3D NAND Flash技术及厂商介绍
FLASH的结构和种类以及主要供应商
FLASH的结构和种类什么是FLASH MEMORY？闪存是一种长寿命的非易失性的存储器，特点是断电后数据不回丢失，数据删除不是以单个字节为单位而是以块为单位。
FLASH的内部架构闪存的存储单元为三端器件，与场效应管具有同样的名字：源极、漏极和栅极，源极与漏极之间的断通是收控于栅极，只不过的是FLASH是采用双栅极结构，增加了一个浮置栅极，如图：浮置栅极中有无电荷决定了晶体管断通状态，如图：A、当有电荷时，源极和漏极导通，此时的数据为OB、当无电荷时，源极和漏极不导通，此时的数据为1可以这样理解：写入数据时，则将1变成O，删除数据时，则将0变为1。
FLASH的种类分NAND和NOR FLASH,其区别在：1、因为FLASH的存储单元类似CMOS，输入与输出的关系正好符合“与非”关系，所以叫NAND型FLASH，NOR型就是符合“或非”关系。
2、NAND型FLASH是将各存储单元串联，而NOR型则为并联结构。
NOR型FLASH的特点：1、有独立的地址线和数据线，可以快速读取数据，在速度上较NAND快。
2、NOR型FLASH的储存单元为BIT（位）导致容量不大。
另外一个特点就是程序可以在FLASH内运行。
以存储程序代码为主，主要市场为手机。
NAND型FLASH的特点：1、地址线和数据线是公用的I/O线，在读取速度上比NOR慢。
2、存储单元是页（PAGE）跟硬盘的扇区一样，每一个页的有效容量是512字节的倍数，所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际还得加上16字节的校验信息，因此在技术资料上看到1PAGE=（512+16）BYTE，大容量的FLASH，校验信息更大，如64字节等。
3、NAND型FLASH是以块（BLOCK）为单位进行擦除操作的，一般每个块有32个521字节的页，容量为16KB，而大容量的采用2KB的页，每个块的有64个页，容量为128KB，还有一些块是128页的呢，容量为256KB如图：4、NAND FLASH的I/O口为8条，每条数据线每次传输（512+16）BIT的信息，8条则为（512+16）*8，也相当于512字节。
NAND FLASH 各厂家容量区分
料号厂商容量打点丝印BF16G32YH0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2BTR-BC BF27UBG5H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5ATR-BC BF27UCG5H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8VFATR-BC BF64G26YH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8T2MYR-BC BFBG8T25H0F Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2BTR-BC BFBG8T25X02Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BFBG8U55H0F Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5MTR-BC BFCG8V5MH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8V5MTR-BC BK27UBG9H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2MYR-BC BK27UCG9H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8UDMYR-BC BK27UDG5H0B Hynix 16GB 红H27UDG8VEMYR-BC BKAG8T25H0F Hynix 2GB 白H27UAG8T2MTR-BC BKBG8T25H1B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BF16G32YH0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2BTR-BC BF27UBG5H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5ATR-BC BF27UCG5H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8VFATR-BC BF64G26YH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8T2MYR-BC BFBG8T25H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2BTR-BC BFBG8T25X02Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BFBG8U55H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5MTR-BC BFCG8V5MH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8V5MTR-BC BK27UBG9H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2MYR-BC BK27UCG9H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8UDMYR-BC BK27UDG5H0B Hynix 16GB 红H27UDG8VEMYR-BC BKAG8T25H0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2MTR-BC BKBG8T25H1B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BNAG8T25H0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2ATR-BC BNBG8T25H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2AYR-BC BF32G08520B INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAME1BF32G08DX02INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAMDB BF64G085202INTEL 8GB 黄JS29F64G08AAME1BF9F64G5X02INTEL 8GB 黄JS29F64G08CAMDB BFJS29F5202INTEL 2GB 白JS29F16B08CAME1BF16B08520F INTEL 2GB 白JS29F16B08JAMDB BF32G085202INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAME1BF32G08DX02INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAMDB BF64G085202INTEL 8GB 黄JS29F64G08AAME1BF9F64G5X02INTEL 8GB 黄JS29F64G08CAMDB BFJS29F5202INTEL 2GB 白JS29F16B08CAME1BF16G085M0B Micron 2GB 白MT29F16G08MAAWP BF32G083M02Micron 4GB 蓝MT29F32G08CBACAWP BF64G089M0B Micron 8GB 黄MT29F64G08CECBBH1BF64G089X0F Micron 8GB 黄MT29F64G08EBAAAB74A3WC1BK32G085M0B Micron 4GB 蓝MT29F32G08QAA BK64G085M0BMicron8GB黄MT29F64G08TAAK9G BG 08U0AFlash容量&丝印一览表备注MT 29F 16G 08MAAWPJS 29F 32G 08AAMDB标识点6.7.8位为容量换算，换算方法为：32Gb/8=4GB 16Gb=2GB 68Gb=8GB标识点4.5位为容量换算，换算方法为：BG (32Gb ）/8=4GB K9指厂商：三星标识点6.7.8位为容量换算，换算方法为：16Gb/8=2GB MT 指厂商：镁光80:8M 1G:1G 2G:2G 4G:4G 8G:8G AG:16G BG:32G CG:64G ZG:48G DG:128G EG:256G GG:384G HG:512G LG:24G NG:96GBN128G8YM02Micron16GB红MT29F128G08CFAAAWP BN32G085M0B Micron4GB蓝MT29F32G08CBAAAWC BN32G085M1B Micron4GB蓝MT29F32G08CBABAWP BN32G085M2B Micron4GB蓝MT29F32G08CBACAWP BN64G085M0B Micron8GB黄MT29F64G08CFAAAWC BN64G085M12Micron8GB黄MT29F64G08CBAAAWP BN64G085M1B Micron8GB黄MT29F64G08CBAAAWP BN64G08YM0B Micron8GB黄MT29F64G08CEAAAC5 BF0GD8U5S02samsung8GB黄K9ACGD8U0MBF1G08U5S0B samsung128MB无点K9F1G08U0CBF1G08U5S0F samsung128MB无点K9F1G08U0CBF4G08U9S0F samsung512MB无点K9F4G08U0BBF8G08UDS0B samsung1GB绿K9K8G08U1DBFAG08UDS0B samsung2GB白K9FAG08U0MBFBG08U5S0B samsung4GB蓝K9GBG08U0ABFBG08U9S02samsung4GB蓝K9ABG08U0ABFG08U05X1B samsung2GB白K9GAG08U0EBFG08U05X1F samsung2GB白K9GAG08U0DBFK9ABG5S0B samsung4GB蓝K9ABGD8U0BBFK9BCGYS02samsung8GB黄K9BCG08U1ABKBG08U9S0B samsung4GB蓝K9ABG08U0ABKCG08U9S0F samsung8GB黄K9BCG08U1ABKDG08U9S0B samsung16GB红K9CDG08U5ABN04G085S0F samsung512MB无点K9F4G08U0ABNAG08UDS0B samsung2GB白K9GAG08U0MBNF2G085S0B samsung256MB无点K9F2G08U0BBNF8G085S0B samsung1GB绿K9F8G08U0M BNG4G085S0B samsung512MB无点K9G4G08U0B BNK8G08DS0B samsung1GB绿K9K8G08U0B BNKAG085S0B samsung2GB白K9KAG08U0M BF1G08U5S0B samsung128MB无点K9F1G08U0C BF4G08U9S0F samsung512MB无点K9F4G08U0B BF8G08UDS0B samsung1GB绿K9K8G08U1D BFAG08UDS0B samsung2GB白K9FAG08U0M BFBG08U5S0B samsung4GB蓝K9GBG08U0A BFBG08U9S02samsung4GB蓝K9ABG08U0A BFG08U05X1B samsung2GB白K9GAG08U0E BFG08U05X1F samsung2GB白K9GAG08U0D BFK9ABG5S02samsung4GB蓝K9ABGD8U0B BFK9BCGYS02samsung8GB黄K9BCG08U1A BKBG08U9S0B samsung4GB蓝K9ABG08U0A BKCG08U9S0B samsung8GB黄K9BCG08U1A BKDG08U9S0F samsung16GB红K9CDG08U5A BN04G085S0F samsung512MB无点K9F4G08U0A BN0K9GB5X0B samsung4GB蓝K9GBG08U0A BN0K9GB5X0B samsung4GB蓝K9GBG08U0AH27U BG8T2BTR-BC标识点5.6位为容量换算，换算方法为：BG（32Gb）/8=4GBH指厂商：海力士1G=128MB2G=256MB4G=512MB8G=1GBAG（16G）=2GBBG（32G）=4GBCG（64G）=8GBDG（128G）=16GBEG（256G）=32GBGG（384G）=48GBHG（512G）=64GBLG（24G）=3GBNG（96G）=12GBZG（48G）=6GB64:64Mb 12:128Mb25:256Mb 51:512Mb 1G:1G2G:2G 4G:4G 8G:8GAG:16G BG:32G CG:64GDG:128G EG:256G容量换算信息：。
3d nand flash工作原理
3d nand flash工作原理
3D NAND Flash是一种新一代的非易失性存储器技术，与传统的2D NAND Flash相比具有更高的存储密度和更好的性能。
其工作原理如下：
1. 构建多层结构：3D NAND Flash使用垂直堆叠的方式构建多层单元结构，每个层级中都有多个存储单元（通常为垂直纵横交错的字符串）。
2. 单元结构：每个存储单元由一个通道选择晶体管和一部分储存多个比特的存储单元组成。
通道选择晶体管用于控制读取和写入特定的存储单元。
3. 存储位写入：通过施加电压来控制存储单元中的内部浮动栅极，以改变储存位的状态。
电子通过隧道效应从储存栅极移动到通道中的浮动栅极，从而改变储存位的电荷状态。
4. 存储位读取：读取操作时，通过给定的存储位施加一定电压，并测量存储位的电流来判断其是否为"1"或"0"。
如果电流高于
预定阈值，则表示该位为"1"，如果低于阈值，则表示该位为"0"。
5. 擦除操作：与写入位操作相反，擦除操作将储存位的状态恢复为初始状态。
这是通过施加更高的电压来清除存储单元中的电荷来实现的。
总的来说，3D NAND Flash通过多层堆叠的结构和垂直交错存
储单元的方法，实现了更高的存储密度和更好的性能。
其工作原理是基于对存储位的电荷状态进行写入、读取和擦除操作，通过读取电流来判断存储位的状态。
a股上巿公司中拥有3d芯片堆叠技术的公司与个股
近年来，随着科技行业的迅速发展，3D芯片堆叠技术成为了一种备受关注的领先技术。
在A股上市公司中，拥有3D芯片堆叠技术的公司及相关个股备受投资者关注。
本文将从多个角度对这一主题展开探讨，包括该技术的发展背景、目前市场情况、公司及个股情况等方面进行分析，以期为投资者提供更深入的了解和参考。
一、3D芯片堆叠技术的发展背景3D芯片堆叠技术是指将多层元件直接垂直堆叠在一起，以实现更高性能和更低功耗的技术。
随着芯片尺寸的不断减小和性能要求的不断提高，传统的平面芯片已经难以满足需求，因此3D芯片堆叠技术应运而生。
这种技术可以在同一面积内集成更多的功能单元，并且可以实现更短的信号传输路径，从而提高芯片的性能和功耗比。
二、3D芯片堆叠技术市场情况1. 技术需求：在移动通信、人工智能、汽车电子等领域，对芯片性能和功耗的需求越来越高，进而推动了3D芯片堆叠技术的广泛应用。
2. 市场规模：据市场调研机构统计，全球3D芯片堆叠技术市场规模将在未来几年内保持较快增长，预计将达到数百亿美元。
3. 行业竞争：目前，主要的3D芯片堆叠技术提供商集中在美国、日本和韩国等国家，国内企业在这一领域的研发投入和市场份额相对较低。
三、A股上市公司中拥有3D芯片堆叠技术的公司情况作为A股上市公司中少数具备3D芯片堆叠技术的企业，其在技术研发、市场竞争和未来发展等方面备受关注。
以下是目前A股市场中部分具备该技术的公司的概况：1. 公司A：作为国内领先的芯片设计和制造企业，公司A在3D芯片堆叠技术方面取得了一系列的技术突破和专利成果。
公司A致力于在移动通信领域推动3D芯片堆叠技术的应用，并取得了一定的市场份额。
2. 公司B：公司B是一家专注于人工智能芯片研发和生产的企业，其3D芯片堆叠技术在人工智能、云计算等领域具有较大的应用潜力。
公司B通过不断创新和技术攻关，积极拓展新的市场领域，具有较大的发展空间。
3. 公司C：作为一家新兴的半导体公司，公司C在3D芯片堆叠技术方面拥有独特的创新技术和产品应用。
nand_flash读写工作原理_概述说明
nand flash读写工作原理概述说明1. 引言1.1 概述NAND Flash是一种非常常见和重要的存储设备，被广泛应用于各种电子产品中。
它的独特设计使得它成为一种高性能、低功耗、擦写可靠且具有较大容量的存储器解决方案。
由于其许多优点，NAND Flash在移动设备、个人电脑、服务器以及其他许多领域都有着广泛的应用。
1.2 文章结构本文将详细介绍NAND Flash的读写工作原理，并探讨其在存储领域中的优势与应用场景。
首先，我们将简要介绍NAND Flash的基本概念和特点，包括其结构和组成部分。
然后，我们将重点讲解NAND Flash进行读操作和写操作时所涉及的工作原理和步骤。
通过对这些原理的详细阐述，读者将能够全面了解NAND Flash如何实现数据的读取和写入。
除此之外，我们还将探讨NAND Flash相对于其他存储设备的优势，并介绍几个典型应用场景。
这些优势包括快速读写速度、低功耗、体积小且轻便、强大的耐久性以及较大的存储容量。
在应用场景方面，我们将重点介绍NAND Flash 在移动设备领域、物联网和服务器等各个行业中的广泛应用。
最后，我们将进行本文的小结，并对NAND Flash未来的发展进行展望。
通过全面了解NAND Flash的工作原理和优势，读者将能够更好地理解其在现代科技领域中的重要性，并对其未来发展趋势有一个清晰的认识。
1.3 目的本文的目的是通过对NAND Flash读写工作原理进行详细说明，使读者能够全面了解NAND Flash是如何实现数据读写操作的。
此外，我们还旨在向读者展示NAND Flash在存储领域中所具有的优势和广泛应用场景，使其意识到这一存储设备在现代科技产业中所扮演的重要角色。
希望通过本文，读者能够加深对NAND Flash技术的理解，并为相关领域或产品的研发与设计提供参考依据。
2. NAND Flash读写工作原理：2.1 NAND Flash简介：NAND Flash是一种非易失性存储器，采用了电子闪存技术。
nandflash容错机制
nandflash容错机制NAND Flash容错机制引言随着信息存储技术的不断发展，NAND Flash作为一种重要的非易失性存储介质，在各类电子设备中得到了广泛应用。
然而，由于NAND Flash本身的特性以及外部环境的因素，其在使用过程中可能会出现各种错误。
为了保证数据的可靠性和存储系统的稳定性，NAND Flash厂商采用了多种容错机制。
一、位错误容错NAND Flash存储单元中的位错误是指在数据读取或写入过程中，由于介质老化、电压干扰等原因导致存储单元的电荷状态发生变化，进而导致数据出错。
为了解决这个问题，NAND Flash采用了位错误容错机制。
1. ECC（Error Correction Code）ECC是一种常用的位错误容错技术。
在数据写入时，NAND Flash会使用ECC算法对数据进行编码，并将编码后的冗余信息存储在芯片内部的ECC区域。
在数据读取时，NAND Flash会使用同样的ECC算法对数据进行解码，通过比对编码后的冗余信息和读取到的数据，可以判断出是否发生了位错误，并且可以纠正部分位错误。
2. BCH（Bose-Chaudhuri-Hocquenghem）码BCH码是一种更加强大的位错误容错技术。
相比于ECC，BCH码可以纠正更多的位错误。
NAND Flash中采用的BCH码通常是通过硬件实现的，其纠错能力可以根据需要进行调整。
二、块错误容错除了位错误之外，NAND Flash还可能出现块错误。
块错误是指在NAND Flash芯片中，某个或某些块中的存储单元出现故障，导致无法正常读取或写入数据。
为了应对块错误，NAND Flash采用了块错误容错机制。
1. 坏块管理NAND Flash芯片中的每个块都有一个唯一的标识符，用于标记该块是否为坏块。
在出厂时，NAND Flash厂商会对芯片进行坏块检测和标记，将检测出的坏块在芯片内部的坏块表中进行登记。
在后续使用过程中，NAND Flash会将坏块从可用块池中排除，并通过其他块替代坏块的功能。
存储芯片三巨头
存储芯片三巨头存储芯片产业是信息社会中不可或缺的一环，它直接影响着计算机、手机、智能家居等产品的性能和运行速度。
在全球存储芯片市场中，几家行业巨头占据着主导地位，它们分别是三星电子、美光科技和SK海力士。
本文将介绍这三家公司的背景和业务情况。
首先，三星电子是全球领先的集成电路制造商之一，成立于1969年。
它总部位于韩国首尔，并在全球范围内设有分支机构和研发中心。
三星电子在存储芯片领域处于领先地位，旗下拥有世界上最大的NAND闪存生产线。
该公司还涉足DRAM芯片和SSD（固态硬盘）领域，这使得其成为综合实力最强的存储芯片生产商之一。
同时，三星电子还拥有领先的技术研发能力，不断推出新一代的存储芯片产品，提高性能和降低成本。
由于其领先地位和强大的技术实力，三星电子在全球存储芯片市场占有很大份额。
其次，美光科技是美国一家知名的集成电路制造商，成立于1978年，总部位于加利福尼亚州。
美光科技是全球领先的DRAM芯片和闪存产品制造商之一。
该公司拥有先进的制造工艺和技术实力，能够生产高性能、高质量的存储芯片产品。
此外，美光科技还在新一代存储技术的研发上取得了重要突破，如3D NAND闪存和XPoint存储技术，这些技术将推动存储芯片行业的发展。
美光科技积极投资研发，并与其他公司合作，共同推动存储芯片技术的进步。
最后，SK海力士是韩国第二大半导体公司，成立于1983年。
该公司是全球最大的DRAM制造商之一，也是2D和3D NAND闪存领域的一家重要参与者。
SK海力士致力于提供高品质、高性能的存储芯片产品，并不断创新和研发，推动存储芯片技术的发展。
目前，SK海力士积极推进3D NAND技术的发展，这一技术可以提高存储芯片的容量和性能。
此外，该公司还积极开展与其他公司的合作，拓展市场份额并加强技术竞争力。
综上所述，三星电子、美光科技和SK海力士是全球存储芯片市场的三巨头。
它们在制造工艺、技术实力和产品品质方面都有一定优势，竞争激烈。
Intel3DNAND技术揭秘_
S olutions&Tips技术应用88Intel 3D NAND技术揭秘现在每一个闪存厂家都在向3D N A N D技术发展，3D NAND的好处不言而喻，它能够提供比现有2D闪存更大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。
另外还有一个重要特性，就是（每单位容量）成本将会比现有技术更低，而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元来增加容量密度，可靠性和性能会更好。
Intel在现在2D NAND时代是没有做TLC闪存的，但是在即将到来的3D NAND时代，Intel将推出自己的TLC闪存。
这里需要提及的是，TLC与MLC其实都是同一块芯片，这点和现在三星的3D NAND差不多，Intel的客户可以根据自己的需求选择闪存是工作在MLC模式还是TLC模式。
在MLC模式下每Die 容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。
从目前透露的消息来看，Intel 3D NAND会使用32层堆叠，电荷存储量和当年的50nm节点产品相当，第二第三代产品依然会保持这样的电荷量，以保证产品的可靠性，Intel并没有明确说明3D NAND到底是使用那种工艺，只表明将要采用的是50nm到34nm之间的工艺。
其中，L06B是MLC产品的代号，采用ONFI 4.0标准，Die Size 32GB，16k Page Size，使用4-plane设计，虽然会带来额外的延时，但同时也提供了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量，闪存寿命是3000 P/E；而B0KB则是TLC产品的代号，由于是同一芯片所以许多东西都是L06B一样，当然容量、性能与寿命什么的肯定不同，Die Size 48GB，闪存寿命是1500 P/E，由于是TLC，所以需要ECC标准是更高的LDPC。
Intel 3D NAND全部会使用132-Ball BGA封装，L06B 可以从256Gb（32GB）到4096Gb（512GB）的产品，另外这款闪存的CE数其实是可以调的，这样可以更容易的做出更大容量的SSD。
64层3d nand闪存
办公自动化杂志2019年9月6日，诺基亚BH-705真无线蓝牙耳机正式开售，售价499元。
该耳机采用真正的无线设计，可以随手收纳和使用，其收纳盒采用直筒设计，简约大方，并暗藏弹簧释放系统，单手轻按即可弹出耳机，十分方便。
该耳机还获得了2019年红点和iF 两项设计大奖。
诺基亚BH-705真无线蓝牙耳机采用复合人体工学的入耳式设计，可以让音源更贴近耳内，柔软贴耳的硅胶耳套，能够有效降低外界噪音，配合耳机高清音质传输，带来十分清晰的通话和音乐体验。
重量方面，该耳机单只重量仅为5g，长时间佩戴，也不会带来很大的负担；其精巧的人体工学设计，就算是在健身跑步等运动场景佩戴，也可以将耳机牢牢固定在耳朵内。
续航方面，根据官网介绍，该耳机一次充电，可以享受3.5小时的娱乐时间，或4小时的通话时长，其便携的充电盒还可以为耳机提供额外4次满格充电，相当于续航时间可以达到16小时；另外，该耳机采用的是主流通用的USB Type-C 接口，随处皆可匹配充电头，使用起来也很省心。
BH-705蓝牙耳机正式开售长江存储2019年9月2日宣布，公司已开始量产基于Xtacking 架构的64层256Gb TLC 3D NAND 闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
作为中国首款64层3D NAND 闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。
长江存储64层3D NAND 闪存是全球首款基于Xtack-ing 架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。
Xtacking 可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。
当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking 技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合。
相比传统3D NAND 闪存架构，Xtacking 可带来更快的I/O 传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
什么是3D芯片堆叠技术3D芯片堆叠技术的发展历程和详细资料简介
什么是3D芯片堆叠技术3D芯片堆叠技术的发展历程和详细资料简介近日，武汉新芯研发成功的三片晶圆堆叠技术备受关注。
有人说，该技术在国际上都处于先进水平，还有人说能够“延续”摩尔定律。
既然3D芯片堆叠技术有如此大的作用，那今天芯师爷就跟大家一起揭开它的面纱。
日前，武汉新芯对外宣布称，基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。
该消息一出就有业内人士表示，随着这一技术的突破，武汉新芯3D芯片堆叠技术居于国际先进、国内领先的水平。
还有业内人士指出，3D芯片堆叠是新的技术，可将存储、逻辑、传感器于一体，能够缩小尺寸且提供性能，是朝摩尔定律的方向迈进了一步。
那么问题来了，3D芯片堆叠技术到底是什么？
3D芯片堆叠技术发展历程
上世纪九十年代，BGA封装（球栅阵列封装）替代了外引脚封装，焊料球凸点面阵使封装尺寸减小，输入和输出端口数量增加，功能和性能增加。
然而随着封装技术的发展，在平面方向上的封装已经达到了极限。
另一方面，随着CMOS工艺的不断发展，继续等比例缩小的局限越发明显，系统设计师们开始越来越多地转向芯片封装，而不是继续依赖在单一芯片上集成更多的器件来提高性能。
在传统的集成电路技术中，作为互连层的多层金属位于2D有源电路上方，互连的基本挑战是全局互连的延迟，特别随着等比例缩小的持续进行，器件密度不断增加，延迟问题就更为突出。
为了避免这种延迟，同时也为了满足性能、频宽和功耗的要求，设计人员开发出在垂直方向上将芯片叠层的新技术，也就是三维堆叠封装技术，该技术可以穿过有源电路直接实现高效互连。
另外一些组织和公司也都在积极开发基于TSV（硅通孔，through silicon via）的3D芯片。
a股上巿公司中拥有3d芯片堆叠技术的公司与个股
a股上巿公司中拥有3d芯片堆叠技术的公司与个股3D芯片堆叠技术是目前半导体行业中的一个热点领域，通过将芯片层叠在一起，可以提高芯片的性能和功能，同时减小芯片的体积和功耗。
在A股上市公司中，也有一些公司在这个领域有所布局和研发，下面将介绍一些拥有3D芯片堆叠技术的公司及其个股。
1.飞鹿股份（300665.SZ）飞鹿股份是一家专注于半导体行业的公司，主要从事芯片设计和制造业务。
该公司在3D芯片堆叠技术领域有一定的布局和研发，旗下的飞鹿半导体子公司就是主要从事芯片堆叠技术的研发和生产。
飞鹿股份的股票在A股上市，是A股市场中拥有3D芯片堆叠技术的公司之一。
2.海力士光电（300219.SZ）海力士光电是一家专业从事LED芯片和封装技术研发和生产的公司，在LED芯片堆叠技术领域有着丰富的经验和技术积累。
同时，海力士光电也在其他半导体领域有所布局，包括3D芯片堆叠技术。
该公司的股票也在A股上市，是A股市场中拥有3D芯片堆叠技术的公司之一。
3.华星光电（000725.SZ）华星光电是一家专注于显示器件和相关领域的公司，主要从事液晶显示器件的研发和生产。
在近年来，随着显示技术的发展和进步，3D芯片堆叠技术在显示器件领域也逐渐得到应用。
因此，华星光电在3D芯片堆叠技术领域也有所布局和研发。
该公司的股票也在A股上市，是A股市场中拥有3D芯片堆叠技术的公司之一。
除了以上几家公司外，还有一些其他A股上市公司在3D芯片堆叠技术领域也有所布局和研发。
例如，电子信息领域的科大国创（002049.SZ）、华虹半导体（002049.SZ），以及半导体材料领域的中微公司（688012.SH）等公司都涉足了3D芯片堆叠技术领域。
总的来说，A股上市公司中拥有3D芯片堆叠技术的公司虽然并不多，但是在半导体行业的发展潜力和前景广阔。
随着技术的不断进步和行业的发展，相信这些公司在3D芯片堆叠技术领域会有更加广阔的发展空间，也会为中国半导体行业的发展做出更大的贡献。
什么是3DNAND？与2DNAND相比有什么优势？
什么是3DNAND？与2DNAND相比有什么优势？3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。
此前的闪存多属于平面闪存(Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。
如果平面闪存是平房，那3D NAND 就是高楼大厦。
把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。
下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。
图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)左边二个是 Planar NAND，只是存储单元结构不同，由浮动栅结构(Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存，即上图中的2D CTF (Charge Trap Flash)。
然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF)，最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（Layer ），把存储单元像盖大楼一样越做越多层。
三星的3D V-NAND 存储单元的层数 (Layer) 由 2009 年的 2-layer 逐渐提升至 24-layer、64-layer，今年已经达到 96-layer。
图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)近几年来国际原厂先后投入 3D NAND 研发。
各家的 3D NAND 存储单元及技术都不相同，也几乎每家公司都已宣布开发出 96 层 3D NAND。
多层单元 (Multi-Level Cell)一般正常的存储单元，不管是DRAM、SRAM、FLASH、ROM 等等，都只存储一个比特 (Bit) 的资料 (称为 SLC，Single-Level Cell)。
为能更缩小存储单元尺寸，除了运用工艺持续做小及将存储单元3D 化外，各厂商也积极思考增加每存储单元能存储的 bit 数目。
3D NAND Flash技术及厂商介绍
1、技术方案
基本上采用与SAMSUNG相同的TCAT方案，存在知识产权问题，目前不知如何解决；
2、量产情况
目前在工艺调试和test-chip验证阶段，计划2017年量产，实际可能会延迟到2018年。
六、其他
如台湾旺宏，IMEC等单位，也进行了3D NAND的新结构研发，但是属于研究和专利布局性质，目前未见量产计划报道。
第一代：2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品，制程35nm，堆叠24层，MLC设计，容量可达128Gb V-NAND，存储密度约为0.93Gb/mm2；
第二代：堆叠32层，TLC设计，存储密度提升为1.86Gb/mm2；
2015年8月，三星宣布开始正式量产48层256Gb 3D V-NAND，目前正在研发64层及以上技术。
投资40亿美金扩建新加坡的Fab 10x工厂，预估满载月产能在14万片左右，根据市场需求量，从2016年底开始以平均每年40%-50%的bit成长率增加。
四、SK HYNIX
1、技术方案：据报道是VSAT
2、量产情况
SK海力士使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash，2015下半年采用36层量产3D NAND，并将在年底规划48层3D NAND量产。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表，但目前除了三星已开始量产外，其他芯片厂预计均在2015下半年或2016年以后量产，目前尚未有产品问世。
为了稳固在技术及市场上的领导地位，三星除了大陆西安厂，还投资150亿美金新建平泽工厂，主要用于2D 10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产线投入生产。
二、TOSHIBA&SANDISK
nandflash命名规则大全(三星,海力士,美光)
NAND Flash Code Information(1/3)Last Updated : August 2009K9XXXXXXXX - XXXXXXX11. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G23456789 10 11 12 13 14 15 16 17 186. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x161 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD8 : x88. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE-1-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(2/3)Last Updated : August 2009K9XXXXXXXX - XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1814. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)11. "─" 12. Package 8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) 9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) D : 63-TBGA E : ISM (Lead-Free, Halogen-Free) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : BGA (Lead-Free, Halogen-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17) L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18) M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18) P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free) U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z)-2-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(3/3)Last Updated : August 2009K9XXXXXXXX - XXXXXXX116. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) Divide Component Packing Type TAPE & REEL Other ( Tray, Tube, Jar ) Stack Module MODULE TAPE & REEL MODULE Other Packing T 0 ( Number) S P M New Marking23456789 10 11 12 13 14 15 16 17 1817~18. Customer "Customer List Reference"-3-Part Number Decoderzhangshengheng@三星 flash 命名规则如何根据 Samsung 的 Nand Flash 的芯片型号(Part Number)读懂芯片详细信息 + 举例 K9GAG08U0M 说明 【Samsung ：NAND Flash Code Information】 三星的 NAND Flash Code Information： /global/business/semiconductor/productInfo.do?fmly_id=672&partnum=K9 GAG08U0M 中的 Part Number Decoder拷贝出来如下：NAND Flash Code Information1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODPzhangshengheng@R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density（注：实际单位应该是 bit，而不是 Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G EG : 256G FG : 256G GG : 384G HG : 512G LG : 24G NG : 96G ZG : 48G 00 : NONE 6. Technology 0 : Normal (x8) 1 : Normal (x16) C : Catridge SIP D : DDR M : moviNAND N : moviNAND FAB P : moviMCP T : Premium eSSD Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 8 : x8 6 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generationzhangshengheng@B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation 11. "─" 12. Package 8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) 9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) D : 63-TBGA E : ISM (Lead-Free, Halogen-Free) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : BGA (Lead-Free, Halogen-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17) L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18) M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18) P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free) U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) NAND Flash Code Information(2/3) K 9 X X X X X X X X - X X X X X X X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 14. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionzhangshengheng@handling code) 15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z) 16. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately17~18. Customer "Customer List Reference" 【举例说明】 K 9 G A G 0 8 U 0 M P C B 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 K9GAG08U0M 详细信息如下: 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) G : MLC Normal 4~5. Density AG : 16G (Note: 这里单位是 bit 而不是 byte， 因此实际大小是 16Gb=2GB) 6. Technology 0 : Normal (x8) 7. Organization 0 : NONE 8 : x8 8. Vcc U : 2.7V~3.6V 9. Mode 0 : Normal 10. Generation M : 1st Generation 11. "─" 12. Package P : TSOP1 (Lead-Free) 13. Temp C : Commercialzhangshengheng@14. Customer Bad Block B : Include Bad Block 15. Pre-Program Version 0 : None 整体描述就是： K9GAG08U0M 是，三星的 MLC Nand Flash，工作电压为 2.7V~3.6V，x8（即 I/O 是 8 位），大小是 2GB （16Gb），TSOP1 封装。
NAND_flash(最详细)
NAND flash和NOR flash详解NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
1. 性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
NAND_FLASH_编程总结
NAND FLASH 操作总结目前NAND FLASH主要是SAMSUNG、TOSHIBA两家公司生产。
本文我们主要讨论这两家的产品型号。
另外我们还会讨论Hitachi的AND Flash，为了内容条理起见，我们将分别讨论SAMSUNG、TOSHIBA的Bi nary Flash，详细说明：1、各个厂家各个型号Flash的操作时序、以及这些操作在USB —闪存盘控制器”中的影响；2、同一厂家不同型号间的区别、不同厂家之间的区别；然后讨论TOSHIBA 的MLC Flash ;最后我们要考虑一下AND Flash的情况，并给出一个初步的结论：我们是否需要支持AND Flash。
通过这些比较，给出一个较明确的结论：我们的USB —闪存盘控制器”需要支持的Flash操作有那些，时序图如何！SAMSUNG :SAMSUNG推出的NAND Flash 主要有以下容量：32Mbit、64Mbit、128Mbit、256Mbit、512Mbit、1Gbit、2Gbit、4Gbit 通常，我们把其中的1Gbit、2Gbit、4Gbit叫做大容量”，其余的则不加强调。
32Mbit、64Mbit、128Mbit、256Mbit、512Mbit 的Flash 的特性基本相似：Orga ni zati on-Data Register : (512 + 16) ByteAutomatic Program and Erase-Page Program : (512 + 16)Byte-Block Erase : (8K + 256)Byte/(16K + 512)Byte528-Byte Page Read Operation-Random Access : 10 s(Max.)-Serial Page Access : 50n s(Mi n.)Fast Write Cycle Time-Program time : 200 s(typ.)-Block Erase time : 2ms(typ.)Flash操作包括基本的七种操作：Read1、Read2、Read ID、Reset、Page Program、Block Erase、Read Status512Mbit的Flash引入了Plane "和Copy-Back "的概念，并为此增加了四种新的操作但却放弃了128Mbit、256Mbit中Seque ntial Data In put "操作，这四种操作是：针对Plane "的Page Program(Dummy) 、Multi_Plane Block Erase 、Read Multi_Plane Status针对Copy-Back "的Copy_Back Program1Gbit、2Gbit、4Gbit (大容量)的操作基本相同，但他们比一般Flash多了Copy-Back、Cache Program 的功能：Orga ni zati on- Data Register : (2K + 64) Byte- Cache Register : (2K + 64) ByteAutomatic Program and Erase-Page Program : (2K + 64)Byte-Block Erase : (128K + 4K)BytePage Read Operati on-Ran dom Access : 25s(Max.)Serial Page Access : 50 ns(Mi n.)Fast Write Cycle Time-Program time : 300~400s(typ.)-Block Erase time : 2ms(typ.)大容量Flash操作包括七种基本操作中的六种：Read、Read ID、Reset、Page Program、Block Erase、Read Status ,大容量Flash 的Page不再分为A、B、C区，所以也不再有Read1、Read2的区分。
NAND-flash详解
NAND-flash详解NAND flash和NOR flash的区别详解[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的这二种存储.关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。
这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH 是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。
Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。
U盘和MP3里用的就是这种存储器。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR Flash 的读取和我们常见的SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少SRAM 的容量从而节约了成本。
NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512 个字节，采用这种技术的Flash 比较廉价。
用户不能直接运行NAND Flash 上的代码，因此好多使用NAND Flash 的开发板除了使用NAND Flah 以外，还作上了一块小的NOR Flash 来运行启动代码。
NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。
NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
3D NAND闪存技术一览
3D NAND闪存技术一览作者：树墩来源：《个人电脑》2016年第11期我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫2D NAND或者直接不提2D 的，而3D 闪存，顾名思义，就是立体堆叠的。
从三星的840系列固态硬盘再到Intel刚发布的DC P3520硬盘，三星、SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/美光这四大NAND豪门都已经涉足3D NAND闪存了，而且可以预见这种趋势还会继续下去，越来越多的闪存及SSD硬盘都会转向3D NAND技术。
今天中我们就简单说下3D NAND闪存，汇总一下目前四大NAND豪门的3D NAND闪存的规格及特色。
什么是3D NAND闪存？从新闻到评测，我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了，首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫2D NAND或者直接不提2D 的，而3D 闪存，顾名思义，就是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无限堆叠。
3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。
3D NAND闪存有什么优势？在回答3D NAND闪存有什么优势的时候，我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND 的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
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1、技术方案
基本上采用与SAMSUNG相同的TCAT方案，存在知识产权问题，目前不知如何解决；
2、量产情况
目前在工艺调试和test-chip验证阶段，计划2017年量产，实际可能会延迟到2018年。
六、其他
如台湾旺宏，IMEC等单位，也进行了3D NAND的新结构研发，但是属于研究和专利布局性质，目前未见量产计划报道。
3D NAND Flash技术及厂商
随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩，技术瓶颈越发凸显，3D NAND Flash技术经过多年沉淀，上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光等早已在2013年即公布了3D技术规划的时程表。
一、SAMSUNG
1、技术方案：TCAT
2、量产情况
目前已经有两代产品问世，更高技术产品正在规划中。
为了稳固在技术及市场上的领导地位，三星除了大陆西安厂，还投资150亿美金新建平泽工厂，主要用于2D 10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产线投入生产。
二、TOSHIBA&SANDISK
1、技术方案：P-BICS
2、量产情况
东芝/闪迪采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术，计划将在2015下半年量产48层3D NAND，欲追上三星的步伐。
投资40亿美金扩建新加坡的Fab 10x工厂，预估满载月产能在14万片左右，根据市场需求量，从2016年底开始以平均每年40%-50%的bit成长率增加。
四、SK HYNIX
1、技术方案：据报道是VSAT
2、量产情况
SK海力士使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash，2015下半年采用36层量产3D NAND，并将在年底规划48层3D NAND量产。
除Fab 5二期工厂，还将Fab 2进行改建用于3D NAND量产专用，预计2016年开始投入生产；
三、MICRON&INTEL
1、技术方案（可能是浮栅，具体技术细节不清楚）
2、量产情况
美光3D NAND预计将在2016年初量产出货，采用32层MLC架构容量可达256Gb，如采用TLC架构可达到384Gb。
第一代：2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品，制程35nm，堆叠24层，MLC设计，容量可达128Gb V-NAND，存储密度约为0.93Gb/mm2；
第二代：堆叠32层，TLC设计，存储密度提升为1.86Gb/mm2；
2015年8月，三星宣布开始正式量产48层256Gb 3D V-NAND，目前正在研发64层及以上技术。
产外，其他芯片厂预计均在2015下半年或2016年以后量产，目前尚未有产品问世。