场效应管的识别与检测
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P型沟道源极提供空穴，电流从源极→漏 极；
（3）N沟道结型场效应管源极与漏极以N型 半导体沟道连接，栅极则是P型半导体，分别 由接点接到外围电路。
结型场效应管(JFET)
（4）场效应管工作时对偏置电压要求如下： ◆ 栅－源加负电压（UGS＜0），栅－源间的PN结
反偏，栅极电流（IG≈0），场效应管呈现很高的输 入电阻。 ◆ 漏－ 源极间加正电压（UDS＞0），使N沟道中的 多数载流子在电场作用下，由源极向漏极漂移，形 成漏极电流（iD）。 ◆ 漏极电流（iD）主要受栅－源电压（UGS）控制， 同时，也受漏——源电压（UDS）的影响。
作业：
1、场效应管有何应用?场效应管主要有哪些 性能参数？
2、如何用万用表判定场效应管的好坏和极性？ 3、能否用万用表来测量MOS场效应管的好
坏和极性？
场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS 是 结型场效应管所能输出的最大电流。
场效应管的主要参数
（4）直流输入电阻RGS 漏－源短路，栅－源加电压时，栅－源极之间的
直流电阻。
结型： 1015 Ω；
RGS
＞107
Ω；MOS管：
RGS
＞109
～
（ 变 栅 当5量－于）之 源 三跨比 电 极导， 压 管g即 对 的m：漏ghmF漏E极＝。极电△电流ID流/控△的制V微能GS变力。量的它与一是栅个衡－参量源数场电。效压g应m微管相 （6）最大漏极功耗PD PD=UDS*ID，相当于三极管的PCM。
二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电 流，即管子截止。 当UGS＞0V时→纵向电场，增加UGS→纵向电 场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成 导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以 形成漏极电流I D。
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
N沟道增强型MOS管的基本特性： UGS＜UT，管子截止； UGS＞UT，管子导通。 UGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压UDS
全夹断不同， iቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ变化不大。
iD≠0，但此后，
UDS再增加，
结型场效应管(JFET)
①结型场效应管的栅极与沟道之间的PN结是 反向偏置的，所以，栅极电流iG≈0，输入电 阻很高；
②漏极电流受栅－源电压UGS控制，所以，场 效应管是电压控制电流器件；
③预夹断前，即UDS较小时， iD与 UDS基本呈 线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
二、绝缘栅型场效应管 (MOSFET)
（一）N沟道增强型 MOS管结构
四个电极：漏极D，源 极S, 栅极G和衬底B。
源 极s 栅 极-g 漏 极d
-
-
N+
N+
P衬 底
-d
g
--
b
s
-
衬 底b
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
（二）工作原理 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的
作用下，漏极电流ID越大。
场效应管的主要参数
三、场效应管的主要参数 （1）开启电压VT (MOSFET) 通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流
ID 时对应的栅－源电压称为开启电压，用 VGS(th) 或VT 。 开启电压VT是MOS增强型管的参数。当栅
－源电压VGS小于开启电压的绝对值时，场效 应管不能导通。
结型场效应管(JFET)
UDS对iD的影响。假定UGS不变。 当UDS增加时，导电沟道呈稧形，沟道宽
度不均匀，在预夹断前， iD随UDS的增加几乎 呈线性地增加。
当UDS增加到UDS＝ UGS－ UP，即UGD＝ U漏G极S－附U近D的S＝耗U尽P层（在夹A断点电处压合）拢，，沟此道时预，夹与断完，
场效应管的主要参数
（2）夹断电压VP (JFET) 于某当一VD微S 为小某电一流固（定如值50（mA如）10时V，）栅，－使源iD极等间
加极的电电流压为即零为。夹断电压。当VGS＝VP 时，漏 （3）饱和漏极电流IDSS(JFET) 饱和漏极电流IDSS 是在VGS＝0的条件下，
结型场效应管(JFET)
工作过程分析：先假定UDS＝0。 当UGS＝0沟道较宽，电阻较小； 当UGS＜0，随着值的增加，在这个反偏电压作用 下，两个PN结耗尽层加宽，沟道将变窄，沟道电阻
加大。 当UGS值大到一定值，耗尽层在夹道中合拢， －源电阻无穷大，iD=0，此时的UGS称为夹断电 压，用UP表示。 上述分析表明：改变UGS的大小，可以有效控制沟 道电阻的大小；同时加上UDS，漏极电流iD将受UGS 控制， UGS值增加，沟道电阻增大， iD减小；
N沟道 P沟道 增强型
耗尽型
（耗尽型）
N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
场效应管的类型、结构、原理
（一）结型场效应管 (JFET)
结型场效应管的结构和 工作原理
（1）场效应管的三个 极：栅极（G）、源极 （S）、漏极（D） 【闸门、水库、出水口】
结型场效应管(JFET)
（2）N型沟道源极提供电子，电流从漏极→ 源极；
场效应管的识别与检测
场效应管的识别与检测
场效应管是电压控制型半导体器件。特点： 输入电阻高（107～109欧）、噪声小、功耗 低、无二次击穿，特别适用于高灵敏度和低 噪声的电路。
场效应管外形图
场效应管的类型、结构、原理
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
FET 场效应管
JFET 结型
MOSFET 绝缘栅型
（3）N沟道结型场效应管源极与漏极以N型 半导体沟道连接，栅极则是P型半导体，分别 由接点接到外围电路。
结型场效应管(JFET)
（4）场效应管工作时对偏置电压要求如下： ◆ 栅－源加负电压（UGS＜0），栅－源间的PN结
反偏，栅极电流（IG≈0），场效应管呈现很高的输 入电阻。 ◆ 漏－ 源极间加正电压（UDS＞0），使N沟道中的 多数载流子在电场作用下，由源极向漏极漂移，形 成漏极电流（iD）。 ◆ 漏极电流（iD）主要受栅－源电压（UGS）控制， 同时，也受漏——源电压（UDS）的影响。
作业：
1、场效应管有何应用?场效应管主要有哪些 性能参数？
2、如何用万用表判定场效应管的好坏和极性？ 3、能否用万用表来测量MOS场效应管的好
坏和极性？
场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS 是 结型场效应管所能输出的最大电流。
场效应管的主要参数
（4）直流输入电阻RGS 漏－源短路，栅－源加电压时，栅－源极之间的
直流电阻。
结型： 1015 Ω；
RGS
＞107
Ω；MOS管：
RGS
＞109
～
（ 变 栅 当5量－于）之 源 三跨比 电 极导， 压 管g即 对 的m：漏ghmF漏E极＝。极电△电流ID流/控△的制V微能GS变力。量的它与一是栅个衡－参量源数场电。效压g应m微管相 （6）最大漏极功耗PD PD=UDS*ID，相当于三极管的PCM。
二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电 流，即管子截止。 当UGS＞0V时→纵向电场，增加UGS→纵向电 场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成 导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以 形成漏极电流I D。
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
N沟道增强型MOS管的基本特性： UGS＜UT，管子截止； UGS＞UT，管子导通。 UGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压UDS
全夹断不同， iቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ变化不大。
iD≠0，但此后，
UDS再增加，
结型场效应管(JFET)
①结型场效应管的栅极与沟道之间的PN结是 反向偏置的，所以，栅极电流iG≈0，输入电 阻很高；
②漏极电流受栅－源电压UGS控制，所以，场 效应管是电压控制电流器件；
③预夹断前，即UDS较小时， iD与 UDS基本呈 线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
二、绝缘栅型场效应管 (MOSFET)
（一）N沟道增强型 MOS管结构
四个电极：漏极D，源 极S, 栅极G和衬底B。
源 极s 栅 极-g 漏 极d
-
-
N+
N+
P衬 底
-d
g
--
b
s
-
衬 底b
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
（二）工作原理 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的
作用下，漏极电流ID越大。
场效应管的主要参数
三、场效应管的主要参数 （1）开启电压VT (MOSFET) 通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流
ID 时对应的栅－源电压称为开启电压，用 VGS(th) 或VT 。 开启电压VT是MOS增强型管的参数。当栅
－源电压VGS小于开启电压的绝对值时，场效 应管不能导通。
结型场效应管(JFET)
UDS对iD的影响。假定UGS不变。 当UDS增加时，导电沟道呈稧形，沟道宽
度不均匀，在预夹断前， iD随UDS的增加几乎 呈线性地增加。
当UDS增加到UDS＝ UGS－ UP，即UGD＝ U漏G极S－附U近D的S＝耗U尽P层（在夹A断点电处压合）拢，，沟此道时预，夹与断完，
场效应管的主要参数
（2）夹断电压VP (JFET) 于某当一VD微S 为小某电一流固（定如值50（mA如）10时V，）栅，－使源iD极等间
加极的电电流压为即零为。夹断电压。当VGS＝VP 时，漏 （3）饱和漏极电流IDSS(JFET) 饱和漏极电流IDSS 是在VGS＝0的条件下，
结型场效应管(JFET)
工作过程分析：先假定UDS＝0。 当UGS＝0沟道较宽，电阻较小； 当UGS＜0，随着值的增加，在这个反偏电压作用 下，两个PN结耗尽层加宽，沟道将变窄，沟道电阻
加大。 当UGS值大到一定值，耗尽层在夹道中合拢， －源电阻无穷大，iD=0，此时的UGS称为夹断电 压，用UP表示。 上述分析表明：改变UGS的大小，可以有效控制沟 道电阻的大小；同时加上UDS，漏极电流iD将受UGS 控制， UGS值增加，沟道电阻增大， iD减小；
N沟道 P沟道 增强型
耗尽型
（耗尽型）
N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
场效应管的类型、结构、原理
（一）结型场效应管 (JFET)
结型场效应管的结构和 工作原理
（1）场效应管的三个 极：栅极（G）、源极 （S）、漏极（D） 【闸门、水库、出水口】
结型场效应管(JFET)
（2）N型沟道源极提供电子，电流从漏极→ 源极；
场效应管的识别与检测
场效应管的识别与检测
场效应管是电压控制型半导体器件。特点： 输入电阻高（107～109欧）、噪声小、功耗 低、无二次击穿，特别适用于高灵敏度和低 噪声的电路。
场效应管外形图
场效应管的类型、结构、原理
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
FET 场效应管
JFET 结型
MOSFET 绝缘栅型