小型压力传感器

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sc0073

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SC0073 微型动态脉搏微压传感器动态微压传感器是一种高性能、低成本的压电式小型压力传感器,产品采用压电薄膜作为换能材料,动态压力信号通过薄膜变成电荷量,在经传感器内部放大电路转换成电压输出。

该传感器具有灵敏度高,抗过载及冲击波能力强,抗干扰性好、操作简便、体积小、重量轻、成本低等特点,广泛应用于医疗、工业控制、交通、安全防卫等领域。

通过测试该型号传感器性能基本满足条件,但是信号稳定性欠佳,尤其是柱状的结构外形,导致其无法与腕带方便的配合。

●典型应用:脉搏计数探测按键键盘,触摸键盘振动、冲击、碰撞报警振动加速度测量管道压力波动其它机电转换、动态力检测等●动态微压传感器主要性能指标:压力范围:≤1Kpa灵敏度:≥0.2mv/pa非线性度:≤1% F.S频率响应: 1~1000HZ标准工作电压: 3V (DC)扩充工作电压: 1.5~6V (DC)标准负载电阻: 10K扩充电阻: 5K~20K外形尺寸: F12.7 X 7.6重量:<1.5g产品价格: SC0073 60元/只前置放大电路对于脉搏波信号采集来说至关重要,考虑到脉搏信号的特点,为了放大噪声环境中传感器输出的弱信号,对于放大器要求具有:极高的共模和差模输入阻抗;很低的输出阻抗;精确和稳定的增益;极高的共模抑制比。

基于以上分析,选用ANALOG DEVICES公司生产的低功耗、高精度仪表放大器AD620作为前置放大的核心器件。

图3是AD620的简化示意图,AD620由三个放大器组成,其内部采用“三运算放大器”典型电路,仅需要一只外接电阻便可使增益在1~1 000之间任意调节,其调节是通过1脚和8脚间的阻抗Rg来实现的。

AD620管脚图如图4所示。

前置放大电路结构如图5所示。

正常人安静时的心率,成年男性约为60--80次/min;女性约为70--90次/min;入睡状态时心率减少,男性为50--70次;女性为60--70次min;有的人可低达45--50次/min;婴儿为120--140次/min;1--2岁为110次左右/min;3--4岁为90--100次/min;5--6岁为95次左右/min;7--8岁为85次左右/min;9--15岁为70--80次/min;小儿在熟睡时心率可减慢10--40次/min;站立、运动、饭后、情绪变化以及某些疾病时心率可增快。

压力传感器说明书

压力传感器说明书

XXX学院测压仪器设计说明书系别:XXX班级:XXXXXXXX姓名:XX学号:XXX。

1 引言随着传感器技术的发展,功能集成化和结构小型化或一体化则成为传感器的主要发展趋势之一。

压力开关传感器的研制就是将功能单一的机械式压力开关与压力传感器结构小型化、功能集成化,使二者在同一个压力腔内能够同时提供开关信号和连续电信号。

该压力开关传感器研制要突破一体化结构、小型传感器设计及机械压力开关等关键技术难点,解决涉及多门学科相互交叉的综合技术。

2 结构设计为了实现机械压力开关与传感器一体化结构的要求,二者必须位于同一压力腔体中。

如果没有体积尺寸和重量的限制,传感器与压力开关只需平行排列就可以。

但在较小结构空间内,我们拟将传感器与压力开关的感压膜片面对面安装在同一压力腔内,共用同一个压力接口与信号接插件。

能够同步感受外部传递的压力,并同时提供阶越信号与连续电信号。

该结构外壳为不锈钢材料,整体设计采用固体硬连接,利用氩弧焊、电阻焊和电子束等多种体连接方法实现传感器结构内无可动部件,强化传感器抗压、抗振、抗冲击特性。

图1,2为传感器一体化结构图。

传感器输出的毫伏信号需要经过放大电路转化成0~5 V标准信号输出。

根据使用要求将电路板设计安装在电路盒体内,电路盒的结构设计如图3所示。

外壳采用金属铝材料,表面进行阳极氧化,电路板经过固定安装后,电路盒四周采用密封处理,输出信号通过电连接器与外部仪表连接。

2.1 小型压力传感器设计压力传感器的工作原理选择扩散硅压阻工作机理。

将构成惠斯登电桥的四个扩散硅电阻对称设计在弹性体的正负应变区上,扩散硅电阻随被测介质的压力增加而增加或减小,造成惠斯登电桥的不平衡电压与被测压力成线性变化。

图4为传感器惠斯登电桥。

基于一体化结构设计压力传感器的敏感器件和芯体采用微小型化,与压力开关形成上下配套结构,形成一体化设计。

图5为传感器小型体芯结构。

传感器设计利用自主开发的传感器计算机辅助设计应用技术进行,使用ANSYS有限元分析平台软件和CV 机械设计软件及数据库的数据资料,建立合理适用的传感器数学模型。

医疗应用新突破 MEMS压力传感器创新设计

医疗应用新突破 MEMS压力传感器创新设计

医疗应用新突破MEMS压力传感器创新设计
 日前,一支来自新加坡一家微电子研究所ASTAR的团队制作出一种小型的传感器,这种传感器将一个稳定的膜片与易传感的硅纳米线结合在一起,从而使得MEMS压力传感器可以更稳定耐用,适用于医疗器械。

 原则上来讲,设计一个小型的压力传感器是很简单的:一个压力变形隔膜嵌入一个压敏电阻器就可以了,这个压敏电阻器必须是由硅纳米线等会由压力引起抗电阻性变化的材料制成。

但事实上却会出现问题,包括电路设计和和脆弱的组件,任何地方出现差错都是商用传感器的致命伤。

 由于这个隔膜必须将很小的压力变化传到到压敏电阻器,同时要抵抗变形和破损,因此,这个隔膜材料的选择就显得至关重要。

于是罗和他的同事们想到用二氧化硅来展现完美的压力传感性能。

然而,二氧化硅虽有优越的传感性能,但也不能战胜易弯曲性这个弱点。

所以,罗将解决方案改为用双层的二氧化硅,同时将压阻式的硅纳米线放在两者中间,顶层再加一层性能稳定的氮化硅。

 通过蚀刻氮化硅和变化厚度、调整硅纳米线,这个团队最终发现了最优的组合。

最后的传感器成功地满足了抵抗变形和机械损坏的同时仍然可以提供在压力感应下电输出的线性变化,符合高精度的医疗器械应用要求。

耐高温小型压差传感器的研制

耐高温小型压差传感器的研制

当 E形膜 受到压 力 P作用 时 , 1 和R 3 将 减小 , 尺 2 和 将 相 应地 增 大 。将 R 1 、 2 、 R 3 、 4 连 接成 为一 个 惠斯 顿 电桥 , 如图 2 所示。
的精度 、 温度漂移及可靠性等主要技术指标与 国外产 品 存在着较大差距。耐高温小型压差传感器是一种具有高 精度、 大 压力 、 大 过载 、 小体 积 以及 耐强 振动 、 耐 冲击 等高
王 香 文
( 广州城建职业学院 , 广东 广州 5 1 0 9 2 5 )
摘 要: 小型耐高温压差传感器主要用于高温状态下测量发动机活塞两腔压力差。采用 s O s ( 硅一 蓝宝石) 材 料制作硅压阻式压力敏感芯片 。 两只压 力
敏感元件 , 分别测量高压端和低压端的压力输 出, 再利用精密的信号处理电路 , 将微弱 的电信号进 行放大处理 。 实现标准的模 拟信 号输 出。
关键词 : 差压传感器 ; S 0 S ( 硅一 蓝宝石) ; 扩散硅 ; 压阻效应
1 引 言

扩 散 电阻 的横 向应 力 ;
扩散 电阻 的纵 向应 力 。
高温压 力 的测量 因受 材料 温 度 限制 , 一 直是 压 力 检 测 领域 的一 个难 题 。按 耐 高温 的敏 感 材料 划 分 , 用 于 高

图 2 恒 压 源 供 电 的 恿斯 顿 电桥 试 示 惹 图
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压力传感器PT111

压力传感器PT111

压力传感器PT111压力传感器是实现压力信号转换为电信号的传感器,其中,PT111是一种小型压力传感器。

它具有敏感度高、输出稳定、使用方便等特点,并广泛应用于工业生产、医疗器械、汽车等领域。

技术参数PT111的技术参数如下:•测量范围:0-100MPa•供电电压:5VDC•输出信号:0.5-4.5VDC•精度等级:0.5%FS(满量程)•温度环境:-40℃-+125℃•过载能力:150%FS•防护等级:IP67原理PT111压力传感器采用片式静态压力传感原理。

其内部结构包括一个半导体晶体管和一个金属膜固定在芯片上。

压力传感区域采用塑料封装,并以内部高度集成的方式来保护感应电路。

PT111压力传感器通过引脚将压力信号输入芯片感应电路中,并将压力信号转换为电信号,最终输出一个标准的电压信号。

在测量的过程中,PT111依靠电源电压作为推动力,将外部压力与内部基准压力进行比较,从而获得目标压力数值。

优点1.高敏感度:PT111压力传感器的敏感度高,可以有效地转换微弱的压力信号,并输出可靠的电信号。

2.输出稳定:PT111采用了先进的SMT生产技术和精密调整工艺,有效地提高了传感器的稳定性和可靠性,同时也减少了不必要的人工干扰。

3.使用方便:PT111的安装方式简单,可以快速地安装在任何设备上,并且具备较好的灵活性。

4.压力范围广:PT111可测量的压力范围广,适用于不同场景的压力监测。

应用场景PT111压力传感器广泛应用于:•工业生产:如食品、制药等工业的压力监测。

•医疗器械:如血液透析机、人工呼吸机压力检测。

•汽车领域:如轮胎压力检测、刹车系统压力监测等。

小结作为一款小型压力传感器,PT111具有精细工艺、高稳定性、敏感度高等特点,能够广泛应用于不同领域的压力监测。

在未来的技术发展和创新中,压力传感器将有更加广泛的应用前景。

微型光机械(MOM)压力传感器

微型光机械(MOM)压力传感器

微型光机械(MOM)压力传感器人类的大脑通过其神经元活动来协调我们的感知、想法和行动。

神经科学家正努力通过采用能够在行为期间以单神经元和单峰分辨率分离、识别和操纵神经元的方法来理解大脑的功能。

神经探针不仅在细胞外记录、脑机接口(BMI)和深部脑刺激(DBS)方面取得了成功,而且在脑电图、神经元功能恢复和脑部疾病研究等一些新的应用中也成绩斐然。

理想情况下,神经探针阵列应具有良好的生物相容性、具有高信噪比的高密度电极、通过柔性电缆实现的互连功能、高度集成的电子架构,以及集成型微执行器,从而驱动电极柄实现神经元运动跟踪。

为了能够在大脑的多个区域内大规模记录单个神经元,神经探针需要高密度、大数量的电极。

遗憾的是,最新的高密度CMOS神经探针有一个很大的“柄”,它是探针的一部分,会植入到大脑区域。

这个“柄”部分需要做到尽可能薄,以避免干扰或损害正常的大脑功能,眼下,它们还达不到神经科学家希望的那么小。

另外,目前的电子设计架构也不是最佳。

探针设计由大量小型有源电极组成,用于放大和缓冲神经信号。

CMOS像素放大器(PA)位于电极下方极小的空间内,由于空间不足,信号处理被迫在探针的底座完成。

想象一下这种非理想信号路由中的噪声问题,理想情况下希望信号处理紧挨着PA进行。

微型光机械(MOM)压力传感器我们从压力传感器设计开始。

MEMS压力传感器有电容式和压电式,它们体积小,性能相当好。

再就是光纤传感器,它们具有超敏感性和低噪声特性,但在集成度较低的设计架构中使用最佳。

现在,我们将上述两种传感器特性合并为一个集成传感器,即微型光机械(MOM)压力传感器。

与压电和电容传感器设计相比,这种器件可带来更高的灵敏度和更好的噪声特性,但封装尺寸却相同。

MOM器件采用马赫-曾德耳干涉仪(MZI)系统或环形谐振器进行演示(图1)。

微压力传感器原理及应用

微压力传感器原理及应用

微压力传感器原理及应用微压力传感器(Micro Pressure Sensor)是一种能够测量微小压力变化的传感器。

它通过测量压力对传感器的弹性材料产生的变形,将压力转化为电信号输出,用于监测和测量各种应用场景中的微小压力变化。

微压力传感器的工作原理主要包括弹性材料变形原理、电阻变化原理和电桥原理。

首先,微压力传感器使用了一种具有较高弹性的材料,例如硅胶或金属弹簧。

当受到微压力作用时,这种材料会发生弹性变形,如压缩或伸展。

通过测量弹性材料的变形量,就可以间接测量压力的大小。

其次,微压力传感器还采用了电阻变化原理。

在传感器的弹性材料上涂覆了一层导电薄膜,当受到压力后,弹性材料的变形会导致导电薄膜的长度和面积发生变化,从而改变了电阻值。

通过测量电阻的变化,可以得到压力的信息。

最后,微压力传感器还可以利用电桥原理来实现。

通过将传感器的弹性材料作为电桥电路的一部分,使得压力的作用会改变电桥的平衡状态,从而引起电桥输出电压的变化。

通过检测电桥输出电压的变化,可以得到与压力变化相关的电信号。

微压力传感器广泛应用于医疗、汽车、电子设备、工业等领域。

以下是一些典型的应用场景:1.医疗健康领域:微压力传感器可以用于各种医疗设备中,如呼吸机、血压计、体重秤等。

通过测量微小压力变化,可以监测患者的生命体征,提供准确的医学数据。

2.汽车领域:微压力传感器可以用于汽车发动机的排放控制系统、制动系统和轮胎气压监测等。

通过监测发动机内部压力和轮胎气压的变化,可以实时调整汽车系统的运行状态,提高汽车的性能和安全性。

3.电子设备领域:微压力传感器可以用于智能手机、平板电脑等电子设备中,用于实现触摸屏的压力感应。

通过识别用户的不同触摸力度,可以实现更精准的交互操作。

4.工业领域:微压力传感器可以用于工业流程控制、压力传递和泄漏检测等。

例如,在石油化工过程中,可以利用微压力传感器实时监测管道内部的压力变化,避免泄漏事故的发生。

总之,微压力传感器通过测量微小压力变化,可以实时监测和测量各种应用场景中的压力情况,并将其转化为电信号输出,为各行各业提供准确的数据支持。

PSA PSB 系列 小型,高精度压力传感器 控制器 说明书

PSA PSB 系列 小型,高精度压力传感器 控制器 说明书

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压力传感器MEMS简介演示

压力传感器MEMS简介演示

,且制造工艺复杂。
03
压电式
利用压电晶体感受压力,将压力转化为电压或电荷变化,输出电信号。
具有灵敏度高、响应速度快、体积小等优点,但易受温度和湿度影响,
且制造工艺复杂。
压力传感器的应用场景
工业控制
用于生产过程中的压力控制、 气体分析等。
汽车电子
用于汽车发动机控制、刹车系 统等。
医疗设备
用于血压、呼吸等生理参数的 监测。
谐振式MEMS压力传感器
利用谐振腔的谐振频率变化感应压力,具有高精 度和稳定性好的特点,适用于高端应用和工业过 程控制。
MEMS压力传感器制造工艺流程
制造工艺流程
MEMS压力传感器制造涉及微机械 加工、微电子加工、光电子加工等技 术,包括硅片加工、薄膜加工、掺杂 、光刻、腐蚀等工艺步骤。
制造材料
MEMS压力传感器制造常用的材料包 括单晶硅、多晶硅、玻璃、聚酰亚胺 等,不同材料适用于不同的应用场景 和性能要求。
医疗压力传感器应用案例
总结词
医疗领域是MEMS压力传感器的另一个重要应用领域,主要 用于监测血压、呼吸和内压等。
详细描述
在医疗领域,MEMS压力传感器主要用于监测人体的生理参 数,如血压、呼吸和内压等。这些传感器能够实时监测患者 的生理状态,为医生提供准确的数据参考,有助于诊断和治 疗。
工业过程控制压力传感器应用案例
总结词
工业过程控制是MEMS压力传感器的另一个应用领域,主要用于控制和监测工业生产过程中的各种气体和液体压 力。
详细描述
在工业过程控制中,MEMS压力传感器主要用于检测和控制各种气体和液体的压力,如空气、燃气、蒸汽、水等 。这些传感器能够实时监测压力变化,确保工业生产过程的稳定性和安全性。

压力传感器MEMS简介

压力传感器MEMS简介
在设计和制造MEMS压力传感器时, 需要在量程和精度之间进行权衡,以 满足不同应用的需求。
MEMS制造工艺较为复杂,生产成本 较高,且良品率有待提高。
04
压力传感器MEMS的应用实例
汽车行业应用
总结词
压力传感器MEMS在汽车行业中应用广泛,主要用于 监测发动机、气瓶压力、进气压力等,提高汽车性能 和安全性。
MEMS器件
基于MEMS技术制造的微型传感器、执行器、微电子器件等 。
MEMS发展历程
1950年代
微电子技术起步,集成电路出 现。
1980年代
MEMS技术诞生,出现第一批 商业化的MEMS产品。
1990年代
MEMS技术进入快速发展阶段 ,应用领域不断扩大。
21世纪
MEMS技术逐渐成熟,成为许 多领域的关键技术之一。
压力传感器MEMS的基本原理是利用压力敏感元件将压力信 号转换为电信号,再通过电路处理和数字化技术进行信号的 传输、存储、显示和控制等操作。
压力传感器MEMS的种类
根据敏感元件材料的不同,压力传感器MEMS可以分为硅基MEMS和陶瓷MEMS两 类。
硅基MEMS通常采用单晶硅、多晶硅或SOI(硅-二氧化硅-硅)材料制作,具有较高 的灵敏度和可靠性。
工业自动化应用
总结词
在工业自动化领域,压力传感器MEMS主要用于流体 控制、过程监控、环境监测等,提高生产效率和产品 质量。
详细描述
工业自动化是现代制造业的重要组成部分,对生产效率 和产品质量的要求越来越高。压力传感器MEMS作为 一种重要的工业自动化元件,广泛应用于流体控制、过 程监控、环境监测等领域。它们能够实时监测各种流体 介质的压力变化,为控制系统提供准确的数据反馈,确 保生产过程的稳定性和可靠性。同时,压力传感器 MEMS还可以用于环境监测,如空气质量、气体泄漏 等,提高工业生产的安全性和环保性。

2024年MEMS压力传感器市场需求分析

2024年MEMS压力传感器市场需求分析

2024年MEMS压力传感器市场需求分析引言MEMS(微机电系统)压力传感器是一种基于微纳米技术制备的小型化压力传感器。

随着科技的不断进步和应用领域的拓展,MEMS压力传感器在自动化控制、汽车工业、医疗器械等领域的需求不断增加。

本文将对MEMS压力传感器市场需求进行分析。

市场规模及趋势据市场调研数据显示,目前全球MEMS压力传感器市场规模约为XX亿美元,并以每年XX%的速度增长。

这主要得益于以下因素:1. 自动化控制的快速发展随着自动化控制技术的不断进步和应用领域的拓展,对MEMS压力传感器的需求越来越高。

在工业自动化控制系统中,MEMS压力传感器可用于检测压缩空气、液体流体等的压力,以实时监测系统的运行状态。

2. 汽车工业的快速发展汽车工业是MEMS压力传感器的重要应用领域之一。

随着电动汽车和智能汽车等新能源汽车的快速发展,对MEMS压力传感器的需求持续增加。

MEMS压力传感器可应用于汽车发动机、制动系统、排放系统等关键部件的压力检测与控制。

3. 医疗器械的广泛应用MEMS压力传感器在医疗器械领域的应用也日益广泛。

例如,在血糖检测仪、呼吸机、血压监测仪等医疗器械中,MEMS压力传感器可用于进行液体压力、气体流量等参数的测量,从而提供准确的医疗数据。

市场驱动因素除了上述因素之外,还有其他市场驱动因素促使MEMS压力传感器需求持续增加。

1. 技术进步带来的价格下降随着MEMS技术的不断进步和应用规模的扩大,MEMS压力传感器的制造成本逐渐下降,从而降低了传感器的价格。

这使得更多的行业和领域能够承担并使用MEMS 压力传感器。

2. 环保意识的提升随着环保意识的提高,对能源利用效率的要求也越来越高。

MEMS压力传感器可以在工业生产和消费领域中发挥重要作用,实现能源的有效利用,因此受到环保意识的推动。

3. 人口老龄化带来的需求增长随着人口老龄化趋势的加剧,对医疗器械和健康监测设备的需求也越来越大。

MEMS压力传感器在医疗器械领域的广泛应用将成为未来市场需求增长的重要驱动因素。

MS5525DSO 数字小型压力传感器说明书

MS5525DSO 数字小型压力传感器说明书

MS5525DSO(Digital Small Outline)SPECIFICATIONS∙ Integrated Digital Pressure Sensor (24-bit ∆Σ ADC)∙ Fast Conversion Down to 1 ms ∙ Low Power, 1 µA (standby < 0.15 µA) ∙Supply Voltage: 1.8 to 3.6V ∙ Pressure Range: 1 to 30 PSI ∙I 2C and SPI InterfaceThe MS5525DSO is a new generation of Digital Small Outline pressure sensors from MEAS with SPI and I 2C bus interface designed for high volume OEM users. The sensor module includes a pressure sensor and an ultra-low power 24-bit ∆Σ ADC with internal factory calibrated coefficients. It provides a 24-bit digital pressure and temperature value and different operation modes that allow the user to optimize for conversion speed and current consumption. The MS5525DSO can be interfaced to virtually any microcontroller. The communication protocol is simple, without the need of programming internal registers in the device.This new sensor module generation is based on leading MEMS technology and latest benefits from TE proven experience and know-how in high volume manufacturing of pressure modules, which have been widely used for over a decade.The rugged engineered thermoplastic transducer is available in single and dual port configurations, and can measure absolute, gauge, compound, and differential pressure from 1 to 30psi.FEATURES∙ Small Outline IC Package ∙ Barbed Pressure Ports∙ Low Power, High Resolution ADC∙Digital Pressure and Temperature OutputsAPPLICATIONS∙ Factory Automation∙ Altitude and Airspeed Measurements ∙ Medical Instruments ∙Leak DetectionSTANDARD RANGES (PSI)FS Pressure Absolute Gauge Differential001 DB, SB,ST, DH002 DB, SB, ST, DH,FT DB, SB,ST, DH005 DB, SB, ST, DH,FT DB, SB,ST ,DH015 DB, FB, DH, FT DB, SB, ST, DH,FT DB, DH030 DB, FB, DH, FT DB, SB, ST, DH,FT DB, DHSee Package Configurations: DB= Dual Barb, DH= Dual Hole, SB=Single Barb, ST=Single Tube, FT=Front Side Tube, FB=Front Single Barb ABSOLUTE MAXIMUM RATINGParameter Conditions Min Max Unit Symbol/Notes Supply Voltage T A = 25°C -0.3 3.6 V V DD Storage Temperature -40 125 °COverpressure T A = 25 °C, both Ports 60 psiBurst Pressure T A = 25 °C, Port 1 psi See Table 1 ESD HBM -4 +4 kV EN 61000-4-2 Solder Temperature 250°C, 5 sec max.Table 1- BURST PRESSURE BY RANGE AND PORT DESIGNATION.Range Port 1Port 2Unit001 10 10 psi002 20 20 psi005 50 15 psi015 120 60 psi030 120 120 psiENVIRONMENTAL SPECIFICATIONSParameter ConditionsMechanical Shock Mil Spec 202F, Method 213B, Condition C, 3 DropsMechanical Vibration Mil Spec 202F, Method 214A, Condition 1E, 1Hr Each AxisThermal Shock 100 Cycles over Storage Temperature, 30 minute dwellLife 1 Million FS CyclesMTTF >10Yrs, 70 ºC, 10 Million Pressure Cycles, 120%FSPressureMSL Moisture Sensitivity Level is 3PERFORMANCE SPECIFICATIONSUnless otherwise specified: Supply Voltage1 3.0 V DC, Reference Temperature: 25°CPARAMETERS MIN TYP MAX UNITS NOTES Operating Voltage 1.8 3.6ADC 24 bitsPressure Accuracy See Table 2 Below %FS 2,5 Total Error Band (TEB) -2.5 2.5 %FS 3 Temperature Accuracy (Reference Temperature) ±1.5ºC 4,5 Temperature Accuracy ±2.5ºC 4,5 Supply Current See OSR Table Below mACompensated Temperature 0 85 ºCOperating Temperature -40 +125 ºCConversion Time See OSR Table Below msWeight 3 gramsMedia Non-Corrosive Dry Gases Compatible with Silicon, Glass, LCP, RTV,Gold, Thermo-Epoxy, Silicone Gel, Aluminum and Epoxy. See“Wetted Material by Port Designation” chart.Notes1.Proper operation requires an external capacitor placed as shown in Application Circuit. Output is not ratiometric to supply voltage.2.The maximum deviation from a best fit straight line(BFSL) fitted to the output measured over the pressure range at 25°C. Includes allerrors due to pressure non-linearity, hysteresis, and non-repeatability.3.The maximum deviation from ideal output with respect to input pressure and temperature over the compensated temperature range.Total error band (TEB) includes all accuracy errors, thermal errors over the compensated temperature range, span and offset calibration tolerances. TEB values are valid only at the calibrated supply voltage.4.The deviation from a best fit straight line (BFSL) from 25°C. to 85°C.5.Six coefficients must be read by microcontroller software and are used in a mathematical calculation for converting D1 and D2 intocompensated pressure and temperature values.Table 2- TYPICAL ACCURACY SPECIFICATION BY PRESSURE RANGERange Port 1 Port 2 Unit001 ±0.25 ±1.0 %FSS002 ±0.25 ±0.5 %FSS005 ±0.50 ±1.0 %FSS015 ±0.25 ±0.25 %FSS030 ±0.25 ±0.25 %FSSOVERSAMPLNG RATIO (OSR) PERFORMANCE CHARACTERISTICSSUPPLY CURRENT CHARACTERISTICSParameter Symbol Conditions Min.Typ.Max UnitSupply current (1 sample per sec.)I DDOSR 40962048102451225612.56.33.21.70.9µAPeak supply current during conversion 1.4mA Standby supply current at 25°C0.020.14µAANALOG DIGITAL CONVERTER (ADC)Parameter Symbol Conditions Min.Typ.Max UnitConversion time t c OSR 4096204810245122567.403.721.880.950.488.224.132.081.060.549.044.542.281.170.60msINPUT/OUTPUT SPECIFICATIONS DIGITAL INPUTS (CSB, I2C, DIN, SCLK)Parameter Symbol Conditions Min.Typ.Max UnitSerial data clock SCLK SPI protocol20MHzSerial data clock SCL I2C protocol 400 kHzInput high voltage V IH Pins CSB80%V 100% V DD VInput low voltage V IL0%V 20% V DD VInput leakage current I leak25°CI leak85°Cat 25°C0.15µAInput capacitance C IN6pF PRESSURE OUTPUTS (I2C, DOUT)Parameter Symbol Conditions Min.Typ.MaxUnitOutput high voltage V OH I source = 0.6 mA80% V DD100%V VOutput low voltage V OL I sink = 0.6 mA0% V DD20% V DD V Load capacitance C LOAD16pFFUNCTIONAL DESCRIPTIONGENERALThe MS5525DSO consists of a piezo-resistive sensor and a sensor interface IC. The main function of theMS5525DSO is to convert the uncompensated analog output voltage from the piezo-resistive pressure sensor to a 24-bit digital value, as well as providing a 24-bit digital value for the temperature of the sensor. FACTORY CALIBRATIONEvery module is individually factory calibrated at two temperatures and three pressures. As a result, six coefficients necessary to compensate for process variations and temperature variations are calculated and stored in the 128-bit PROM of each module. These bits, partitioned into six coefficients, C1 through C6, must be read by the microcontroller software and used in the program converting D1 and D2 into compensated pressure and temperature values.The coefficients C0 and C7 are for factory calibration and CRC.SERIAL INTERFACEThe MS5525DSO has built in two types of serial interfaces: SPI and I2C. Pulling the Protocol Select pin PS to2C bus protocol.SPI MODEThe external microcontroller clocks in the data through the input SCLK (Serial CLocK) and SDI (Serial Data In). In the SPI mode module can accept both mode 0 and mode 3 for the clock polarity and phase. The sensor responds on the output SDO (Serial Data Out). The pin CSB (Chip Select) is used toenable/disable the interface, so that other devices can talk on the same SPI bus. The CSB pin can be pulled high after the command is sent or after the end of the command execution (for example end of conversion). The best noise performance from the module is obtained when the SPI bus is idle and without communication to other devices during the ADC conversion.I2C MODE & ADDRESSINGThe external microcontroller clocks in the data through the input SCL (Serial CLock) and SDA (Serial DAta). The sensor responds on the same pin SDA which is bidirectional for the I2C bus interface. So this interface type uses only 2 signal lines and does not require a chip select, which can be favorable to reduce board space. In I2C -Mode the complement of the pin CSB (Chip Select) represents the LSB of the I2C address. It is possible to use two sensors with two different addresses on the I2C bus. The pin CSB must be connected to VDD or GND do not leave these pins unconnected.COMMANDSThe MS5525DSO has only five basic commands:1. Reset2. Read PROM (128 bit of calibration words)3. D1 conversion4. D2 conversion5. Read ADC result (24 bit pressure / temperature)Size of each command is 1 byte (8 bits) as described in the table below. After ADC read commands the device will return 24 bit result and after the PROM read 16bit result. The address of the PROM is embedded inside of the PROM read command using the Ad2, Ad1 and Ad0 bits.structureFigure 2: Flow chart for pressure and temperature reading and software compensation.MEMORY MAPPINGFigure 3: Memory PROM Mapping Notes[1] Maximal size of intermediate result during evaluation of variable.SPI INTERFACERESET SEQUENCEThe Reset sequence shall be sent once after power-on to make sure that the calibration PROM gets loaded into the internal register. It can be also used to reset the device ROM from an unknown conditionCONVERSION SEQUENCEThe conversion command is used to initiate uncompensated pressure (D1) or uncompensated temperature (D2) conversion. The chip select can be disabled during this time to communicate with other devices.After the conversion, using ADC read command the result is clocked out with the MSB first. If the conversion is not executed before the ADC read command, or the ADC read command is repeated, it will give 0 as the output result. If the ADC read command is sent during conversion the result will be 0, the conversion will not stop and the final result will be wrong. Conversion sequence sent during the already started conversion process will yield incorrect result as well.PROM READ SEQUENCEThe read command for PROM shall be executed once after reset by the user to read the content of the calibration PROM and to calculate the calibration coefficients. There are in total 8 addresses resulting in a total memory of 128 bit. Address 0 contains factory data and the setup, addresses 1-6 calibration coefficients and address 7 contains the serial code and CRC. The command sequence is 8 bits long with a 16 bit result which is clocked with the MSB first.I 2C INTERFACECOMMANDSEach I 2C communication message starts with the start condition and it is ended with the stop condition. The MS5525DSO address is 111011Cx, where C is the complementary value of the pin CSB. Since the IC does not have a microcontroller inside, the commands for I 2C and SPI are quite similar.RESET SEQUENCEThe reset can be sent at any time. In the event that there is not a successful power on reset this may be caused by the SDA being blocked by the module in the acknowledge state. The only way to get the MS5525DSO to function is to send several SCLKs followed by a reset sequence or to repeat power on reset.Figure 10: I2C Reset CommandPROM READ SEQUENCEThe PROM Read command consists of two parts. First command sets up the system into PROM read mode. The second part gets the data from the system.Figure 11: I2C Command to read memory address= 011 (Coefficient 3)Figure 12: I2C response from MS5525DSOS = Start Condition W = Write A = Acknowledge P = Stop ConditionR = ReadN = Not AcknowledgeS = Start Condition W = Write A = Acknowledge P = Stop ConditionR = ReadN = Not AcknowledgeS = Start Condition W = Write A = Acknowledge P = Stop ConditionR = ReadN = Not AcknowledgeCONVERSION SEQUENCEA conversion can be started by sending the command to MS5525DSO. When command is sent to the system it stays busy until conversion is done. When conversion is finished the data can be accessed by sending a Read command, when an acknowledge appears from the MS5525DSO, 24 SCLK cycles may be sent to receive all result bits. Every 8-bit the system waits for an acknowledge signal.Figure 13: I 2C Command to initiate a pressure conversion (OSR=4096, typ=D1)Figure 14: I 2C ADC read sequenceFigure 15: I 2C response from MS5525DSOCYCLIC REDUNDANCY CHECK (CRC)MS5525DSO contains a PROM memory with 128-Bit. A 4-bit CRC has been implemented to check the data validity in memory. The application note AN520 describes in detail CRC-4 code used.S = Start Condition W = Write A = Acknowledge P = Stop ConditionR = ReadN = Not AcknowledgeS = Start Condition W = Write A = Acknowledge P = Stop ConditionR = ReadN = Not AcknowledgeS = Start Condition W = Write A = Acknowledge P = Stop ConditionR = ReadN = Not AcknowledgeMARKING, AND PRESSURE TYPE CONFIGURATIONPressure Type Pmin Pmax DescriptionAbsolute 0psiA +Prange Output is proportional to the difference between 0psiA (Pmin) and pressureapplied to Port 1.Differential/ Bidirectional -Prange +Prange Output is proportional to the difference between Port 1 and Port 2. Outputswings positive when Port 2> Port 1. Output is 50% of total counts whenPort 1=Port 2.Gauge 0psiG +Prange Output is proportional to the difference between 0psiG (Pmin) and Port 1.Output swings positive when Port 2> Port 1.WETTED MATERIAL BY PORT DESIGNATIONMaterialStyle Port LCP Thermo-EpoxyResinEpoxy RTV Glass Silicon Silicone GelAll Port 1 X X X X Port 2 X X X X X X"X" Indicates Wetted MaterialsPINOUT DESIGNATIONPin Name Pin FunctionI2C SPI SIN- 1,3 Sensor Input, Negative Sensor Input, Negative SOUT- 2,4 Sensor Outputs, Negative Sensor Outputs, Negative SDO 5 Not Applicable Serial Data Output SDA/SDI 6 I2C Data Input and Output SPI Serial Data Input SCL/SCLK 7 I2C Clock SPI ClockCSB 8 Defines I2C Address Chip Select (Active Low) Supply - 9 Return Supply Voltage Return Supply Voltage PS 10 Protocol SelectPS = (VDD) PS = (GND)I2C Protocol Selected SPI Protocol SelectedCSB= (VDD) I2C Address =1110110X (0xEC, 0xED)CSB= (GND) I2C Address=1110111X (0xEE, 0xEF) Supply + 11,13 Positive Supply Voltage Positive Supply VoltageSOUT+ 12,14 Sensor Outputs, Positive Sensor Outputs, PositiveBLOCK DIAGRAMFigure 5: SIN- Pins 1 and 3 of MS5525DSOTable BRECOMMEND PCB LAYOUTPad No.Function Notes1SIN-Connect to Pin 32SOUT-Connect to Pin 43SIN-Connect to Pin 14SOUT-Connect to Pin 25SDO6SDI/SDA7SCLK/SCL8CSB9SUPPLY-10PS11SUPPLY+Connect to Pin 1312SOUT+Connect to Pin 1413SUPPLY+Connect to Pin 1114SOUT+Connect to Pin 12Notes:[1] Function pins that share the same name (SOUT+, SOUT-, SIN-, SUPPLY+) must be connected on the PCB for proper operation, as described in the ‘Notes’ column of Table B.[2] Must place a 0.1µf decoupling capacitor between VDD and GND on PCB and as close as possible to sensor.APPLICATION CIRCUITThe MS5525DSO is a circuit thatcan be used in conjunction with a microcontroller. It is designed for low-voltage systems with a supply voltage of 3 V.Note:1. Place 100nF capacitor between Supply and GND to within 2cm of sensorDIMENSIONSMS5525DSO-DBxxxySORDERING INFORMATION5525DSO – DB 005 G S(2)Available in Differential and Gauge Pressure Types/sensorsolutionsMeasurement Specialties, Inc., a TE Connectivity company.Measurement Specialties, TE Connectivity, TE Connectivity (logo) and EVERY CONNECTION COUNTS are trademarks. All other logos, products and/or company names referred to herein might be trademarks of their respective owners.The information given herein, including drawings, illustrations and schematics which are intended for illustration purposes only, is believed to be reliable. However, TE Connectivity makes no warranties as to its accuracy or completeness and disclaims any liability in connection with its use. TE Connectivity‘s obligations shall only be as set forth in TE Connectivity‘s Standard Terms and Conditions of Sale for this product and in no case will TE Connectivity be liable for any incidental, indirect or consequential damages arising out of the sale, resale, use or misuse of the product. Users of TE Connectivity products should make their own evaluation to determine the suitability of each such product for the specific application. © 2015 TE Connectivity Ltd. family of companies All Rights Reserved.NORTH AMERICAMeasurement Specialties, Inc., a TE Connectivity company Tel: 1 800-522-6752Email: ************************EUROPEMeasurement Specialties (Europe), Ltd., a TE Connectivity Company Tel: +31 73 624 6999Email: ************************ASIAMeasurement Specialties (China) Ltd., a TE Connectivity company Tel: 86 0400-820-6015Email: ************************。

压力传感器的分类及应用原理

压力传感器的分类及应用原理

压力传感器的分类及应用原理1.压阻型压力传感器:压阻型压力传感器是最常见的一种类型。

它基于电阻的变化来测量压力。

传感器内部有一层薄膜或弹簧,在受到压力后,薄膜或弹簧的形变会引起电阻值的变化。

测量电路可以通过测量电阻值的变化来推断压力的大小。

压阻型压力传感器具有简单、可靠的特点,广泛应用于工业控制、汽车行业等领域。

2.容积型压力传感器:容积型压力传感器利用物体受力后体积的变化来测量压力。

传感器内部有一个容积随压力变化的腔室,当腔室受到压力时,体积发生变化,通过测量体积的变化来推断压力的大小。

容积型压力传感器具有高精度、广泛测量范围和可靠性高的优点,应用于航空航天、石油化工等领域。

3.集成气压传感器:集成气压传感器是一种基于硅微加工技术制造的压力传感器。

它采用微电子制造工艺,在硅片上制作出细微的结构,通过这些结构的形变量测压力。

集成气压传感器的特点是小巧、高精度,适用于便携式设备和智能穿戴设备等领域。

4.电容型压力传感器:电容型压力传感器是利用电容的变化来测量压力。

传感器内部有两个带电板,当受到压力时,板间距发生变化,进而导致电容值的变化。

通过测量电容值的变化可以推断压力的大小。

电容型压力传感器具有高灵敏度和高精度的优点,广泛应用于医疗设备、环境监测等领域。

压力传感器具有广泛的应用领域,包括但不限于工业自动化、汽车行业、医疗设备、航空航天等。

在工业自动化中,压力传感器用于测量液体或气体的压力,监控设备的工作状态。

在汽车行业中,压力传感器被广泛应用于发动机控制、轮胎压力监测等方面。

在医疗设备中,压力传感器可用于血压测量、人工呼吸机等。

在航空航天领域,压力传感器用于飞机的气压监测、气动控制等。

总之,压力传感器根据其测量原理和应用场景的不同,可以分为压阻型、容积型、集成气压型和电容型等多种类型。

这些传感器的工作原理各有不同,但都可用于测量物体的压力。

压力传感器在工业和生活中有着广泛的应用,为各个领域的控制和监测提供了重要的技术支持。

压力传感器4525D0的参数及测量类型

压力传感器4525D0的参数及测量类型

压力传感器4525D0的参数及测量类型MS4525DO是TE公司推出的一款小型陶瓷基PCB安装式压力传感器。

该传感器工作电压范围为2.7-5.5V,工作温度范围为-40-125℃,可组合输出14位数字压力和11位温度数据,检测的精度较高。

MS4525DO经过温度补偿后可以校准,补偿压力范围内总误差带(TEB)小于1.0%,通过IIC协议或者SPI协议输出,保证输出数据的稳定性和可靠性。

MS4525DO的低功耗性能出色,待机电流<1uA,可以节省系统整体的功耗。

MS4525DO采用MeasurementSpecialties专有的UltraStable™工艺和最新的CMOS传感器调理电路技术,在侧向端口,顶部端口可安装测量管道,可测量1至150psi的绝压,表压,差压,真空或复合压力。

应用优势:
·可组合输出14位数字压力和11位温度数据,检测的精度较高·经过温度补偿后可以校准,补偿压力范围内总误差带(TEB)小于1.0%
·通过IIC协议或者SPI协议输出,保证输出数据的稳定性和可靠性
·低功耗性能出色,待机电流<1uA,可以节省系统整体的功耗·在侧向端口,顶部端口可安装测量管道,便于测量。

·可测量1至150psi的绝压,表压,差压,真空或复合压力
应用
·高度测量/速度测量·医疗器械
·灭火系统
·空中运动/环境控制·气动控制。

微型压力传感器原理

微型压力传感器原理

微型压力传感器原理微型压力传感器是一种高灵敏度、低成本、小型尺寸的传感器,可用于测量静态或动态的压力,广泛应用于工业控制、安全监控、生物医学、航空航天等多学科领域。

本文以微型压力传感器的原理为线索,阐述其机械原理、电气原理和仪表原理,以及应用实例。

首先,微型压力传感器的机械原理是基于结构上来分析的,一般由静力学元件、动力学元件和传感器元件组成。

静力学常用材料有钢、铝、铜、聚合物等;动力学元件有弹簧、活塞等;传感器的原理主要是利用电阻实现压力传感,它的结构形式包括液体型、气体型、高压型和特殊型。

其次,微型压力传感器的电气原理是基于其电路上的工作原理来分析的,它的电路结构通常分为三部分:传感器、滤波电路和处理电路。

传感器产生的微弱电流,会经过滤波电路的处理,再送入处理电路,由此进行信号解码和图形显示。

最后,微型压力传感器的仪表原理是从它的应用来分析的,微型压力传感器的应用极其广泛,包括但不限于负压测试、太阳能发电、地壳形变监测、滚动轴承检测、水压检测和电压控制等。

同时,它也可以应用在航空航天、汽车制造、电子科技等众多领域。

从上述内容可以总结微型压力传感器的原理:它由机械结构、电气结构和仪表结构三部分组成,利用电阻实现压力传感,广泛应用于工业控制、安全监控、生物医学、航空航天等多学科领域,以及汽车制造、电子科技等众多领域。

从实际应用上来讲,微型压力传感器有着独特的优势,有助于更好地控制过程和检测物理变量的变化。

它可以用来测量和控制大多数液体和气体的压力,用于各种产品的质量检测和流量控制,还可以采集环境温度、湿度、空气压力、噪声等信号。

例如,在发动机控制系统中,它可以实时监控进气和排气的压力,监测车辆运行状态,从而保证车辆的安全性能。

总之,微型压力传感器具有高灵敏度、低成本和小型尺寸的优点,在工业控制、安全监控、生物医学、航空航天、电子科技等多个领域有着广泛的应用,也在不断改进和发展,为社会的发展和繁荣贡献出了自己应有的力量。

一种新型变谐式微型压力传感器的结构设计

一种新型变谐式微型压力传感器的结构设计
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(一3)
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
图 1 变谐式微 型压力传感器的机构 示意图
Fig.1 The scheme of the micro resonant pressure sensor
压力传感器的谐振器结构设计如图 2所示 。图 2中所示 A电极作为驱动电极 连接驱动 电压信号 ,产生静电驱动力 ;B 电极作为检测 电极 ,连接 I,、,转换 电路 ,检测 电容变化 。谐振 质量块通过四根支撑梁被锚点 E、F悬 吊起来。
variable resonant frequency and the method of comb-driving。Then the detection t heory was deeply r esearched.Finally,the measure-
ment results was recorded when the pressure of the input air was var ied.T h e exper imental results show t ha t the repea tability and t he hysteresis was about 0.1% and basically meet the industria l demand.Therefore.t he research of this paper has signif icant reference value to t he application of th e resonant pressure sensor..
【关键词 】MEMS;谐振;微型压力传感器
Design ofthe New M icro Resonant Pressure Sensor

医疗应用新突破MEMS压力传感器创新设计

医疗应用新突破MEMS压力传感器创新设计

医疗应用新突破MEMS压力传感器创新设计随着科技的不断发展,医疗应用也越来越注重精准和便捷性。

MEMS (微电子机械系统)压力传感器作为一种新型的传感器技术,在医疗领域也有了广泛的应用。

本文将探讨MEMS压力传感器的创新设计,并阐述其在医疗应用中的新突破。

一、MEMS压力传感器的原理和特点MEMS压力传感器是一种基于微机电技术的传感器,其工作原理是通过测量微压力对传感器内的微结构产生的微小变形来间接测量压力。

其特点主要包括以下几点:1.小型化:MEMS压力传感器的微结构制造精度高,尺寸非常微小,因此可以实现非常小巧的设计,便于集成到各种医疗设备中。

2.高灵敏度:由于微结构的微小变形与压力成正比,因此MEMS压力传感器具有高灵敏度,能够精确地测量非常小范围内的压力变化。

3.低功耗:MEMS压力传感器的微结构通常由微机电技术制造,功耗较低,适合长时间使用。

二、MEMS压力传感器在医疗应用中的创新设计1.可植入式设计:传统的医疗压力传感器通常需要通过外部装置与人体接触,而MEMS压力传感器可以设计成可植入式传感器,直接植入到人体中。

这种设计可以大大减少对患者的侵入性,提高患者的舒适度和安全性。

2.多参数监测:MEMS压力传感器可以集成多个传感器单元,实现对多个参数的监测。

比如,在呼吸机中可以集成MEMS压力传感器、氧浓度传感器和心电图传感器,实现对患者呼吸情况、氧气浓度和心电图的同时监测,提高监测的准确性和全面性。

3.无线传输和远程监测:通过添加传输模块,MEMS压力传感器可以实现无线传输,将监测数据远程传输到医生的设备上。

这样一来,医生可以随时随地通过电脑或手机查看患者的监测数据,及时进行诊断和治疗。

4.数据分析和智能算法:MEMS压力传感器所采集到的大量数据可以通过数据分析和智能算法进行深度挖掘和分析,进一步提高医学诊断的准确度和效率。

比如,通过对MEMS压力传感器采集到的心跳数据进行分析,可以发现潜在的心脏问题,提前进行干预治疗。

AST压力传感器

AST压力传感器

型号大类别产品描述AST4000AST 4000采用整体不锈钢感应元件,可应用在各种要求结构坚固、使用寿命长,以及对不锈钢无腐蚀及损坏的领域,以实现其优秀和长期的测压性能。

为方便机械和电器连接,AST 4000提供了多种螺纹的压力接口及电信号输出以供选择。

AST4100AST 4100是一种小型而价廉的不锈钢压力传感器。

AST 4100兼容的液压和气压范围可由0至10000 PSI,应用范围十分广阔。

AST 4100可选择10mV/V输出,或其它放大信号输出。

AST4200面板专用压力传感器为了简化压力传感器在控制面板上应用安装,美国传感器技术公司推出了AST4200贴板式压力传感器。

传统方法只涉及由传感器到面板的转接器,而创新的AST 4200是穿过面板安装从而消除了可能的液体渗漏途径。

UL/cUL508认证美国AST系列压力AST4900AST 4900是专用于测量高纯净度液体和气体、被测介质与传感器及电信号之间分离的压力传感器。

传感器无填充油、无焊接及O形圈,并对介质接口进行过特殊处理从而消除了传感器对系统污染的风险。

整体的设计同时有利于延长使用寿命,增强抗冲击抗震的能力,并且即使在极端条件下,仍可保持长期的稳定性。

AST4300AST 4300是一种可在危险环境中使用的、被测介质与传感器及电信号之间分离的不锈钢压力传感器。

除了坚固的结构和优秀的性价比之外,AST 4300还是多种危险环境应用压力测量的首选。

AST4310AST 4310是一种可在危险环境中使用的、被测介质与传感器及电信号之间分离的、现场可调式压力传感器。

该传感器的两个调节点由维通O形圈保护,可以调节零点和满度(全量程压力的)±5%偏差。

另外,为简化安装后的调节,AST4310在传感器机身上专门提供了两个调节孔。

AST 4310拥有宽范围螺纹接口,多种输出信号,要求各种调节能力的压力测量的首选。

危险场所使用AST4400AST 4400是具有多种选择的、被测介质与传感器及电信号之间分离的不锈钢传感器。

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小型压力传感器
小型压力传感器哪家好?合肥皖科智能技术有限公司是一家专注于各种技术先进、质量可靠的传感器、变送器、自动化仪表以及自动化控制系统研发、生产销售及工程服务的专业高新技术企业,并致力于为广大用户提供全面的现场总线技术解决方案和工厂信息化建设。

产品信息:
WNK8OMA Small Size Pressure Transmitter
WNK80MA 精小压力变送器
Measuring range: 0-20kPa.25MPa, gauge, absolute pressure
量程范围:0-20kPa25MPa,表压,绝压
Accuracy. #0. 5%FS(typical value)
精度:±0.5%FS(典型值
Output signal: 0.5-4 5V, 1-5V, 0-5V, 4-20mA and customization
输出信号:0.5-4.5V1-5V.0-5V4-20mA等可定制
Measuring medium: liquid, gas and steam compatible with 316L ss 测量介质:与316L不锈钢兼容的液体、气体和蒸汽
Application: Hydraulic and pneumatic control systems, energy and
water treatment systems, level measurement, auto detection system.
vessel and aviation fields
应用范围:液压及气动控制系统,能源及水处理系统,液位测量
自动检测系统,船舶及航空应用
合肥皖科智能技术有限公司凭借严格、科学的管理体系和管理机制,通过了船级社的ISO9001:2000质量管理体系认证。

公司立志于新产品的研发和技术创新,瞄准前沿技术不断的努力和进取,承担科技部创新项目,被合肥市高新区认定为“科技小巨人”培育企业。

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主要产品包括iEOS工业云数据库开发平台;工业物联网;WNK-WMS工业无线测量系统;温度、压力、流量、物位传感器、变送器等现场测量仪表。

公司产品和服务广泛用于石油、化工、电力、冶金、水泥制造等行业。

合肥皖科智能技术有限公司是安徽省唯一一家具有0.075%计量器具生产资质的企业。

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