TVS二极管失效分析

TVS管主要特性参数优点和缺点选型依据及注意事项

TVS管主要特性参数优点和缺点选型依据及注意事项TVS管，即可控双向可关断二极管（Transient Voltage Suppressor），是一种用于电路保护的电子元件。

它主要用于限制过电压和抑制电磁干扰。

下面将分别介绍TVS管的主要特性参数、优点和缺点，选型依据及注意事项。

一、主要特性参数：1.额定工作电压（VR）：指TVS管正常工作时的最大电压。

超过这个电压，TVS管可能被损坏。

2.浪涌电流（IPP）：指TVS管能够承受的瞬时大电流。

当电路中发生瞬态过电压时，TVS管通过分流浪涌电流来保护其他电子元件不受损坏。

3.反向电击电容（CJ）：指TVS管在反向击穿时能够存储的电荷量。

4.反向漏电流（IR）：指TVS管在线性工作区时的漏电流。

漏电流越小，表示TVS管的保护性能越好。

5.反向击穿电压（VBR）：指TVS管在反向击穿状态下的电压。

击穿电压越低，表示TVS管能够更快地对过电压进行响应。

二、优点和缺点：1.优点：（1）可快速响应：TVS管具有响应速度快的特点，能够在几纳秒内响应过电压，保护其他电子元件免受损坏。

（2）可承受大电流：TVS管能够承受大电流，分流浪涌电流，有效保护其他电子元件。

（3）可重复使用：TVS管在过电压事件后能够自动恢复正常工作状态，具有重复使用的特点。

2.缺点：（1）功耗较大：TVS管在正常工作时会消耗一定的功率，可能导致能耗增加。

（2）功耗温升：TVS管的功耗会导致其温度升高，需要注意散热问题，以免影响其工作性能。

三、选型依据：1.工作电压需求：根据电路的工作电压，选择合适的TVS管额定工作电压。

工作电压需有一定的余量，以应对潜在的过电压情况。

2.浪涌电流需求：根据电路中可能出现的浪涌电流，选择具有相应浪涌电流能力的TVS管。

浪涌电流需有一定的余量，以确保TVS管能有效分流浪涌电流。

3.响应速度需求：根据电路需求，选择具有较快响应速度的TVS管。

通常是选择响应时间最短的型号。

发光二极管失效分析_图文(精)

发光二极管失效分析蔡伟智(厦门三安电子有限公司 , 福建厦门 361009摘要 :基于发光二极管 (LE D 所具有的特点 , 系统地总结出一套发光二极管失效分析方法 , 并给出了几个典型失效分析案例 , 简要阐述了失效分析过程中的注意事项。

通过失效分析 , 进一步优化和改善了 LE D 的制造技术 , 达到提高质量和可靠性的目的。

该方法在失效分析过程中具有一定的指导意义。

关键词 :发光二极管 ; 失效分析 ; 解剖 ; 金相学中图分类号 :T N312+18文献标识码 :A 文章编号 :10032353X (2007 032255204F ailure Analysis for Light Emitting DiodeCAI Wei 2zhi(Xiamen Sanan Electronics Co 1, Ltd 1, Xiamen 361009, ChinaAbstract :Based on the properties of light , was summarized , and several kinds of exam ples for , regulation analysis were explained. the further optimized and im proved for raising the of to the method of failure analysis for LE D 1 K ey LE ; analysis ; dissect ; metallography1引言和半导体器件一样 , 发光二极管 (LE D 早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分 , 是提高 LE D 可靠性的积极主动的方法。

LE D 失效分析步骤必须遵循先进行非破坏性、可逆、可重复的试验 , 再做半破坏性、不可重复的试验 , 最后进行破坏性试验的原则。

采用合适的分析方法 , 最大限度地防止把被分析器件(DUA 的真正失效因素、迹象丢失或引入新的失效因素 , 以期得到客观的分析结论。

TVS ESD 二极管介绍与应用说明

TVS ESD 二极管介绍与应用说明便携式设备的ESD保护十分重要，而TVS二极管是一种十分有效的保护器件，与其它器件相比有其独特的优势，但在应用时应当针对不同的保护对象来选用器件，因为不同的端口可能受到的静电冲击有所不同，不同器件要求的保护程度也有不同。

要注意相应的参数鉴别以及各个生产商的不同设计，同时还要进行合理的PCB布局。

本文介绍在便携式设备的ESD保护中如何应用TVS二极管器件。

便携式设备如笔记本电脑、手机、PDA、MP3播放器等，由于频繁与人体接触极易受到静电放电(ESD)的冲击，如果没有选择合适的保护器件，可能会造成机器性能不稳定，或者损坏。

更坏的情况是查不出确切的原因，使用户误认为是产品质量问题而损坏企业信誉。

一般情况下，对此类设备暴露在外面可能与人体接触的端口都要求进行防静电保护，如键盘、电源接口、数据口、I/O口等等。

现在比较通用的ESD标准是IEC61000-4-2，应用人体静电模式，测试电压的范围为2kV～15kV(空气放电)，峰值电流最高为20A/ns，整个脉冲持续时间不超过60ns。

在这样的脉冲下所产生的能量总共不超过几百个微焦尔，但却足以损坏敏感元器件。

便携式设备所采用的IC器件大多是高集成度、小体积产品，精密的加工工艺使硅晶氧化层非常薄，因而更易击穿，有的在20V左右就会受到损伤。

传统的保护方法已不再普遍适用，有的甚至还会造成对设备性能的干扰。

TVS二极管的特点可用于便携式设备的ESD保护器件有很多，例如设计人员可用分立器件搭建保护回路，但由于便携设备对于空间的限定以及避免回路自感，这种方法已逐渐被更加集成化的器件所替代。

多层金属氧化物器件、陶瓷电容还有二极管都可以有效地进行防护，它们的特性及表现各有不同，TVS二极管在此类应用中的独特表现为其赢得了越来越大的市场。

TVS二极管最显着的特点一是反应迅速，使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制，二是截止电压比较低，更适用于电池供电的低电压回路环境。

关于485通讯电路中TVS管使用的分析(最新整理)

关于485通讯电路中TVS 管使用的分析一、【问题描述】在质量例会中对XX 产品的质量进行分析，在所有的返回的产品中，发现通讯问题的比例比较高，达15%。

加上最近从公司一次返回XX 从机7个。

二、【原因分析】通过品质部分析的结果：都为过压导致器件烧毁。

对于电路进行查看如下所示：图1图1: 485电路下图为CBB 电路的原理图：图2下下下下下下下下下下下下下图2，公司485通讯CBB 电路由于失效芯片的结果都为过压导致器件烧毁，因此问题集中在查找过压来源和485的防护措施两个方面。

１，持续过压方面:仔细检查了从JYM -S2的接插端子，基本都为低压信号，高压端子的插不进通讯端子中，因此，直接有高压端子差错的可能性几乎不存在，因此持续高压进来基本也不存在，那过压从哪里来呢？系统的可靠接地也对RS485电路有影响。

当发送驱动器A向接收器B发送数据时，发送驱动器A的输出共模电压为V1，由于两个系统具有各自独立的接地系统，存在着地电位差V3。

那么，接收器输入端的共模电压V2就会达到V2=V1+V3。

RS -485标准规定V1 ≤ 3V，但V3可能会有十几伏甚至数十伏，并可能伴有强干扰信号，致使接收器共模输入V2超出正常范围。

收发器的共模电压有一定范围(-7V～12V),当网络线路中共模电压超出此范围时就会影响通信的稳定可靠，甚至损坏接口。

因此，合作厂在调试时需要可靠的接地，不接地，难免出现超过(-7V～12V)电压的情况，而导致485芯片失效。

２，瞬态高压方面：主要集中在485的防护措施中，找了些485芯片的相关资料：知道RS-485接收器差分输入端对“地”的共模电压允许范围为-7V～12V，超过此范围的过压瞬变可能会损坏器件。

引起过压瞬变的来源通常是雷电、静电放电、电源系统开关干扰等。

静电放电电压可以高达数千伏，可以使工作中的器件产生闭锁而不能运行或使器件受损；而雷电感应在RS-485传输线上引起的瞬变干扰，可在瞬间烧毁连接在传输线上的全部器件，查看不同产品的监控的485电路，基本都一致，唯一有差别的地方为TVS管型号不一致，有的采用13.3V/19.9V/30.2A- SOD6,ROHS的管子，有的采用 6.45V/10.5V/57A-SOD6,ROHS的管子。

二极管功能异常失效分析

二极管功能异常失效分析二极管是一种具有二个电极的电子器件，是电子元器件中常见的一种。

二极管有着许多重要的功能，包括整流、判别、波形修整、调制调解、开关等。

如果二极管发生功能异常失效，则会导致电路工作异常或者完全失效。

下面我将详细分析二极管功能异常失效的可能原因以及解决方法。

1.禁区击穿禁区击穿是二极管功能失效的常见原因之一、禁区击穿是指在电压或电流条件下，二极管的禁区内形成电流的情况。

这会导致二极管不能实现所期望的功能。

禁区击穿可能由以下原因引起：-过高的电压或电流。

-终端之间的间隙短路。

-二极管的质量缺陷。

解决方法：-确保电路中的电压和电流不会超过二极管的额定值。

-检查电路中是否存在其他短路。

-检查二极管的质量是否符合标准。

2.反向漏电反向漏电是指在正向电压下，二极管的反向电流过大。

这会导致二极管无法准确切断电流，从而失去其整流功能。

反向漏电可能由以下原因引起：-功率过大导致组件失效。

-温度过高引起的效应。

解决方法：-检查电路中的功率是否超过二极管的额定值。

-降低电路中的温度，例如增加散热器或调整工作环境温度。

3.导通电压偏移导通电压偏移是指二极管的导通电压超出了允许的范围。

这会导致二极管的整流和判别功能失效。

导通电压偏移可能由以下原因引起：-二极管的参数偏移。

-工作环境的温度变化。

解决方法：-确保电路中的二极管参数符合标准规范。

-稳定工作环境的温度，避免温度变化引起的偏移。

4.构造缺陷构造缺陷是指二极管的物理结构存在缺陷。

这会导致二极管的整体性能下降或者完全失效。

构造缺陷可能由以下原因引起：-生产过程中的质量控制问题。

-使用过程中的人为损坏。

解决方法：-对于生产过程中的问题，应加强质量控制，确保二极管制造过程的合格率。

-使用过程中应避免对二极管施加过大的力或过高的温度。

总结：二极管功能异常失效可能由禁区击穿、反向漏电、导通电压偏移和构造缺陷等原因引起。

为了解决这些问题，我们需要确保电压和电流不超过二极管的额定值，防止功率过大和温度过高，检查二极管的质量和参数是否符合标准规范，以及加强质量控制和避免人为损坏。

(完整版)关于485通讯电路中TVS管使用的分析

关于485通讯电路中TVS 管使用的分析一、【问题描述】在质量例会中对XX 产品的质量进行分析，在所有的返回的产品中，发现通讯问题的比例比较高，达15%。

加上最近从公司一次返回XX 从机7个。

二、【原因分析】通过品质部分析的结果：都为过压导致器件烧毁。

对于电路进行查看如下所示：图1图1: 485电路下图为CBB 电路的原理图：图2通信地R310M或 TVS 管从属方ADM483E12348675RX DCS-RX D CE-TX D TX D VCC TX +/RX +TX -/RX -GND两个 7.5 V 稳压管以下是从属方接收匹配电路B472/1KV 大地R251KR110K+5VA图2，公司485通讯CBB 电路由于失效芯片的结果都为过压导致器件烧毁，因此问题集中在查找过压来源和485的防护措施两个方面。

１，持续过压方面:仔细检查了从JYM -S2的接插端子，基本都为低压信号，高压端子的插不进通讯端子中，因此，直接有高压端子差错的可能性几乎不存在，因此持续高压进来基本也不存在，那过压从哪里来呢？系统的可靠接地也对RS485电路有影响。

当发送驱动器A向接收器B发送数据时，发送驱动器A的输出共模电压为V1，由于两个系统具有各自独立的接地系统，存在着地电位差V3。

那么，接收器输入端的共模电压V2就会达到V2=V1+V3。

RS -485标准规定V1 ≤ 3V，但V3可能会有十几伏甚至数十伏，并可能伴有强干扰信号，致使接收器共模输入V2超出正常范围。

收发器的共模电压有一定范围(-7V～12V),当网络线路中共模电压超出此范围时就会影响通信的稳定可靠，甚至损坏接口。

因此，合作厂在调试时需要可靠的接地，不接地，难免出现超过(-7V～12V)电压的情况，而导致485芯片失效。

２，瞬态高压方面：主要集中在485的防护措施中，找了些485芯片的相关资料：知道RS-485接收器差分输入端对“地”的共模电压允许范围为-7V～12V，超过此范围的过压瞬变可能会损坏器件。

浅析发光二极管失效成因和使用寿命影响因素

浅析发光二极管失效成因和使用寿命影响因素作者：赵晓慧来源：《科技创新导报》 2014年第1期赵晓慧(辽宁营口职业技术学院电气电子系 115000)摘要：该文对发光型二极管的基本原理进行阐述，并在此基础上分析了影响发光型二极管寿命和失效的相关因素，建立了分析发光二极管的数学模型，通过实验实测数据，探索了其失效机理。

关键词：功率型发光二极管失效寿命中图分类号：TM6 文献标识码：A 文章编号：1674-098X(2014)01(a)-0086-011 影响LED寿命及失效的因素分析1.1 LED发光基本原理LED采用电场发光，半导体晶片的P型半导体里空穴为多数载流子，N型半导体里电子为多数载流子，两种导体连接形成PN结。

电流通过晶片，电子会移向P型半导体和空穴复合，空穴会移向N型半导体与电子复合，然后以光子的形式向外发送能量，将多余的能量转化为光能，这就是LED发光的基本原理。

1.2 影响LED寿命的因素从LED发光的基本原理看，在理想条件下LED不存在传统光源灯具的老化和烧断现象，因此从理论上其寿命是很长的，但其忽略了一些边界条件。

实际上现有电子工业的制造水平和工艺不可能达到所谓的理想条件，故影响LED寿命的因素主要在电子工业技术和工艺的瓶颈上，主要有以下几个方面：(1)管芯质量的高低制造过程中，如何克服其他杂志离子污染以及晶格缺陷等成为其制造水平高低的一个衡量标准，也是影响LED寿命的先决因素。

(2)封装技术LED的工艺封装过程中，工艺结构的致命缺陷是封装技术的硬伤，也是影响LED寿命的一个重要因素。

(3)灯具设计灯具设计也是影响LED寿命的重要因素，如果设计不合理，光源与散热通道间没有良好的接触，造成散热不畅，使得结温过高，会影响LED的寿命。

1.3 LED失效因素(1)偶然性因素主要有二极管的静电击穿、LED内部之间的连结导体断裂等，这些可称为LED失效的突变因素。

(2)必然性因素这是在LED使用过程中必然出现的晶体性能退化过程，这是失效的缓变过程，主要是荧光粉失效及芯片物理性能衰减。

TVS二极管失效机理与失效分析程序总结

TVS二极管失效机理与失效分析程序总结TVS二极管是一种用于保护电子设备免受过电压损害的元件。

基于钽、硅和铌材料的TVS二极管常被用于电源线路保护、通信线路保护以及其他电子设备的保护。

然而，由于一些外界因素和内部故障，TVS二极管可能会发生失效。

失效机理和失效分析程序可以帮助工程师确定失效原因，了解如何改善电子设备的保护。

外部因素引起的失效包括过电压、过电流等。

当电路中出现过电压时，TVS二极管会被激发，引起其动态电阻降低，通过过大的电流来吸收过电压，以保护电子器件。

然而，如果过电流或过电压过大，可能会导致TVS二极管烧毁或损坏。

内部故障引起的失效主要包括结内击穿失效、二极管烧坏等。

结内击穿失效通常是由于电路设计不当、外部环境恶劣或设备老化所引起的。

二极管烧坏是由于过大的电流和功率产生的热量过高，导致二极管损坏。

针对TVS二极管失效的分析程序主要包括以下几个步骤：1.收集失效信息：收集失效的TVS二极管样品，并记录其失效的具体情况，包括失效时间、失效前的工作状态等。

2.观察和分析外部环境：检查TVS二极管周围的环境条件，如温度、湿度等。

外部环境因素可能会对TVS二极管的寿命和性能产生影响。

3.检查电路设计和选型：检查电路设计是否符合规范和要求，是否有电压过大的情况。

同时，检查TVS二极管的选型是否合适，是否满足保护电路的需求。

4.检查TVS二极管外观：仔细观察TVS二极管的外观，检查是否有明显的损坏或烧毁现象。

5.检查IV特性曲线：使用特定的测试仪器，测试TVS二极管的IV特性曲线，以确定其正常工作状态。

6.分析失效原因：根据前面的检查和分析结果，确定TVS二极管失效的具体原因。

可能的原因包括外部环境因素、电路设计问题、选型错误、使用不当等。

7.提出改进建议：根据失效原因，提出相应的改进建议，包括改善电路设计、更换合适的TVS二极管、优化使用环境等。

综上所述，TVS二极管失效机理和失效分析程序可以帮助工程师确定失效原因，提出改进建议，以改善电子设备的保护。

TVS 即瞬态抑制二极管

TVS 即瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）2007-12-01 14:411、概述：TVS管是瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）的简称。

它的特点是：响应速度特别快（为ns级）；耐浪涌冲击能力较放电管和压敏电阻差，其10/1000μs波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。

2、特性：TVS管有单向与双向之分，单向TVS管的特性与稳压二极管相似，双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联，其主要特性参数有：①反向断态电压(截止电压)VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压(截止电压)VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。

②击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压。

③脉冲峰值电流IPP：TVS管允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流（8/20μs 波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流值就可能造成永久性损坏。

在同一个系列中，击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小。

④最大箝位电压VC：TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。

⑤脉冲峰值功率Pm：脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP 与最大箝位电压VC的乘积，即Pm=IPP*VC。

⑥稳态功率P0：TVS管也可以作稳压二极管用，这时要使用稳态功率。

⑦极间电容Cj：与压敏电阻一样，TVS管的极间电容Cj也较大，且单向的比双向的大，功率越大的电容也越大。

ESD保护对高密度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。

本文探讨了采用TVS二极管防止ESD时，最小击穿电压和击穿电流、最大反向漏电流和额定反向关断电压等参数对电路的影响及选择准则，并针对便携消费电子设备、机顶盒、以及个人电脑中的视频线路保护、USB保护和RJ-45接口等介绍了一些典型应用随着移动产品、打印机、PC，DVD、机顶盒(STB)等产品的迅速发展，消费者正要求越来越先进的性能。

大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析

光电器件大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析郑代顺1,钱可元1,罗　毅1,2(1.清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,广东深圳518055;2.清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京100084)摘　要:　以GaN基蓝光L ED芯片为基础光源制备了大功率蓝光L ED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光L ED。

对大功率蓝光和白光L ED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。

结果表明,大功率L ED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机械应力都可能导致大功率L ED的失效。

关键词:　大功率;蓝光L ED;白光L ED;寿命试验;失效机理中图分类号:TN312.8　文献标识码:A　文章编号:1001-5868(2005)02-0087-05Life T est and F ailure Mechanism Analyses for High2pow er L EDZH EN G Dai2shun1,Q IAN Ke2yuan1,L UO Y i1,2(boratory on Semiconductor Lighting,G radu ate School at Shenzhen,Tsinghu a U niversity,Shenzhen518055,CHN;2.State K ey Laboratory on I ntegrated Optoelectronics,C ollege of E lectronic E ngineering,T singhu a U niversity,B eijing100084,CHN)Abstract:　High2power blue light2emitting diodes were fabricated wit h t he blue L ED chip s as primary light source,and high2power white L EDs were fabricated by p hosp hor conversion.Life of high2power blue and white L EDs was measured,and t he failure mechanism was investigated.Result s show t hat t he light outp ut of L EDs degrades exponentially wit h t he time,t he growt h of defect s and formation of nonradiative recombinatio n centers,quant um efficiency reduction of p ho sp hor,t he dest roy of static electricity,breakage of metallization layer and solder instability for flip2chip,and mechanical st ress wit hin t he L ED package caused by t he variations in ambient temperat ure and self2heating,and so on,will result in t he failure for high2power L EDs.K ey w ords:　high2power;blue L ED;white L ED;life test;failure mechanism1　引言自1968年利用氮掺杂工艺使GaAsP红色发光二极管(L ED)的发光效率达到1lm/W以来,L ED 的研究得到迅速发展。

TVS瞬态电压抑制二极管好坏测量判断

TVS瞬态电压抑制二极管好坏测量判断
家电常识 2009-03-29 09:57 阅读26 评论0
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1.用万用表R×1k挡测量管子的好坏
对于单极型的TVS，按照测量普通二极体的方法，可测出其正、反向电阻，
一般正向电阻为4k5左右，反向电阻为无穷大。

2.对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应
为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。

判断测量双向可控硅极性的方法
判断测量双向可控硅（晶闸管）极性的方法
(1).将三用电表置于Rx1档，量其三接脚，如表所示，不论红表笔如何测量，于T1与G之间的电阻皆为20到50姆，因此另一接脚为T2。

(2).将三用电表置于Rx1档，测试棒分别接于可控硅的T2与T1，以导线连接T2与G再移开，则T2与T 1间呈低电阻(可控硅已被触发)，设其电阻为R1。

(3).再用三用电表分别测T2和G，以导线连接T2与T1再移开，则T2与G之间呈低电阻(可控硅已被触发)，设其电阻为R2，通常R1小于R2，则可辨别T1和G两点。

双向可控硅（晶闸管）结构引脚图
黑表笔
紅表笔
电阻值
T2
T1
￥
T1
T2
￥
T2
G
￥
G
T2
￥
T1
G
20 - 50W G
T1
20 - 50W。

二极管故障分析

二极管故障分析二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电路中。

然而，由于各种原因，二极管可能会出现故障，导致电路无法正常工作。

因此，对二极管故障进行准确的分析和排除故障非常重要。

本文将深入探讨二极管故障的原因和常见的故障分析方法，以帮助读者更好地理解和解决二极管故障。

一、二极管故障的原因二极管故障的原因有很多，主要包括以下几个方面：1. 过电压或过电流当电路中存在过大的电压或电流时，二极管可能会受到损坏。

这种情况常常发生在电路设计出现错误或电源供电异常的情况下。

2. 温度过高二极管在长时间高温环境下运行会导致电路中的二极管受热过度，从而造成故障。

温度过高可能会损坏二极管内部结构，导致其性能下降或完全失效。

3. 反向电压若二极管在工作时遭受反向电压，则可能会发生击穿或击垮。

这种情况通常发生在电路设计错误或操作不当时。

4. 焊接问题如果二极管的引脚焊接质量不好，接触不良或短路，会导致二极管无法正常工作，甚至烧毁。

以上是导致二极管故障的一些常见原因，了解这些原因有助于我们更好地定位和解决故障。

二、故障分析方法对于二极管故障的分析，我们可以采用以下几种方法：1. 直观检查首先，我们可以通过直接观察二极管外观来检查是否存在损坏的痕迹。

例如，如果发现二极管外壳有物理损坏、烧焦、变色等情况，很可能是二极管故障。

2. 电阻测量我们可以使用万用表或示波器对二极管进行电阻测量。

正常情况下，二极管在正向偏置时具有较低的电阻值，而在反向偏置时应具有很高的电阻值。

如果测量结果与预期不符，则可能说明二极管存在故障。

3. 示波器测试若电路条件允许，我们还可以使用示波器对二极管进行测试。

通过观察电压波形的变化，可以判断二极管是否工作正常。

若波形出现异常，如变形、失真或无输出信号等，很可能是二极管故障的表现。

4. 替换法当以上方法无法准确判断二极管故障时，我们可以尝试替换同类型的二极管进行测试。

如果替换后故障解决，那么原先的二极管很可能是故障的原因。

二极管导通故障分析报告

二极管导通故障分析报告一、引言二极管是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电子设备中。

然而，在使用过程中，我们可能会遇到二极管导通故障的情况。

本报告将针对二极管导通故障进行详细的分析，并提出解决方案。

二、故障现象描述在测试过程中，我们发现二极管存在导通故障。

具体表现为，当输入电压施加在二极管上时，输出电压明显高于正常值或者没有任何输出信号。

这种情况会导致电子设备无法正常工作，严重影响产品质量。

三、故障原因分析1. 环境温度过高：环境温度过高可能导致二极管温度过高，进而导致导通故障。

在高温环境下，二极管的PN结会受到热效应的影响，导致导通能力下降。

因此，在设计和制造过程中应充分考虑散热问题，选择适合的散热材料和结构。

2. 过载电流：过载电流是导致二极管导通故障的常见原因之一。

当过大的电流流经二极管时，导通能力会超过二极管所能承受的极限，从而导致导通故障。

为避免此类故障，应根据实际工作条件选择适当的二极管规格和工作点，确保在设计范围内工作。

3. 反向电压过高：在正向工作电压范围内，二极管能够正常导通。

然而，如果反向电压超过二极管的额定值，会导致二极管无法正常导通，从而出现故障。

因此，在使用二极管时必须合理安排反向电压，严禁超过额定值。

4. 制造缺陷：制造过程中的缺陷也可能导致二极管导通故障。

例如，材料性能差、结构不良等问题，都可能影响二极管的导通能力。

为了确保产品质量，制造过程中应严格控制质量，采取有效的质量检测手段，尽可能排除制造缺陷。

四、故障解决方案针对二极管导通故障，我们可以采取以下解决方案：1. 温度控制：在设计和制造过程中，充分考虑二极管的散热问题，选择优质的散热材料和合理的结构，确保二极管能够在正常工作温度范围内运行。

2. 电流限制：根据实际工作条件选择适当的二极管规格和工作点，确保二极管在额定电流范围内工作，并采取过流保护电路等措施，防止过载电流引起故障。

3. 反向电压保护：合理安排反向电压，在使用二极管时严禁超过额定值，并采取反向电压保护措施，避免异常反向电压导致的故障。

TVS二极管失效机理与失效分析程序总结

TVS二极管失效机理与失效分析程序总结常用电路保护器件的主要失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。

TVS一旦发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏．这是TVS 生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况。

通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征．结合器件结构、材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等。

采用理论分析和试验证明等方法分析导致7rvS器件短路失效的原因。

分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷、表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等。

使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等。

1. 引言瞬变电压抑制器（TVS：Transient Voltage Suppressor）是为了解决电子设备电压瞬变和浪涌防护问题而设计出的一种高性能的电子电路保护器件，瞬变电压抑制二极管，主要用于对电路进行瞬态保护。

当TVS 管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度把两端间的阻抗变为低阻抗，吸收一个大电流，从而把它两端间的电压钳制在一个预订的数值上，保护后面的电路原件不因瞬态高电压冲击而损坏。

国内外在电子产品和国内高可靠设备中的应用都十分普遍。

随着TVS 使用范围和使用数量的增加，TVS 自身的可靠性备受关注，因为TVS 可靠性不仅是TVS 本身的问题，还关系到被保护电子电路的使用可靠性。

研究TVS 的可靠性须对TVS 的失效模式和失效机理有深入的了解。

文献表明TVS 的失效模式有短路、开路和电特性退化。

其中，短路失效最为常见，且对电路的影响最为严重。

目前，国内对国产TVS短路失效机理的研究缺乏深度，不够系统，因此，对国产TVS短路失效机理进行深入、系统的研究十分必要。

S 短路失效样品和失效分析程序在国内主要TVS生产厂商的支持下，搜集了有关国产TVS筛选和使用中短路失效的样品和筛选应力条件或使用条件等失效数据，对这些样品进行电参数测试、开帽、去保护胶、管芯与电极分离、去焊料和显微观察等步骤，找出失效部位，分析引发TVS短路失效的内在质量因素或使用因素，以及失效的发生过程。

TVS二极管失效分析TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管是一种用于保护电路免受瞬态电压冲击的特殊二极管，常用于抑制静电放电、电磁干扰以及过电压等问题。

然而，在工作中，TVS二极管也会发生失效。

本文将对TVS二极管失效进行分析。

1.负载过大：如果在设计过程中没有正确计算和选择负载，负载电流可能会超过TVS二极管的承载能力，导致器件损坏。

因此，在选择二极管时，必须确保其额定功率和电流能够满足实际应用需求。

2.运行温度过高：如果二极管长时间处于高温状态下工作，可能会导致器件内部损坏。

因此，TVS二极管应该在规定的温度范围内工作，以避免过热。

3.瞬态过电压过高：TVS二极管的主要功能是在遭受瞬态过电压时吸收能量，保护电路。

然而，如果瞬态过电压超过了二极管的额定电压能力，二极管可能达到其断电电压，从而无法有效抑制过电压。

4.器件老化或损坏：TVS二极管也会随着时间的推移而老化，或者由于机械损伤或不当的使用而受损。

这些因素会导致失效。

当TVS二极管失效时，可能会出现以下几种情况：1.短路：当TVS二极管失效时，可能会变成短路状态，从而导致电路无法正常工作。

此时，电流将通过二极管直接流向负载，可能会引起熔断器或保险丝断裂，甚至对整个电路造成严重损坏。

2.开路：另一种常见的失效模式是二极管变成开路状态，此时二极管不再对过电压起到保护作用，可能会导致过电压冲击直接传导到负载上，损坏了敏感元件。

3.漏电流增加：在一些情况下，失效的TVS二极管可能会导致其漏电流增加，这意味着即使没有过电压，电流也会通过二极管。

这可能导致电源电流增加，对电源造成额外的负担。

针对TVS二极管失效，我们可以采取以下措施：1.正确选用二极管：在设计电路时，应仔细计算和选择合适的TVS二极管，以确保其额定功率和电流足以满足实际应用需求。

2.控制运行温度：在电路中采取合适的散热措施，确保二极管工作于规定的温度范围内，避免过热。

TVS管失效原因分析

Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴＶＳｉＳａｃｏｍｍｏｎｓｕｒｇｅｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｄｅｖｉｃｅｂｕｔｅａｓｉｌｙｂｅｄａｍａｇｅｄｉｆｉｍｐｒｏｐｅｒｌｙｕｓｅｄ．ＩｎｔｈｉＳｐａｐｅｒ，ｂａｓｅｄＯｎａｌｏｔｏｆｒｅｓｅａｒｃｈｅｓ，ｗｅｓｅｌｅｃｔｓｅｖｅｒａｌｔｙｐｉｃａｌＴＶＳｆａｉｌｕｒｅｃａｓｅｓ，ａｎｄｄｏｄｅｔａｉｌｅｄａｎａｌｙｓｉＳｏｎｆａｉｌｕｒｅｃａｕｓｅ，ａｎｄｓｕｍｍａｒｉｚｅｔｈｅｓｅｒｅａｓｏｎｓ，ａｎｄｐｕｔｆｏｒｗａｒｄｅｆｆｅｃｔｉｖｅｃｏｒｒｅｃｔｉｖｅｍｅａｓｕｒｅｓ．
ＴＶＳ管未能起到应有的保护作用，并且在使用中ＴＶＳ管
比较容易损坏。为了正确的定位故障，排查原因，从而进行故障分析，我们进行了大量的调查。本文选取了一些有代表性的案例，试图揭示ＴＶＳ管失效的根本原因。
Hale Waihona Puke １案例１：选型缺陷导致ＴＶＳ失效
位电压容易控制等多个优点。ＴＶＳ管进行浪涌抑制的原
理是当它受到反向高能量冲击时，它能以极快的速度（可达１０Ｓ级），将其两极间的阻抗由高变低，使两极间的电压钳位于可接受的范围，从而有效的保护电子设备中的元器件免受浪涌脉冲的损害。目前ＴＶＳ管已广泛应用于家用电器、电子仪表、通讯设备、电源、计算机系统等各个领域。但是在实际应用中，许多企业反映：产品中使用的