RS1J快速恢复二极管规格书
RS1M快恢复二极管
最大正向平均整流电流：1.0A
反向恢复时间：500ns(纳秒)
当电流=1.0A时，正向压降：1.3V
最大反ห้องสมุดไป่ตู้直流电流(TA=25℃)：0.5mA
额定直流阻断电压TA=100℃：10.0mA
操作结和存储温度范围：-50~+150℃
肖特基二极管SSL54
肖特基二极管SB1045L
rs1m属于快恢复二极管系列封装smado214ac其比较突出的特点是反向恢复时间短具体参数请看下方
RS1M快恢复二极管
RS1M二极管 参数
2017年08月24日11:56
RS1M属于快恢复二极管系列，封装SMA/DO-214AC，其比较突出的特点是，反向恢复时间短，具体参数请看下方。
最大重复峰值反向电压：1000V
肖特基二极管SB540L
肖特基二极管SS34
快和超快恢复二极管型号参数
20 20 10 10 10 10 20 20 20 20 10 10 10 10 20 20 20 10 10 10 45 45 45 40 40 35
35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 30 30 30 75 75 150
30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 25 25 30 30 30 30 30 30 Max.Peak Forward Surge Current IFSM A 50 50 50 50 50 50
1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.3 1.7 2.2 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.2
超快恢复二极管
反向重 最大平均正 复峰值 向电流 电压 VRRM V IO @ TA A ℃ 最大正向峰 值浪涌电流 IFSM A 正向电压降 VF @ IF V A 最大反向 典型结电 最大转速 电流 容 恢复时间 TA=25℃ 封装 IR Cj Trr μ A pF ns
型号
/main.asp 1 安培（含铅整流器） SF11S 50 SF12S 100 SF13S 150 SF14S 200 SF15S 300 SF16S 400 SF17S 500 SF18S 600 SF11 SF12 SF13 SF14 SF15 SF16 SF17 SF18 50 100 150 200 300 400 500 600 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 30 30 30 30 15 15 15 15 30 30 30 30 15 15 15 15 35 35 35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 50 50 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
FR104-107贴片规格书
RS1ARS1B RS1D RS1G RS1J RS1K RS1M10005010020040060080050100200400600800100035701402804205607005530301.01.35.015表面安装快恢复整流二极管反向电压 50 ---1000 V正向电流 1.0 AV µA pFI RCj最大正向电压 I F = 1.0A最大反向电流 TA= 25℃典型结电容 V R = 4.0V, f = 1MHz 电特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
Electrical Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.单位Unit符号SymbolsMaximum forward voltageMaximum reverse current Type junction capacitanceV F-50 --- +150V V V A A µA ℃/W℃V RRM V RMS V DC I F(AV)I FSM I R(AV)特征 Features·低的反向漏电流 Low reverse leakage·较强的正向浪涌承受能力 High forward surge capability ·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:250℃/10 秒 seconds at terminals机械数据 Mechanical Data·端子: 焊料被镀 Terminals: Solder plated·极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end ·安装位置: 任意 Mounting Position: Any极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
超快恢复二极管型号参数
5.0
5.0
60
50
DO-201AD
Part Number
反向重复
峰值电压
最大平均正
向电流
最大正向峰值浪涌电流
正向电压降
最大反向电流TA=25℃
典型结电容
最大转速恢复时间
Package
VRRM
IO @ TA
IFSM
VF @ IF
IR
Cj
Trr
V
A
℃
A
V
A
μA
pF
ns
6安培（含铅整流器）
SF61
600
2.0
55
50
1.7
2.0
5.0
30
50
DO-15
3安培（含铅整流器）
SF31
50
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF32
100
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF33
150
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF34
200
SOD-57
Part Number
Peak Repetitive Reverse Voltage
Max.AverageRectified Current
Max.PeakForward Surge Current
Forward Voltage Drop
Max. Reverse Current TA=25℃
快恢复二极管型号大全、主要参数、电压图表等
快恢复二极管型号大全、主要参数、电压图表等快恢复管快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN 结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。
因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
快恢复二极管通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。
双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。
1．性能特点1）反向恢复时间反向恢复时间tr的定义是电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。
它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
反向恢复电流的波形如图1所示。
IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。
Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。
当t≤t0时，正向电流I=IF。
当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。
然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR 逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。
此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。
从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
rs1j二极管参数
rs1j二极管参数
RS1J二极管是一种高速开关二极管，具有快速恢复时间和低反向电流特性。
其主要参数包括最大反向电压、最大正向电流、最大导通电压、正向压降和恢复时间等。
1. 最大反向电压（VRRM）：指二极管在正常工作条件下所能承受的
最大反向电压。
RS1J二极管的最大反向电压为600V，适用于高压应
用场合。
2. 最大正向电流（IFAV）：指二极管在正常工作条件下所能承受的最
大正向电流。
RS1J二极管的最大正向电流为1A，适用于低功率应用
场合。
3. 最大导通电压（VF）：指二极管在正常工作条件下所具有的最小正
向压降。
RS1J二极管的最大导通电压为1.2V，具有较低的能耗特性。
4. 正向压降（VFmax）：指在规定条件下，二极管正常导通时所具有
的最小正向压降。
RS1J二极管的正向压降范围为0.95V-1.2V，与其
它快速恢复二极管相比较低。
5. 恢复时间（trr）：指二极管从正向导通到反向截止时所需的时间。
RS1J二极管的恢复时间为25ns，具有较快的开关速度。
总之，RS1J二极管是一种高性能的快速恢复二极管，具有低反向电流、快速恢复时间和低正向压降等特点。
它适用于电源、开关电路、逆变
器等领域，满足高效、低功耗的要求。
rs1j二极管参数
rs1j二极管参数1. 引言在电子领域中，二极管是一种常见的电子元件。
rs1j二极管作为一种特殊的二极管，具有特定的参数和特性。
本文将对rs1j二极管的参数进行深入探讨，包括其工作原理、主要参数、应用领域等方面。
2. 工作原理2.1 基本原理 rs1j二极管是一种正向导通的整流二极管，其工作原理基于PN结的单向导电特性。
当正向施加电压时，P区暗流云集，电子从N区向P区迁移，形成电流。
而当反向施加电压时，P区逆流而上，形成的电流很小，几乎可以忽略不计。
2.2 构造特点 rs1j二极管的构造特点主要体现在PN结的制作上。
其PN结通常由硅材料制成，通过N型掺杂和P型掺杂形成。
在制造过程中，会控制掺杂浓度和材料性质，以达到期望的特性和参数。
3. 主要参数为了正确选择和应用rs1j二极管，了解其主要参数是必要的。
3.1 最大正向电流（IFM）最大正向电流IFM是指rs1j二极管可承受的最大正向电流。
超过这一数值，会导致二极管过热，失去导通能力。
3.2 最大反向电压（VRM）最大反向电压VRM是指rs1j二极管可以承受的最大反向电压。
超过这一数值，会导致PN结击穿，二极管烧毁。
3.3 峰值反向电压（VRRM）峰值反向电压VRRM是指rs1j二极管可承受的瞬时反向电压峰值。
它通常比最大反向电压略大，以保证在特定应用中的稳定性和可靠性。
3.4 正向电压降（VF）正向电压降VF是指rs1j二极管在正向电流下的电压降。
正向电压降是影响二极管导通特性的重要参数之一。
3.5 反向电流（IR）反向电流IR是指rs1j二极管在反向电压下的漏电流。
漏电流多为极小值，但在一些特定应用中需要注意。
4. 应用领域rs1j二极管由于其特殊的参数和特性，在多个领域得到了广泛应用。
4.1 电源 rs1j二极管可以作为整流器或保护器件用于电源电路中。
其快速的响应速度和高功率处理能力使其能够有效地将交流电转换为直流电，并保护其他电子元件免受电压突变的损害。
稳压快恢复二极管参数
稳压快恢复二极管参数稳压二极管和快恢复二极管是电子领域中常用的两种特殊功能二极管。
稳压二极管可以将电路中的电压保持在一个稳定的范围内，而快恢复二极管则能够快速恢复到正常导通状态。
本文将详细介绍稳压二极管和快恢复二极管的参数及其特性。
一、稳压二极管的参数及特性稳压二极管是一种特殊的二极管，其主要作用是在电路中起到稳压的作用，将电压限制在一个较小的范围内。
稳压二极管的主要参数如下：1.额定工作电压（Vz）：稳压二极管的额定工作电压指的是当二极管正常导通时所能承受的最大电压值。
一般情况下，稳压二极管的额定工作电压会有多种选择，例如3.3V、5.1V等。
2.最大工作电流（Iz）：稳压二极管的最大工作电流指的是在额定工作电压下，二极管正常工作时所能承受的最大电流值。
超过这个电流值，稳压二极管可能会损坏。
3. 动态电阻（rd）：稳压二极管的动态电阻是指在正常导通状态下，稳压二极管导通电流变化一个单位时，二极管两端的电压变化值。
动态电阻越小，说明稳压二极管的稳定性越好。
4.温度系数（TC）：稳压二极管的温度系数指的是当温度发生变化时，稳压二极管的额定工作电压是否会相应变化。
温度系数越小，说明稳压二极管的稳定性越好。
稳压二极管的特性主要包括：1.稳定性：稳压二极管能够在一定的电流范围内保持相对稳定的电压输出，不受负载变化和温度变化的影响。
这使得稳压二极管成为常用的电压稳定器。
2.压降：稳压二极管在正常导通时，会有一个固定的电压降，称为压降。
压降实际上就是稳压二极管的额定工作电压。
3.限流：稳压二极管在正常导通时，可以承受较大的电流。
当电流超过最大工作电流时，稳压二极管会变为开路状态，起到保护负载的作用。
二、快恢复二极管的参数及特性快恢复二极管是一种特殊的二极管，其主要作用是在开关电源等高频应用中，可以快速恢复到正常导通状态。
快恢复二极管的主要参数如下：1. 反向恢复时间（trr）：快恢复二极管的反向恢复时间指的是电流从正向最大值恢复到反向截止状态所需的时间。
FOSAN富信电子 二级管 ES1AL-ES1JL-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES1AL-ES1JLSOD-123FL Super Fast Recovery Diode超快恢复二极管■Features 特点Built-in Strain Relief 内应力释放Fast Switching Speed 快的开关速度Super Fast Recovery time 超快恢复时间Surface Mount Device 表面贴装器件Case 封装:SOD-123FL■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES1AL ES1BL ES1CL ES1DL ES1EL ES1GL ES1JL Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 50100150200300400600V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 50100150200300400600V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570105140210280420V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 1A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 30AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 80℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES1AL-ES1DLES1EL-ES1GLES1JL Unit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 0.951.251.7V I F =1A Reverse Current 反向电流I R 5(T A =25℃)500(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 35nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J15pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES1AL-ES1JL ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES1AL-ES1JL ■Dimension外形封装尺寸。
FOSAN富信电子 二级管 RS1AF-RS1MF-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RS1AF-RS1MFSMAF Fast Recovery Diode快恢复二极管■Features 特点Built-in strain relief 内应力释放Fast Recovery time 快恢复时间Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SMAF■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号RS 1AF RS 1BF RS 1DF RS 1GF RS 1JF RS 1KF RS 1MF Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 501002004006008001000V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 501002004006008001000V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570140280420560700V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 1A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 30AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 30℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号RS1AF-RS1GFRS1JF RS1KF-RS1MFUnit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 1.3V I F =1A Reverse Current 反向电流I R 5(T A =25℃)100(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 150250500nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J15pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RS1AF-RS1MF ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RS1AF-RS1MF ■Dimension外形封装尺寸。