可控硅参数说明及中文英文对照表
for1b可控硅参数及管脚
for1b可控硅参数及管脚For1b可控硅参数及管脚一、引言For1b可控硅是一种常见的半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
本文将介绍For1b可控硅的参数及管脚功能，以帮助读者更好地了解和应用这一器件。
二、For1b可控硅参数1. 最大正向电压（VDRM）：For1b可控硅能够承受的最大正向电压。
超过这个电压值，可控硅可能会损坏。
2. 最大反向电压（VR）：For1b可控硅能够承受的最大反向电压。
超过这个电压值，可控硅可能会损坏。
3. 最大触发电流（IFT）：For1b可控硅所需的最小触发电流。
当触发电流大于或等于这个值时，可控硅将开始导通。
4. 最大保持电流（IH）：For1b可控硅在导通状态下所能承受的最大保持电流。
超过这个电流值，可控硅可能会损坏。
5. 最大耐压能力（di/dt）：For1b可控硅在关断状态下，能够承受的最大耐压能力。
超过这个值，可控硅可能会损坏。
6. 关断时间（tq）：当For1b可控硅不再受到触发电流时，从导通状态到关断状态所需的时间。
7. 最大温度（Tjmax）：For1b可控硅能够承受的最高工作温度。
超过这个温度，可控硅可能会损坏。
三、For1b可控硅管脚功能1. A1和A2：正向电压输入端。
A1连接到正极，A2连接到负极。
2. G：触发端。
当触发电流大于或等于最大触发电流时，可控硅将开始导通。
3. K：控制端。
通过控制端电压的变化，可以调节可控硅的导通和关断状态。
4. MT1和MT2：输出端。
MT1连接到负极，MT2连接到正极。
四、应用示例For1b可控硅常用于电力电子领域，以下是一个简单的应用示例：在交流电路中，For1b可控硅可以用作开关。
当控制端施加一个正向电压时，触发端的触发电流将大于或等于最大触发电流，从而使可控硅导通。
在导通状态下，交流电流可以通过可控硅流过，从而实现电路的通断控制。
值得注意的是，为了保护For1b可控硅，通常会在可控硅的输入端加上适当的电阻、电容等元件，以限制电流和保证可控硅的正常工作。
btb04一s可控硅参数
btb04一s可控硅参数BTB04是一种可控硅，也被称为双向三极晶体管（Bidirectional Triode Thyristor）。
它具有多种参数，如最大额定电压、最大额定电流、触发电流等。
本文将围绕这些参数展开，介绍BTB04的特性和应用。
一、最大额定电压（VDRM）BTB04的最大额定电压是指在正向工作状态下，它所能承受的最大电压。
一般来说，BTB04的最大额定电压为400V。
当电路中的电压超过这个值时，BTB04可能会损坏或无法正常工作。
因此，在选择BTB04时，需要根据实际电路需求来确定最大额定电压的值。
二、最大额定电流（IT(AV)）BTB04的最大额定电流是指在正常工作状态下，它所能承受的最大电流。
一般来说，BTB04的最大额定电流为4A。
当电路中的电流超过这个值时，BTB04可能会过载而损坏。
因此，在设计电路时，需要根据实际电流需求来选择合适的BTB04。
三、触发电流（IT(RMS)）BTB04的触发电流是指在控制端加上足够的电流时，它开始导通的最小电流值。
一般来说，BTB04的触发电流为10mA。
当控制端电流小于触发电流时，BTB04处于断开状态；当控制端电流大于触发电流时，BTB04开始导通。
触发电流的大小决定了BTB04的开启灵敏度和可靠性。
四、保持电流（IH）BTB04的保持电流是指在导通状态下，控制端所需的最小电流值，以保持BTB04处于导通状态。
一般来说，BTB04的保持电流为10mA。
当控制端电流小于保持电流时，BTB04会自动关断。
保持电流的大小决定了BTB04的稳定性和可靠性。
五、导通电压降（VTM）BTB04的导通电压降是指在导通状态下，BTB04两个主导电极之间的电压降。
一般来说，BTB04的导通电压降为1.7V。
导通电压降的大小决定了BTB04的功耗和效率。
BTB04可控硅具有以上几个重要参数，它的特性使它在电子电路中有着广泛的应用。
例如，BTB04常被用于交流电控制、电能测量和电动机控制等领域。
可控硅参数说明及中英文对照表p
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Rev-
V
IFGM
Peak Forward Gate Current
门极正向峰值电流
A
IGM
Forward Peak Gate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
-
A2ses
dIT/dt
Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3)
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。
通态临界电流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
可控硅参数说明(精)
符号说明:VRRM--反向重复峰值电压:在控制极断路和额定结温的条件下,可以重复加在可控硅上的交流电压。
此电压小于反向最高测试电压100V。
反向最高测试电压,规定为反向漏电流急速增加,反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压;在控制极断路和额定结温的条件下,不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM――断态重复峰值电压;断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV/ IF(AV--通态/正向平均电流;在环境温度+40℃和额定结温下,导通角不小于170°阻性负载电路中,允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
I T(RMS, I F(RMS――通态/正向方均根电流;是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值,用户在使用中须保证,在任何条件下流过器件的电流有效值,不超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流;指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50HzI2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量,是电流的平方乘以时间,表示可控硅的发热特性。
P GM--门极峰值功率;门极触发电压与最大触发电流的乘积;P G(AV --门极平均功率;门极触发电压与正常触发电流的乘积;di/dt--通态电流临界上升率;指在额定结温下,可控硅能承受的最大通态电流上升率(如果电流上升太快,可能造成局部过热而使可控硅损坏V ISO--绝缘电压;芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温;可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温;可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
bta12可控硅参数
bta12可控硅参数（原创实用版）目录1.介绍可控硅的基本概念和作用2.详述 BTA12 可控硅的主要参数3.分析 BTA12 可控硅参数对器件性能的影响4.结论：总结 BTA12 可控硅参数的重要性正文一、可控硅的基本概念和作用可控硅，全称为可控硅控整流器，是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
其主要作用是控制电路中的电流，实现对电压、电流的调节，以满足不同电气设备的需求。
可控硅广泛应用于交直流转换、逆变、调速、调光等电子设备中。
二、详述 BTA12 可控硅的主要参数BTA12 是一种可控硅型号，其主要参数如下：1.额定电压（VRRM）：该参数表示可控硅可以承受的最大反向电压。
BTA12 的额定电压为 1200V。
2.额定电流（ITRM）：该参数表示可控硅的额定正向电流。
BTA12 的额定电流为 15A。
3.控制极触发电压（VT）：该参数表示控制极所需的最小触发电压。
BTA12 的控制极触发电压为 0.6V。
4.动态响应（tf）：该参数表示可控硅从关态到开态的时间。
BTA12 的动态响应为 1ms。
5.静态电流（Iq）：该参数表示可控硅在关态时的漏电流。
BTA12 的静态电流为 100nA。
6.反向恢复时间（trr）：该参数表示可控硅从反向导通状态恢复到关态的时间。
BTA12 的反向恢复时间为 100ns。
三、分析 BTA12 可控硅参数对器件性能的影响1.额定电压和额定电流：这两个参数决定了可控硅的承载能力和电流容量，直接影响器件的使用范围和可靠性。
2.控制极触发电压：该参数决定了控制极对可控硅的控制能力，影响器件的开关速度和动态响应。
3.动态响应：动态响应越快，可控硅的开关速度越快，从而影响器件的工作效率和电磁干扰。
4.静态电流：静态电流越小，可控硅的漏电流越小，影响器件的功耗和可靠性。
5.反向恢复时间：反向恢复时间越短，可控硅在高频工作中的性能越好，影响器件的电磁干扰和开关损耗。
y65kphot可控硅参数解读
y65kphot可控硅参数解读
（实用版）
目录
1.可控硅的基本概念与结构
2.可控硅的参数及其含义
3.y65kphot 型号可控硅的主要参数解读
4.y65kphot 型号可控硅的应用领域
5.结论
正文
一、可控硅的基本概念与结构
可控硅，全称为可控硅控整流器，是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它主要由 p 型半导体、n 型半导体以及控制极组成，结构如图 1 所示。
可控硅广泛应用于交流调速、逆变器、斩波器、恒流源等领域。
二、可控硅的参数及其含义
可控硅的参数主要包括：额定电压、额定电流、控制极触发电流、动态响应特性等。
1.额定电压：可控硅在正向导通状态下，所能承受的最大电压。
2.额定电流：可控硅在正向导通状态下，所能承受的最大电流。
3.控制极触发电流：也称为门限电流，是指控制极电流达到一定值时，可控硅开始导通的最小电流。
4.动态响应特性：可控硅从关态到导态的切换速度。
三、y65kphot 型号可控硅的主要参数解读
y65kphot 型号可控硅是一款常见的可控硅型号，其主要参数如下：
1.额定电压：600V
2.额定电流：50A
3.控制极触发电流：50μA
4.动态响应特性：快速
四、y65kphot 型号可控硅的应用领域
y65kphot 型号可控硅广泛应用于工业控制、交流调速、逆变器、斩波器、恒流源等领域，具有较强的通用性和稳定性。
五、结论
可控硅作为一种重要的半导体器件，其参数对器件性能和应用范围具有重要影响。
可控硅符号含义
参数符号说明:IT(A V)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(A V)--正向平均电流CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（A V）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
acs108可控硅参数
acs108可控硅参数ACS108可控硅参数ACS108是一种可控硅，也称为双向可控硅（Triac），是一种常见的电子元件。
它具有许多参数，这些参数决定了其在电路中的特性和应用范围。
本文将详细介绍ACS108可控硅的参数及其相关知识。
1. 最大额定电流（IT(RMS)）最大额定电流是ACS108可控硅能够承受的最大电流值。
它通常以毫安（mA）为单位表示。
超过这个额定电流值，可控硅可能会过载并且损坏。
2. 阻断电压（VDRM）阻断电压是可控硅能够承受的最大电压值。
它通常以伏特（V）为单位表示。
超过这个电压值，可控硅可能会发生击穿并导致损坏。
3. 触发电流（IGT）触发电流是使可控硅进入导通状态所需的最小电流值。
它通常以毫安（mA）为单位表示。
当触发电流通过可控硅时，它将开始导通。
4. 保持电流（IH）保持电流是在可控硅导通状态下所需的最小电流值。
一旦可控硅触发并导通，保持电流将维持它的导通状态。
保持电流通常比触发电流要小。
5. 闭合时间（tq）闭合时间是可控硅从触发到完全导通所需的时间。
它通常以微秒（μs）为单位表示。
较短的闭合时间可实现更快的响应速度。
6. 关断时间（tq）关断时间是可控硅从关断到完全关闭所需的时间。
它通常以微秒（μs）为单位表示。
较短的关断时间可实现更快的切换速度。
7. 温度系数（αT）温度系数表示可控硅参数随温度变化的程度。
它通常以百分比（%）/℃为单位表示。
温度系数越小，可控硅在不同温度下的性能变化越小。
8. 瞬态电压（Vdrm/vdrm）瞬态电压是可控硅在关断状态下能够承受的瞬态电压峰值。
它通常以伏特（V）为单位表示。
超过这个电压值，可控硅可能会损坏。
9. 瞬态电流（ITSM）瞬态电流是可控硅在导通状态下能够承受的瞬态电流峰值。
它通常以安培（A）为单位表示。
超过这个电流值，可控硅可能会损坏。
10. 绝缘电阻（RMS）绝缘电阻是可控硅的绝缘能力。
它通常以兆欧（MΩ）为单位表示。
可控硅参数说明及中英文对照表
VDRM
Repetitive peak off-state voltage
断态重复峰值电压
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU
A
IGM
Forward Peak Gate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
-
A2ses
dIT/dt
Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3)
mA
IH
Holding Current
维持电流
维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
mA
IL
Latching Current (IGT3)
接入电流(第三象限)/擎住电流
擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~倍即可。
可控硅的常见参数和符号中英文对照表
dv/dt断态电压临界上升率aYp电子资料网
di/dt通态电流临界上升率aYp电子资料网
IGT门极复峰值电流aYp电子资料网
IF(AV)正向平均电流aYp电子资料网
IT(AV)通态平均电流aYp电子资料网
VDRM通态重复峰值电压aYp电子资料网
IH维持电流aYp电子资料网
IDRM断态重复峰值电流aYp电子资料网
ITSM通态一个周波不重复浪涌电流aYp电子资料网
Rthjc结壳热阻aYp电子资料网
Tjm额定结温aYp电子资料网
VRRM反向重复峰值电压aYp电子资料网
VTM通态峰值电压aYp电子资料网
VGT门极触发电压aYp电子资料网
VISO模块绝缘电压aYp电子资料网
可控硅工作原理及参数详解
可控硅工作原理及参数详解可控硅（Silicon-Controlled Rectifier, SCR）是一种半导体器件，由四层P-N结构组成，具有三个电极：阳极（Anode）、阴极（Cathode）和门极（Gate）。
可控硅的工作原理如下：当阳极与阴极之间的电压达到一定的电压（称为激励电压），并且在门极上施加一个正脉冲电压时，P-N结上就会有电流通过，使得可控硅导通。
此时，可控硅的状态称为导通状态。
当阳极阴极之间的电压低于激励电压，或者在门极上施加的脉冲电压为零，或者阳极阴极之间的电流下降到可控硅的保持电流以下时，可控硅会进入截止状态。
可控硅具有以下几个重要的参数：1.阻断电压（VBO）：阻断电压是指可控硅在截止状态下能够承受的最高电压。
超过这个电压，可控硅就会击穿，产生电弧。
2.保持电流（IH）：保持电流是指可控硅在导通状态下必须保持的最小电流。
保持电流以下，可控硅会自动进入截止状态。
3.阻止电流（IDRM）：阻止电流是指可控硅在截止状态下流过的最大电流。
超过这个电流，可控硅可能会被损坏。
4.导通电压降（VF）：导通电压降是指当可控硅处于导通状态时，阳极与阴极之间的电压降低。
5.死区时间（tQ）：死区时间是指可控硅在接收到门极脉冲后，需要经过的一段时间才能将晶体管从截止状态切换到导通状态。
6.触发电流（IGT）：触发电流是指施加在门极上的脉冲电流，将可控硅从截止状态切换到导通状态的最小电流。
7.可控硅的响应时间：可控硅的响应时间是指从接收到触发信号到开始导通的时间。
可控硅的应用范围广泛，常见的应用包括交流电控制、瞬态电压抑制、开关电源和电机驱动等领域。
可控硅参数符号说明
可控硅参数符号说明: IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流KP200A—500A平板型普通晶闸管参数KP2000A—4500A平板型普通晶闸管参数KK200A—1000A 平板型快速晶闸管KP800A—1500A 平板型普通晶闸管参数KK1200A—3000A 平板型快速晶闸管Type V DRMV RRMI T(AV)@85℃tq@100℃30V/μSV TM@I TM(max)I GT V GTI DRMI RRM(max)I H(max)TjmI TSM@10msI2t@10msdv/dt(min)di/dt(min)Rthjc(max)外形(V)(A)(μS)(V/A)(mA)(V)(mA)(mA)℃(KA)(KA2S)(V/μS)(A/μS)(℃/W)KK1200-55KT14800-1800120015-35 3.1/300040-3000.9-2.56020-400115149805003000.024KT14 KK1500-60KT151200-2600150020-60 3.1/300040-3000.9-3.06020-5001151613005003000.02KT15 KK1800-67KT9B1200-2600180015-60 3.1/400040-3000.9-3.06020-5001151918005003000.017KT9B KK2000-70KT161200-2600200015-60 3.1/400040-3500.9-3.08020-8001152122005003000.016KT16 KK2500-76KT171200-2600250015-60 3.1/500040-3500.9-3.08020-8001152736005003000.011KT17 KK3000-76KT17800-1600300020-60 3.1/500040-3500.9-3.08020-8001153148005003000.011KTKP5A—500A 螺栓型普通晶闸管参数KK5A—100A 螺栓型快速晶闸管大功率可控硅晶闸管系列硅双向触发二极管参数可控硅整流器件单、双向可控硅（SCR,TRIAC）YCR单向可控硅系列◆先进的玻璃钝化芯片◆小的通态压降◆高的可靠性、稳定性KS5A—50A螺栓型双向晶闸管KG5A—50A螺栓型高频晶闸管目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
可控硅参数说明及中英文对照表
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak ForwardGate Current
门极正向峰值电流
V/uS
(dI/dt)c
Critical rate of decrease of commutating on-state current
通态电流临界上升率
指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
℃
Tstg
?Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
?Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
?ThermalResistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
可控硅参数说明及中英文对照表p
Tstg
Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
Thermal Resistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
通态临界电流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
可控硅参数要求
Type
KP800-45KA5 KP800-45KT6 KP800-50KT7 KP800-60KT8 *KP800-67KT9 KP1000-50KA6
VDRM VRRM
(V) 500-1600 500-2000 2400-3400 3600-4500 4600-6500 500-1600
IT(AV) @80℃
KK200A—1000A 平板型 快速晶闸管
Type
VDRM
IT(AV)
VRRM @85℃
(V) KK200-30KA2 800-1600 KK200-30KT1 800-1600 KK300-35KA3 800-1600 KK300-35KT2 800-1600 KK500-40KA4 800-1600 KK500-40KT5 800-1600 KK600-45KA5 800-1800 KK600-45KT6 800-1800 KK800-45KT6 800-1800 KK1000-50KT7 800-1800
VTM @ITM (max)
IDRM
IRRM
IGT
VGT
(max) (max) (max)
IH (max)
ITSM
I2t
Tjm
@10ms @10ms
dv/dt (min)
di/dt (min)
Rthjc (max) 外形
(A) 800 800 800 800 800 1000
(V/A)
(mA) (V) (mA) (mA) ℃ (KA) (KA2S) (V/μS) (A/μS) (℃/W)
*KP3700-100KT13 2400-3400 3700 1.6 /6000 300 3.0 100 20-300 125 45
70tps12可控硅参数
70tps12可控硅参数
70tps12是一种可控硅，以下是其参数说明：
1. 最大可重复峰值电压（Vdrm）：70V。
即最大允许的交流峰值电压。
2. 最大可导通电流（Itsm）：12A。
即最大允许的可导通电流。
3. 最大稳态电流（Itav）：未提供具体数值。
即最大稳态电流，通常用于设备的额定工作电流。
4. 最大触发电流（Igt）：20mA。
即在需要将可控硅导通时，需要施加的最小触发电流。
5. 最大闭锁电流（IH）：10mA。
即在可控硅导通后，从关断状态到导通状态需要带过的最小电流。
6. 最大漏电流（IRRM）：5mA。
即在关断状态下的最大漏电流。
7. 最大触发电压（Vgt）：1.5V。
即在需要将可控硅导通时，需要施加的最小触发电压。
以上是70tps12可控硅的一些主要参数，供参考使用。
请注意，具体使用该器件时应根据数据手册中的参数进行选择和操作。
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引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
门极平均散耗功率
-
W
PGM
Peak gate power
门极最大峰值功率
-
W
PG(AV)
Average Gate Power
门极平均功率
-
W
Tj
OperatingJunctionTemperatureRange
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
dV/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
断态临界电压上升率
dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发
A/μs
VDRM
Repetitive peak off-state voltage
断态重复峰值电压
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU
Rth(j-mb)
Thermal Resistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
-
℃/W
Rth(j-a)
Thermal Resistance Junction-to-ambient
热阻-结到环境
-
℃/W
IGT
Triggering gate current
门极触发电流
A/mS
tgt
Gate Controlled Delay Time
门极控制延迟时间
-
us
Tq
Circuit Commutated Turn-off Time
周期转换关断时间
恢复晶闸管电压阻断能力所需的最小电路换流反压时间。
us
Rd
Dynamic Resistance ( Tj=125℃)
动态阻抗
-
mΩ
A
VTO
On state threshold voltage
门
槛电压
-
V
IT(RMS)
On-State RMS Current (full sine wave)
通态电流均方值
-
A
ITSM
Non-Repetitive Peak on-state Current
通态浪涌电流(通态不重复峰值电流)
浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。浪涌电流有上下两个级，这个参数可用来作为设计保护电路的依据。
可控硅参数说明及中英文对照表
符号
英文单词参数
中文参数
说明
单位
IT(AV)
AVERAGE ON-STATE CURRENT
通态平均电流
国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。一般选取其通态平均电流为按此原则所得计算结果的1.5-2倍。
工作结温
为了长期可靠工作，应保证
Rth j-a足够低，维持Tj不高于80%Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。
℃
Tstg
StorageTemperatureRange
贮存温度
-
℃
TL
Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
A
IGM
ForwardPeakGate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
-
A2ses
dIT/dt
Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3)
mA
IL
Latching Current (IGT3)
接入电流(第三象限)/擎住电流
擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
V/uS
(dI/dt)c
Critical rate of decrease of commutating on-state current
通态电流临界上升率
指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
R.M.S. isolation voltage from all three terminals to external heatsink
断态重复峰值漏电流
为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
mA
IRRM
Maximum reverse leakage current
反向重复峰值漏电流
mA
IDSM
断态不重复平均电流
门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。
通态临界电流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选择25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选型时α取大于1.5倍即可。
mA
IH
Holding Current
维持电流
维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
V/uS
dICOM/dt
切换时负载电流下降率
dICOM/dt高，则dVCOM/dt承受能力下降。结面温度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降。假如双向可控硅的dVCOM/dt的允许值有可能被超过，为避免发生假触发，可在T1和T2间装置RC缓冲电路，以此限制电压上升率。通常选用47~100Ω的能承受浪涌电流的碳膜电阻，0.01μF~0.47μF的电容，晶闸管关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流，此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak Forward Gate Current