非平衡磁控溅射.

镜像：由于两个靶磁场的相互排斥，纵向磁场都被迫向镀膜区外弯曲， 电子被引导到真空室壁上流失，总体上降低了电子进而离子的数量。由 于镜像磁场方式不能有效地束缚电子，等离子体的溅射效率未得到提高。 闭合磁场：非平衡靶对在镀膜区域的纵向磁场是闭合的。只要磁场强 度足够，电子就只能在镀膜区域和两个靶之间运动，避免了电子的损失， 从而增加了镀膜区域的离子浓度，大幅度提高了溅射效率。
图1 非平衡磁控溅射源示意图
二、分类
非平衡磁控溅射系统有两种结构： 外环磁场强度高于芯部磁场强度，磁力线形成闭合回路， 部分外环的磁力线延伸到基体表面。 芯部磁场强度比外环高，磁力线没有闭合，被引向真空 室壁，基体表面的等离子体密度低；
图2 （a）外环磁场强度高于芯部示意图 (b) 芯部磁场强度高于外环示意图
图6 一500 V偏压下Ti、TiN单层 膜、Ti／Βιβλιοθήκη BaiduiN多层膜及铀基体的电 化学极化曲线
参考文献
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非平衡磁控溅射及应用
主要内容
非平衡磁控溅射简介 分类 特点 研究实例
一、非平衡磁控溅射
对于一个磁控溅射靶，其 外环磁极的磁场强度与中部 磁极的磁场强度相等或相近， 则称为“平衡”磁控溅射靶。 一旦某一磁极的磁场相对于 另一极性相反的部分增强或 者减弱，就导致了溅射靶磁 场的“非平衡”。
热震实验结果表明：SiN薄膜与AZ31镁合金基底之间的结合力良好，足以
满足应用需要。
表1 热震实验参数
四、研究实例（二）
Microstructures and Corrosion Resistance of Ti．Based Films Deposited on Depleted Uranium
单层膜：微孔和裂纹等缺陷 → 腐蚀介质到达铀基体→ 组成腐蚀电偶而腐蚀 → 缺陷扩展 → 膜层开裂和脱离 Ti／TiN多层膜：各亚层界面之间的反复形核 → 细化晶粒 → 空隙率降低、致 密性提高 → 抗腐蚀性改善

图3 （a）双靶闭合磁场磁控溅射 （b）双靶镜像磁场磁控溅射
三、特点
优点： 缺点：
1 、靶材离化率高，薄膜 设备结构较为复杂，开 沉积速率快 发、维修、护理等附加 2 、在复杂基体和不同材 成本较高。 料上实现了均匀沉积 3 、涂层附着性好，结合 强度高
四、研究实例（一） Surface Modification of AZ31 Mg Alloys by Depositing Silicon Nitrides Films
感谢关注
镁合金：密度小，比强度高；耐腐蚀性能差，强度低
氮化硅薄膜：优良的机械性能，薄膜硬度很高，耐磨性和抗划伤能力很 强
图4 不同N2流量比率R(N2)条件下氮化硅薄膜的显微硬度
1#试样表面局部小面积薄膜脱落，2#，3#撑试样仍然没有起皮和薄膜脱 落现象发生。这可能是由于l#试样的薄膜比较厚的原因造成的。
图5
镀层盐雾腐蚀24 h后的表面形貌
在腐蚀电位附近，各样品的极化电流 都随极化过电位的增大而快速增加， 表明电极化过程受电子转移的电化学 活化控制。当阳极极化到弱极化区后。 极化电流随极化电位的升高而增大， 但极化曲线的斜率愈来愈大，即电极 过程的阻力越来越大，电子的转移越 来越困难
由图可知，当极化电位进一步升高， Ti／TiN多层膜极化曲线出现转折点， 在转折点以上极化电流迅速增加，说 明镀层表面出现了局部腐蚀或镀层中 原有微观孔隙因腐蚀而贯穿到了铀基 体，局部活性点构成了大阴极小阳极 的腐蚀电偶对，从而加快了样品的腐 蚀。