9微波半导体二极管负阻器件讲解

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半导体二极管(Diode)

半导体二极管(Diode)

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模拟电子技术基础
[解] 理想 恒压
VDD = 10 V IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) UO = 10 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA)
折线 IO = (VDD-Vth)/ (R+rd) = (10-0.5 )/ (2+0.2) = 4.318 (mA)
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模拟电子技术基础
2.4
二极管基本电路及其分析方法
二极管是一种非线性器件,一般采用非线性电路
分析方法。主要介绍模型分析法。 2.4.1 2.4.2 二极管V-I特性的建模 模型分析法应用举例
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模拟电子技术基础
2.4.1 二极管V-I特性的建模
1. 理想模型(ideal model)
模拟电子技术基础
2.3 半导体二极管(Diode)
二极管 :一个PN结就是一个二极管。
半导体二极管的类型与结构
二极管的V-I特性
★二极管的参数
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模拟电子技术基础
2.3.1 半导体二极管的类型与结构
硅管
(1) 按使用的半导体材料不同分为
锗管 面结型(junction type) 点接触型(point contact type)
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模拟电子技术基础
2
限幅电路
用来让信号在预置的电平范围内,有选择地传输一部分。
例3:理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V,求输出波形v0。
vi
Vm
VR
解: Vi> VR时,二极管导通,vo=vi。

半导体器件物理-负阻器件、功率器件、光电器件

半导体器件物理-负阻器件、功率器件、光电器件

11
1
f x 2 LSC j ( RC j )2
偏 置 在 Rmin处 , 则 电 阻 截 止 频 率
fr0
1 2RminC j
Rmin 1 RS
fr
f
r

0









换 言 之 , 有 负 阻 时 频 率低 于fr0
偏 置 在Rmin处 , 则 电 抗 截 止 频 率
11
1
f x0 2 LSC j ( RminC j )2 f x
1
exp
2ES E
dE
其 中 E 2qξ ; π mEg
经验公式
E
S为E1与E

2




Ip
It
Ip
V Vp
exp
1
V Vp
IV
V
Vp VV
E1
13
It
Ip
V Vp
exp
1
V Vp
Vp ?
当偏压使电子态分布的峰值与空穴分布的峰值 对应同一能量时的偏压为峰值电流的电压
电子浓度分布
23
三、MIS隧道二极管( MIS Tunnel Diode )
1、基本结构
tox 7nm tox 5nm 1nm tox 3nm
2、基本原理
EFm
EFm
EFm
tox 7 nm : 隧 穿 可 略 ; tox 1nm : 作 用 可 略 ; 1nm tox 7 nm : 隧 穿 效 应 。
直接带隙 能量、动量守恒 E2
E1
声子与初始电子能量之 和等于隧穿后能量

二极管的工作原理图解

二极管的工作原理图解

二极管的工作原理图解
二极管是一种电子器件,具有两个电极,即(正)P端和(负)N端。

工作原理如下:
1. 构造方式:二极管由两种不同类型的半导体材料(N型和P 型)组成。

在P型半导体材料中,正向掺杂一些杂质,使之
成为P端;在N型半导体材料中,负向掺杂一些杂质,使之
成为N端。

2. 能带结构:在二极管中,P端的材料上边缘能带(价带)处
于低能量状态,而N端的材料上边缘能带处于高能量状态。

P
端与N端之间的交界处称为P-N结,形成了一个禁带。

3. 正向偏置:当给二极管的P端施加正电压,N端施加负电压时,电流只能从P端流入N端,这称为正向偏置。

在正向偏
置下,禁带变窄并允许电流流动。

4. 反向偏置:当给二极管的P端施加负电压,N端施加正电压时,电流几乎不会流过二极管,这称为反向偏置。

在反向偏置下,禁带变宽,电流流动极小。

5. 效应:正向偏置下,当电压施加到足够高时,电流呈指数形态增长。

当电压施加到饱和点后,电流将近似恒定。

反向偏置下,电压增大,电流基本不变直到达到临界击穿电压。

总之,二极管的主要作用是允许电流单向流动,这依赖于P-N 结内部电势能差异所产生的独特能带结构。

这使得二极管成为许多电子电路中重要的基础组件。

半导体二极管在电子电路中的基本作用

半导体二极管在电子电路中的基本作用

半导体二极管在电子电路中的基本作用半导体二极管是一种重要的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。

它具有诸多独特的性质和功能,可以起到多种作用。

本文将从基本原理、特点和应用领域等方面,详细介绍半导体二极管在电子电路中的基本作用。

半导体二极管是一种两端具有PN结的二极管,由p型和n型半导体材料组成。

它有一个主要的特点,即只能从p端流向n端的方向导通电流,而反向时截止电流。

这种非线性特性使得二极管在电子电路中具有独特的应用价值。

首先,半导体二极管常用作整流器。

整流器是将交流信号转换为直流信号的重要电子元件。

半导体二极管具有只能单向传导电流的特性,可以有效地将交流信号中的负半周去除,只保留正半周,从而实现整流的功能。

这在电源、通信和音频等领域的电路中经常需要。

其次,半导体二极管广泛应用于电路的保护功能。

例如,在电路中加入一个二极管,可以实现过压保护。

当电路中出现过高的电压时,二极管会在达到其击穿电压时变为导通状态,将超出范围的电压引到地或其他处,从而保护其他电子元件不受损坏。

类似地,二极管还可以用于过流保护、过温保护和反向电压保护等,保障电路的安全运行。

此外,半导体二极管还可用作电压参考源。

例如,锂电池充电、开关电源和运算放大器等电子电路中,通常需要一个稳定的参考电压。

半导体二极管的正向电压降通常比较稳定,因此可以将其作为稳定的参考电压源使用。

通过合理设计与连接,可以在电路中产生精确的参考电压,确保其他电子元件的工作稳定和准确。

同时,半导体二极管在信号混频中具有重要的作用。

信号混频是将两个频率不同的信号混合在一起,得到频率和幅度均不同于原信号的新信号。

在混频电路中,半导体二极管常常作为非线性元件被使用。

通过合理选择和连接二极管,可以实现不同种类的混频电路,从而实现频率合成、调制解调等功能,广泛应用于无线通信和广播电视等领域。

此外,半导体二极管还可用作电路中的开关元件。

在数字电路中,常常需要将信号进行开关控制。

半导体二极管及其基本应用

半导体二极管及其基本应用

半导体二极管及其基本应用1. 二极管是什么?说到二极管,大家可能会想,“这玩意儿是什么?吃的吗?”其实,二极管是个小小的电子元件,但它的作用可大得很!简而言之,二极管就像个单行道,电流只能朝一个方向走,通俗点说,它让电流变得有规矩。

不论是在家里的电子产品里,还是在我们身边的各种科技设备中,二极管几乎无处不在。

听起来神秘,其实它在我们生活中默默无闻地工作着。

那么,二极管是怎么工作的呢?想象一下,一个人站在一个门口,门只能向一个方向打开,外面的人想进来,就得从这扇门走,反之则不行。

这就是二极管的基本原理。

它能让电流顺利通过,但一旦反向,它就会坚决拒绝,像个守门员一样把电流挡在外面。

1.1 二极管的类型当然,二极管可不是单一品种,市场上有各种各样的二极管,就像水果摊上的水果一样多。

例如,有普通的硅二极管,广泛应用于各种电路中;还有整流二极管,专门负责把交流电转换成直流电,就像把河水引入小渠里,确保水流顺畅。

再比如发光二极管(LED),它不仅能导电,还能发光,真是个“能发光的好家伙”,让我们的小夜灯亮起来,简直是黑夜里的小明星。

1.2 二极管的特点谈到二极管的特点,首先要提的是它的“单向导电性”。

就像一个不喜欢麻烦的人,只有在合适的情况下才会敞开心扉。

其次,二极管的反向击穿电压也很有意思。

当电压达到某个临界值时,二极管就像忍不住了,突然间放开了电流,虽然这在大多数情况下不是好事,但有时候却能拯救一些电路的生命。

还有,就是它的“恢复时间”,二极管在电流切换时的表现,也决定了它的应用场合。

2. 二极管的基本应用说了这么多,二极管到底有什么用呢?这可是个大问题,接下来我们就来聊聊它的一些基本应用。

2.1 整流电路首先要提的就是整流电路。

整流电路的任务就是把交流电转换成直流电。

你知道吗,家里的电器大部分都需要直流电,比如手机充电器、电脑等。

如果没有二极管,交流电就会让这些电器“崩溃”,简直就是电器界的“天塌下来了”。

二极管详解

二极管详解

二极管二极管的特性与应用二极管的工作原理二极管的类型二极管的导电特性二极管的主要参数半导体二极管参数符号及其意义二极管的识别二极管型号命名方法二极管和半导体的关系测试二极管的好坏二极管的特性与应用二极管的工作原理二极管的类型二极管的导电特性二极管的主要参数半导体二极管参数符号及其意义二极管的识别二极管型号命名方法二极管和半导体的关系测试二极管的好坏半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。

它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件,具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质。

二极管的特性与应用几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。

二极管的应用1、整流二极管利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。

2、开关元件二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。

利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。

3、限幅元件二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。

利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。

4、继流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。

5、检波二极管在收音机中起检波作用。

6、变容二极管使用于电视机的高频头中。

7、显示元件用于电视机显示器上。

二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。

当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

半导体分立元件--二极管

半导体分立元件--二极管

半导体分立元件半导体二极管半导体二极管是用半导体材料(主要是硅或锗的单晶)而制成,故又称为晶体二极管(俗称二极管)。

二极管的主要电性能是“单向导电性”,是一种有极性的二端元件(一种典型的非线性元件)。

二极管在电路中主要用作整流、限幅箱位、检波等,在数字电路中用作开关器件。

基本知识1、二极管。

自然界的物质按其导电能力的大小分为导体、半导体、绝缘体。

导体具有良好的导电性能,其电阻率一般小于10-6Ω·m,如铜和银;绝缘体导电能力很差或不导电,其电阻率往往在108Ω·m以上,如橡胶、陶瓷等;而半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间,如纯净的硅在常温下的电阻率为2×103Ω·m。

半导体材料(如硅和锗)都是4价元素,其最外层的4个价电子与其相邻的原子核组成“共介键”结构,所以在温度极低时(如绝对零度时)半导体不导电,在常温下,纯净的半导体的导电能力也很弱。

2、半导体的主要特点。

半导体与导体和绝缘体相比有两个显著特点:一是其“热敏性”与“光敏性”。

例如当环境温度每升高8℃时,纯净硅的电阻率会降低一半左右(即导电能力提高一倍),且光线的照射也会明显地影响半导体的导电性能,人们利用半导体的这一性能,就可以制成各种热敏元件(如热敏电阻)、光敏元件(如光敏电阻、光电管)等;其二是半导体的“掺杂性”。

指在纯净的半导体内掺入微量的杂质,半导体的导电能力就急剧增强。

例如在单晶硅中掺入百分之一的某种杂质,其导电能力将增加一百万倍。

人们正是利用半导体的这一独特性质。

做成“杂质半导体”,从而制造出各种不同性质、不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路等。

3、杂质半导体。

(1)N型半导体(电子型半导体)。

在纯净的半导体中掺入5价元素就得到N型半导体。

5价杂质其最外层的5个价电子除与半导体组成共价键外就多余一个电子(自由电子)。

所以N型半导体中自由电子为“多子”,空穴为“少子”。

(完整版)半导体二极管电子教案

(完整版)半导体二极管电子教案

第一章半导体二极管内容简介本章首先介绍半导体的导电性能和特点,进而从原子结构给与解释。

先讨论PN结的形成和PN结的特性,然后介绍半导体二极管特性曲线和主要参数。

分析这些管子组成的几种简单的应用电路,最后列出常用二极管参数及技能训练工程。

知识教学目标了解半导体根底知识,掌握PN结的单向导电特性;熟悉二极管的根本结构、伏安特性和主要参数;掌握二极管电路的分析方法;了解特殊二极管及其应用。

技能教学目标能够识别和检测二极管,会测定二极管简单应用电路参数。

本章重点要求掌握器件外特性,以便能正确使用和合理选择这些器件。

如:半导体二极管:伏安特性,主要参数,单向导电性。

二极管电路的分析与应用。

本章难点半导体二极管的伏安特性,主要参数,单向导电性。

二极管电路分析方法。

课时4课时题目:半导体、 PN结教学目标:了解本征半导体,杂质半导体的区别,从而得出半导体特性。

记住半导体PN结的特性。

教学重点:1、半导体特性;2、半导体PN结的特性;教学难点:1、半导体单向导电性。

2、半导体PN结分别加正反向电压导通与截止的特性。

教学方法:讲授教具:色粉笔新课导入:电子技术根底是我们这学期新开的一门专业课,它包含各个根本小型电路的介绍及使用分析,这次课我们来学习一种材质:半导体。

为以后的电路分析打下根底。

新授:从导电性能上看,通常可将物质为三大类:导体:电阻率,缘体:电阻率,半导体:电阻率ρ介于前两者之间。

目前制造半导体器件材料用得最多的有:单一元素的半导体——硅(Si)和锗(Ge);化合物半导体——砷化镓(GaAs)。

1图半导体例如本征半导体了解:纯洁的半导体称为本征半导体。

用于制造半导体器件的纯硅和锗都是四价元素,其最外层原子轨道上有四个电子〔称为价电子〕。

在单晶结构中,由于原子排列的有序性,价电子为相邻的原子所共有,形成图所示的共价健结构,图中+4代表四价元素原子核和内层电子所具有的净电荷。

共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由电子,同时在共价键上留下空位,我们称这些空位为空穴,它带正电。

二极管基本概念基本概念二极管是晶体二极管的简称,也叫半导体...

二极管基本概念基本概念二极管是晶体二极管的简称,也叫半导体...

二极管基本概念基本概念二极管是晶体二极管的简称,也叫半导体二极管,用半导体单晶材料(主要是锗和硅)制成,是半导体器件中最基本的一种器件,是一种具有单方向导电特性的无源半导体器件。

一、二极管基本结构二极管的基本结构是一个PN结,二极管的所有特性都取决于PN结特性。

从PN结的导电原理可知,只有在正向偏置条件下,二极管才处于导通状态,所以说二极管具有单方向导电特性。

二、电路符号分类:半导体二极管种类很多。

基本参数基本参数一、结压降:结压降是指当外加正向偏置电压时,二极管能进入正常导通状态时的必须具有的最小外加电压值,也称为死区电压或导通电压。

对于硅二极管,这个电压一般为0.6V左右;对于锗二极管,这个电压一般为0.2V左右。

二、正向直流电阻R D:正向直流电阻R D是指二极管在给定外加正向直流电压时的电压与电流之比,R D=V DQ/I DA。

三、正向交流电阻r d:正向交流电阻r d是指在给定外加正向交流电压时的D V D与D I D之比,r d=D V D/D I D。

四、反向击穿电压V BR:反向击穿电压V BR是指反向击穿电压增大到某个值,反向电流迅速增大时所对应的电压值。

五、最高反向工作电压V RM :最高反向工作电压V RM是指二极管不被反向击穿的最高反向电压,一般取反向击穿电压的1/2。

对有些小容量二极管,最高反向工作电压则定为反向击穿电压的2/3。

应用中一定要保证不超过最大反向工作电压。

防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。

六、最大反向电流I BR:最大反向电流I BR是指在规定的反向偏压下,通过二极管的电流。

这一电流在反向击穿之前大致不变,故又称为反向饱和电流,如图所示。

通常硅管为几毫安以下,锗管为几百微安。

反向电流的大小,反映了晶体二极管单向导电性能的好坏,反向电流的数值越小越好。

七、最高工作频率f M:最高工作频率f M指二极管能保持良好工作特性时的工作电压最高频率。

有时手册中标出的不是“最高工作频率(f M)”,而是标出“频率(f)”,意义是一样的。

半导体二极管的基本知识教案

半导体二极管的基本知识教案

半导体二极管的基本知识教案教案主题:半导体二极管的基本知识教学目标:1.了解半导体二极管的基本结构和工作原理;2.掌握二极管的正向导通和反向截止的条件和特点;3.理解二极管的特性曲线和特殊用途。

教学内容:一、半导体二极管的基本结构和工作原理(200字)1.半导体材料的基本原理;2.半导体二极管的结构组成;3.P-N结的形成和特点;4.二极管的工作原理。

二、二极管的正向导通和反向截止条件和特点(400字)1.正向偏置的条件和特点;2.正向截止的条件和特点;3.反向偏置的条件和特点;4.反向击穿的条件和特点。

三、二极管的特性曲线(300字)1.静态特性曲线的形状和解读;2.动态特性曲线的形状和解读;3.特殊二极管的特性曲线解读。

四、二极管的应用(300字)1.整流二极管的应用;2.稳压二极管的应用;3.发光二级管的应用;4.激光二级管的应用;5.双极型晶体管的应用。

教学过程:一、导入(100字)1.通过展示实际应用中常见的二极管图标引起学生兴趣;2.提问:你了解二极管吗?你知道它有什么作用吗?二、引入新知(400字)1.介绍半导体材料的基本知识,引出半导体二极管的概念;2.讲解半导体二极管的结构组成和工作原理;3.演示实验:用示波器观察二极管的导通和截止过程。

三、学习重点(300字)1.引导学生理解正向导通和反向截止的条件和特点;2.演示实验:观察不同偏置条件下二极管的特性曲线。

四、拓展应用(300字)1.介绍不同类型的二极管的特点和应用;2.分组讨论:学生选择一个特殊二极管进行详细解读。

五、巩固练习(200字)1.课堂练习:选择题和解答题;2.讲解答案,提醒学生注意知识点。

六、总结与评价(100字)1.总结课堂内容,强调重点;2.鼓励学生将所学知识应用到实际问题中。

教学方法:讲授、演示、实验、讨论、练习教学辅助工具:白板、投影仪、示波器、二极管模块、试卷布置作业:让学生自主选择一个二极管的应用领域,撰写一篇短文介绍该应用领域及二极管的作用。

二极管工作原理及应用

二极管工作原理及应用

二极管工作原理及应用一、引言二极管是一种非常重要的电子元件,广泛应用于各种电子设备和系统中。

其工作原理和应用对于电子工程和相关领域的发展具有重要意义。

本文将详细介绍二极管的工作原理、应用和特殊类型二极管的特点。

二、二极管工作原理半导体材料:二极管由半导体材料制成,通常使用硅或锗。

半导体材料具有导电性能介于金属和绝缘体之间的特性。

P-N结:二极管由一个P型半导体和一个N型半导体组成,两者交界处的区域称为P-N 结。

在正向偏置条件下,电流可以通过P-N结流动;在反向偏置条件下,电流几乎为零。

正向偏置和反向偏置:当二极管的正极电压高于负极电压时,称为正向偏置;当二极管的负极电压高于正极电压时,称为反向偏置。

整流效应:二极管在正向偏置时,电流可以通过P-N 结,实现整流作用,将交流电转换为直流电。

温度特性:二极管的反向电流随温度升高而增大,因此在使用时需要考虑温度对二极管性能的影响。

三、二极管的应用整流器:利用二极管的整流效应,将交流电转换为直流电,广泛应用于电源供应、充电器等领域。

开关电路:通过控制二极管的导通和截止状态,实现电路的开关控制,应用于数字电路、逻辑门电路等。

信号处理:利用二极管的非线性特性,可以对信号进行调制、限幅、混频等处理。

显示器件:在显示器中,利用二极管的单向导电性实现像素点的亮灭控制,如LED显示器等。

保护电路:利用二极管的反向截止特性,可以防止电路过电压、过电流等损害,提高电子设备的安全性。

四、特殊类型二极管稳压二极管:一种特殊的二极管,能够在反向击穿状态下保持较低的漏电流,常用于电压调节和稳压电路。

隧道二极管:利用量子力学隧道效应制成的二极管,具有负阻特性和快速响应的特性,常用于振荡器、信号放大等电路中。

瞬态二极管:一种具有快速响应能力的二极管,能够在瞬间承受高电压或大电流,常用于保护电路和瞬态抑制等应用。

雪崩二极管:一种高功率二极管,能够在高反向电压下工作而不发生雪崩击穿,常用于高功率开关电源和功率放大电路中。

二极管入门知识二极管结构和工作原理

二极管入门知识二极管结构和工作原理

二极管入门知识二极管结构和工作原理二极管是一种由PN结构组成的器件,由两种材料组成,即n型和p型半导体材料。

在本文中,我将介绍二极管的结构和工作原理。

一、二极管结构二极管由两个半导体材料组成,一个为n型,带有过剩的自由电子,另一个为p型,带有过剩的空穴。

将两个半导体材料合并在一起,其中n型材料与p型材料的接触面即为PN结构。

在PN结构中,当p型区与n型区接触,形成一个耗尽区域,该区域中没有自由载流子。

在这个耗尽区域的两侧,形成了一个正向偏置区和一个反向偏置区。

正向偏置即在p型侧连接正电压,反向偏置即在n型侧连接正电压。

二、二极管的工作原理1.正向偏置:当正向偏置施加在二极管上时,即在p型侧施加正电压,n型侧施加负电压。

这将减小PN耗尽区的宽度,并形成一个电流通路,使电流从p型区流向n型区。

在正向偏置下,n型区中的自由电子向前方移动,而p型区中的空穴向后方移动。

这些移动的自由电子和空穴在PN结内再组合,从而产生电流。

这个过程被称为二极管正向导通。

2.反向偏置:当反向偏置施加在二极管上时,即在n型侧施加正电压,p型侧施加负电压。

这将增加PN耗尽区的宽度,并阻止电流的流动。

在反向偏置状态下,二极管几乎不导电。

当在此状态下施加过高的反向电压时,会引起击穿,导致电流突然增大。

三、二极管的特性1.正向电流和正向电压之间的关系:正向电流与正向电压之间的关系可以用正向电流-正向电压(I-V)曲线来表示。

在正向电压较低时,电流会逐渐增加。

当达到正向电压的临界点(一般为0.7伏特),二极管开始导通,电流急剧增加,但在增加电压时电流增加的程度减弱。

2.反向电流和反向电压之间的关系:反向电流与反向电压之间的关系可以用反向电流-反向电压(I-V)曲线来表示。

在反向电压较低时,反向电流很小。

随着反向电压的增加,反向电流也会逐渐增加,但是增加的速度比较缓慢。

当反向电压达到一定值后,反向电流急剧增加,这称为击穿。

综上所述,二极管的结构和工作原理是通过PN结的形成,在正向偏置下产生电流,而在反向偏置下一般情况下不导电。

二极管电阻正极、

二极管电阻正极、

二极管电阻正极、二极管是一种具有非线性电阻特性的电子器件,其正极有着特殊的电阻特点。

本文将从二极管电阻正极的角度出发,来探讨二极管的性质和应用。

我们需要了解二极管的基本结构和工作原理。

二极管由一个P型半导体和一个N型半导体组成,它们通过PN结相连。

当二极管的正极连接到P型半导体,负极连接到N型半导体时,二极管处于正向偏置状态。

在这种状态下,电流可以流过二极管,二极管的正向电阻很小,可以近似为零。

然而,当二极管的正极连接到N型半导体,负极连接到P型半导体时,二极管处于反向偏置状态。

在这种状态下,二极管的正向电阻会变得非常大,可以近似为无穷大。

这是因为PN结的内部电场阻止了电流的流动。

所以,二极管在反向偏置状态下可以用作电阻。

正向电阻小、反向电阻大的特性使得二极管在电路中有着广泛的应用。

首先,二极管可以用作整流器。

在交流电路中,二极管正向导通时,只允许电流沿一个方向流动,起到了将交流电转换为直流电的作用。

这是因为二极管的正向电阻很小,可以近似为零,而反向电阻很大,可以近似为无穷大。

二极管还可以用作压降元件。

在电路中,当电压超过二极管的正向电压时,二极管会开始导通,电流开始流动。

而在电压低于二极管的正向电压时,二极管处于截止状态,电流不会流动。

因此,通过控制二极管的正向电压,可以实现对电路中电流的控制。

除了以上两个应用,二极管还广泛用于电子设备中的保护电路。

例如,二极管可以用作过压保护器。

当电路中出现过高的电压时,二极管会导通,将多余的电压绕过敏感的电子元件,起到保护的作用。

同样地,二极管也可以用作过流保护器。

当电路中的电流超过一定的阈值时,二极管会导通,将多余的电流绕过其他元件,起到保护的作用。

除了以上几个常见的应用,二极管还可以用于信号调理、频率调制、光电转换等领域。

它的小尺寸、低成本和可靠性使得它成为现代电子器件中不可或缺的一部分。

总结一下,二极管的正极具有特殊的电阻特性。

在正向偏置状态下,二极管的正向电阻很小,可以近似为零;在反向偏置状态下,二极管的正向电阻很大,可以近似为无穷大。

二极管教案

二极管教案

01
02
03
04
电源安全
使用合适的电源,避免电压过 高或过低对实验造成影响
防止触电
在实验过程中,不要用手直接 接触电源和裸露的导线部分
仪器使用安全
正确使用万用表,避免不当操 作导致仪器损坏或人身伤害
实验结束后处理
实验结束后,及时关闭电源, 整理好实验器材和场地
2023
PART 06
知识拓展:新型二极管技 术发展趋势
2023
PART 04
选型与使用注意事项
REPORTING
不同场景下二极管选型策略
整流电路
选择正向压降小、反向 恢复时间短的整流二极
管,如1N4007。
检波电路
选用结电容小、频率特 性好的点接触型二极管
,如2AP9。
稳压电路
选用稳定电压值符合要 求的稳压二极管,如 2CW56。
开关电路
选用开关速度快、反向 恢复时间短的开关二极
VS
参数解读
二极管的参数主要包括最大整流电流、最 大反向电压、正向压降、反向电流等。这 些参数反映了二极管的性能和使用范围, 是选用和使用二极管的重要依据。例如, 最大整流电流表示二极管在正向导通时允 许通过的最大电流;最大反向电压表示二 极管在反向截止时能承受的最大电压。
2023
PART 02
常见类型及其特性分析
注意事项
确保连接正确,避免短路 或接反
测量方法以及数据记录要求
测量方法
使用万用表分别测量二极 管的正向电压和反向电压 ,并记录测量数据
数据记录要求
记录实验日期、室温、正 向电压、反向电压,以及 二极管的型号和规格
数据分析
根据测量数据绘制二极管 的伏安特性曲线,并分析 二极管的性能参数

二极管PPT课件完整版

二极管PPT课件完整版
二极管导通和截止工作状态判断方法
分析二极管工作状态时,应判断二极管是导通还是截止。
下表是二极管工作状态识别方法,表中,“+”表示正极性电
压,“-”表示负极性电压。
电压极性及状态
工作状态
+ 正向偏置电压足够大 二极管正向导通,两引脚间电阻很小.
-
正向偏置电压不够大
二极管不足以正向导通,两引脚间内阻 还比较大.
几百KΩ
正向电阻很大,说明二极管已经开路。
几十KΩ
二极管正向电阻较大,正向特性不好。
测量时表针不稳定
测量时表针不能稳定在某一阻值上,二极 管稳定性能差。
火 灾 袭 来 时 要迅速 疏散逃 生,不 可蜂拥 而出或 留恋财 物,要 当机立 断,披 上浸湿 的衣服 或裹上 湿毛毯 、湿被 褥勇敢 地冲出 去
2.二极管故障处理方法
二极管故障种类和特征
故障名称
故障特征
开路
二极管正、负极之间已经断开,正向和反向电阻均 为无穷大。二极管开路后,它的负极没有电压输出。
击穿
二极管正负极间已经通路,正反向电阻一样大。二 极管击穿后,不一定表现为正负极间电阻为零,会 有一些电阻值。负极没有正常信号电压输出,会出 现电路过流故障。
解说
新电路符号
电路符号中表示出两根引脚,通过三角 形表示正极、负极引脚.
旧电路符号
比较新旧两种符号的不同之处是,三角 形老符号要涂黑,新符号不涂黑.
发光二极管 在普通二极管符号的基础上,用箭头形
符号
象的表示了这种二极管能够发光。
稳压二极管 它的电路符号与普通二极管电路符号不
符号
同之处在于负极表示方式不同。
火 灾 袭 来 时 要迅速 疏散逃 生,不 可蜂拥 而出或 留恋财 物,要 当机立 断,披 上浸湿 的衣服 或裹上 湿毛毯 、湿被 褥勇敢 地冲出 去

第八章 微波二极管、量子效应和热电子器

第八章 微波二极管、量子效应和热电子器

碰撞电离雪崩渡越时间二极管
p
+
n
n
+
+
右图显示掺杂分布 和一个单 边突变p-n结在 雪崩击穿时的电场分布。 由于电场对电离率有很强 的影响,因此大部分的击 穿倍增过程发生在0和xA 之间的最大电场附近的狭 窄区域(斜阴影面积)。xA 是雪崩区域的宽度,在这 宽度内有超过95%的电离 发生。
N
p+
n+
N
N
p+ N1 N2
n+
p+ n+ N1
x
n+
N2
x
0
b
W
0
b
W
E Em E1 ( x) x )
x 0 xA W
(b) 高-低结构
(c) 低-高-低结构
桂林电子科技大学
现代半导体器件物理
微波二极管、 微波二极管、量子效应和热电子器件 13
碰撞电离雪崩渡越时间二极管
桂林电子科技大学
现代半导体器件物理
微波二极管、 微波二极管、量子效应和热电子器件 2
基本微波技术
微波频率涵盖约从0.1GHz到3000GHz,相当于波长从 300cm到0.01cm。 一般电子部件在微波频率与其在较低频率的工作行为是 不同的。在微波频率时,需将分布效应列入考虑,因为在这 些频率,波长约与部件的实际大小相当。例如,在微波频率 下,一个薄膜电阻器看起来像一个具有连续L、C和不同R值 的复杂RLC电路。这些分布式部件,虽然在较低频率下可以 忽视,但在微波频率下却有极大的重要性。在微波频率,电 容与电感常被看作为输运线的一部分。输运线也常被用作微 波电路的互连线。输运线实际上是一个由电阻、电容、电感 三种等效基本电路部件所组成的复杂网络。平面输运线是现 代微波电路技术的主流。此输运线由位于表面接地的薄膜介 电层衬底上的一个或多个平面导体所组成。

负电阻元件

负电阻元件

负电阻元件负电阻元件是一种比较特殊的电子元件,其本质原理是在电流经过该元件时,电阻的值会随着电流的变化而相应地发生变化,且电阻值不为正值,而是为负数,即负阻。

负电阻元件在电子领域的应用十分广泛,尤其在微电子领域中。

下面,我们来详细了解负电阻元件的组成和工作原理,以及一些应用实例。

一、负电阻元件的组成负电阻元件主要由以下几部分组成:1.电流限制元件为了保护负电阻元件不受到过大的电流冲击而烧毁,常常在负电阻元件之前安装一个电流限制元件。

电流限制元件的作用是将电路中的电流限制在一定的范围内,防止过大的电流通过负电阻元件。

2.负电阻元件本身负电阻元件本身的结构十分简单,通常为一块半导体晶体管或场效应管。

但不同的实现方式会有不同的元器件特性,例如变压式负电阻元件、电容式负电阻元件、电感式负电阻元件等。

3.信号处理电路负电阻元件会对电路中的信号进行调整和处理。

信号处理电路主要负责对信号进行调整,并将调整后的信号送回负电阻元件,形成闭合反馈回路,从而使负电阻元件得以工作。

二、负电阻元件的工作原理负电阻元件的工作原理与电流反馈的概念密切相关。

当电路中的电流增大时,会产生反馈作用,使得负电阻元件的电阻发生变化,从而控制电路中的电流。

这里需要解释一下,通常情况下,电阻的大小与电流之间呈正比例关系,但是,在负电阻元件中,电流越大,电阻就越小,这种电路特性就是负阻。

负电阻元件的工作原理如下:1.初始状态下,电路中的电流非常小,负电阻元件的电阻也很高。

2.因为电路中的电流非常小,负电阻元件的电阻也较高,所以它无法完全控制电路中的电流。

3.然而,当电路中的电流增大时,负电阻元件的电阻值会下降,使得该元件可以更好地控制电路中的电流。

4.随着电路中电流的增大,负电阻元件的电阻值会持续下降,直至达到一个等价电阻值。

5.等价电阻值是负电阻元件对电路中电流的最大控制范围。

如果电流进一步增大,负电阻元件无法继续降低其电阻值,也就无法控制电路中的电流。

二极管电阻

二极管电阻

二极管电阻介绍二极管是一种常见的半导体器件,具有单向导电特性。

它由P型半导体和N型半导体构成,并具有一个PN结。

在正向偏置情况下,二极管允许电流流过;而在反向偏置情况下,二极管阻止电流流动。

二极管的导通特性使其在电子电路中广泛应用,其中一个重要的参数便是电阻。

二极管电阻的意义在电路中,二极管的电阻决定了正向电流流经二极管时的电压降。

电阻可以通过欧姆定律计算,它等于电压除以流经其上的电流。

二极管的电阻可以影响电路的性能表现,如截止频率、速度和功耗等。

正向电阻正向电阻是指二极管在正向偏置状态下的电阻。

正向偏置是指二极管的P端连接到正电源,N端连接到负电源。

在正向偏置情况下,当正向电流流过二极管时,会在二极管的PN结内产生电压降。

这个电压降决定了正向电阻的大小。

正向电阻通常用截断电压和截断电流两个参数来表示。

其中截断电压是指正向电流很小时,二极管的电压降;截断电流是指正向电压很小时,二极管的电流大小。

截断电压和截断电流是二极管的特性之一,也是选用二极管时需要考虑的重要指标。

反向电阻反向电阻是指二极管在反向偏置状态下的电阻。

反向偏置是指二极管的P端连接到负电源,N端连接到正电源。

在反向偏置情况下,二极管会阻止电流流动,并且会有一个最大的反向电阻。

反向电阻对于避免反向电流在电路中流动起着重要作用。

它可以提供反向的限制作用,保护其他电子器件不受到反向电流的影响。

反向电阻的大小在选用二极管时也是需要考虑的一个重要参数。

小信号电阻除了正向电阻和反向电阻,还有一个重要的电阻参数是小信号电阻。

小信号电阻是指在小信号情况下,即电流很小、电压很小时,二极管的电阻。

它通常使用斜率电阻来表示。

斜率电阻可以通过绘制二极管的伏安特性曲线来计算得到。

在曲线上的某一点,斜率电阻等于曲线在该点的斜率。

小信号电阻的大小可以影响二极管的放大性能,一般来说,小信号电阻越小,放大效果越好。

总结二极管的电阻是影响其性能的重要参数。

正向电阻、反向电阻和小信号电阻是描述二极管电阻的常用指标。

ndr负微分电阻

ndr负微分电阻

ndr负微分电阻
NDR(Negative Differential Resistance)在电子学中指的是一种特殊的电阻现象,即当电压或电流变化时,电阻值不是增加而是减小。

这反常的行为通常与一些特殊的半导体器件或电子组件相关。

NDR负微分电阻的例子:
* 二极管负微分电阻:
* 一些二极管在特定电压范围内表现出负微分电阻,例如肖特基二极管。

* 在某些工作点下,二极管的电阻值随电压增大而减小,导致电流的不稳定和非线性响应。

* 隧道二极管(Tunnel Diode):
* 隧道二极管是一种设计用于表现负微分电阻的特殊二极管。

它在某一电压范围内表现出反常的电阻特性。

* 隧道二极管的NDR效应使其在一些特定的电子电路应用中非常有用,如微波放大器等。

* 金氧半场效应晶体管(MOSFET):
* 在一些高电场强度下,MOSFET也可能表现出NDR效应。

* 这种效应可能在一些特殊应用中被利用,但通常情况下电子器件都被设计为避免负微分电阻。

NDR的理解和应用在电子器件设计和特定应用中具有一定的重要性,但在通常的电路设计中,设计师通常会追求线性和稳定的电阻特性。

1。

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6. 外腔稳频
25
外腔稳频振荡器
一、直接耦合式 结构
÷Ð µ ³
等效电路
Q0Q1
Q0
¸ ß Q È Æ Î µ Ç » º Ô ¸ Ø ÷Ç Ö » Ì å
Q1
f0
f1
GL
- Gd
jBd
Gunn
26
二、频带反射式
¸ ß Q È Æ Î µ Ç » Æ Å ¥ ä Õ ¶ Ö Ë
l l g ± l
10
两个调谐电路
÷Å µ ä Æ ÷ « Ö Æ Ã Ò ý È ë º × ¸ è Æ ÷¼ þ º Ô ¸ Ø ¨µ ² ¼ Ð ³ Õ ñ Ç » Ì Â ¶ ·» î È û
ZL
Z (w )
• 波导腔是一个谐振电路,调 配螺钉又等效于1个电路。
L C
• 逐点可画出Y(w)的变化轨迹。
L' Y(w)
18
变容管调谐
lg / 2
lg / 4
并联调谐
等效电路
lg / 4
Rs
Cj
lg / 2
RL
串联调谐
D1 D2
lg / 4
等效电路
Rs C j RL
YIG调谐负载振荡器
H0
扫描电源
RL
o
x
y
扫描电路
振荡器的频率稳定问题
频率稳定性
频率稳定度定义:
w 1 M w0 T
单位:1/0C或 ppm/
导纳:
Y (w ) 1 1 r j (wL ) wC
jB
w 0
w ¥
0
Y (w )
1 r
G
P1
P2 w w 0
Yd (V )
• 由w=0 w=w0 w=¥构成圆 • 交点有两个:P1 和P2 • 由Yd 顺时针转向Y(w)的夹角 <180时是稳定点。P1稳定, P2不稳定 • 所谓稳定是指出现小扰动时,频率偏移,电路能牵引回来。
23
X+Xd=0
• 稳定时有:
( X X d ) ( X X d ) w 0 w
• 电路:
w ( X X d ) m 2 w Q
R R

-- R 为负载阻抗 -- m为电抗变化斜率
( X X d ) 2 RQ w w
1 X 1 L 对于LC电路: X wL 2 w C w wc ìw 1 w Q í L R L L / R wL R 2 Cw 2 î2
-R
2 ZS Z ZW
Z
2 ZS Zd
• Gunn与IMPATT输出阻抗很低,功率输不出来: –采用圆盘形径向腔。由腔四周向波导视去阻抗是 ZW 。 设计腔高 h 使盘半径长度构成相当于 l g/4 阻抗变换器, 使之阻抗匹配。 • 90GHz以上用径向腔较多
17
负阻振荡器的频率调谐
所谓频率调谐就是采取一定的措施改变振荡器的振荡频率。 调 谐 方 式
机械调谐
通过改变谐振腔的尺寸来改变振荡频率
通过改变负阻器件的偏置来改 偏置调谐 变振荡器的振荡频率,体效应 管采用偏压调谐,雪崩管采用 偏流调谐,但是频率变化的同 时输出功率也在发射变化,甚 至出现停振 变容管调谐
电 调 谐
YIG调谐
微波半导体二极管振荡器
负阻振荡器的一般理论 负阻振荡器电路 振荡器的频率稳定问题
1
负阻振荡器的一般理论
负阻振荡起振与平衡
µ ÷Å ä Æ ÷ « Ö Æ Ã Ò ý È ë
波导型负阻振荡器结构:
º × ¸ è Æ ÷¼ þ º Ô ¸ Ø ¨µ ² ¼ Ð ³ Õ ñ Ç » Ì Â ¶ ·» î È û
1 RL Rd (0) 3
Ropt Rd (0) 3
Pout
R(w)
7
负阻振荡器的调谐特性
• 负阻振荡器频率取决于外电路谐振频率。具有一个外电路 时,振荡频率是固定的。如果外电路有两个相互耦合,就 可能有两个振荡频率。调节频率过程中有时振荡在某一个, 有时振荡在另一个。 • 振荡特性用阻抗轨迹图或导纳轨迹图。导纳轨迹图优点是 概括了全部导纳点。 * 阻抗(导纳) 轨迹图是指从器件端口向外电路看去总的 阻抗 ( 导纳 ) 随振荡频率而变化的曲线。阻抗 ( 导纳 ) 轨 迹图因谐振回路情况而异,进行调谐时会变化。
0C
-Rd Gunn jXd
稳定时 R-Rd=0
R ¸ º jX Ô Ø
一般为M=10-3~10-4/0C 温度变化,频率漂移 • 温度变化 电抗变化 X
( X X d ) 频率变 w ( X X d ) • 频率变化 w 电抗变化 X ' w w
R0
ä ³ Ê ö è ¿ × ¹ ± ä » ¶ Î
A
L0
B
jBd
Z0
C0
Yin
- Gd
GL
A'
l g ± l
B'
27
--- 负阻二极管阻抗,I是振荡电流幅度
2
一、起振条件 • 刚起振时,振荡处于“小信号”状态,负载电流 I0 若存在自由振荡,回路电流 i 满足
• 能振荡条件: 即要求负阻器件的小信号负阻的绝对值大于外电路的电阻。
3
4
二、平衡条件 随振荡增强,器件阻抗Zd变化,负阻Rd值下降。当器件负阻
Rd(I)等于外电路正阻时,振荡不再增强,达到稳态平衡。
8
• 单个谐振电路:
jX
C L r
Z(w)
w ¥
Z(w)
-Zd (I)
Zd (I )
Pw w r
0
0
R
w 0
1 ) 阻抗: Z (w ) r j (wL wC
Z(w) --- 垂直线,外电路阻抗线
Zd(I) --- 器件阻抗线 Z(w)- Zd(I) =0,交点P 是振荡频率点。
9
¤× ¹ ÷Ç ø ÷Ð µ ³ · ½ Ï ò
• 当调谐元件在某一范围内沿某方向调节和沿相反方向调节时, 振荡器的工作频率沿不同曲线跳变,这种现象叫调谐的滞后 特性。
• 在 fa < f < fc 范围内得不到稳定振荡。
14
• 频率跳变伴随有功率跳变
P
c
a
d
b
÷³ µ Ð · ½ Ï ò
15
负阻振荡器电路
ZL
Z (w )
负阻器件,谐振腔,调配器 (波导、微带、鳍线)
Z (w ) R(w ) jX (w )
i(t)
ZL
Í ø Â ç
vL (t )
vd (t )
Z (w )
- Zd (I )
--- 外电路阻抗(包括活塞腔, 调配螺钉,外负载)
- Z d ( I ) -Rd ( I ) jX d ( I )
11
r
C'
-Yd (V)
jB
w ¥ Y jw C ' Y (w )
n
1 r
G
Y (w ) j (wC '
P3 w w 0
Yd (V )
1 ) wL' 1
w 0
P1 m
P2
1 Y -j wL'
1 r j (wL ) wC
• Yd(V)和Y(w)的交点可能有3个, 其中P1 和P2 是稳定的 • 如果调谐由 m( 低频 ) 向高频调,将稳定在 P1 ;如果调谐由 n(高频)向低频调,将稳定在P2 。 • 改变L、C或L、C任意一个调谐电路时,曲线导纳轨迹图 上下移动,交点P1 、P2和P3也在变动,从而形成调谐曲线。
12
外电路几种调谐状态
jB
Y (w ) 1 r
jB G
w w0
Y (w )
G
Yd (V )
c' d' (b)
G
Yd (V )
d
c
(a)
G
jB b a
jB
Yd (V )
Yd (V )
Y (w )
Y (w )
(c)
(d)
13
• 实际振荡器调谐曲线(两个回路谐振频率同时变化)
f
fc
c c'
b
fa
a d d'
• 18GHz以上广 Æ Ã Ò ý È ë Í Í µ ¨Ë  ² ¨÷ Æ
Lp
ZW
lg d 2 4
ZS
ì ï Zd í ï î
÷³ µ Ð Ã ± ÷³ µ Ð » î È û º × ¸ è Æ ÷þ ¼ d ð Ê ½ ô ¸ Ë ä ³ ö h Ê
5
6
三、最佳负载
• Zd的虚部变化相对小些,实部变化大些。随着I的变化, 实部下降。 • 用物理概念判断输出功率: * R(w)---负载阻抗很大,I 很小,获得振荡稳定功率也 很小。(勉强刚起振,不易给出功率)。 * R(w)~Rd(I)~0---负载接近短路,显然获得功率也小。 * 中间必有一个最佳负载值,可获得最大输出功率。 最佳负载:
24
• 频率相对变化:
X d X w w 2QR
• R不变情况下提高频率稳定度措施: 1. 减小 :恒温、稳压 2. 减小 X/:低膨胀材料、温度补偿 3. 提高腔体Q值:抛光,镀银或金(导电性不好,稳定性好) 4. 注入锁定(已很少用) 5. 锁相环
• 波导腔振荡 器
¨µ ² ¼ ¶ Ë ¿ é ý È Ò ë Æ « Ñ ¹ ø Ô ¾ µ Ä ¤ ÷Ð µ ³ Â Ý ¶ ¤
¦ Â ¹ Ê Ê ä ³ ö
lg/4
¢ ¶ ¹ þ ¼ « ¹ Ü
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