半导体PN结的物理特性及弱电流测量(精)

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PN结的物理特性实验

PN结的物理特性实验

量中。
LF356 是一个高输入阻抗集成运算放大 器, 用它组 成的 电流- 电压 变换器( 弱电 流放
大器) , 如图4 .1 .2 所示。其中虚线框内电阻 Zr 为电流- 电压 变换 器等 效输入 阻抗( 弱电
流放大器等效内阻) 。由图4 .1 .2 可知, 运算放大器的输出电压为
Uo = - K0 Ui
量作为已知值代入, 即可得到玻耳兹曼常数 k 。
为了 验 证 式( 4 .1 .2) 及 求 出 准 确 的 e/ k 常 数 , 在 实 际 测 量 中, 选 取 性 能 良 好 的
TIP31 型 硅三 极管( NPN 管) , 接 成 共 基 极 线 路。 实 验 中, 发 射 极 与 基 极 处 于 较 低 的 正
图4 .1 .2 电流- 电压变换图
[ ᇔ僂Ԡಞ] FD- PN- 2 型 PN 结物理特性测 定仪, 其 主要 组 成部 分 有电 源、数 字 电压 表 组 合装 置
( 包括±15 V 直流电源、1 .5 V 直流电源、三位半 数字电 压表、四位 半数 字电 压表) 及 实验 板一块( 由电路图、LF356 运算放 大器、印 刷电路 引线、多 圈电 位器、接 线 柱等 组成) , 带 3 根引线的 TIP31 型硅三极管, 温度计。 [ ᇔ僂޻ᇯ]
( 1) 将测得的 U1 和 U2 各对数据, 以 U1 为自变量, U2 作因变量, 分别代入: ①线性函
数 U2
=
a U1
+
b;
②乘幂函数 U2
=
a
Ub 1
;
③指数函数 U2
=
aexp(
b U1 )
,
求出各函数相应的 a
和b 值, 得出3 种函数的经验公式。

pn结特性测量

pn结特性测量

PN 结的伏安特性与温度特性测量半导体PN 结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。

使用本实验的仪器用物理实验方法,测量PN 结扩散电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。

本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥,测量PN 结结电压be U 与热力学温度T 关系,求得该传感器的灵敏度,并近似求得0K 时硅材料的禁带宽度。

【实验目的】1、在室温时,测量PN 结扩散电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。

2、在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数。

3、学习用运算放大器组成电流—电压变换器测量10-6A 至10-8A 的弱电流。

4、测量PN 结结电压be U 与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。

5、计算在0K 时半导体(硅)材料的禁带宽度。

6、学会用铂电阻测量温度的实验方法和直流电桥测电阻的方法。

【实验仪器】FD-PN-4型PN 结物理特性综合实验仪(如下图),TIP31c 型三极管(带三根引线)一只,长连接导线11根(6黑5红),手枪式连接导线10根,3DG6(基极与集电极已短接,有二根引线)一只,铂电阻一只。

【实验原理】1、PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知,PN 结的正向电流-电压关系满足:[]1/0-=KT eU e I I (1)式(1)中I 是通过PN 结的正向电流,I 0是反向饱和电流,在温度恒定是为常数,T 是热力学温度,e 是电子的电荷量,U 为PN 结正向压降。

由于在常温(300K)时,kT /e ≈0.026v ,而PN 结正向压降约为十分之几伏,则KTeU e/>>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:KT eU e I I /0 (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。

若测得PN 结I-U 关系值,则利用(1)式可以求出e /kT 。

半导体pn结的物理特性及弱电流测量实验

半导体pn结的物理特性及弱电流测量实验

半导体pn结的物理特性及弱电流测量实验半导体pn结是常见的半导体器件之一,由p型半导体和n型半导体构成。

与其它半导体器件相比,它有很多特殊的物理特性。

首先,当p型半导体和n型半导体结合时,两种材料的掺杂离子会互相扩散,导致接触面区域形成一个空间电荷区。

这个区域中没有载流子,因此是不导电的。

在pn结正侧和负侧形成了电位差,负侧形成了减小电位相对于正侧,就形成了内建电场。

这个电场会阻止载流子(即电荷)通过pn结。

当向pn结外加电压时,如果外加电压与内建电场方向相反,则内部电场减弱,载流子的移动就更容易了,流动性能增强;反之外部电场增强内部电场,丝毫不利指导电流的流动,参极熑阻挡作用,这就是pn结的整流特性,即所谓的势垒效应。

由于pn结的势垒效应,它可以将电流的方向限制在一个方向上,使其变成单向导电,即只有在正向电压下才能导通,反向电压下是不导通的。

这个特性非常有用,例如在电子电路中可以用它来作为整流器、稳压器、放大器等器件。

此外,由于pn结的导通特性,其本身也可以被用来制造发光二极管、太阳能电池等器件。

在弱电流测量实验中,pn结也被广泛应用。

由于pn结在反向偏置时具有可靠的硬特性,可以被用来作为电流表的电压比较器,在电流表中起到非常重要的作用。

这种电压比较器又称为伏安电路,可以将电流转换成电压,测量微弱电流。

具体而言,电流I进入测量电路,经过一个电阻R后进入远端的伏安电路(即pn结),由于其反向偏置,只有微小的正向漏电流I流经伏安电路,并引起一个微小的电压降U,这个电压降就是I通过伏安电路时所产生的电势差,按照欧姆定律,U/R=I,即可转化为电流的大小。

通过这种方法,研究者可以测量非常微小的电流,比如常常需要测量光电器件、二极管、甚至可以用来研究生物体内的电流等。

总之,半导体pn结的物理特性和其在弱电流测量实验中的应用对于电子学研究和工程实践具有非常重要的意义。

PN结物理特性及玻尔兹曼常数测量(精品)

PN结物理特性及玻尔兹曼常数测量(精品)

PN 结物理特性及玻尔兹曼常数测量半导体PN 结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。

使用本实验的仪器用物理实验方法,测量PN 结扩散电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。

本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥,测量PN 结结电压be U 与热力学温度T 关系,求得该传感器的灵敏度,并近似求得0K 时硅材料的禁带宽度。

【实验目的】1、在室温时,测量PN 结扩散电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。

2、在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数。

3、学习用运算放大器组成电流—电压变换器测量10-6A 至10-8A 的弱电流。

4、测量PN 结结电压be U与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。

5、计算在0K 时半导体(硅)材料的禁带宽度(选作)。

6、学会用最小二乘法拟合数据。

【实验仪器】FD-PN-4型PN 结物理特性综合实验仪(如下图),TIP31c 型三极管(带三根引线)一只,长连接导线11根(6黑5红),手枪式连接导线10根,3DG6(基极与集电极已短接,有二根引线)一只,铂电阻一只。

FD-PN-4 型PN 节物理特性测定仪【实验原理】1. 测量三极管发射极与基极电压U 1和集电极与基极电压U 2之间的关系(a)PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知,PN 结的正向电流-电压关系满足:[]1/0-=KTeU eI I (1)式(1)中I 是通过PN 结的正向电流,I 0是反向饱和电流,在温度恒定是为常数,T 是热力学温度,e 是电子的电荷量,U 为PN 结正向压降。

由于在常温(300K)时,kT /e ≈0.026v ,而PN 结正向压降约为十分之几伏,则KTeU e/>>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:KTeU eI I /0= (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。

PN结的物理特性—实验报告

PN结的物理特性—实验报告

半导体PN 结的物理特性实验报告姓名:陈晨 学号:12307110123 专业:物理学系 日期:2013年12月16日 一、引言半导体PN 结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用,因此半导体PN 结的伏安特性是半导体物理学的重要内容。

本实验利用运算放大器组成电流-电压变换器的方法精确测量弱电流,研究PN 结的正向电流I ,正向电压U ,温度T 之间的关系。

本实验桶过处理实验数据得到经验公式,验证了正向电流与正向电压的指数关系,正向电流与温度的指数关系以及正向电压与温度的线性关系,并由此与计算玻尔兹曼常数k 与0K 时材料的禁带宽度E ,加深了对半导体PN 节的理解。

二、实验原理 1、 PN 结的物理特性(1)PN 结的定义:若将一块半导体晶体一侧掺杂成P 型半导体,即有多余电子的半导体,另一侧掺杂成N 型半导体,即有多余空穴的半导体,则中间二者相连的接触面就称为PN 结。

(2)PN 结的正向伏安特性:根据半导体物理学的理论,一个理想PN 结的正向电流I 与正向电压U 之间存在关系 ①,其中I S 为反向饱和电流,k 为玻尔兹曼常数,T 为热力学温度,e 为电子电量。

在常温(T=300K )下和实验所取电压U的范围内, 故①可化为 ②,两边取对数可得 。

(3)当温度T 不变时作lnI-U 图像并对其进行线性拟合,得到线性拟合方程的斜率为e/kT ,带入已知常数e 和T ,便得玻尔兹曼常数k 。

2、反向饱和电流I s(1)禁带宽度E :在固体物理学中泛指半导体或是绝缘体的价带顶端至传导带底端的能量差距。

对一个本征半导体而言,其导电性与禁带宽度的大小有关,只有获得足够能量的电子才能从价带被激发,跨过禁带宽度跃迁至导带。

(2)根据半导体物理学的理论,理想PN 结的反向饱和电流Is 可以表示为③,代入②得 ,其中I 0为与结面积和掺杂浓度等有关的常数,γ取决于少数载流子迁移率对温度的关系,通常取γ=3.4,k 为玻尔兹曼常数,T 为热力学温度.E 为0K时材料的禁带宽度。

pn结的伏安特性与温度特性测量(精)

pn结的伏安特性与温度特性测量(精)

PN结的伏安特性与温度特性测量半导体PN结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。

使用本实验的仪器用物理实验方法,测量PN结扩散电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。

本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温U与热力学温度T关系,求得该传感器的灵敏度,并电桥,测量PN结结电压be近似求得0K时硅材料的禁带宽度。

【实验目的】1、在室温时,测量PN结扩散电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。

2、在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数。

3、学习用运算放大器组成I-V变换器测量10-6A至10-8A的弱电流。

U与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。

4、测量PN结结电压be5、计算在0K时半导体(硅)材料的禁带宽度。

6、学会用铂电阻测量温度的实验方法和直流电桥测电阻的方法。

【实验仪器】FD-PN-4型PN结物理特性综合实验仪(如下图),TIP31c型三极管(带三根引线)一只,长连接导线11根(6黑5红),手枪式连接导线10根,3DG6(基极与集电极已短接,有二根引线)一只,铂电阻一只。

【实验原理】1、PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知,PN 结的正向电流-电压关系满足:[]1/0-=KT eU e I I (1)式(1)中I 是通过PN 结的正向电流,I 0是反向饱和电流,在温度恒定是为常数,T 是热力学温度,e 是电子的电荷量,U 为PN 结正向压降。

由于在常温(300K)时,kT /e ≈0.026v ,而PN 结正向压降约为十分之几伏,则KT eU e />>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:KT eU e I I /0= (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。

若测得PN 结I-U 关系值,则利用(1)式可以求出e /kT 。

47半导体PN结的物理特性及弱电流测量(精)

47半导体PN结的物理特性及弱电流测量(精)

4.7半导体PN 结的物理特性及弱电流测量实验简介半导体PN 结电流-电压关系特性是半导体器件的基础,也是半导体物理和电子学教学的重要内容。

本实验采用一个简单的电路测量PN 结的扩散电流与PN 结电压之间的关系,并通过数据处理,证实PN 结的电流与电压遵循指数关系,还可以通过实验得到玻尔兹曼常数。

实验目的1.在室温时,测量PN 结电流与电压关系,证明此关系符合玻尔兹曼分布律;2.在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数;3.学习用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流。

实验原理1.PN 结:介于导体与绝缘体之间的物质叫半导体,在半导体中只有一种载流子导电,只有电子(负电荷)导电的半导体叫N 型半导体,只有空穴(正电荷)导电的半导体叫P 型半导体。

以一定的工艺制成的P 型半导体和N 型半导体相邻的交接处,由于自由扩散形成的结叫PN 结。

三极管制造工艺的特点:发射极高掺杂浓度;基极很薄几微米到十几微米,减小复合电流;集电极低掺杂浓度,面积较大,有利于接收电子。

发射结正向偏置,集电结反向偏置。

2.实验线路如图1所示,加在三极管B 、E 间的电压1U 则通过的电流为e I ,三极管电流分布满足e b c I I I =+,又因为b I 很小,所以e c I I ≈;通过理想运放器把c I 放大成2U ,且它们之间满足线性关系,因此可以说1U 与2U 之间满足指数函数关系,那么1U 与流过PN 结的电流e I 也满足指数关系。

曲线拟合求经验公式:运用最小二乘法,将实验数据代入线性回归、指数回归、乘幂回归这三种常用的基本函数,然后求出衡量各回归程序好坏的标准差。

对已测得的U 1 U 2各对数据,以U 1为自变量,U 2为因变量,分别代入:1)线性函数21U aU b =+;2)乘幂函数21b U aU =;3)指数函数12aU U ae =.求出各函数相应的和值,得出三种函数式,究竟哪 一种函数符合物理规律必须用标准差来检验。

PN结物理特性的测量

PN结物理特性的测量

.::PN结物理特性的测量::.图一PN结物理特性的测量实验装置全图伏安特性是PN结的基本特性,测量PN结的扩散电流与PN结电压之间的关系,可以验证它们遵守波尔兹曼分布,并进而求出波尔兹曼常数的值.PN结的扩散电流很小,为10-6~10-8 A数量级,所以在测量PN结扩散电流的过程中,运用了弱电流测量技术,即用运算放大器对电流进行电流-电压变换。

图二PN结形成示意图.::实验预习::.1. LF356运算放大器介绍利用LF356运算放大器可以组成电流-电压变换器,如图1所示.LF356运算放大器是一个集成运算放大器,Rf为反馈电阻,若Rf → ∞时,输出电压U0与输入电压Ui的比值叫做运算放大器的开环增益K0.运算放大器的输入阻抗r很大,理想情况下r → ∞,可以认为反馈电流等于信号源的输入电流Is.Zr为电流—电压变换器的等效输入阻抗,因为反馈电流等于信号源的输入电流Is,输入电流Is可以写为【实验内容】实验线路图如图1所示.在常温和零温(冰水混合物)下测量硅三极管发射极与基极之间的电压U1和相应的LF356输出电压U2 .通过调节100可调电位器改变U1的值,尽量在线性区域多测量数据点.根据公式(7)拟合求波尔兹曼常数k B..::实验仪器::.【实验仪器】±15V 直流稳压电源,TIP31型硅三极管,LF356集成运算放大器,四位半数字万用表,电阻,电容,电位器,导线,实验接线板等.TIP31型硅三极管,LF356集成运算放大器的管脚如图2所示.图3.::思考题::.【思考题】1.得到的数据一部分在线性区,一部分不在线性区,为什么?拟合时应如何注意取舍?数据不在线性区有两种情况:1.u1较小时,2.u1较大时1).u1较小时,公式不满足2).u1较大时,p-n结所通过的电流虽可增加,但放大器的输出电压达到饱和。

2.减小反馈电阻的代价是什么?对实验结果有影响吗?反馈电阻减小使输出电压减小,在一定范围瑞影响不大.::参考资料::.有关PN结的介绍纯净的半导体称为本征半导体,为研究半导体的性质,必须对其掺杂形成P 型半导体和N型半导体(掺杂的浓度可以达到1017个/cm3)。

半导体pn结的物理特性及弱电流测量

半导体pn结的物理特性及弱电流测量

半导体pn结的物理特性及弱电流测量半导体 PN 结的物理特性:1. 堆积区与耗尽区:在 PN 结中,PN 结两侧有一个堆积区和一个耗尽区。

堆积区是在 PN 接触处的一侧,其中 N 区的自由电子会向 P 区扩散,而 P 区的空穴会向 N 区扩散。

耗尽区是在堆积区的另一侧,其中电子和空穴被扩散后形成的正负离子互相吸引,形成一个没有可自由移动电荷的区域。

2. 正向偏置:当在 PN 结上施加正向电压时,电子从 N 区向 P 区移动,空穴从 P 区向 N 区移动,导致堆积区的宽度变窄。

此时电流从 P 区流向 N 区,称为正向电流。

3. 反向偏置:当在 PN 结上施加反向电压时,电子被吸引进 N 区,空穴被吸引进 P 区,导致堆积区的宽度增加。

这时几乎没有电流通过 PN 结,称为反向电流。

当反向电压过大时,会发生击穿现象,此时电流急剧增加。

4. PN 结的导电特性:在正向偏置下,PN 结导电特性近似于理想二极管,正向电流随着正向电压的增加呈指数型增长。

在反向偏置下,PN 结导电特性近似于理想断路器,基本没有电流通过。

弱电流测量:弱电流测量是指对非常小的电流进行测量。

由于电流非常微弱,存在一些测量上的困难和限制。

常见的弱电流测量方法有以下几种:1. 电流放大:由于弱电流不能直接测量,通常需要将其放大到可以测量的范围。

放大器可以选择放大电流,提高信号的幅度。

2. 高阻抗电路:在测量弱电流时,需要使用高阻抗电路,以最大程度地减小电流的流失。

高阻抗电路可以降低电流流过测量电路时的电压降,从而减小电流的误差。

3. 屏蔽环境干扰:由于弱电流非常微弱,容易受到环境中的电磁干扰影响。

屏蔽环境干扰可以采取一些措施,例如使用屏蔽罩、信号隔离等,减小干扰对弱电流测量结果的影响。

4. 温度控制:温度的变化也会对弱电流测量产生影响。

通常需要对测量环境进行温度控制,确保测量的稳定性和准确性。

需要注意的是,弱电流测量需要仪器设备的高灵敏度和高精度,同时也需要严密的实验条件和精确的操作技巧。

半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验报告

半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验报告
半导体 PN 结的物理特性及弱电流测量实验报告
引言: 导电性介于绝缘体和导体之间的物质称为半导体,半导体分为 P 型半导体和 N 型半导
体。当 P 型半导体和 N 型半导体相互接触时,形成 PN 结。半导体 PN 结电流—电压关系特 性是半导体器件的基础。
本实验通过一个简单电路测量通过 PN 结的扩散电流与 PN 结电压之间的关系,并证实 PN 结的电流与电压遵循指数关系。同时通过实验数据求得波尔兹曼常数。 实验原理 1、 弱电流的测量。
������0
������������
与1的拟合曲线:
������

5
������0������������~
1图
������
拟合公式:y = A������−������������ + ������0
式中:A = (1.5 ± 0.6) × 1014,t = (7.0 ± 0.1) × 10−5 ,������0 = ( − 5.2 ± 0.4) × 10−7 R-Square=0.99931 , R-Square 接近于 1, 数据点线性关系很好。
拟合结果:������0������������ = 1.5 × 1014 × ������−7.0×110−5������ − 5.2 × 10−7
拟合结果和(6)对比可得−
������������ ������������
=

1 t������
,
所以
0k
时的禁带宽度
E0
=
������ ������
实验结果 1、 PN 结正向电流与电压的关系。
表 1 PN 结正向电压 U1 与正向电流对应电压 U2 的关系
实验序号

半导体PN结的物理特性测量

半导体PN结的物理特性测量

半导体PN结的物理特性及弱电流的测量[摘要]本文利用PN 结正向压降温度特性测试仪,测量了PN 结电压电流特性。

验证了PN 结电压与电流的指数关系,并利用Excel 进行曲线拟合,再计算出玻尔兹曼常数,用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流[关键词]PN结玻尔兹曼常数指数拟合弱电流测量1.引言基本物理常数如电子电量e、电子荷质比e/m、普朗克常数物理h、光速c 等的测量,在实验物理发展过程中具有重要地位。

利用PN 结正向压降温度特性测试仪测试出PN 结正向压降与电流,再进行数据拟合并计算出玻尔兹曼常数K,用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流2.实验仪器FD-PN-4型PN结物理特性测定仪3.实验原理1. 在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。

PN结有同质结和异质结两种。

用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。

制造异质结通常采用外延生长法。

基本特性在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。

在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的。

N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。

当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P 型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散。

空穴和电子相遇而复合,载流子消失。

因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区(图1)。

P型半导体一边的空间电荷是负离子,N 型半导体一边的空间电荷是正离子。

正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡。

PN结在PN结上外加一电压,如果P型一边接正极,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电流可以顺利通过。

pn结report

pn结report
运算放大器的输入电压 U 0 为:
U 0 K0U i
(3)
Rf
+
Is
Zr
Is
Ko
Ui
图2
U0
电流-电压变换
式(3)中 U i 为输入电压, K 0 为运算放大器的开环电压增益,即图 2 中电阻 R f 时的电压
增益( Rf 称反馈电阻)
。因而有:
Is
Ui U 0 Ui (1 K 0)
数和标准偏差来判断各函数的优劣。
计算玻尔兹曼常数 k。

2. 保持 PN 结正向电压不变,测量 PN 结正向电流与温度的关系。
温差不小于 30℃,不少于 7 组数据。
以此推算反向饱和电流与温度的关系,并计算 0K 时 PN 结材料(硅)的禁带宽度。

3. 保持 PN 结正向电流不变,测量 PN 结正向电压与温度的关系。
综上:k=(1.380±0.002)×10-23
保持 PN 结正向电压不变,测量 PN 结正向电流与温度的关系
此时定 U1 后,有关系式: (1 − 0 )


+ + =
*C 是与半导体截面积、掺杂浓度等因素有关的常数;γ 是热学
中的比热比,也是一个常数
大致关系为
302.15
305.15
308.15
311.15
314.15
317.15
320.15
323.15
326.15
329.15
332.15
335.15
338.15
0.068
0.093
0.131
0.188
0.273
0.389
0.552

PN结物理特性实验

PN结物理特性实验

IS=- K0 (1+K0)/Rf=-U0(1+1/K0)/Rf=-U0/Rf 0
U
(6)
由(6)式只要测得输出电压 U0 和已知 Rf 值,即可求得 IS 值。以高输入阻抗集成运算放大器 LF356 为例来 5 12 讨论 Zr 和 IS 值得大小。对 LF356 运放的开环增益 K0=2×10 ,输入阻抗 ri≈10 Ω。若取 Rf 为 1.00MΩ, 则由(5)式可得: 6 5 Zr=1.00×10 Ω/(1+2×10 )=5Ω 若选用四位半量程 200mV 数字电压表,它最后一位变化为 0.01mV ,那么用上述电流-电压变换器能显示 最小电流值为: -3 6 -11 (IS)min=0.01×10 V/(1×10 Ω)=1×10 A 由此说明,用集成运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流,具有输入阻抗小、灵敏度高的优点。 实验内容: (一) I c U be 关系测定,并进行曲线拟合求经验公式,计算玻尔兹曼常数。 ( U be U 1 ) 1、实验线路如图 3 所示。图中 U1 为三位半数字电压表,U2 为四位半数字电压表,TIP31 型为带散热板的 功率三极管,调节电压的分压器为多圈电位器,为保持 PN 结与周围环境一致,把 TIP31 型三极管浸没在 盛有变压器油干井槽中。变压器油温度用铂电阻进行测量。 2、在室温情况下,测量三极管发射极与基极之间电压 U1 和相应电压 U2。在常温下 U1 的值约从 0.3V 至 0.42V 范围每隔 0.01V 测一点数据,约测 10 多数据点,至 U2 值达到饱和时(U2 值变化较小或基本不变), 结束测量。在记数据开始和记数据结束都要同时记录变压器油的温度 ,取温度平均值 。 3、曲线拟合求经验公式:运用最小二乘法,将实验数据分别代入线性回归、指数回归、乘幂回归这三种 常用的基本函数(它们是物理学中最常用的基本函数),对已测得的 U1 和 U2 各对数据,以 U1 为自变量, U2 作因变量,分别代入: b (1)线性函数 U2=aU1+b;(2)乘幂函数 U2=aU1 ; (3)指数函数 U2=aexp(bU1)。求出各函数相应的 a 和 b 值, 得出三种函数式,究竟哪一种函数符合物理规律最后比较哪一种基本函数为标准差最小,说明该函数拟 合得最好。 -23 5、 计算 e / k 常数, 将电子的电量作为标准差代入, 求出玻尔兹曼常数并与公认值 k=1.381×10 J / K

PN结物理特性实验

PN结物理特性实验
2
进行比较。 注意事项: 1、数据处理时,对于扩散电流太小(起始状态)及扩散电流接近或达到饱和时的数据,在处理数据时 应删去,因为这些数据可能偏离公式(2)。 2、必须观测恒温装置上温度计读数,待 TIP31 三极管温度处于恒定时(即处于热平衡时),才能记录 U1 和 U2 数据。
2
IS=- K0 (1+K0)/Rf=-U0(1+1/K0)/Rf=-U0/Rf 0
U
(6)
由(6)式只要测得输出电压 U0 和已知 Rf 值,即可求得 IS 值。以高输入阻抗集成运算放大器 LF356 为例来 5 12 讨论 Zr 和 IS 值得大小。对 LF356 运放的开环增益 K0=2×10 ,输入阻抗 ri≈10 Ω。若取 Rf 为 1.00MΩ, 则由(5)式可得: 6 5 Zr=1.00×10 Ω/(1+2×10 )=5Ω 若选用四位半量程 200mV 数字电压表,它最后一位变化为 0.01mV ,那么用上述电流-电压变换器能显示 最小电流值为: -3 6 -11 (IS)min=0.01×10 V/(1×10 Ω)=1×10 A 由此说明,用集成运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流,具有输入阻抗小、灵敏度高的优点。 实验内容: (一) I c U be 关系测定,并进行曲线拟合求经验公式,计算玻尔兹曼常数。 ( U be U 1 ) 1、实验线路如图 3 所示。图中 U1 为三位半数字电压表,U2 为四位半数字电压表,TIP31 型为带散热板的 功率三极管,调节电压的分压器为多圈电位器,为保持 PN 结与周围环境一致,把 TIP31 型三极管浸没在 盛有变压器油干井槽中。变压器油温度用铂电阻进行测量。 2、在室温情况下,测量三极管发射极与基极之间电压 U1 和相应电压 U2。在常温下 U1 的值约从 0.3V 至 0.42V 范围每隔 0.01V 测一点数据,约测 10 多数据点,至 U2 值达到饱和时(U2 值变化较小或基本不变), 结束测量。在记数据开始和记数据结束都要同时记录变压器油的温度 ,取温度平均值 。 3、曲线拟合求经验公式:运用最小二乘法,将实验数据分别代入线性回归、指数回归、乘幂回归这三种 常用的基本函数(它们是物理学中最常用的基本函数),对已测得的 U1 和 U2 各对数据,以 U1 为自变量, U2 作因变量,分别代入: b (1)线性函数 U2=aU1+b;(2)乘幂函数 U2=aU1 ; (3)指数函数 U2=aexp(bU1)。求出各函数相应的 a 和 b 值, 得出三种函数式,究竟哪一种函数符合物理规律最后比较哪一种基本函数为标准差最小,说明该函数拟 合得最好。 -23 5、 计算 e / k 常数, 将电子的电量作为标准差代入, 求出玻尔兹曼常数并与公认值 k=1.381×10 J / K

【精品】半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验报告

【精品】半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验报告

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一、实验目的
本实验的目的是要了解半导体PN结的物理特征,并通过相关实验来考察和测量PN结
的特性。

二、实验原理
PN结是半导体电子器件的最基本结构,由掺杂的德勒普及层组成,它们具有非常重要的物理和化学特性,被广泛用在微电子器件中。

它由半导体表面凹凸不平、绝缘体或金属
覆盖层、P型和N型掺杂层组成,当它处于正向偏置时,在P掺杂表面之间就会形成可以
用于传输电子的“及P全”,可以传输能量的“及N层”,成功实现一定电压后形成电流
流动,因而功能实现。

因此,熟悉和理解N插头所具有的物理特性,对于设计和制作微电
子器件有着重要的意义。

三、实验结果与分析
实验表明,本次实验通过测量PN结的电压-电流特性和功耗特性,获得了精确的数据。

发现当电压由零改变时,当电压较低时,流过PN结的电流较小,对结的功耗也较低,但
随着电压的增加,电流和功耗也随之增大,这说明具有较强的正序特性,而电压超过一定
限值后,电流和功耗就不再增加,这说明其具有稳定的拐点,可以有效的控制PN结的特性。

四、结论
本次实验通过测量PN结的电压-电流特性和功耗特性,获得了精确的数据,得出了相
应的结论:PN结具有较强的正序特性,具有稳定的拐点,可以有效控制其特性。

通过本次实验,我们不仅能够深入理解半导体PN结的物理特性,还可以更好地应用于微电子器件中。

复旦大学 物理实验(上) 半导体PN结的物理特性实验报告

复旦大学 物理实验(上)    半导体PN结的物理特性实验报告

半导体PN结的物理特性实验目的与要求1、学会用运算放大器组成电流-电压变换器的方法测量弱电流。

2、研究PN结的正向电流与电压之间的关系。

3、学习通过实验数据处理求得经验公式的方法。

实验原理PN 结的物理特性测量由半导体物理学中有关PN 结的研究,可以得出PN 结的正向电流一电压关系满足(1)式中I是通过PN 结的正向电流,I0是不随电压变化的常数,T 是热力学温度,e 是电子的电荷量,U 为PN 结正向压降. 由于在常温(300 K)下,KT/e =0,026 V,而PN 结正向压降约为十分之几伏,则e eU/kT>>l,(1)式括号内-1 项完全可以忽略,于是有(2)即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化. 若测得PN 结I-U关系值,则利用(2)式可以求出e/kT. 在测得温度T 后,就可以得到e/k 常数,然后将电子电量作为已知值代入,即可求得玻尔兹曼常数k。

在实际测量中,为了提高测量玻尔兹曼常数的正确性,利用集成运算放大器组成的电流-电压变换器输人阻抗极小的特点,常用半导体三极管的集电极c与基极b短接(共基极)来代替PN结进行测量. 具体线路如图下实验仪器PN结实验仪、TIP31型三极管、恒温装置1 、直流电源和数字电压表,包括—15 V——0——+ 15V直流电源、1.5 V直流电源、0——2 V三位半数字电压表、四位半数字电压表.2、LF356 集成运算放大器,它的各引线脚如2脚、3 脚、4 脚、6 脚、7 脚由学生用棒针引线连接;待测样品TIP31型三极管的e、b、c 三电极可以从机壳右面接线柱接入3、不诱钢保温杯組合,它包括保温杯、内盛少量油的玻璃试管、搅拌器水银温度计等. (实验时,开始保温杯内为适量室温水,然后根据实验需要加一些热水,以改变槽内水的温度; 测量时应搅拌水,待槽内水温恒定时,进行测量)实验内容一、必做部分:1、在室温(保温杯加入适量的自来水,为什么?)下,测量PN结正向电流与电压的关系。

PN结物理特性

PN结物理特性

电压U1和相应电压U2。在常温下U1的值约从0.3V至 0.42V范围每隔0.01V测一点数据,约测10多数据点, 至U2值达到饱和时(U2值变化较小或基本不变),
结束测量。在记数据开始和记数据结束都要同时记 录变压器油的温度,取温度平均值。
(3).改变干井恒温器温度,待PN结与油温湿度
一致时,重复测量U1和U2的关系数据,并与室温
Rf
-
Is
Ko
+
Is
Zr
Ui
U0
(3).PN结的结电压U与热力R2
RT R4
V2
3V
3.实验步骤
(1)U1为三位半数字电压表,U2为四位半数字电压
表,TIP31型为带散热板的功率三极管,调节电压的 分压器为多圈电位器,为保持PN结与周围环境一致, 把TIP31型三极管浸没在盛有变压器油干井槽中。变 压器油温度用铂电阻进行测量。 (2)在室温情况下,测量三极管发射极与基极之间
在分析数据的时候,起初我没有把对扩散电流太小 (起始状态)及扩散电流接近或达到饱和时的数据 删去,所以总是得不出较好的结果。后来才发现, 之后删除那些数据拟合出来的图线较为完美了,得 到这些图像后我才真正了解了半导体的物理特性, 真正动手做一个实验和理论上研究实验原理是由本 质区别的。
谢谢观看!
二、关系测定,求PN结温度传感器灵敏度S,计算
硅材料0K时近似禁带宽度值。
1.通过调节电路中电源电压,使上电阻两端电压
保持不变,即电流I=100μA。同时用电桥测量铂
电阻的电阻值,通过查铂电阻值与温度关系表, 可得恒温器的实际湿度。从室温开始每隔5℃-
10℃测一定值(即V1)与温度(℃)关系,求得
关系。(至少测6点以上数据)

半导体PN结的物理特性

半导体PN结的物理特性
由此说明,用集成运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流,具有输入阻抗小、灵敏度高的优点。 2. PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知,PN 结的正向电流-电压关系满足:
= I I 0 [exp (eU / kT ) − 1]
(1)
式(1)中 I 是通过 PN 结的正向电流, I 0 是反向饱和电流,在温度恒定时为常数,T 是热力学温度, e 是 电子的电荷量,U 为 PN 结正向压降。由于在常温(300K)时, kT / e ≈ 0.026V ,而 PN 结正向压降约为十分 (1)式括号内 -1 项完全可以忽略,于是有: 之几伏,则 exp (eU / kT )
(4)
已有实验证明,大多数半导体的禁带宽度与温度近似有线性关系 dEg / dT = −α ,即:
0 Eg (T = ) Eg − αT
( 5) (6)
将(5)式代入(4)式,并且两边取自然对数,可得:
ln = I0
0 g
[ln( BC ) + α / k ] − Eg0 / kT + (3 + r / 2) ln T
I = I 0 exp (eU / kT )
(2)
也即 PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。 若测得 PN 结 I-U 关系值, 则利用 (1) 式, 代入各个已知值, 即可求得玻尔兹曼常数 。 在实际测量中,二极管的正向 I-U 关系虽然能较好满足指数关系,但求得的常数 k 往往偏小。这是因为通 过二极管电流不只是扩散电流,还有其它电流。一般它包括三个部分:[1]扩散电流,它严格遵循(2)式;[2] 耗尽层复合电流,它正比于 exp (eU / 2kT ) ;[3]表面电流,它是由 Si 和 SiO2 界面中杂质引起的,其值正比于
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成都信息工程学院
物理实验报告
姓名: 石朝阳 专业: 班级: 学号: 实验日期: 2009-9-15下午 实验教室: 5102-1 指导教师: 【实验名称】 PN 结物理特性综合实验 【实验目的】
1. 在室温时,测量PN 结电流与电压关系,证明此关系符合波耳兹曼分布规律
2. 在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数
3. 学习用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流
4. 测量PN 结电压与温度关系,求出该PN 结温度传感器的灵敏度
5. 计算在0K 温度时,半导体硅材料的近似禁带宽度 【实验仪器】
半导体PN 结的物理特性实验仪 资产编号:××××,型号:×××(必须填写) 【实验原理】
1.PN 结的伏安特性及玻尔兹曼常数测量 PN 结的正向电流-电压关系满足:
]1)/[exp(0-=kT eU I I (1)
当()exp /1eU kT >>时,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:
0exp(/)I I eU kT = (2)
也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。

若测得PN 结I U -关系值,则利用(1)式可以求出
/e kT 。

在测得温度T 后,就可以得到/e k ,把电子电量e 作为已知值代入,即可求得玻尔兹曼常数k 。

实验线路如图1所示。

2、弱电流测量
LF356是一个高输入阻抗集成运算放大器,用它组成电流-电压变换器(弱电流放大器),如图2所示。

其中虚线框内电阻r Z 为电流-电压变换器等效输入阻抗。

运算放大器的输入电压0U 为:
00i U K U =- (3)
式(3)中i U 为输入电压,0K 为运算放大器的开环电压增益,即图2中电阻f R →∞时的电压增益(f R 称反馈电阻)。

因而有:
00(1)
i i s f f
U U U K I R R -+=
= (4) 由(4)式可得电流-电压变换器等效输入阻抗x Z 为
00
1i f f
x s U R R Z I K K =
=≈
+ (5) 由(3)式和(4)式可得电流-电压变换器输入电流s I 与输出电压0U 之间的关系式,即:
图1 PN 结扩散电源与结电压关系测量线路图
图2 电流-电压变换器
i s f
r U U I Z R =
=- (6) 只要测得输出电压0U 和已知f R 值,即可求得s I 值。

3、PN 结的结电压be U 与热力学温度T 关系测量。

当PN 结通过恒定小电流(通常100I A μ=),由半导体理论可得be U 与T 的近似关系:
be go U ST U =+ (7)
式中 2.3/o
S mV C =-为PN 结温度传感器灵敏度。

由go U 可求出温度0K 时半导体材料的近似禁带宽度go go E qU =。

硅材料的go E 约为1.20eV 。

【实验内容】
(一)c be I U -关系测定,并进行曲线拟合计算玻尔兹曼常数(1be U U =)
1、在室温情况下,测量三极管发射极与基极之间电压1U 和相应电压2U 。

1U 的值约从0.30V 至0.50V 范围,每隔0.01V 测一相应电压2U 的数据,至2U 达到饱和(2U 变化较小或基本不变)。

在记录数据开始和结束时都要记录下变压器油的温度θ,取温度平均值θ-。

2、改变干井恒温器温度,待PN 结与油温一致时,重复测量1U 和2U 的关系数据,并与室温测得的结果进行比较。

3、曲线拟合求经验公式:运用最小二乘法将实验数据代入指数函数()21exp U a bU =。

求出相应的a 和b 值。

4、玻尔兹曼常数k 。

利用/b e kT =,把电子电量e 作为已知值代入,求出k 并与玻尔兹曼常数公认
图3 图4
值(230 1.38110k -=⨯)进行比较。

(二)be U T -关系测定,计算硅材料0K 时近似禁带宽度go E 值。

1、通过调节图3电路中电源电压,使上电阻两端电压保持不变,即电流100I A μ=。

同时用电桥测量铂电阻T R 的电阻值,得恒温器的实际温度。

从室温开始每隔5℃-10℃测一组be U 值,记录。

2、曲线拟合求经验公式:运用最小二乘法,将实验数据分别代入线性回归、指数回归、乘幂回归这三种常用的基本函数(它们是物理学中最常用的基本函数),然后求出衡量各回归程序好坏的标准差δ。

对已测得的1U 和2U 各对数据,以1U 为自变量,2U 作因变量,分别代入:(1)线性函数21U aU b =+;(2)乘幂函数21b U aU =;(3)指数函数21exp()U a bU =⋅,求出各函数相应的a 和b 值,得出三种函数式,究竟哪一种函数符合物理规律必须用标准差来检验。

办法是:把实验测得的各个自变量1U 分别代入三个基本函数,得到相应因变量的预期值*2U ,并由此求出各函数拟合的标准差:
δ=
用最小二乘法对be U T -关系进行直线拟合,求出PN 结测温灵敏度S 及近似求得温度为0K 时硅材料禁带宽度go E 。

【注意事项】
1. 数据处理时,对于扩散电流太小(起始状态)以及扩散电流接近或达到饱和时的数据,在处理数据时应删去,因为这些数据可能偏离公式(2)。

2. 必须观测恒温装置上温度计读数,待TIP31三极管温度处于恒定时(即处于热平衡时),才能记录1U 和2U 数据。

3. 本实验,TIP31型三极管温度可采用的范围为0-50℃。

4. 仪器具有短路自动保护,一般情况集成电路不易损坏,但请勿将二极管保护装置拆除。

【数据记录】(数据仅供参考)
1、c be I U -关系测定。

室温条件下:1θ =25.90℃,2θ =26.10℃,θ-
=26.00℃
2、电流I =100uA 时,be U T -关系测定。

【数据处理】
1、曲线拟合求经验公式,计算玻尔兹曼常数:
根据要求用最小二乘法处理数据,假设PN 结电流和电压的关系满足0exp(/)I I eU kT =,所以先要
对公式0exp(/)I I eU kT =进行线性化处理。

由于U 2和I 是线性关系,即I =A*U 2,A 可视为微小电流转换为电压的转换系数。

首先以U 2替换I ,公
式变化为A 201exp(/)U I eU kT =
两边取对数:201ln ln /U I eU kT =+-lnA, 令: lnU 2=y,U 1=x,ln Io -lnA=,e/Kt=b 上式变化为: y a bx =+
根据最小二乘法的计算公式:
2
2
)
(x x y x xy b x
b y a -⋅-=
-= )
)((2222y y x x y x xy r --⋅-=(P 27页)
,11i n i x n x ∑== ∑==n i i x n x 122
,1 ∑==k i i y k y 1,1 ∑==n i xy n xy 1
1
列表计算:(双击该表可见计算过程)
由此可知,相关系数r=0.99972,指数拟合的很好,也就说明PN 结扩散电流-电压关系遵循指 数分布规律。

计算玻尔兹曼常数,由表中数据得
4/38.79(273.1526.00) 1.16010/e k bT CK J ==⨯+=⨯
则:19-23
4
1.60210 1.3810/ / 1.16010
e k J K e k -⨯===⨯⨯测 2、求PN 结温度传感器的灵敏度S ,0K 时硅材料禁带宽度go E 。

用作图法对be U T -数据进行处理:(图省略)所画的直线的斜率,即PN 结作为温度传感器时
的灵敏度 2.30/s mV K =-,表明PN 结是负温度系数的。

截距 1.30go U V =(0K 温度); 则 1.30go E eU ==电子伏特。

【实验结果】
1、测量值-231.3810/ k J K =⨯测与公认值230 1.38110/k J K -=⨯相当一致。

-23
01.3810/A 100%0.08%k J K k k k ⎧⨯⎪
-⎨
⨯=⎪⎩
测0测== 2、硅在0K 温度时禁带宽度公认值 1.205go E =电子伏特,上述结果与实际大小基本吻合。

由于PN 结温度传感器的线性范围为-50℃--150℃,在常温时,非线性项将不可完全忽略,所以本实验测得
1.30go E =电子伏特是合理的。

【问题讨论】
谈谈自己对本实验的体会与建议等。

实验结果:。

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