NPN锗管

C、PNP硅管

D、PNP锗管

11. 测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为U C＝12V，U B＝1.8V和U E＝0V，则该管是处于（ D ）。

A、放大状态

B、饱和状态

C、截止状态

D、已损坏

12. 场效应管本质上是一个（ C ）。

A、电流控制电流源器件

B、电流控制电压源器件

C、电压控制电流源器件

D、电压控制电压源器件

13．某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（A ）。

A、P沟道增强型MOSFET

B、P沟道JFET