可控硅参数说明(精)

符号说明:

VRRM--反向重复峰值电压:在控制极断路和额定结温的条件下,可以重复加在可控硅上的交流电压。此电压小于反向最高测试电压100V。反向最高测试电压,规定为反向漏电流急速增加,反向特性曲线开始弯曲时的电压。

V RSM--反向不重复峰值电压;在控制极断路和额定结温的条件下,不允许加在可控硅上的交流电压。

V DRM――断态重复峰值电压;断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。

IT(AV/ IF(AV--通态/正向平均电流;在环境温度+40℃和额定结温下,导通角不小于170°阻性负载电路中,允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。

I T(RMS, I F(RMS――通态/正向方均根电流;是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值,用户在使用中须保证,在任何条件下流过器件的电流有效值,不超过对应壳温下的方均根电流值

I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流;指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50Hz

I2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量,是电流的平方乘以时间,表示可控硅的发热特性。

P GM--门极峰值功率;门极触发电压与最大触发电流的乘积;

P G(AV --门极平均功率;门极触发电压与正常触发电流的乘积;

di/dt--通态电流临界上升率;指在额定结温下,可控硅能承受的最大通态电流上升率(如果电流上升太快,可能造成局部过热而使可控硅损坏

V ISO--绝缘电压;芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。

Tj--工作结温;可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。

Tjm--额定结温;可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。

Tstg--储存温度;能保证可控硅正常工作的储存温度。

Md--安装力矩/电极连接力矩;在安装过程中超过此规定,将造成可控硅的损坏。

IDRM--断态重复峰值电流;为晶闸管在阻断状态下,承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时,流过元件的正反向峰值漏电流,该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。

I

RRM

--反向重复峰值漏电流;为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压

V

DRM 和反向重复峰值电压V

RRM

时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件

允许工作的最高结温Tjm下测出

V TM / V FM――通态/正向峰值电压;指器件通过规定正向峰值电流I

FM

或通态峰值

电流I

TM

时的峰值电压也称峰值压降,该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。

VGT--门极触发电压;在额定结温、在阳极和阴极加上正向电压(一般为6V时,使元件从阻断状态转为导通状态,控制极所需要的最大的直流电压。也就

是说当触发电路输出的的直流触发电压不小于Vg就能保证该型号的元件均能可靠的触发而导通。

V G D门极不触发电压;在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时,保证元件处于阻断状态所能加在门极上的最大直流电压。

I GD--不触发电流;在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时,保证元件处于阻断状态所能允许的,加在门极上的最大触发电流。

IGT--门极触发电流;在额定结温、在阳极和阴极加上一定正向电压(一般为6V 时,保证元件从阻断状态到导通状态,加在门极上的最大触发电流。

dv/dt--断态电压临界上升率;指在额定结温的门极断路的情况下,不导至可控硅从断态到通态转换的外加电压最大上升率

IH--维持电流;在门极断路时。规定环境温度和元件导通条件下,要保持元件能处于导通状态所必须的最小正向电流。

I L------擎住电流;擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态,并移除了触发信号后,能维持通态所必需的最小主电流。擎住电流约为维持电流的2到4倍